DE102006053211A1 - Strukturiertes Wafer-Level-Bondverfahren - Google Patents

Strukturiertes Wafer-Level-Bondverfahren Download PDF

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein gehäustes elektronisches Bauteil und ein Verfahren zur Herstellung gehäuster elektronischer Bauteile im Waferverbund. Das Verfahren umfaßt das Bereitstellen eines Trägersubstrats und eines Deckelsubstrats, das Aufbringen der Funktionselemente auf der Oberseite des Trägersubstrats innerhalb vorgegebener Parzellen, das Erzeugen von Vertiefungen, die im wesentlichen den Grenzen der Parzellen entsprechen, auf oder in der Unterseite des Deckelsubstrats, so daß die Vertiefungen von zumindest einem Rahmen umgeben sind, das Aufbringen zumindest einer Klebeschicht auf zumindest der Unterseite der Rahmen, das Zusammenfügen von Träger- und Deckelsubstrat zu einem Verbundsubstrat derart, daß die Oberseite des Trägersubstrats der Unterseite des Deckelsubstrats gegenüberliegt und die Funktionselemente in den Vertiefungen angeordnet sind, das Aushärten der Klebeschicht mittels UV-Strahlung und das Trennen des Verbundsubstrats entlang zumindest einer vorgegebenen Spur innerhalb der Rahmen, so daß das Verbundsubstrat in einzelne Bauelemente zerlegt wird.

Description

  • Beschreibung der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung gehäuster, elektronischer, insbesondere optoelektronischer, Bauelemente im Waferverbund und gehäuste, elektronische, insbesondere opto-elektronische, Bauelemente.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Für die Fertigung von integrierten elektronischen oder anderen Bauelementen für Mikrosysteme wurden Technologien entwickelt, die eine Erzeugung genau strukturierter Verkapselungsschichten, Abdecksubstrate und/oder – hohlräume, sogenannte Kavitäten, ermöglichen.
  • Die Verwendung strukturierter Verkapselungsschichten oder Abdecksubstrate liegt zum einen darin begründet, die sensitiven Bereiche der Funktionselemente vor Umgebungseinflüssen, wie beispielsweise Feuchtigkeit oder mechanischer Beschädigung zu schützen. Zum anderen liegt es an der Notwendigkeit, über den jeweiligen Teilen eines Wafers Kavitäten zu realisieren, um beispielsweise einen direkten Kontakt der Verkapselungsschicht oder der Abdecksubstrate mit den Funktionselementen, beispielsweise in Ausgestaltung elektronischer Schaltungen, des Wafers zu vermeiden.
  • Die Fertigung des Bauelements und die Gehäusung der Bauelemente erfolgt entweder noch im Verbund eines Wafers, sogenanntes „wafer-level-packaging" oder auf dem vereinzelten Bauelement bzw. Halbleiterchip, sogenanntes „single-size-packaging".
  • Verfahren zur hermetischen Verkapselung von Substraten mit dem genannten strukturierten Abdecksubstrat sind beispielsweise anodisches Bonden, Fusion Bonden oder Sol Gel Bonden. In vielen Anwendungsfällen, vor allem im – Home Consumer Market – reicht die Hermetizität einer Klebeschicht aus, um Bauteile zu schützen und die notwendige Lebensdauer zu erreichen. Oft darf jedoch nicht ganzflächig ein Deckwafer aufgeklebt werden, da die Klebeschicht die Funktionsweise des Chips beeinträchtigt. Daher ist es notwendig, Kavitäten über dem Funktionswafer zu schaffen.
  • Bekannte Verfahren für das sogenannte „Cavity Bonden" mit Klebematerialien beruhen auf der „Pick & Place"-Technologie. Dabei wird ein bereits in die notwendigen Bereiche zerteiltes Abdecksubstrat verwendet. Die jeweiligen Bereiche des Abdecksubstrats werden einzeln mittels Vakuumgreifer entnommen, dieser Vorgang wird dabei als sogenanntes „Pick" bezeichnet und in einem nächsten Schritt, welcher als „Place" bezeichnet wird, auf dem gewünschten Bereich des Funktionswafers plaziert.
  • Hierbei ist es jedoch erforderlich, daß sich die, beispielsweise mittels Siebdruck oder Dispenstechnologie aufgebrachte, Klebeschicht entweder schon auf dem Funktionswafer oder auf dem Abdecksubstrat befindet oder nach dem Pick-Vorgang in einem Zwischenschritt auf dem einzelnen Abdecksubstratbereich aufgebracht wird.
  • Nachteilig wirkt sich bei dieser Technologie eine geringe Chipgröße aus, da die Möglichkeit des Greifens und Plazierens von kleinsten, insbesondere von kleiner als etwa 1 mm2, Abdecksubstratbereichen begrenzt ist.
  • Die Prozeßdauer für das Cavity Packaging von Funktionswafern richtet sich bei der Pick & Place Technologie nach der Anzahl der abzudeckenden Chips, d.h. bei eine Chipanzahl von bis zu oder sogar mehr als 1000 Chips pro Wafer kann der Vorgang erhebliche Prozeßzeit in Anspruch nehmen.
  • Allgemeine Beschreibung der Erfindung:
  • Vor diesem Hintergrund ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, gehäuste elektronische, insbesondere optoelektronische, Bauelemente oder Bauteile bereitzustellen sowie ein vereinfachtes und wirtschaftliches Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere sollen dabei die vorstehend aufgeführten Nachteile des Standes der Technik vermieden werden.
  • Insbesondere soll das Verfahren auch für das Verkapseln von kleinsten Bauelementen, sogenannten Mikro-Bauelementen, geeignet und im wesentlichen unabhängig von der Anzahl der auf dem Funktionswafer befindlichen Funktionselementen sein.
  • Die Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 21 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
  • In einer ersten Ausführungsform umfaßt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung gehäuster, insbesondere elektronischer oder opto-elektronischer Bauteile, wobei jedes Bauteil zumindest ein, vorzugsweise integriertes, Funktionselement aufweist. Das Verfahren umfaßt dabei die Schritte:
    • a) Bereitstellen eines Trägersubstrats bzw. Funktionswafers und eines Deckelsubstrats bzw. eines Coversubstrats,
    • b) Aufbringen der Funktionselemente auf und/oder in zumindest der Oberseite des Trägersubstrats innerhalb vorgegebener Parzellen,
    • c) Erzeugen von Vertiefungen, die im wesentlichen den Grenzen der Parzellen entsprechen, auf und/oder in der Unterseite des Deckelsubstrats, so daß die Vertiefungen von zumindest einem Rahmen umgeben sind,
    • d) Aufbringen, vorzugsweise zumindest einer Klebeschicht zumindest auf der Unterseite der Rahmen,
    • e) Zusammenfügen von Träger- und Deckelsubstrat zu einem Verbundsubstrat derart, daß die Oberseite des Trägersubstrats der Unterseite des Deckelsubstrats gegenüberliegt und die Funktionselemente in den Vertiefungen angeordnet sind,
    • f) Aushärten der Klebeschicht mittels UV-Strahlung und
    • g) Trennen des Verbundsubstrats entlang zumindest einer vorgegebenen Spur innerhalb der Rahmen, so daß das Verbundsubstrat in einzelne Bauteile zerlegt wird.
  • Als Trägersubstrat wird ein Halbleiterwafer, insbesondere umfassend die oder bestehend aus den Materialien Silizium und/oder Germanium bereitgestellt. Das Trägersubstrat weist dabei eine Dicke von etwa 100 μm bis etwa 2000 μm und/oder einen Durchmesser von etwa 100 μm bis etwa 500 mm auf.
  • Der Verfahrensschritt des Aufbringens der Funktionselemente umfaßt das Aufbringen aktiver Halbleiter-Funktionselemente, sensorisch aktiver Funktionselemente, elektronischer Schaltungen und/oder optisch aktiver Funktionselemente.
  • Durch die Anordnung in den Vertiefungen als auch das Aufbringen der Klebeschicht auf der Unterseite der Rahmen werden die Funktionselemente in Kavitäten oder Hohlräumen eingeschlossen, dadurch gehäust und hermetisch ein- bzw. verschlossen.
  • Durch diese Anordnung werden die Funktionselemente sowohl vor Einflüssen durch die Umgebung, wie z.B. Nässe oder Staub, als auch durch eine Beeinträchtigung durch die Klebeschicht geschützt, um ihre angestrebte Lebensdauer erreichen zu können.
  • Ein Vorteil der Erfindung ist das Verbinden des Trägersubstrats und seiner Funktionselemente mit dem Deckelsubstrat in einem Verfahrensschritt und ist dabei im wesentlichen unabhängig von der Zahl der auf dem Trägersubstrat befindlichen Funktionselemente und im wesentlichen unabhängig von deren Größe. Das Trägersubstrat mit den Funktionselementen wird in diesem Zusammenhang auch als Funktionswafer bezeichnet.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere geeignet für Funktionselemente, welche einen Querschnitt von kleiner als etwa 1 mm2, bevorzugt von kleiner als etwa 0,5 mm2 aufweisen.
  • Das Aushärten oder Trocknen mittels UV-Strahlung ist einfach anwendbar und ermöglicht einen dauerhaften Verbund zwischen dem Trägersubstrat und dem Deckelsubstrat und dadurch eine hermetische Verkapselung der in den Vertiefungen plazierten Funktionselemente. In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Klebeschicht von der Oberseite des Deckelsubstrats durch das Deckelsubstrat hindurch in Richtung des Trägersubstrats bestrahlt. Eine Bestrahlung der Klebeschicht von der gegenüberliegenden Seite, d.h. durch die Unterseite des Trägersubstrats in Richtung des Deckelsubstrats, ist bei geeigneter Materialwahl des Trägersubstrats ebenfalls möglich. Weiterhin ist eine beidseitige Bestrahlung aus beiden vorab beschriebenen Richtungen möglich.
  • Vorteilhaft erfolgt das Aushärten der Klebeschicht aller Bauteile somit in einem Verfahrensschritt bzw. das Aushärten der gesamten Klebeschicht des Verbundsubstrats erfolgt gleichzeitig und, bei vorausgesetzter gleichmäßiger Bestrahlung, auch gleichmäßig, wodurch sich alle Bereiche des Verbundsubstrats vor dem Vereinzeln in einzelne Bauelemente dem selben gehärteten Zustand befinden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht, daß die Klebeschicht auf der gesamten Unterseite der Rahmen gleichzeitig in einem Verfahrensschritt aufgebracht wird. Die Klebeschicht ist präzise dosierbar. Die Klebeschicht wird dabei mit einer Dicke von etwa 5 μm bis 100 μm, bevorzugt von etwa 10 μm bis 25 μm aufgebracht. Die genannten Dicken sind einerseits ausreichend dick gewählt, um eine feste Verbindung des Trägersubstrats mit dem Deckelsubstrat und ein schnelles Aushärten zu ermöglichen. Andererseits sind die Dicken ausreichend dünn gewählt, um ein zu breites Zerfließen bzw. eine zu große Verbreitern der Klebeschicht in lateraler Richtung, d.h. entlang der Oberfläche des Trägersubstrats beim Zusammenführen bzw. Zusammenpressen des Deckelsubstrats mit dem Trägersubstrat zu vermeiden und eine mögliche Verunreinigung der Funktionselemente durch die Klebeschicht zu vermeiden.
  • Das Verfahren zeichnet sich zudem dadurch aus, daß die Klebeschicht zumindest annähernd gleichmäßig oder sogar vollständig gleichmäßig, d.h. mit gleicher Dicke auf den Unterseiten aller Rahmen, aufgetragen werden kann bzw. aufgetragen wird. Es ergibt sich eine maximale Dickendifferenz ΔD der Klebeschicht, gemessen an unterschiedlichen Position des Deckelsubstrats, von ΔD kleiner als etwa 0,5 μm, vorzugsweise von ΔD kleiner als etwa 0,1 μm. Dies ermöglicht, bei einem vorzugsweise über das gesamte Deckelsubstrat annähernd gleichmäßigen Anpressdruck, das Erreichen eines zumindest annähernd vollständigen hermetischen Verschlusses jedes einzelnen Funktionselementes. Zugleich wird dadurch ein zu starkes Zerfließen der Klebschicht beim Aneinanderpressen von Deckelsubstrat und Trägersubstrat und eine mögliche Verunreinigung der Funktionselemente durch eine zerfließende Klebeschicht vermieden.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Klebeschicht durch Inkontaktbringen der Unterseite oder im wesentlichen der Unterseite der Rahmen mit einer klebstoffbenetzten Fläche aufgebracht.
  • Das Inkontaktbringen oder Kontaktieren der Unterseite der Rahmen erfolgt dabei durch das bloße Berühren der Unterseite der Rahmen mit der klebstoffbenetzten Fläche oder durch ein Eintauchen bzw. leichtes Eindrücken der Unterseite der Rahmen in ein Klebstoffvolumen. Das erfindungsgemäße Verfahren kann dabei analog des Benetzens eines Stempels mit Tinte sein, welcher durch ein Eindrücken in ein Stempelkissen oder durch ein Berühren eines Stempelkissens auf seiner Stempelfläche mit Tinte benetzt oder bedeckt wird. Eine Alternative zu einer mit Klebstoff benetzten Fläche ist die Oberfläche eines in einem Gefäß befindlichen Klebstoffs. Die Klebeschicht wird vorzugsweise als ein Epoxydharz bereitgestellt.
  • Als Deckelsubstrat und/oder als Trägersubstrat wird ein für UV-Strahlung transparentes Material bereitgestellt. In einer Ausführungsform wird eine, vorzugsweise ebene, Kunststoffscheibe, insbesondere umfassend die oder bestehend aus den Materialien PMMA (Polymethylmethacrylat) und/oder Polycarbonat bereitgestellt. In einer alternativen Ausführungsform wird eine, vorzugsweise ebene, Glasscheibe, insbesondere umfassend die oder bestehend aus den Quarzglas bereitgestellt. Das Deckelsubstrat wird dabei mit einer Dicke von etwa 200 μm bis etwa 2000 μm, bevorzugt von etwa 500 μm bis etwa 1000 μm bereitgestellt. Das Deckelsubstrat bzw. Coversubstrats ist eine Bedeckung oder Abdeckung.
  • Die Vertiefungen, welche in dem Deckelsubstrat erzeugt werden, weisen eine Größe auf, die sich an der Größe des auf dem Trägersubstrats plazierten Funktionselements orientiert. Die Vertiefungen werden dabei mit einer Breite oder einem Durchmesser von etwa 10 μm bis etwa 3000 μm, bevorzugt von etwa 50 μm bis etwa 1500 μm, besonders bevorzugt von etwa 100 μm bis etwa 500 μm und/oder mit einer Tiefe von etwa 0,1 μm bis etwa 1000 μm, vorzugsweise von etwa 1 μm bis etwa 100 μm erzeugt.
  • Mögliche Verfahren zum Erzeugen bzw. zum Einbringen der Vertiefungen stellen zum einen materialabtragende Verfahren dar. Vorzugsweise werden dabei die Vertiefungen mittels Sandstrahlen, Nassätzen, Trockenätzen, Ultraschall-Schwingläppen, und/oder Laserablation eingebracht. In einer weiteren Ausführungsform werden die Vertiefungen mittels Heißprägen erzeugt.
  • Durch das Erzeugen, hier das Einbringen, der Vertiefungen bilden sich zwischen den einzelnen Vertiefungen einzelne Rahmen aus. Mit Ausnahme der außenliegenden Vertiefungen sind in diesem Fall alle Vertiefungen zu ihren jeweils benachbarten Vertiefungen mit jeweils einem Rahmen bzw. durch jeweils einen Rahmen getrennt. Das Verbundsubstrat wird dabei, vorzugsweise im wesentlichen mittig, entlang der Rahmen mittels Sägen getrennt bzw. in einzelne Bauelemente zerlegt.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform werden die Vertiefungen mittels eines materialauftragendes oder materialabscheidendes Verfahren erzeugt. Dieses Verfahren zur Erzeugung der Vertiefungen umfaßt dabei die folgenden Schritte
    • – A ufbringen einer Maske, welche die Struktur des Rahmens negativ abbildet,
    • – Aufdampfen einer, insbesondere für UV-Strahlung transparenten, Schicht oder Glasschicht und
    • – Entfernen der Maske mittels Lift-Off-Technik.
  • Die Vertiefung wird dabei durch die aufgebrachte Rahmenstruktur erzeugt. In einer Ausführungsform ist das Erscheinungsbild der Rahmenstruktur auf der Unterseite des Deckelsubstrats ähnlich der Rahmenstruktur, welche durch ein materialabtragendes Verfahren erzeugt wird. Das Zerlegen in einzelne Bauelemente erfolgt in diesem Fall analog wie vorstehend beschrieben.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Rahmenstruktur derart erzeugt, so daß jede Vertiefung durch jeweils einen einzelnen Rahmen gebildet wird, der jedoch nicht auch gleichzeitig den Rahmen bzw. einen Teil des Rahmens einer benachbarten Vertiefung bildet. Dadurch bilden sich zwischen den einzelnen Rahmen sogenannte Gräben aus. Hierbei wird das Verbundsubstrat, insbesondere im wesentlichen mittig, zwischen den Rahmen beispielsweise mittels Sägen getrennt bzw. in einzelne Bauelemente zerlegt. Das Zerteilen erfolgt somit, insbesondere im wesentlichen mittig, entlang der gebildeten Gräben. In vorteilhafter Weise ist hierbei der Aufwand beim Zerteilen des Verbundsubstrats durch eine im Bereich der Sägespur verminderte additive Gesamtdicke des Verbundsubstrats deutlich reduziert.
  • Die Höhe der Rahmen entspricht oder entspricht im wesentlichen der Tiefe der Vertiefungen und/oder die Breite der Rahmen werden mit einer Breite erzeugt von etwa 5 μm bis etwa 500 μm, vorzugsweise von etwa 10 μm bis etwa 200 μm.
  • Als besonders geeignet hat sich ein Aufdampfglas erwiesen, welches folgende Zusammensetzung aufweist:
    Komponenten Gew %
    SiO2 75-85
    B2O3 10-15
    Na2O 1-5
    Li2O 0,1-1
    K2O 0,1-1
    Al2O3 1-5
  • Ein bevorzugtes Aufdampfglas dieses Typs ist das Glas 8329 der Firma Schott mit der folgenden Zusammensetzung in Gewichtsprozent:
    SiO2 84,1 %
    B2O3 11,0 %
    Na2O ≈ 2,0 % ⌉
    K2O ≈ 0,3 % ⧽ (in der Schicht = 3,3 %)
    Li2O ≈ 0,3 % ⌋
    Al2O3 ≈ 2,6 % (in der Schicht < 0,5 %)
  • Ein weitere Gruppe geeigneter Aufdampfgläser weist die folgende Zusammensetzung auf:
    Komponenten Gew %
    SiO2 65-75
    B2O3 20-30
    Na2O 0,1-1
    Li2O 0,1-1
    K2O 0,5-5
    Al2O3 0,5-5
  • Ein bevorzugtes Aufdampfglas aus dieser Gruppe ist das Glas G018-189 der Firma Schott mit der folgenden Zusammensetzung:
    Komponenten: Gew%
    SiO2 71
    B2O3 26
    Na2O 0,5
    Li2O 0,5
    K2O 1,0
    Al2O3 1,0
  • Weiterhin umfaßt die vorliegende Erfindung ein elektronisches, vorzugsweise opto-elektronisches, Bauteil, welches herstellbar oder hergestellt ist mit dem vorstehend beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren. Das elektronische Bauteil besteht dabei zumindest aus
    • – einem Verbund aus einem Trägersubstrat und einem Deckelsubstrat, wobei
    • – die Unterseite des Deckelsubstrats der Oberseite des Trägersubstrats gegenüberliegt,
    • – auf und/oder in zumindest der Oberseite des Trägersubstrats zumindest ein Funktionselement angeordnet ist,
    • – das Deckelsubstrat derart mikrostrukturiert ist, so daß es zumindest einen Rahmen aufweist und über dem zumindest einen Funktionselement eine Kavität bildet
    • – und das Deckelsubstrat mit dem Trägersubstrat mittels, vorzugsweise zumindest, einer UV-gehärteten auf der Unterseite des Rahmens angeordneten Klebeschicht verbunden ist.
  • Das Trägersubstrat umfaßt dabei einen Halbleiterwafer oder ist ein Halbleiterwafer. Der Halbleiterwafer umfaßt die Materialien oder besteht aus den Materialien Silizium und/oder Germanium.
  • Die genannten Funktionselemente umfassen aktive Halbleiter-Funktionselemente, sensorisch aktive Funktionselemente und/oder optisch aktive Funktionselemente. In einer Ausführungsform bestehen die genannten Funktionselemente aus aktiven Halbleiter-Funktionselementen, sensorisch aktiven Funktionselementen und/oder optisch aktiven Funktionselementen.
  • Das Deckelsubstrat und/oder das Trägersubstrat umfaßt bzw. umfassen ein für UV-Strahlung transparentes Material. In einer weiteren Ausführungsform besteht bzw. bestehen das Deckelsubstrat und/oder das Trägersubstrat aus einem für UV-Strahlung transparenten Material.
  • Das Deckelsubstrat umfaßt oder ist eine, insbesondere ebene, Kunststoffscheibe. Vorzugsweise umfaßt die Kunststoffscheibe die Materialien oder besteht die Kunststoffscheibe aus den Materialien PMMA und/oder PC.
  • In einer alternativen Ausführungsform ist das Deckelsubstrat dadurch gekennzeichnet, daß es eine, vorzugsweise ebene, Glasscheibe, insbesondere Quarzglas umfaßt oder ist. Das Deckelsubstrat weist dabei eine Dicke von etwa 200 μm bis etwa 2000 μm, bevorzugt von etwa 500 μm bis etwa 1000 μm auf.
  • Die erzeugte Kavität oder Vertiefung weist eine Breite oder einen Durchmesser von etwa 10 μm bis etwa 3000 μm, bevorzugt von etwa 50 μm bis etwa 1500 μm oder besonders bevorzugt von etwa 100 μm bis etwa 500 μm auf. Die Höhe bzw. Tiefe der Kavität beträgt etwa 0,1 μm bis etwa 1000 μm, vorzugsweise etwa 1 μm bis etwa 100 μm.
  • Die Mikrostrukturierung oder der Rahmen ist gebildet oder formbar durch das Einbringen von Vertiefungen in die Unterseite des Deckelsubstrats und/oder durch das Aufbringen zumindest einer strukturierten Schicht auf der Unterseite des Deckelsubstrats, wobei die aufgebrachte strukturierte Schicht das gleiche oder ein unterschiedliches Material wie das Deckelsubstrat aufweisen kann. Vorzugsweise umfaßt die aufgebrachte Schicht ein Aufdampfglas oder ist ein Aufdampfglas.
  • Die Klebeschicht weist eine Dicke von etwa 5 μm bis 100 μm, bevorzugt von etwa 10 μm bis 25 μm und eine Temperaturbeständigkeit von bis zu etwa 160°C auf. Ein besonderer Vorteil ist die Gleichmäßigkeit der Klebeschicht gleichmäßig bzw. das diese gleichmäßig aufgetragen ist. Unter gleichmäßig ist zu verstehen, daß die Klebeschicht mit zumindest annähernd gleicher Dicke oder sogar mit gleicher Dicke auf der Unterseite bzw. entlang der Unterseite des Rahmens aufgetragen ist. Dies ermöglicht einen hermetischen Verschluß des in der Kavität angeordneten Funktionselements. Die Klebeschicht umfaßt dabei als Material einen oder ist ein Epoxydharz.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im einzelnen beschrieben, wobei die Merkmale der unterschiedlichen Ausführungsbeispiele miteinander kombinierbar sind. Hierzu wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen. Dazu beziehen sich in den einzelnen Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen auf die gleichen Teile.
  • 1.a zeigt beispielhaft eine schematische Aufsicht auf ein Trägersubstrat.
  • 1.b zeigt einen vergrößerten Ausschnitt Z des Trägersubstrats.
  • 1.c zeigt eine Schnittdarstellung des Trägersubstrats aus 1.b entlang der Schnittlinie S1.
  • 1.d zeigt eine Schnittdarstellung des Trägersubstrats analog zu 1.c mit plazierten Funktionselementen.
  • Die nachfolgenden Schnittdarstellungen entsprechen dem vergrößerten Ausschnitt des Trägersubstrats aus 1.b oder einem vergrößerten, dem vergrößerten Ausschnitt des Trägersubstrats aus 1.b entsprechenden, Ausschnitt des Deckelsubstrats.
  • 2.a zeigt eine Schnittdarstellung des Deckelsubstrats mit einer aufgebrachten Maske.
  • 2.b zeigt analog zu 2.a das Deckelsubstrat mit einer abgeschiedenen Schicht oder Glasschicht.
  • 2.c zeigt analog zu 2.b das Deckelsubstrat während dem Lift-Off der Maske.
  • 2.d zeigt analog zu 2.c das Deckelsubstrat mit den aufgebrachten Rahmen nach dem Lift-Off und entlang der Schnittlinie S2 aus 2.e.
  • 2.e zeigt eine schematische Aufsicht auf die Unterseite des Deckelsubstrats mit den aufgetragenen beispielhaften Rahmen nach dem Lift-Off.
  • 3.a zeigt in einer Schnittdarstellung das Greifen des Deckelsubstrats mit einem Vacuum-Wafer-Chuck.
  • 3.b zeigt in einer Schnittdarstellung das Ansaugen bzw. Fixieren des Deckelsubstrats durch den bzw. an dem Vacuum-Wafer-Chuck.
  • 4.a zeigt in einer Schnittdarstellung das Führen des Deckelsubstrats zu einer mit Klebstoff benetzten Fläche.
  • 4.b zeigt in einer Schnittdarstellung das Eindrücken des Deckelsubstrats in die mit Klebstoff benetzte Fläche.
  • 4.c zeigt in einer Schnittdarstellung das Wegführen des Deckelsubstrats nach der Benetzung mit Klebstoff.
  • 5.a zeigt in einer Schnittdarstellung das Zusammenführen von Deckelsubstrat und Trägersubstrat.
  • 5.b zeigt in einer Schnittdarstellung das Aushärten der Klebeschicht mittels UV-Strahlung nach dem Zusammenführen von Deckelsubstrat und Trägersubstrat.
  • 6.a zeigt in einer Schnittdarstellung das Verbundsubstrat nach dem Zusammenführen und Zusammenfügen von Deckelsubstrat und Trägersubstrat entlang der Schnittlinie S3 aus 6.b.
  • 6.b zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite des Verbundsubstrats durch ein transparentes Deckelsubstrat.
  • 7.a zeigt in einer Schnittdarstellung das Verbundsubstrat nach dem Vereinzeln in einzelne Bauteile.
  • 7.b zeigt in einer Schnittdarstellung ein erfindungsgemäßes Bauteil.
  • 1.a zeigt beispielhaft eine schematische Aufsicht auf die Oberseite F1 eines Trägersubstrats 1 oder eines Wafers aus Silizium. Das Trägersubstrat ist gemäß eines vorgegebenen Rasters in einzelne Parzellen 2 aufgeteilt. 1.b zeigt einen vergrößerten Ausschnitt des Trägersubstrats entsprechend der Markierung Z. 1.c zeigt eine Schnittdarstellung des Trägersubstrats 1 aus 1.b entlang der Schnittlinie S1 mit seiner Oberseite F1 und seiner Unterseite F2. Bezugnehmend auf 1.d sind auf der Oberseite F1 des Trägersubstrats 1 die Funktionselemente 3 mit dem Fachmann an sich bekannten Verfahren, beispielsweise mittels Bond- oder Klebeverbindungen, innerhalb der oder auf den vorgegebenen Parzellen 2 aufgebracht. Eine mögliche Ausführungsform der Funktionselemente 3 ist beispielsweise ein integrierter Schaltkreis.
  • Die 2.a bis 2.e zeigen schematisch, entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die Herstellung bzw. das Erzeugen der Rahmen 6a auf der Unterseite F3 des Deckelsubstrats 4 oder Coversubstrats mittels eines additiven Verfahrens. Das Deckelsubstrat 4 oder der Deckelwafer ist beispielsweise ein Quarzglas und weist vorzugsweise in etwa dieselbe Größe wie das Trägersubstrat 1 auf.
  • Auf die zu strukturierende Unterseite F3 wird eine Maske 5 in Form eines Fotolacks mit einem dem Fachmann bekannten Verfahren aufgebracht und fotolithografisch strukturiert. In einer alternativen Ausführungsform kann zur Erzeugung der Rahmen 2 auch als Maske 5 eine Schattenmaske, eine haftende oder eine nicht haftende Abdeckmaske verwendet werden. Die Strukturierung entspricht dabei dem Negativbild der zu erzeugenden Rahmen 2 bzw. der Struktur der Rahmen 2. Die Unterseite F3 weist dann analog zum Raster, um jede Parzelle 2 eine Aussparung 5a für den auszubildenden Rahmen 2 auf. Die spätere Innen- bzw. Unterseite F3 der Gehäuse- bzw. Deckeloberfläche wird durch die Maske 5 abgedeckt. Es wird eine Schicht 6 oder Glasschicht 6 auf der Unterseite F3 des Deckelsubstrats 4 abgeschieden. Innerhalb der Aussparungen 5a der Maske 5 wird beispielsweise eine Schicht 6 oder Glasschicht 6 unmittelbar auf dem Deckelsubstrat 4 abgeschieden. Die Schicht 6 oder Glasschicht 6 wird zum Beispiel mittels Sputtern, Elektronenstrahlverdampfung oder Plasma-Ionenstrahlunterstützter Elektronenstrahlverdampfung aufgebracht. Nachfolgend werden die auf der Lackmaske befindlichen Bereiche der aufgedampften Glasschicht mittels Lift-Off entfernt. Hierzu wird der Fotolack in Aceton abgelöst. Die abgeschiedene Schicht 6 oder Glasschicht 6 in den Bereichen der Aussparungen 5a der Maske 5 bildet die gewünschten Rahmen 6a oder Rahmenstrukturen. Durch die Rahmen 6a werden die einzelnen Vertiefungen 7 gebildet, wobei die einzelnen Vertiefungen 7 durch entsprechende Gräben 8 voneinander getrennt sind. Beispielhaft zeigt 2.e dazu Vertiefungen 7, welche durch rechteckige Aussparungen 5a bzw. rechteckige Rahmen 6a gebildet werden oder sind.
  • Die 3a und 3.b zeigen das Greifen und Fixieren des Deckelsubstrats 4 mit einem ersten Vacuum-Wafer-Chuck 9. Dabei wird das Deckelsubstrat 4 über das Anlegen eines Unterdrucks in den Vakuumöffnungen 10 des ersten Vacuum-Wafer-Chucks an diesen angesaugt und somit fixiert. Somit kann das strukturierte Deckelsubstrat 4 zu einem nächsten Verarbeitungsschritt geführt werden.
  • Die 4a bis 4.c zeigen das Benetzen des strukturierten Deckelsubstrats 4 mit einem Klebstoff 12. Dabei wird das strukturierte Deckelsubstrat 4 bzw. das Deckelsubstrat 4 mit den aufgebrachten Rahmen 6a mittels des Vacuum-Wafer-Chucks 9 zu einem Klebstoffträger 11 oder einem Substrat mit einer klebstoffbenetzten Fläche gebracht und mit diesem zusammengeführt. Der Klebstoffträger 11 wird dabei durch einen zweiten Vacuum-Wafer-Chucks 13 mit entsprechenden Vakuumöffnungen 14 gehalten und/oder geführt. Durch ein Berühren der Unterseite 6b der Rahmen 6a und der Klebstoffschicht 12 oder durch ein leichtes Eindrücken der Unterseite 6b der Rahmen 6a in die Klebstoffschicht 12 wird im wesentlichen nur die Unterseite 6b der Rahmen 6a 6a mit dem Klebstoff 12 bedeckt oder benetzt.
  • 5a zeigt das Zusammenführen von Deckelsubstrat 4 mit dem Trägersubstrat 1 und den darauf angeordneten Funktionselementen 3. Das Trägersubstrat 1 mit den aufgebrachten Funktionselementen 3 bzw. der Funktionswafer wird dabei beispielsweise durch einen dritten Vacuum-Wafer-Chuck 15 mit entsprechenden Vakuumöffnungen 16 gehalten und/oder geführt. Trägersubstrat 1 und Deckelsubstrat 4 werden entsprechend justiert über den auf der Unterseite 6b der Rahmen 6a aufgebrachten Klebstoff 12 zu einem Verbundsubstrat 17 zusammengefügt und falls erforderlich entsprechend aneinandergepreßt. Die Ausführung des Deckelsubstrats 4 aus einem transparenten Material, wie beispielsweise Glas oder Quarzglas, erleichtert die Justierung erheblich. Dabei werden durch die Vertiefungen 7 entsprechende Kavitäten 7a oder Hohlräume zwischen dem Deckel- und dem Trägersubstrat gebildet, in denen die Funktionselemente 3 entsprechend hermetisch verkapselt sind oder werden. Die Funktionselemente 3 sind somit gehäust bzw. befinden sich somit in einem Gehäuse. Die Verkapselung oder das Gehäusen aller oder im wesentlichen aller auf dem Trägersubstrat 1 angeordneten Funktionselemente 3 erfolgt somit im Wafer-Verbund.
  • 5b zeigt das Aushärten der Klebeschicht 12 mittels UV-Strahlung nach dem Zusammenfügen von Deckelsubstrat 4 und Trägersubstrat 1. In diesem Fall erfolgt die Bestrahlung durch das Deckelsubstrat 4 und durch den ersten Vacuum-Wafer-Chucks 9 hindurch. Dabei kann die Bestrahlung auch nach dem Entfernen des ersten Vacuum-Wafer-Chucks 9 und somit nur durch das Deckelsubstrat 4 hindurch erfolgen. Bei dargesteller gleichmäßiger Bestrahlung erfolgt ein gleichmäßiges Aushärten der Klebstoffschicht 12. Falls es erforderlich ist, kann während der Bestrahlung ein Anpressdruck, vorzugsweise mittels zweier Vacuum-Wafer-Chucks 10, 15, zwischen Trägersubstrat 1 und Deckelsubstrat 4 anliegen.
  • Die 6a und 6.b zeigen das Verbundsubstrat 17 nach dem Zusammenführen und Zusammenfügen von Deckelsubstrat 4 und Trägersubstrat 1 und entsprechendem Aushärten des Klebstoffes 12. Es ist zu erkennen, daß sich zwischen den einzelnen Rahmen 6a die Gräben 8 ausbilden bzw. das die Rahmen 6a voneinander durch die Gräben 8 getrennt sind. Die gezeigte erfindungsgemäße Ausführungsform ermöglicht ein schnelleres Vereinzeln des Verbundsubstrats 17 in einzelne Bauteile 19, Bauelemente oder Chips. Denn die additive Schnittdicke ergibt sich nur aus der Dicke des Deckelsubstrats 4 und der Dicke des Trägersubstrats 1. Wäre dagegen der Graben 8 ebenfalls aufgefüllt mit einer Schicht 6 oder Glasschicht 6, würde sich additive Schnittdicke aus den beiden vorstehend genannten Dicken noch um die Dicke bzw. Höhe der Rahmen 6a erhöhen, welches einen erhöhten Aufwand beim Vereinzeln darstellt.
  • 7a zeigt dazu das Verbundsubstrat 17 nach dem Vereinzeln in einzelne Bauteile 19. Das Vereinzeln erfolgt dabei beispielsweise mittels Sägen entlang der Sägespur 18, welche im wesentlichen mittig entlang der Gräben 8 verläuft. 7b zeigt entsprechend das mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Bauteil 19.
  • Es ist dem Fachmann ersichtlich, daß die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beispielhaft zu verstehen sind. Die Erfindung ist nicht auf diese beschränkt, sondern kann in vielfältiger Weise variiert werden kann, ohne den Geist der Erfindung zu verlassen. Insbesondere kann die Reihenfolge einiger Verfahrensschritte innerhalb eines sinnvollen Rahmens verändert werden.
  • 1
    Trägersubstrat
    2
    Parzelle
    3
    Funktionselement
    4
    Deckelsubstrat
    5
    Maske oder Lackmaske
    5a
    Aussparung
    6
    Abgeschiedene Schicht, abgeschiedene Glasschicht oder aufgedampfte Glasschicht
    6a
    Rahmen
    6b
    Unterseite des Rahmens
    7
    Vertiefung
    7a
    Kavität
    8
    Graben
    9
    Erster Vacuum-Wafer-Chuck
    10
    Vakuumöffnungen des ersten Vacuum-Wafer-Chucks
    11
    Klebstoffträger
    12
    Klebstoff oder Klebstoffschicht
    13
    Zweiter Vacuum-Wafer-Chuck
    14
    Vakuumöffnungen des zweiten Vacuum-Wafer-Chucks
    15
    Dritter Vacuum-Wafer-Chuck
    16
    Vakuumöffnungen des dritten Vacuum-Wafer-Chucks
    17
    Verbundsubstrat
    18
    Schnitt- oder Sägespur
    19
    Bauteil oder elektronisches Bauteil
    Z
    Vergrößerter Ausschnittsbereich des Trägersubstrats
    F1
    Oberseite des Trägersubstrats
    F2
    Unterseite des Trägersubstrats
    F3
    Unterseite des Deckelsubstrats
    F4
    Oberseite des Deckelsubstrats
    S1
    Schnittlinie Trägersubstrat
    S2
    Schnittlinie Deckelsubstrat
    S3
    Schnittlinie Verbundsubstrat

Claims (33)

  1. Verfahren zur Herstellung gehäuster, insbesondere elektronischer und/oder opto-elektronischer Bauteile (19), wobei jedes Bauteil (19) zumindest ein Funktionselement (3) aufweist, umfassend die Schritte a) Bereitstellen eines Trägersubstrats (1) und eines Deckelsubstrats (4), b) Aufbringen der Funktionselemente (3) auf zumindest der Oberseite (F1) des Trägersubstrats (1) innerhalb vorgegebener Parzellen (2), c) Erzeugen von Vertiefungen (7), die im wesentlichen den Grenzen der Parzellen (2) entsprechen, auf oder in der Unterseite (F3) des Deckelsubstrats (4), so daß die Vertiefungen (7) von zumindest einem Rahmen (6a) umgeben sind, d) Aufbringen zumindest einer Klebeschicht (12) auf zumindest der Unterseite (6b) der Rahmen (6a), e) Zusammenfügen von Träger- (1) und Deckelsubstrat (4) zu einem Verbundsubstrat (17) derart, daß die Oberseite (F1) des Trägersubstrats (1) der Unterseite (F3) des Deckelsubstrats (4) gegenüberliegt und die Funktionselemente (3) in den Vertiefungen (7) angeordnet sind, f) Aushärten der Klebeschicht (12) mittels UV-Strahlung und g) Trennen des Verbundsubstrats (17) entlang zumindest einer vorgegebenen Spur (18) innerhalb der Rahmen (6a), so daß das Verbundsubstrat (17) in einzelne Bauteile (19) zerlegt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Trägersubstrat (1) ein Halbleiterwafer, vorzugsweise umfassend die Materialien Silizium und/oder Germanium, bereitgestellt wird.
  3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Funktionselemente (3) das Aufbringen von aktiven Halbleiter-Funktionselementen, sensorisch aktiven Funktionselementen und/oder optisch aktiven Funktionselementen umfaßt.
  4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Deckelsubstrat (4) ein für UV-Strahlung transparentes Material bereitgestellt wird.
  5. Verfahren nach vorigem Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß als Deckelsubstrat (4) eine Kunststoffscheibe, insbesondere umfassend die Materialien PMMA und/oder PC bereitgestellt wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Glasscheibe, insbesondere aus Quarzglas bereitgestellt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelsubstrat (4) mit einer Dicke von etwa 200 μm bis etwa 2000 μm, bevorzugt von etwa 500 μm bis etwa 1000 μm bereitgestellt wird.
  8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (7) mit einer Breite von etwa 10 μm bis etwa 3000 μm, bevorzugt von etwa 50 μm bis etwa 1500 μm, besonders bevorzugt von etwa 100 μm bis etwa 500 μm erzeugt werden.
  9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (7) mit einer Tiefe von etwa 0,1 μm bis etwa 1000 μm, vorzugsweise von etwa 1 μm bis etwa 100 μm erzeugt werden.
  10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (7) durch ein materialabtragendes Verfahren, vorzugsweise mittels Sandstrahlen, Nassätzen Trockenätzen, Ultraschallschwingläppen und/oder Laserablation erzeugt werden.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (7) mittels Heißprägen erzeugt werden.
  12. Verfahren nach einem der beiden vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbundsubstrat (17), vorzugsweise im wesentlichen mittig, entlang der Rahmen mittels Sägen getrennt wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Erzeugen der Vertiefungen (7) die Schritte – Aufbringen einer Maske (5), welche die Struktur des Rahmens (6a) negativ abbildet, – Aufdampfen einer, insbesondere für UV-Strahlung transparenten, Schicht (6) oder Glasschicht und – Entfernen der Maske (5) mittels Lift-Off-Technik umfaßt.
  14. Verfahren nach vorstehendem Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbundelement (17), insbesondere im wesentlichen mittig, zwischen den Rahmen (6a) mittels Sägen getrennt wird.
  15. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) von der Oberseite (F4) des Deckelsubstrats (4) bestrahlt wird.
  16. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) auf der gesamten Unterseite (6b) der Rahmen (6a) gleichzeitig aufgebracht wird.
  17. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) mit einer Dicke von etwa 5 μm bis 100 μm, bevorzugt von etwa 10 μm bis 25 μm aufgebracht wird.
  18. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) gleichmäßig aufgetragen wird.
  19. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) durch Inkontaktbringen der Unterseite (6b) der Rahmen (6a) mit einer klebstoffbenetzten Fläche aufgebracht wird.
  20. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) vorzugsweise als ein Epoxydharz, bereitgestellt wird.
  21. Elektronisches, insbesondere opto-elektronisches, Bauteil (1), herstellbar oder hergestellt mit einem Verfahren gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, zumindest bestehend aus – einem Verbund (17) aus einem Trägersubstrat (1) und einem Deckelsubstrat (4), wobei – die Unterseite (F3) des Deckelsubstrats (4) der Oberseite (F1) des Trägersubstrats (1) gegenüberliegt, – zumindest auf oder in der Oberseite (F1) des Trägersubstrats (1) zumindest ein Funktionselement (3) angeordnet ist, – das Deckelsubstrat (4) derart mikrostrukturiert ist, so daß es zumindest einen Rahmen (6a) aufweist und über dem zumindest einen Funktionselement (3) eine Kavität (7a) bildet – und das Deckelsubstrat (4) mit dem Trägersubstrat (1) mittels zumindest einer UV-gehärteten auf der Unterseite (6b) des Rahmens (6a) angeordneten Klebeschicht (12) verbunden ist.
  22. Elektronisches Bauteil nach vorigem Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägersubstrat (1) einen Halbleiterwafer, vorzugsweise umfassend Silizium und/oder Germanium umfaßt.
  23. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das zumindest eine Funktionselement (3) aktive Halbleiter-Funktionselemente, sensorisch aktiven Funktionselemente und/oder optisch aktiven Funktionselemente umfaßt.
  24. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelsubstrat (4) ein für UV-Strahlung transparentes Material umfaßt.
  25. Elektronisches Bauteil nach vorigem Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelsubstrat (4) eine Kunststoffscheibe, vorzugsweise umfassend die Materialien PMMA und/oder PC umfaßt.
  26. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelsubstrat (4) eine Glasscheibe, vorzugsweise umfassend Quarzglas, umfaßt.
  27. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelsubstrat (4) eine Dicke von etwa 200 μm bis etwa 2000 μm, bevorzugt von etwa 500 μm bis etwa 1000 μm aufweist.
  28. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kavität (7a) eine Breite von etwa 10 μm bis etwa 3000 μm, bevorzugt von etwa 50 μm bis etwa 1500 μm, besonders bevorzugt von etwa 100 μm bis etwa 500 μm aufweist.
  29. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kavität (7a) eine Höhe von etwa 0,1 μm bis etwa 1000 μm, vorzugsweise von etwa 1 μm bis etwa 100 μm aufweist.
  30. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Rahmen (6a) durch das Einbringen von Vertiefungen (7) in die Unterseite (F3) des Deckelsubstrats (4) und/oder durch das Aufbringen zumindest einer strukturierten Schicht (6) auf der Unterseite (F3) des Deckelsubstrats (4) gebildet ist.
  31. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) eine Dicke von etwa 5 μm bis 100 μm, bevorzugt von etwa 10 μm bis 25 μm aufweist.
  32. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) gleichmäßig ist.
  33. Elektronisches Bauteil nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht (12) vorzugsweise ein Epoxydharz umfaßt.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103872169A (zh) * 2012-11-30 2014-06-18 西门子公司 夹层式电子元件的制造方法、电子元件及探测器元件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020132389A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Reflectivity, Inc., A Delaware Corporation Method for making a micromechanical device by using a sacrificial substrate
DE10301559A1 (de) * 2002-04-15 2003-10-30 Schott Glas Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche
US20040058476A1 (en) * 2002-09-25 2004-03-25 Ziptronix Wafer bonding hermetic encapsulation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020132389A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Reflectivity, Inc., A Delaware Corporation Method for making a micromechanical device by using a sacrificial substrate
DE10301559A1 (de) * 2002-04-15 2003-10-30 Schott Glas Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche
US20040058476A1 (en) * 2002-09-25 2004-03-25 Ziptronix Wafer bonding hermetic encapsulation

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chiang, Y.-M. et al.: A wafer-level microcap array to enable high-yield microsystem packaging. In: IEEE transactions on advanced packaging. ISSN 1521-3323, 2004, Vol. 27, No. 3, S. 490-496 *
Messmer, R.: Lichthärtende Klebstoffe. In: EPP Elektronik Produktion und Prüftechnik. ISSN 0943-0962, 1994, Nov., S. 35-37 *
Teomin, D. et al.: An innovative approach to wafer-level MEMS packaging. In: Solid State Tech- nology. ISSN 0038-111X, 2002, Jan., S. 57 u. 62
Teomin, D. et al.: An innovative approach to wafer-level MEMS packaging. In: Solid State Technology. ISSN 0038-111X, 2002, Jan., S. 57 u. 62 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103872169A (zh) * 2012-11-30 2014-06-18 西门子公司 夹层式电子元件的制造方法、电子元件及探测器元件
CN103872169B (zh) * 2012-11-30 2016-08-17 西门子公司 夹层式电子元件的制造方法、电子元件及探测器元件
US9764531B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing an electronic component of sandwich-like construction, electronic component, detector element and radiation detector

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