JPH11339969A

JPH11339969A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JPH11339969A
Application number: JP10158490A
Authority: JP
Inventors: Michio Arai; 三千男荒井
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-05-22
Filing date: 1998-05-22
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】電極の剥離を抑制し、発光領域の発光面積の
低下がない有機ＥＬ素子を実現する。【解決手段】基板上に、ホール注入電極、有機層およ
び電子注入電極を、この順に有する有機ＥＬ素子におい
て、電子注入電極上に内部応力１×１０⁸dyn/cm²以下の
Ａｌ−Ｔｉ等の低抵抗メタル膜（混合膜、積層膜、傾斜
膜）で形成した保護電極を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機ＥＬ素子に関し、さらに詳細には、発光層にホー
ル（電荷）、電子を供給する電極と有機層界面等の改良
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究されて
いる。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミ
ン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着により薄膜と
し、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの
蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇなどの仕事
関数の小さな金属電極（電子注入電極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１０，０００cd/m²ときわめて高い輝度が得られるこ
とで注目されている。

【０００３】有機ＥＬ素子において、電子注入電極は、
Ｌｉ、Ｍｇ等の耐食性の低い金属を含有するので、電子
注入電極上には保護電極が設けられている。一般に、保
護電極はＡｌスパッタ膜などで形成されている。製法
上、発光層のような有機層のダメージの少ない低スパッ
タ動作圧力条件下で成膜すると、Ａｌスパッタ膜の引張
応力が大きくなり、電極の剥離等が生じたり、連続駆動
によりダークスポットと呼ばれる非発光領域が生じ、発
光領域が減少してしまう。一方、スパッタ動作圧力を高
くして引張応力を適性範囲に制御することも可能である
が、有機層にダメージを与え、駆動電圧が上昇する。そ
こで、こうした不都合を解消した保護電極が望まれてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電極
の剥離を抑制し、発光領域の発光面積の低下がない有機
ＥＬ素子を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。（１）基板上にホール注入電極を有し、このホール注
入電極上に有機層を有し、この有機層上に電子注入電極
を有する有機ＥＬ素子において、前記電子注入電極上
に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｕ、ＨｆおよびＣ
ｒから選択される少なくとも１種の低抵抗メタル膜とＡ
ｌ膜との積層膜で形成した保護電極を設け、保護電極の
内部応力の絶対値を１×１０⁸dyn/cm²以下とした有機Ｅ
Ｌ素子。（２）低抵抗メタル膜がＴｉ膜である上記（１）の有
機ＥＬ素子。（３）Ａｌ膜と前記低抵抗メタル膜との膜厚比、Ａｌ
膜／前記低抵抗メタル膜が１〜９である上記（１）また
は（２）の有機ＥＬ素子。（４）基板上にホール注入電極を有し、このホール注
入電極上に有機層を有し、この有機層上に電子注入電極
を有する有機ＥＬ素子において、前記電子注入電極上
に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｕ、ＨｆおよびＣ
ｒから選択される少なくとも１種の低抵抗メタルとＡｌ
との混合膜で形成した保護電極を設け、保護電極の内部
応力の絶対値を１×１０⁸dyn/cm²以下とした有機ＥＬ素
子。（５）基板上にホール注入電極を有し、このホール注
入電極上に有機層を有し、この有機層上に電子注入電極
を有する有機ＥＬ素子において、前記電子注入電極上
に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｕ、ＨｆおよびＣ
ｒから選択される少なくとも１種の低抵抗メタルとＡｌ
とを含有し、前記低抵抗メタルおよびＡｌの含有量を電
子注入電極側と表面側とで変化させた前記低抵抗メタル
およびＡｌの濃度勾配を有する傾斜膜で形成した保護電
極を設け、保護電極の内部応力の絶対値を１×１０⁸dyn
/cm²以下とした有機ＥＬ素子。（６）低抵抗メタルがＴｉである上記（４）または
（５）の有機ＥＬ素子。（７）保護電極のＡｌ含有量が５０〜９０at％である
上記（４）〜（６）のいずれかの有機ＥＬ素子。（８）保護電極がスパッタ法により成膜された上記
（１）〜（７）のいずれかの有機ＥＬ素子。（９）スパッタ圧力が０．１〜１Ｐａである上記
（８）の有機ＥＬ素子。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の有機ＥＬ素子は、基板上にホール注入電
極を有し、ホール注入電極層上には有機層が設けられて
おり、有機層上に電子注入電極を有するものであり、さ
らに電子注入電極上には内部応力の絶対値が１×１０⁸d
yn/cm²以下である保護電極が設けられている。保護電極
はＡｌと好ましくはＴｉとを含有し、好ましくはスパッ
タ法により成膜されたものである。この場合のＡｌ−Ｔ
ｉ膜は、ＡｌとＴｉとの混合膜であってもよく、Ａｌ膜
とＴｉ膜との積層膜であってもよい。さらには、Ａｌお
よびＴｉの含有量を電子注入電極側と表面側とで変化さ
せたＡｌおよびＴｉの濃度勾配を有する傾斜膜であって
もよい。

【０００７】このような保護電極を設けることによっ
て、電子注入電極の内部応力を緩和するとともに、保護
電極の内部応力が上記の適正範囲に制御されるため、電
極の剥離が抑制され、発光領域の発光面積の低下がな
い。また、スパッタ法により成膜する場合、低いスパッ
タ動作圧力にでき、製造が容易である。

【０００８】上述のように、本発明では、ＡｌとＴｉを
用いることが好ましく、Ｔｉが本発明の効果を得る上で
好ましいが、ＴｉのかわりにＭｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃ
ｕ、ＨｆおよびＣｒから選択される低抵抗メタル［２０
℃での抵抗率（Ω・cm）が１０^-5〜１０^-6程度のオーダ
ーのもの］を用いてもよい。

【０００９】保護電極の内部応力が上記の範囲に制御さ
れるのは、低スパッタ動作圧力条件下においてＡｌスパ
ッタ膜を成膜した場合引張応力が大きくなるが、Ｔｉ等
の低抵抗メタルを併用することによって、Ｔｉ等の低抵
抗メタルを同様の低スパッタ動作圧力条件下で成膜した
場合に生じる同程度の大きさの圧縮応力によって緩和さ
れるためと考えられる。

【００１０】このように、ＡｌとＴｉ等の低抵抗メタル
とを併用することによって、保護電極の内部応力を、−
１×１０⁸〜＋１×１０⁸dyn/cm²、好ましくは−０．５
×１０⁸〜＋０．５×１０⁸dyn/cm²に制御することがで
き、より好ましくは０〜＋０．５×１０⁸dyn/cm²の引張
応力に制御することができる。

【００１１】これに対し、Ａｌのみでは、有機層のダメ
ージの少ない低スパッタ動作圧力条件下で成膜すると、
Ａｌスパッタ膜の引張応力が大きくなって内部応力を上
記範囲とできず、Ｔｉ等の低抵抗メタルのみでは低スパ
ッタ動作圧力条件下でスパッタを行うと、Ｔｉ等の低抵
抗メタルスパッタ膜の圧縮応力が大きくなって内部応力
を上記範囲にできない。また、Ａｌスパッタ膜あるいは
Ｔｉ等の低抵抗メタルスパッタ膜のみで内部応力を上記
範囲にすることも可能ではあるが、スパッタ動作圧力が
高くなりすぎて、有機層のダメージが大きくなり、駆動
電圧が上昇する。

【００１２】なお、保護電極の内部応力は、保護電極
を、例えばシリコンウェハー上に実際と同条件で成膜し
て測定することができる。

【００１３】本発明の保護電極がＡｌとＴｉ等の低抵抗
メタルとの混合膜である場合、Ａｌの含有量は５０〜９
０at％、さらには６０〜８０at％であることが好まし
い。

【００１４】また、Ａｌ膜とＴｉ等の低抵抗メタル膜と
の積層膜である場合、通常２層構成とされるが、電子注
入電極側に成膜するのは、Ａｌ膜であっても、Ｔｉ等の
低抵抗メタル膜であってもよく、特に制限はない。ま
た、３層以上の多層構成としてもよい。Ａｌ膜とＴｉ等
の低抵抗メタル膜との膜厚比はＡｌ膜／Ｔｉ等の低抵抗
メタル膜＝１〜９程度である。なお、Ａｌ膜とＴｉ等の
低抵抗メタル膜との接触界面においては、ＡｌとＴｉ等
の低抵抗メタルとが相互に拡散していてもよい。

【００１５】また、ＡｌとＴｉ等の低抵抗メタルの傾斜
膜である場合、Ａｌ含有量（あるいはＴｉ等の低抵抗メ
タル含有量）は、電子注入電極側で大きくなっても、表
面側で大きくなってもよく、連続的に変化しても断続的
に変化してもよく、特に制限はない。このような傾斜膜
全体におけるＡｌとＴｉ等の低抵抗メタルの含有量は混
合膜におけるものと同様である。

【００１６】傾斜膜におけるＡｌおよびＴｉ等の低抵抗
メタルの濃度勾配は、イオンエッチングを行いながらオ
ージェ電子分光法等を用いて確認することができる。こ
の場合の濃度勾配は、例えばＡｌ含有量が表面で８０at
%程度、表面から１／２の位置で７０at%程度、電子注入
電極界面で６０at%程度となるようなものであってもよ
く、このほかＡｌ含有量が表面と電子注入電極界面とで
反対になるようなものであってもよく、種々のものであ
ってよい。

【００１７】なお、Ｔｉ等の低抵抗メタルは、１種のみ
を用いても２種以上を併用してもよい。また、Ａｌおよ
びＴｉ等の低抵抗メタルのみで保護電極を構成すること
が好ましいが、このほかＳｃ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｉ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属元素を含有していてもよ
い。

【００１８】保護電極の厚さは、積層膜である場合は合
計厚で１００〜５００nmであることが好ましく、さらに
は２００〜３００nmであることが好ましい。保護電極が
薄くなると、保護電極としての機能を果たし得ず、信頼
性が低下し、厚くなると全体の応力の制御が困難にな
り、保護電極が剥離しやすくなる。保護電極は、電極の
剥離や発光領域の発光面積の減少防止のほかに、水分や
酸素あるいは有機溶媒の進入を防止したり、配線電極と
しての機能を有することもある。

【００１９】Ａｌ−Ｔｉ等の低抵抗メタル膜はスパッタ
法により成膜されることが好ましいが、具体的には公知
の方法によればよい。スパッタ動作圧力は、好ましくは
０．１〜１Ｐａである。ＡｌとＴｉ等の低抵抗メタルと
の混合膜は、ＡｌターゲットとＴｉ等の低抵抗メタルの
ターゲットとを用いて同時多元スパッタを行っても、Ａ
ｌ−Ｔｉ等の低抵抗メタル合金のターゲットを用いてス
パッタを行ってもよい。また、積層膜とする場合は、Ａ
ｌ膜あるいはＴｉ等の低抵抗メタル膜をスパッタにより
形成した後、Ｔｉ等の低抵抗メタル膜あるいはＡｌ膜を
スパッタにより形成すればよい。傾斜膜は、スパッタ圧
力を上記範囲で調節することや、Ａｌ−Ｔｉ等の低抵抗
メタル合金のターゲットとＡｌあるいはＴｉ等の低抵抗
メタルのターゲットとを同時に用いてスパッタすること
などにより得られる。

【００２０】スパッタ法としてはＤＣスパッタが好まし
く、その投入電力としては、好ましくは０．１〜４Ｗ／
cm² の範囲が好ましい。特にＤＣスパッタ装置の電力と
しては、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm²、特に０．２
〜５Ｗ／cm²の範囲である。また、成膜レートは２〜１
００nm／min 、特に５〜５０nm／min の範囲が好まし
い。

【００２１】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。

【００２２】本発明の有機ＥＬ素子は、例えば図１に示
すように、基板１上にホール注入電極２と、電子注入電
極４と、これらの電極間に設けられた有機層３とを有す
る。有機層３は少なくとも発光層を有し、このほか必要
に応じホール注入輸送層、電子注入輸送層などを有す
る。有機層３上には電子注入電極４を有し、さらに最上
層として保護電極５が設けられている。

【００２３】基板に設けられるホール注入電極では、ホ
ール注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、
５０nm以上が好ましく、より好ましくは５０〜５００n
m、特に５０〜４００nmの範囲が好ましい。膜厚を１５
０nm以上とすることにより、抵抗値が低下し、特に好ま
しい結果が得られる。

【００２４】ホール注入電極を形成する場合、通常、基
板側から発光した光を取り出す構造であるため、透明な
電極が好ましく、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、
ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ
₂ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ
（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化
インジウム）が好ましい。Ｉｎ₂Ｏ₃に対しＳｎＯ₂ の
混合比は、１〜２０wt％が好ましく、さらには５〜１２
wt％が好ましい。Ｉｎ₂Ｏ₃に対しＺｎＯの混合比は、
１〜２０wt％が好ましく、さらには５〜１２wt％が好ま
しい。その他にＳｎ、Ｔｉ、Ｐｂ等が酸化物の形で、酸
化物換算にして１wt％以下含まれていてもよい。

【００２５】ホール注入電極は蒸着法等によっても形成
できるが、好ましくはスパッタ法により形成することが
好ましい。ＩＴＯ、ＩＺＯ電極の形成にスパッタ法を用
いる場合、好ましくはＩｎ₂Ｏ₃にＳｎＯ₂ やＺｎＯを
ドープしたターゲットを用いる。スパッタ法によりＩＴ
Ｏ透明電極を成膜した場合、蒸着により成膜したものよ
り発光輝度の経時変化が少ない。スパッタ法としてはＤ
Ｃスパッタが好ましく、その投入電力としては、好まし
くは０．１〜４Ｗ／cm² の範囲が好ましい。特にＤＣス
パッタ装置の電力としては、好ましくは０．１〜１０Ｗ
／cm²、特に０．２〜５Ｗ／cm²の範囲である。また、成
膜レートは２〜１００nm／min 、特に５〜５０nm／min
の範囲が好ましい。

【００２６】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常０．１〜２０Pa程度でよい。

【００２７】電子注入電極の構成材料としては、電子注
入を効果的に行う低仕事関数の物質が好ましく、例え
ば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、
Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｓ、Ｅ
ｒ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｎｄ、Ｒｂ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｔ
ａ、Ｙ、Ｙｂ等の金属元素単体、あるいは、ＢａＯ、Ｂ
ａＳ、ＣａＯ、ＨｆＣ、ＬａＢ₆、ＭｇＯ、ＭｏＣ、Ｎ
ｂＣ、ＰｂＳ、ＳｒＯ、ＴａＣ、ＴｈＣ、ＴｈＯ₂、Ｔ
ｈＳ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＵＣ、ＵＮ、ＵＯ₂、Ｗ₂Ｃ、Ｙ
₂Ｏ₃、ＺｒＣ、ＺｒＮ、ＺｒＯ₂等の化合物を用いると
良い。または安定性を向上させるためには、金属元素を
含む２成分、３成分の合金系を用いることもできる。合
金系としては、例えばＡｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２０at
％）、Ａｌ・Ｉｎ（Ｉｎ：１〜１０at％）、Ａｌ・Ｌｉ
（Ｌｉ：０．１〜２０at％未満）、Ａｌ・Ｒ〔ＲはＹ，
Ｓｃを含む希土類元素を表す〕等のアルミニウム系合金
やＩｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）等が好ましい。
これらの中でも、特にＡｌ単体やＡｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：
０．４〜６．５（ただし６．５を含まず）at％）または
（Ｌｉ：６．５〜１４at％）、Ａｌ・Ｒ（Ｒ：０．１〜
２５、特に０．５〜２０at％）等のアルミニウム系合金
も圧縮応力が発生しにくく好ましい。したがって、スパ
ッタターゲットとしては、通常このような電子注入電極
構成金属、合金を用いる。これらの仕事関数は４．５ｅ
Ｖ以下であり、特に仕事関数が４．０ｅＶ以下の金属、
合金が好ましい。

【００２８】電子注入電極の成膜には、蒸着法を用いて
もよいが、上記のようにスパッタ法を用いてもよい。ス
パッタ法による利点は以下のとおりである。成膜された
電子注入電極膜は、蒸着の場合と比較して、スパッタさ
れる原子や原子団が比較的高い運動エネルギーを有する
ため、表面マイグレーション効果が働き、有機層界面で
の密着性が向上する。また、プレスパッタを行うこと
で、真空中で表面酸化物層を除去したり、逆スパッタに
より有機層界面に吸着した水分や酸素を除去できるの
で、クリーンな電極−有機層界面や電極を形成でき、そ
の結果、高品位で安定した有機ＥＬ素子ができる。ター
ゲットとしては前記組成範囲の合金や、金属単独でも良
く、これらに加えて添加成分のターゲットを用いても良
い。さらに、蒸気圧の大きく異なる材料の混合物をター
ゲットとして用いても、生成する膜とターゲットとの組
成のズレは少なく、蒸着法のように蒸気圧等による使用
材料の制限もない。また、蒸着法に比較して材料を長時
間供給する必要がなく、膜厚や膜質の均一性に優れ、生
産性の点で有利である。

【００２９】スパッタ法により形成された電子注入電極
は、一般的に、緻密な膜なので、粗な蒸着膜に比較して
膜中への水分の進入が非常に少なく、化学的安定性が高
く、長寿命の有機ＥＬ素子が得られる。

【００３０】スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ま
しくは０．１〜５Paの範囲が好ましく、この範囲でスパ
ッタガスの圧力を調節することにより、前記範囲のＬｉ
濃度のＡｌＬｉ合金を容易に得ることができる。また、
成膜中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させ
ることにより、上記Ｌｉ濃度勾配を有する電子注入電極
を容易に得ることができる。また、成膜ガス圧力と基板
ターゲット間距離の積が２０〜６５Pa・cmを満たす成膜
条件にすることが好ましい。

【００３１】スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使
用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加え
てＮ₂、Ｈ₂、Ｏ₂、Ｃ₂Ｈ₄、ＮＨ₃等の反応性ガスが使用
可能である。

【００３２】スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容
易であり、有機ＥＬ素子構造体へのダメージを少なくす
るためにはＤＣスパッタ法を用いることが好ましい。Ｄ
Ｃスパッタ装置の電力としては、好ましくは０．１〜１
０Ｗ／cm²、特に０．５〜７Ｗ／cm²の範囲である。ま
た、成膜レートは５〜１００nm／min 、特に１０〜５０
nm／min の範囲が好ましい。

【００３３】電子注入電極の成膜は、材質等により、蒸
着法あるいはスパッタ法を選択すればよい。

【００３４】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、１nm以上、好ま
しくは３nm以上とすればよい。また、その上限値には特
に制限はないが、通常膜厚は３〜５００nm程度とすれば
よい。

【００３５】次に、本発明のＥＬ素子に設けられる有機
層について述べる。発光層は、ホール（正孔）および電
子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結
合により励起子を生成させる機能を有する。発光層には
比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好
ましい。

【００３６】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有し、電子注入輸送
層は、電子注入電極からの電子の注入を容易にする機
能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機
能を有するものであり、これらの層は、発光層に注入さ
れるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を
最適化させ、発光効率を改善する。

【００３７】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法
によっても異なるが、通常、５〜５００nm程度、特に１
０〜３００nmとすることが好ましい。

【００３８】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすれ
ばよい。ホールもしくは電子の、各々の注入層と輸送層
を分ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上
とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さ
の上限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５０
０nm程度である。このような膜厚については注入輸送層
を２層設けるときも同じである。

【００３９】本発明の有機ＥＬ素子の発光層には発光機
能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。この
ような蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６
４６９２号公報に開示されているような化合物、例えば
キナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物か
ら選択される少なくとも１種が挙げられる。また、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノ
ールないしその誘導体を配位子とする金属錯体色素など
のキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アント
ラセン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘
導体等が挙げられる。さらには、特願平６−１１０５６
９号のフェニルアントラセン誘導体、特願平６−１１４
４５６号のテトラアリールエテン誘導体等を用いること
ができる。

【００４０】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．
１〜５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。

【００４１】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００４２】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］、等がある。

【００４３】また、８−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００４４】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００４５】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。

【００４６】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。

【００４７】また、必要に応じて発光層は、少なくとも
一種以上のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種以
上の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ま
しく、この混合層中にドーパントを含有させることが好
ましい。このような混合層における化合物の含有量は、
０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% とする
ことが好ましい。

【００４８】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こり難くなり、有
機化合物がダメージを受け難くなり、素子寿命がのびる
という利点があるが、前述のドーパントをこのような混
合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波
長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移
行させることができるとともに、発光強度を高め、かつ
素子の安定性を向上させることができる。

【００４９】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物
の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層
用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、
例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導
体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持
つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００５０】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００５１】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。

【００５２】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般
的には、ホール注入輸送性化合物の化合物／電子注入輸
送機能を有する化合物の重量比が、１／９９〜９９／
１、さらには１０／９０〜９０／１０、特には２０／８
０〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。

【００５３】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には１〜８５nmとすることが好ましく、
さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすることが好
ましい。

【００５４】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させて
コーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形
成する。

【００５５】また、ホール注入輸送層には、例えば、特
開昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９
４号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４
６８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平
５−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公
報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００
１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されて
いる各種有機化合物を用いることができる。例えば、テ
トラアリールベンジシン化合物（トリアリールジアミン
ないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級ア
ミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有する
オキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。こ
れらの化合物は２種以上を併用してもよく、併用すると
きは別層にして積層したり、混合したりすればよい。

【００５６】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積
層することが好ましい。また陽電極表面には薄膜性の良
好な化合物を用いることが好ましい。このような積層順
については、ホール注入輸送層を２層以上設けるときも
同様である。このような積層順とすることによって、駆
動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの
発生・成長を防ぐことができる。また、素子化する場
合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜も、
均一かつピンホールフリーとすることができるため、ホ
ール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に
吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変化
や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホール
注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着す
ることにより形成することができる。

【００５７】また、必要に応じて設けられる電子注入輸
送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を
配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導
体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニ
ルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用い
ることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたもの
であってもよく、このような場合はトリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。電
子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着等によればよ
い。

【００５８】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については電子注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。

【００５９】基板材料としては、ガラスや石英、樹脂等
の透明ないし半透明材料を用いる。基板に色フィルター
膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜
を用いて発光色をコントロールしてもよい。

【００６０】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬの発光する光に合わせてカラーフィルターの特
性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよ
い。

【００６１】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００６２】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【００６３】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００６４】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロ等も含
む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物
・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系
化合物等を用いればよい。

【００６５】バインダーは基本的に蛍光を消光しないよ
うな材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等
で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。
また、ＩＴＯ、ＩＺＯの成膜時にダメージを受けないよ
うな材料が好ましい。

【００６６】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【００６７】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真
空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた
場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm 以
下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．１μm を超
えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高
くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低
下する。

【００６８】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりするこ
とができる。

【００６９】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００７０】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜２
０V程度とされる。

【００７１】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。＜実施例１＞ガラス基板をＤＣスパッタ装置内に配置
し、錫ドープ酸化インジウム焼結体（ＳｎＯ：１０wt
％）をターゲットとして、ＩＴＯ電極を１００nm成膜し
た。このときの成膜条件は、投入電力１００Ｗ、スパッ
タ時の圧力０．５Pa、スパッタガスはＡｒ＋１％Ｏ₂ で
あった。

【００７２】ＩＴＯからなるホール注入電極が成膜され
たガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用
いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾
燥した。次いで、表面をＵＶ／Ｏ₃ 洗浄した。

【００７３】次いで、有機機能層と、電子注入電極と、
保護電極とを連続して形成した。なお、保護電極の形成
が終了するまで真空を破らなかった。

【００７４】真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、
槽内を１×１０^-4Pa以下まで減圧した。４，４’，４”
−トリス（−Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ）トリフェニルアミン（以下、ｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａ）を蒸着速度０.２nm／sec.で４０nmの厚さに蒸着
し、ホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，
４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（以下、ＴＰ
Ｄ）を蒸着速度０．２nm／sec.で３５nmの厚さに蒸着
し、ホール輸送層とした。さらに、減圧を保ったまま、
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌ
ｑ3 ）を蒸着速度０.２nm／sec.で５０nmの厚さに蒸着
して、電子注入輸送・発光層とした。次いで減圧を保っ
たまま、ＭｇＡｇを共蒸着（２元蒸着）で重量比Ｍｇ：
Ａｇ＝１０：１にて２００nmの厚さに成膜し、電子注入
電極とした。

【００７５】さらに、減圧を保ったまま、このＥＬ素子
基板をスパッタ装置に移し、ＡｌＴｉ合金（Ａｌ７０
at％）のターゲットを用いたＤＣスパッタ法により、ス
パッタ圧力０．５ＰａにてＡｌとＴｉとの混合膜からな
る保護電極を３００nm厚に成膜した。この時スパッタガ
スにはＡｒを用い、投入電力は５００Ｗ、ターゲットの
大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離は９０mm
とした。これをサンプルＮｏ．１とする。

【００７６】サンプルＮｏ．１において、ターゲットを
Ａｌにかえて同条件でスパッタするほかは同様にしてＡ
ｌ保護電極を有するサンプルＮｏ．２を作製した。

【００７７】さらに、サンプルＮｏ．１において、ター
ゲットをＴｉにかえて同条件でスパッタするほかは同様
にしてＴｉ保護電極を有するサンプルＮｏ．３を作製し
た。有機ＥＬ素子の各サンプルの保護電極の内部応力
は、各サンプルと同じ保護電極を、シリコンウェハー上
に、同条件で成膜して測定した。

【００７８】また、有機ＥＬ素子の各サンプルを乾燥空
気雰囲気中、８０℃で、電流密度１０mA／cm² にて１０
０時間駆動し、加速評価試験を行った。

【００７９】１００時間後の６４ドット×７ラインの各
画素の発光を目視にて観察評価し、非発光領域の大きさ
を発光面積の減少率（％）とした（ドットサイズ１００
μm×１００μm ）。結果を表１に示す。

【００８０】

【表１】

【００８１】表１より、保護電極をＡｌとＴｉとの混合
膜とした場合に内部応力が適正になり、電極の剥離など
による発光領域の発光面積の減少が抑制されることがわ
かる。また、スパッタ圧力も低く製造が容易である。こ
れに対し、Ａｌ膜では引張応力が大きくなるため、電極
の剥離などによる発光領域の発光面積の減少がみられ、
Ｔｉ膜では圧縮応力が大きくなるため、電極の剥離など
による発光領域の発光面積の減少がみられる。

【００８２】＜実施例２＞実施例１のサンプルＮｏ．１
において、電子注入電極側にＡｌ膜（２００nm厚）をス
パッタにより形成し、この上にＴｉ膜（１００nm厚）を
スパッタにより形成し、Ａｌ膜とＴｉ膜との積層膜を保
護電極とするサンプルＮｏ．１１を得た。

【００８３】このサンプルＮｏ．１１について、保護電
極の内部応力を実施例１と同様にして測定したところ、
０．４×１０⁸dyn/cm²であった。また、実施例１と同様
にして発光領域の発光面積の減少率を求めたところ２％
であった。

【００８４】＜実施例３＞実施例２のサンプルＮｏ．１
１において、保護電極の積層膜の積層順を反対にするほ
かは同様にしてサンプルＮｏ．１２を得、同様に評価し
たところ、サンプルＮｏ．１１と同様の良好な結果が得
られた。

【００８５】＜実施例４＞実施例１のサンプルＮｏ．１
において、ＡｌとＴｉとを含有する傾斜膜の保護電極を
３００nm厚にスパッタにより形成したサンプルＮｏ．１
３を得た。保護電極の傾斜膜をイオンエッチングしなが
らオージェ電子顕微鏡を用いてＡｌ濃度を調べたとこ
ろ、表面での濃度が８０at％、さらに１／２の距離での
濃度が７０at％、電子注入電極界面で６０at％であっ
た。

【００８６】このサンプルＮｏ．１３について、保護電
極の内部応力を実施例１と同様にして測定したところ、
０．４×１０⁸dyn/cm²であった。また、実施例１と同様
にして発光領域の発光面積の減少率を求めたところ、２
％であった。

【００８７】＜実施例５＞実施例４のサンプルＮｏ．１
３において、保護電極の傾斜膜のＡｌ濃度の高低をサン
プルＮｏ．１３と反対にするほかは同様にしてサンプル
Ｎｏ．１４を得、同様に評価したところ、サンプルＮ
ｏ．１３と同様の良好な結果が得られた。

【００８８】＜実施例６＞実施例１〜５の本発明のサン
プルにおいて、電子注入電極としてＡｌＬｉ電極をスパ
ッタ法にて４００nmの膜厚に成膜するほかは同様にして
サンプルを作製した。いずれも、実施例１〜５の構成に
応じ同様の良好な結果が得られた。

【００８９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、電極の剥
離を抑制し、発光領域の発光面積の低下がない有機ＥＬ
素子を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１基板２ホール注入電極３有機層４電子注入電極５保護電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にホール注入電極を有し、このホ
ール注入電極上に有機層を有し、この有機層上に電子注
入電極を有する有機ＥＬ素子において、前記電子注入電極上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、
Ｃｕ、ＨｆおよびＣｒから選択される少なくとも１種の
低抵抗メタル膜とＡｌ膜との積層膜で形成した保護電極
を設け、保護電極の内部応力の絶対値を１×１０⁸dyn/c
m²以下とした有機ＥＬ素子。
【請求項２】低抵抗メタル膜がＴｉ膜である請求項１
の有機ＥＬ素子。
【請求項３】Ａｌ膜と前記低抵抗メタル膜との膜厚
比、Ａｌ膜／前記低抵抗メタル膜が１〜９である請求項
１または２の有機ＥＬ素子。
【請求項４】基板上にホール注入電極を有し、このホ
ール注入電極上に有機層を有し、この有機層上に電子注
入電極を有する有機ＥＬ素子において、前記電子注入電極上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、
Ｃｕ、ＨｆおよびＣｒから選択される少なくとも１種の
低抵抗メタルとＡｌとの混合膜で形成した保護電極を設
け、保護電極の内部応力の絶対値を１×１０⁸dyn/cm²以
下とした有機ＥＬ素子。
【請求項５】基板上にホール注入電極を有し、このホ
ール注入電極上に有機層を有し、この有機層上に電子注
入電極を有する有機ＥＬ素子において、前記電子注入電極上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、
Ｃｕ、ＨｆおよびＣｒから選択される少なくとも１種の
低抵抗メタルとＡｌとを含有し、前記低抵抗メタルおよ
びＡｌの含有量を電子注入電極側と表面側とで変化させ
た前記低抵抗メタルおよびＡｌの濃度勾配を有する傾斜
膜で形成した保護電極を設け、保護電極の内部応力の絶
対値を１×１０⁸dyn/cm²以下とした有機ＥＬ素子。
【請求項６】低抵抗メタルがＴｉである請求項４また
は５の有機ＥＬ素子。
【請求項７】保護電極のＡｌ含有量が５０〜９０at％
である請求項４〜６のいずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項８】保護電極がスパッタ法により成膜された
請求項１〜７のいずれかの有機ＥＬ素子。
【請求項９】スパッタ圧力が０．１〜１Ｐａである請
求項８の有機ＥＬ素子。