JP2001118675A

JP2001118675A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JP2001118675A
Application number: JP29927699A
Authority: JP
Inventors: Michio Arai; 三千男荒井
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-10-21
Filing date: 1999-10-21
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】膜内の応力が小さく、ダークスポットなどの
発生を防止し、封止用の特別な構造体を用いることなく
比較的容易に成膜でき、しかも封止効果の高い封止膜を
有する有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】基板と、少なくともこの基板上に形成さ
れたホール注入電極と、発光機能に関与する有機層と、
電子注入電極とを有し、前記電子注入電極は基板と反対
側に封止膜を有し、この封止膜は窒化ケイ素、炭化ケイ
素、酸化炭化ケイ素または酸化窒化ケイ素のいずれかで
あり、この封止膜中にはさらに燐をＰ換算で０〜１０
（ただし０を含まない）at％含有する構成の有機ＥＬ素
子とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を用い
た有機ＥＬ素子に関し、さらに詳細には、発光層に電子
を供給する電子注入電極上に封止膜を設けた有機ＥＬ素
子およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、ホール注入電極上にト
リフェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を
蒸着により薄膜とし、その上にアルミキノリノール錯体
（Ａｌｑ3 ）などの蛍光物質を発光層として積層し、さ
らにＭｇなどの仕事関数の小さな金属電極（電子注入電
極）を形成した基本構成を有する素子で、１０Ｖ前後の
電圧で数１００から数１００００cd/m²ときわめて高い
輝度が得られることで注目されている。

【０００３】ところで、有機ＥＬ素子は水分や、腐食性
ガス等により劣化することが知られている。例えば、水
分の影響により、発光層と電極層との間で剥離が生じた
り、構成材料が変質してしまったりして、ダークスポッ
トと称する非発光領域が生じたり、発光面積が縮小した
りして所定の品位の発光が維持できなくなってしまう。

【０００４】また、有機ＥＬ素子の電子注入電極として
用いられる材料は、発光層や電子注入輸送層等へ電子を
多く注入するものが有効であると考えられている。換言
すれば、仕事関数の小さい材料ほど電子注入電極として
適していると言える。仕事関数の小さい材料としては種
々のものがあるが、有機ＥＬ素子の電子注入電極として
用いられるものとしては、例えば特開平２−１５５９５
号公報には、アルカリ金属以外の複数の金属からなり、
かつこれらの金属の少なくとも１種の金属の仕事関数
が、４eV未満である電子注入電極として、例えばＭｇＡ
ｇが開示されている。

【０００５】また、仕事関数の小さいものとしてはアル
カリ金属が好ましく、米国特許第３１７３０５０号、同
３３８２３９４号明細書には、アルカリ金属として、例
えばＮａＫが記載されている。しかし、アルカリ金属を
用いたものは、活性が高く、化学的に不安定であり、安
全性、信頼性の点でＭｇＡｇ等を用いた電子注入電極に
比べ劣っている。

【０００６】上記のような低仕事関数の金属、合金等を
安定に用いるため、膜封止を行う検討もされている。し
かし、十分な封止を行うためには、ガラス封止等では不
十分なため、高価で手間のかかるテフロンやＳｉＯ₂ 等
の封止膜を用いなければならなかった。また、このよう
な膜封止を行う場合、電子注入電極が酸化により腐食さ
れるのを防止するため、電子注入電極形成後速やかに行
う必要がある。このため、膜封止専用の装置を用意しな
ければ対応できないという問題があった。

【０００７】この問題を解決するための方法として、例
えば、特開平５−３６４７５号公報、同５−８９９５９
号公報、同７−１６９５６７号公報等に記載されている
ように、有機ＥＬ積層構造体部分を被う気密ケース、封
止層等を基板上に密着固定して外部と遮断する技術が知
られている。

【０００８】酸化を防止するための検討としては、例え
ば特開平４−２３３１９４号公報に記載されているよう
なＭｇ・ＡｌにＡｌのキャップ層を設けたものや、電子
注入電極物質よりもさらに仕事関数の低いアルカリ土
類、希土類金属等によるキャップ層を設ける試み等もな
されている。しかし、このキャップ層はダークスポット
の出現を防止することを目的とするもので、主に陰極
（電子注入電極）と有機エレクトロルミネッセンス媒体
界面等での湿分の吸収を行うものであり、有機ＥＬ素子
全体を保護する封止膜としては不十分である。

【０００９】封止効果の高い封止膜として、窒化ケイ
素、炭化ケイ素等を封止膜材料として用いる検討もなさ
れているが、これらの材料で形成された封止膜は、内部
応力が大きく、電極の剥離等が生じたり、連続駆動によ
りダークスポットと呼ばれる非発光領域が生じ、発光領
域が減少してしまう等といった問題を生じていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、膜内
の応力が小さく、ダークスポットなどの発生を防止し、
封止用の特別な構造体を用いることなく比較的容易に成
膜でき、しかも封止効果の高い封止膜を有する有機ＥＬ
素子を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明により達成される。（１）基板と、少なくともこの基板上に形成されたホ
ール注入電極と、発光機能に関与する有機層と、電子注
入電極とを有し、前記電子注入電極は基板と反対側に封
止膜を有し、この封止膜は窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸
化炭化ケイ素または酸化窒化ケイ素のいずれかを主成分
とし、この封止膜中にはさらに燐をＰ換算で０〜１０
（ただし０を含まない）at％含有する有機ＥＬ素子。（２）前記封止膜は、燐をＰ換算で０．０１〜１０at
％含有する上記（１）の有機ＥＬ素子。（３）さらに水素を３０at％以下含有する上記（１）
または（２）の有機ＥＬ素子。（４）前記封止膜は、プラズマＣＶＤ法により形成さ
れている上記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素
子。（５）さらに樹脂封止構造体を有する上記（１）〜
（４）のいずれかの有機ＥＬ素子。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子は、基板
と、少なくともこの基板上に形成されたホール注入電極
と、発光機能に関与する有機層と、電子注入電極とを有
し、前記電子注入電極は基板と反対側に封止膜を有し、
この封止膜は窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化炭化ケイ素
または酸化窒化ケイ素のいずれかであり、この封止膜中
にはさらに燐をＰ換算で０at％を超え１０at％以下含有
するものである。

【００１３】このように、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸
化炭化ケイ素または酸化窒化ケイ素のいずれかからな
り、燐をＰ換算で０at％を超え１０at％以下含有する封
止膜を電子注入電極上に形成することにより、高い封止
効果が得られるとともに、内部応力の増大も抑制され
て、剥離等の不良が生じ難くなる。そして、ガラス封止
板を用いなくても高い封止効果が得られるため、樹脂等
の封止剤を用いることができ、応用範囲が広がる。

【００１４】すなわち、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化
炭化ケイ素または酸化窒化ケイ素は緻密な膜を形成する
ことから封止膜としては優れているが、膜内の応力が大
きく、封止膜自身や、封止膜が形成されている電極と有
機層界面との間などで剥離現象を生じやすい。特に、時
間の経過とともに剥離現象が進行し、シュリンク率が増
大する。そこで、炭化ケイ素膜中に酸素を導入すること
で、緻密で封止効果に優れた膜特性を維持しつつ、内部
応力を緩和して、剥離、シュリンクを抑制する。

【００１５】封止膜は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）、酸化炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）または酸
化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）のいずれかを主成分とし、こ
れに燐をＰ換算で０at％を超え１０at％以下含有するも
のである。封止膜中における、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、
炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）ま
たは酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）は、化学量論組成で存
在する必要はなく、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、炭化ケイ素
（ＳｉＣ）、酸化炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）または酸化窒
化ケイ素（ＳｉＯＮ）炭化ケイ素膜形成時にＰ源となる
ガスを導入して、上記組成範囲に形成されたものであれ
ばよい。

【００１６】具体的には、ケイ素源として、ターゲット
であればＳｉを用い、原料ガスとしてはシラン、ジシラ
ン、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）などを用いる。
酸素源としてＯ₂等を、窒素源としては、Ｎ₂、ＮＨ₃等
を、炭素および酸素源としては、ＣＯ₂ ，ＣＯ等を、酸
素炭素源としてＣＯ₂ ，ＣＯ等を、酸素窒素源として、
ＮＯ、ＮＯ₂ 、Ｎ₂Ｏ等を用いる。そして、この炭化ケ
イ素膜の成膜原料導入時に、さらに酸素源としてＯ₂ 等
を導入する。また、ケイ素源、炭素源、酸素源としてＴ
ＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を導入するとよい。こ
れにより、ステップカバレージがさらに良好になる。

【００１７】封止膜の主成分の具体的な組成としては、ＳｉＮ_x と表したとき、ｘ＝０．１〜１．２であり、ＳｉＣ_y と表したとき、ｙ＝０．１〜１．２であり、ＳｉＯ_aＮ_j と表したとき、ａ＝０．１〜１．２ｊ＝０．１〜１．２であり、ＳｉＯ_bＣ_k と表したとき、ｂ＝０．１〜１．２ｋ＝０．１〜１．２であることが好ましい。これらの窒化物、炭化物、酸化
窒化物、酸化炭化物の存在は、ＳＩＭＳ等により確認す
ることができる。

【００１８】本発明の封止膜は、上記主成分に加えて燐
をＰ換算で、０〜１０（ただし０を含まない）at％、好
ましくは０．０１〜１０at％、特に０．１〜５at％含有
する。燐を含有することにより封止膜中の応力が緩和さ
れる。燐は、下記のＣＶＤ法、あるいはスパッタ法にお
いても燐源となる原料ガスを用いることで膜中に混入さ
せることができる。

【００１９】封止膜にはさらに水素を好ましくは３０at
％以下、より好ましくは５〜１５at％含有していてもよ
い。水素を含有することにより封止膜中の応力が緩和さ
れる。水素は、下記のＣＶＤ方を用いる際に膜中に混入
されるが、スパッタ法においても水素ガス、あるいは水
素を含有するガスを用いることで膜中に混入させること
ができる。

【００２０】成膜方法としては、プラズマＣＶＤ法、ス
パッタ法等を用いることができるが、特にプラズマＣＶ
Ｄ法が好ましい。ＣＶＤ法を用いることにより、ステッ
プカバレージがさらに良好となり、封止効果をより高め
ることができる。

【００２１】プラズマＣＶＤ法を用いた場合に成膜条件
としては、成膜時の圧力：１０〜１００Pa、投入電力（ＲＦ：１３．５６MHz）：５０〜５００Ｗ、成膜時の温度：８０〜１５０℃ 程度である。

【００２２】成膜される封止膜の膜厚としては、１００
nm〜１μm 、特に２００nm〜５００nm程度が好ましい。
封止膜内の内部応力は、通常引張応力であり、好ましく
は５×１０⁹ dyn／cm² 以下、特に５×１０⁸ dyn／cm²
以下が好ましい。なお、その下限は、引張と圧縮応力の
均衡点の０である。

【００２３】本発明における電子注入電極は、仕事関数
が４eV以下の金属、合金または金属間化合物から構成さ
れる。材料の仕事関数が４eVを超えると、電子の注入効
率が低下し、ひいては発光効率も低下する。仕事関数が
４eV以下の電子注入電極膜の構成金属としては、例え
ば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属、Ｌａ、Ｃｅ等の希土類
金属や、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等が挙げ
られる。仕事関数が４eV以下の金属を含有する電子注入
電極の構成合金としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１
〜２０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．５〜１２at
％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、Ａｌ・Ｃ
ａ（Ｃａ：５〜２０at％）等が挙げられる。これらは単
独で、あるいは２種以上の組み合わせとして存在しても
よく、これらを２種以上組み合わせた場合の混合比は任
意である。

【００２４】この電子注入電極は蒸着法等によっても形
成できるが、好ましくはスパッタ法、さらにはＤＣスパ
ッタ法により形成することが好ましい。ＤＣスパッタ装
置の電力としては、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm²、
特に０．５〜７Ｗ／cm²の範囲が好ましい。成膜レート
としては、好ましくは０．１〜１００nm／min 、特に１
〜３０nm／min が好ましい。

【００２５】スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、
通常０．１〜２０Pa程度でよい。

【００２６】このような電子注入電極の厚さは、電子注
入を十分行える一定以上の厚さとすればよく、１nm以
上、好ましくは３nm以上とすればよい。また、その上限
値には特に制限はないが、通常膜厚は３〜５００nm程度
とすればよい。

【００２７】本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入電極
上、つまり有機層と反対側に補助電極層を設けてもよ
い。この補助電極は、電子注入電極の膜抵抗が高い場
合、あるいは最低限電子注入機能を有する程度の膜厚と
した場合等にはこれを補うため、また、単純マトリクス
の配線電極として用いた場合、電圧降下が少なく、輝度
ムラが防止でき、さらに、ＴＦＴ等を用いたアクティブ
マトリクスタイプのディスプレイに応用した場合、高速
化が可能である。

【００２８】補助電極が必要な電子注入電極の膜抵抗
は、ディスプレイの大きさや補助電極の材質にもよる
が、通常０．２Ω／□以上、特に０．５Ω／□以上とな
った場合であり、その上限は特に規制されるものではな
いが通常数１００Ω／□程度である。また、そのような
電子注入電極の厚みとしては、ディスプレイの大きさや
補助電極の材質にもよるが、通常３００nm以下、特に２
００nm以下となった場合に必要になってくる。

【００２９】補助電極を配線電極として機能させる場
合、好ましい比抵抗としては５００μΩ・cm以下、より
好ましくは５０μΩ・cm、特に３０μΩ・cm以下、さら
には１０μΩ・cm以下である。その下限値としては特に
制限されるものではないが、Ａｌの比抵抗である３〜４
μΩ・cm程度が挙げられる。このような比抵抗を有する
補助電極としては、ＡｌまたはＡｌおよび遷移金属の合
金が好ましく挙げられる。この場合、Ａｌ・遷移金属合
金の遷移金属の含有量は、好ましくは５at％、より好ま
しくは２at％、特に１at％以下が好ましく、Ａｌ単体を
用いたものが最も好ましい。また、Ａｌ補助電極と組み
合わせる電子注入電極としては、特に限定されるもので
はないが、Ａｌ・Ｌｉ合金が好ましい。

【００３０】補助電極の厚さは、電子注入効率を確保
し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するた
め、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以
上、さらに１００nm以上、特に１００〜１０００nmの範
囲が好ましい。補助電極層が薄すぎると、所望の効果が
得られず、また、補助電極層の段差被覆性が低くなって
しまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、
補助電極層が厚すぎると、補助電極層の応力が大きくな
るため、ダークスポットの成長速度が高くなってしま
う。なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、電
子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを補
う場合には、通常１００〜５００nm 程度、その他の配
線電極として機能される場合には１００〜３００nm程度
である。

【００３１】このような封止膜の厚さは、水分や酸素あ
るいは有機溶媒の進入を防止するため、一定以上の厚さ
とすればよく、好ましくは５nm以上、さらに５〜２００
nm、特に１０〜１００nmの範囲が好ましい。

【００３２】電子注入電極、および必要により補助電極
とを併せた全体の厚さとしては、特に制限はないが、通
常１００〜１０００nm程度とすればよい。

【００３３】スパッタ装置は、ＤＣスパッタ装置が好ま
しい。また、スパッタガスとしては特に限定するもので
はなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガ
ス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このよ
うなスパッタガス、反応性ガスのスパッタ時における流
量は、好ましくは１〜２０sccm、より好ましくは１〜１
０sccm、特に２〜５sccmが好ましい。その他のスパッタ
条件は、上記の電子注入電極の場合と同様である。

【００３４】本発明で製造される有機ＥＬ素子は、基板
上にホール注入電極と、その上に電子注入電極を有する
これらの電極に挟まれて、それぞれ少なくとも１層の電
荷注入輸送層および発光層を有し、さらに最上層として
封止膜を有する。なお、電荷注入輸送層は省略可能であ
る。

【００３５】本発明により製造される有機ＥＬ発光素子
の構成例を第１図に示す。第１図に示されるＥＬ素子
は、基板２１上に、ホール注入電極２２、ホール注入輸
送層２３、発光および電子注入輸送層２４、電子注入電
極２５、封止膜２６を順次有する。また、必要により電
子注入電極２５上に補助電極を有していてもよいし、電
子注入輸送層を別途設けてもよい。

【００３６】本発明の有機ＥＬ素子は、図示例に限ら
ず、種々の構成とすることができ、例えば発光層を単独
で設け、この発光層と電子注入電極との間に電子注入輸
送層を介在させた構造とすることもできる。また、必要
に応じ、ホール注入・輸送層と発光層とを混合しても良
い。

【００３７】電子注入電極や封止膜は前述のように成膜
し、発光層等の有機物層は真空蒸着等により、ホール注
入電極は蒸着やスパッタ等により成膜することができる
が、これらの膜のそれぞれは、必要に応じてマスク蒸着
または膜形成後にエッチングなどの方法によってパター
ニングでき、これによって、所望の発光パターンを得る
ことができる。さらには、基板が薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）であって、そのパターンに応じて各膜を形成し、
そのまま表示および駆動パターンとすることもできる。

【００３８】ホール注入電極としては、好ましくは発光
した光の透過率が５０％以上、特に６０％以上となるよ
うな材料および厚さを決定することが好ましい。具体的
には、酸化物透明導電薄膜が好ましく、例えば、錫ドー
プ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウ
ム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化スズ
（ＳｎＯ₂）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）のいずれかを主
組成としたものが好ましい。これらの酸化物はその化学
量論組成から多少偏倚していてもよい。ＩＴＯでは、通
常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯ₂とを化学量論組成で含有するが、
酸素量は多少これから偏倚していてもよい。Ｉｎ₂Ｏ₃に
対しＳｎＯ₂の混合比は、１〜２０wt％が好ましく、さ
らには５〜１２wt％が好ましい。Ｉｎ₂Ｏ₃に対しＺｎＯ
の混合比は、１２〜３２wt％が好ましい。

【００３９】ホール注入電極を成膜するにはスパッタ法
が好ましい。スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周
波スパッタ法等も可能であるが、成膜するホール注入電
極の膜物性の制御のし易さや、成膜面の平滑度等を考慮
するとＤＣスパッタ法を用いることが好ましい。

【００４０】ＤＣスパッタ装置の電力としては、好まし
くは０．１〜１０Ｗ／cm²、特に０．５〜７Ｗ／cm²の範
囲である。また、成膜レートはマグネットなどの装置の
条件にもよるが、好ましくは５〜１００nm／min 、特に
１０〜５０nm／min の範囲が好ましい。スパッタ時の成
膜条件としては、電極形成で通常使用されているガス
圧、例えば、０．１〜０．５Pa、基板−ターゲット間距
離４〜１０cmの範囲とすればよい。

【００４１】スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使
用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加え
てＮ₂，Ｈ₂，Ｏ₂，Ｃ₂Ｈ₄，ＮＨ₃等の反応性ガスが使用
可能であるが、好ましくはＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅのいずれ
か、あるいはこれらの少なくとも１種以上のガスを含む
混合ガスを用いることが好ましい。これらのガスは不活
性ガスであり、かつ、比較的原子量が大きいため好まし
く、特にＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ単体が好ましい。Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅガスを用いることにより、スパッタされた原子
が基板まで到達する途中、上記ガスと衝突を繰り返し、
運動エネルギーを減少させて、基板に到着する。この事
からスパッタされた原子の持つ運動エネルギーが有機Ｅ
Ｌ構造体に与える物理的ダメージが少なくなる。また、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも１種以上のガスを含む混
合ガスを用いても良く、この様な混合ガスを用いる場
合、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの分圧の合計は５０％以上として
主スパッタガスとして用いる。このようにＡｒ、Ｋｒ、
Ｘｅの少なくとも１種と任意のガスを組み合わせた混合
ガスを用いることにより、本発明の効果を維持したま
ま、反応性スパッタを行うこともできる。

【００４２】本発明の封止膜により十分な保護、封止効
果が得られるが、さらに封止膜上に必要に応じて保護膜
を形成してもよい。保護膜はＳｉＯ_X等の無機材料、テ
フロン等の有機材料等を用いて形成することができる。
保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さ
は５０〜１２００nm程度とする。保護膜は前記した反応
性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法等に
より形成すればよい。

【００４３】さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐ
ために素子上に封止板ないし封止層を設けることが好ま
しい。封止板ないし封止層は、湿気の侵入を防ぐために
市販の低吸湿性の光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、
シリコーン系接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合
体接着剤シート等の接着性樹脂層を用いて、アクリル、
塩化ビニール等の樹脂板、ガラス板等の封止板を接着し
密封する。特に、本発明の封止膜を有する有機ＥＬ素子
は、ガラス板以外に、上記のような樹脂板を用いること
が可能であり、さらには塩化ビニール、ＰＥＴ（ポリエ
チレンテレフタレート）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ポ
リイミド等の樹脂フィルムも用いることができる。この
ような薄膜フィルムを用いることで、有機ＥＬ素子を屈
曲させて配置したり、素子を応用した表示装置をさらに
薄型にすることができ、有機ＥＬ素子の応用範囲が広が
る。

【００４４】次に、本発明のＥＬ素子に設けられる有機
物層について述べる。この有機層には発光層が含まれ
る。発光層は、少なくとも発光機能に関与する１種類、
または２種類以上の有機化合物薄膜の積層膜からなる。

【００４５】発光層は、ホール（正孔）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることで、電子
とホールを容易かつバランスよく注入・輸送することが
できる。

【００４６】発光層は、必要により、狭義の発光層の
他、さらにホール注入輸送層、電子注入輸送層等を有し
ていても良い。

【００４７】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。

【００４８】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。

【００４９】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホール／電子の注入層と輸送層とを分ける場合
は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とするのが好
ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通
常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm程度であ
る。このような膜厚については、注入輸送層を２層設け
るときも同じである。

【００５０】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平８−１２６００号公
報（特願平６−１１０５６９号）に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平８−１２９６９号公報（特願平
６−１１４４５６号）に記載のテトラアリールエテン誘
導体等を用いることができる。

【００５１】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することも好ましく、ドーパントと
しての使用も好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜１０体積% 、さらには
０．１〜５体積% であることが好ましい。ホスト物質と
組み合わせて使用することによって、ホスト物質の発光
波長特性を変化させることができ、長波長に移行した発
光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向
上する。

【００５２】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７７
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００５３】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。

【００５４】また、８−キノリノールまたはその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００５５】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００５６】このほかのホスト物質としては、特開平８
−１２６００号公報に記載のフェニルアントラセン誘導
体や特開平８−１２９６９号公報に記載のテトラアリー
ルエテン誘導体なども好ましい。

【００５７】発光層は電子輸送層を兼ねたものであって
もよく、このような場合はトリス（８−キノリノラト）
アルミニウム等を使用することが好ましい。これらの蛍
光性物質を蒸着すればよい。

【００５８】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０体積% 、さらには０．１〜１５体積
% とすることが好ましい。

【００５９】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。

【００６０】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物の中から
選択すればよい。

【００６１】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００６２】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばトリフェニルジア
ミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮
合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。

【００６３】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物／電子注入輸送性化合物の重量比が、１
／９９〜９９／１、さらに好ましくは１０／９０〜９０
／１０、特に好ましくは２０／８０〜８０／２０程度と
なるようにすることが好ましい。

【００６４】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜１００nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。

【００６５】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。

【００６６】ホール注入輸送性化合物としては、例え
ば、特開昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９
１６９４号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−
２３４６８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、
特開平５−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２
５号公報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−
１００１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載
されている各種有機化合物を用いることができる。例え
ば、テトラアリールベンジシン化合物（トリアリールジ
アミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族
三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、
トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を
有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等であ
る。これらの化合物は、１種のみを用いても、２種以上
を併用してもよい。２種以上を併用するときは、別層に
して積層したり、混合したりすればよい。

【００６７】電子注入輸送性化合物は、トリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）等の８−キノリ
ノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体な
どのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレ
ン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオレン誘導体等を用いることができる。

【００６８】発光層およびホール注入輸送層、電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．２μm
、特に０．１μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶
粒径が０．２μm 、特に０．１μm を超えていると、不
均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければな
らなくなり、電荷の注入効率も著しく低下する。

【００６９】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００７０】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００７１】基板材料としては、基板側から発光した光
を取り出す構成の場合、ガラスや石英、樹脂等の透明な
いし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルター膜
や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を
用いて発光色をコントロールしてもよい。また、前記逆
積層の場合には、基板は透明でも不透明であってもよ
く、不透明である場合にはセラミックス等を使用しても
よい。

【００７２】カラーフィルター膜には、液晶ディスプレ
イ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良い
が、有機ＥＬの発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【００７３】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００７４】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【００７５】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００７６】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロ等も含
む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物
・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系
化合物等を用いればよい。

【００７７】バインダーは基本的に蛍光を消光しないよ
うな材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等
で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。
また、ＩＴＯの成膜時にダメージを受けないような材料
が好ましい。

【００７８】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【００７９】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜２
０V程度とされる。

【００８０】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。

【００８１】＜実施例１＞ガラス基板としてコーニング
社製商品名７０５９基板を中性洗剤を用いてスクラブ洗
浄した。

【００８２】この基板上をスパッタ装置の基板ホルダー
に固定して、槽内を減圧した。次いで、ＩＴＯターゲッ
トを用いＤＣマグネトロンスパッタリング法により、膜
厚１００nmのＩＴＯホール注入電極を形成した。

【００８３】所望にパターニングされたＩＴＯ基板を、
中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄
し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。次い
で、表面をＵＶ／Ｏ₃ 洗浄した後、真空蒸着装置の基板
ホルダーに固定して、槽内を１×１０^-4Pa以下まで減圧
した。

【００８４】次いで、蒸着法により、４，４’，４”−
トリス（−Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル
アミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を蒸
着速度０．１nm／secで５５nmの厚さに蒸着してホール
注入層を形成し、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ
−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル
（ＴＰＤ）を蒸着速度０．１nm／secで２０nmの厚さに
蒸着してホール輸送層を形成した。

【００８５】減圧を保ったまま、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を、蒸着速度０．１nm
/secとして５０nmの厚さに蒸着し、発光層とした。

【００８６】さらに、減圧を保ったまま、スパッタ装置
に移し、スパッタ法にてＡｌＬｉ（Ｌｉ：６at％）を１
nmの厚さに成膜し、続けてＡｌを２００nmの厚さに成膜
して電子注入電極とした。

【００８７】次いで、減圧状態を保ったまま、プラズマ
ＣＶＤ装置に移し、ＳｉＮ封止膜を、１００nmの膜厚に
成膜した。このときの成膜条件としては、Ｎ₂ ：１５SCCM ＳｉＨ₄ ：１０SCCM ＰＨ₃ ：０．５SCCM Ａｒ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗとした。成膜されたサンプル１の封止膜の組成は、Ｓｉ
Ｎ_0.8 にＰが１at％含有するものであった。

【００８８】最後にガラス封止板を配置することなく有
機ＥＬ素子を得た。

【００８９】さらに比較サンプル１として、封止膜形成
時の条件を以下のものとした以外は上記と同様にして封
止膜を形成した素子（比較サンプル）も作製した。Ｎ₂ ：１５SCCM ＳｉＨ₄ ：１０SCCM Ａｒ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗ成膜された比較サンプルの膜組成は、ＳｉＮ_0.9 であっ
た。

【００９０】得られた有機ＥＬ素子を、大気中８５℃の
条件下、２００時間保存した後、１０mA／cm² の一定電
流密度で駆動し、ダークスポットの発生、およびシュリ
ンクについて評価した。

【００９１】その結果、本発明のサンプル１は、ダーク
スポットの発生、シュリンクのいずれも発見できなかっ
たが、比較サンプル１は、６０μm 以上のシュリンクが
確認された。

【００９２】＜実施例２＞実施例１において封止膜の成
膜条件として、ＳｉＨ₄ ：２０SCCM ＣＨ₄ ：１５SCCM ＰＨ₃ ：１SCCM Ａｒ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗとした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得
た。成膜されたサンプル２の封止膜の組成は、ＳｉＣ
_0.7 にＰが２at％含有するものであった。

【００９３】さらに比較サンプル２として、封止膜形成
時の条件を以下のものとした以外は上記と同様にして封
止膜を形成した素子（比較サンプル）も作製した。ＳｉＨ₄ ：２０SCCM ＣＨ₄ ：１５SCCM Ａｒ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗ成膜された比較サンプルの膜組成は、ＳｉＣ_0.75 であ
った。

【００９４】得られた有機ＥＬ素子を、大気中８５℃の
条件下、２００時間保存した後、１０mA／cm² の一定電
流密度で駆動し、ダークスポットの発生、およびシュリ
ンクについて評価した。

【００９５】その結果、本発明のサンプル２は、ダーク
スポットの発生、シュリンクのいずれも発見できなかっ
たが、比較サンプル２は、５０μm 以上のシュリンクが
確認された。

【００９６】＜実施例３＞実施例１において封止膜とし
て、ＳｉＯＣ封止膜を、１００nmの膜厚に成膜した。こ
のときの成膜条件としては、ＴＥＯＳ：１０SCCM Ｐ（ＯＣＨ₃ ）₄ ：１SCCM Ａｒ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗとした。成膜されたサンプル３の封止膜の組成は、Ｓｉ
Ｏ_0.8Ｃ_0.4 にＰが２at％含有するものであった。

【００９７】さらに比較サンプル３として、封止膜形成
時の条件を以下のものとした以外は上記と同様にして封
止膜を形成した素子（比較サンプル）も作製した。ＴＥＯＳ：１０SCCM Ａｒ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗ成膜された比較サンプルの膜組成は、ＳｉＯ_0.8Ｃ_0.4
であった。

【００９８】得られた有機ＥＬ素子を、大気中８５℃の
条件下、２００時間保存した後、１０mA／cm² の一定電
流密度で駆動し、ダークスポットの発生、およびシュリ
ンクについて評価した。

【００９９】その結果、本発明のサンプル３は、ダーク
スポットの発生、シュリンクのいずれも発見できなかっ
たが、比較サンプルは、６０μm 以上のシュリンクが確
認された。

【０１００】＜実施例４＞実施例１において、封止膜を
成膜する際にＳｉＯＮ封止膜を、１００nmの膜厚に成膜
した。このときの成膜条件としては、ＳｉＨ₄ ：２０SCCM Ｎ₂Ｏ：１０SCCM Ｎ₂ ：１００SCCM ＰＨ₃ ：１SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗとした。上記以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子
を得た。成膜されたサンプル４の封止膜の組成は、Ｓｉ
Ｏ_0.5Ｎ_0.5 であった。また、この封止膜中には水素が
１０at％混入されていた。

【０１０１】さらに比較サンプル４として、封止膜形成
時の条件を以下のものとした以外は上記と同様にして封
止膜を形成した素子（比較サンプル）も作製した。ＳｉＨ₄ ：２０SCCM Ｎ₂Ｏ：１０SCCM Ｎ₂ ：１００SCCM Ａｒ：１００SCCM 成膜温度：１００℃ 成膜時の圧力：５０Pa 投入電力：ＲＦ１００Ｗ

【０１０２】得られた有機ＥＬ素子を、大気中８５℃の
条件下、２００時間保存した後、１０mA／cm² の一定電
流密度で駆動し、ダークスポットの発生、およびシュリ
ンクについて評価した。

【０１０３】その結果、本発明のサンプル４は、ダーク
スポットの発生、シュリンクのいずれも発見できなかっ
たが、比較サンプル４は、６０μm 以上のシュリンクが
確認された。

【０１０４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、膜内の応
力が小さく、ダークスポットなどの発生を防止し、封止
用の特別な構造体を用いることなく比較的容易に成膜で
き、しかも封止効果の高い封止膜を有する有機ＥＬ素子
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ素子の基本構成を示した概略
断面図である。

【符号の説明】

２１基板２２ホール注入電極２３ホール注入輸送層２４電子注入発光層２５電子注入電極２６封止膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、少なくともこの基板上に形成さ
れたホール注入電極と、発光機能に関与する有機層と、
電子注入電極とを有し、前記電子注入電極は基板と反対側に封止膜を有し、この
封止膜は窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化炭化ケイ素また
は酸化窒化ケイ素のいずれかを主成分とし、この封止膜中にはさらに燐をＰ換算で０〜１０（ただし
０を含まない）at％含有する有機ＥＬ素子。
【請求項２】前記封止膜は、燐をＰ換算で０．０１〜
１０at％含有する請求項１の有機ＥＬ素子。
【請求項３】さらに水素を３０at％以下含有する請求
項１または２の有機ＥＬ素子。
【請求項４】前記封止膜は、プラズマＣＶＤ法により
形成されている請求項１〜３のいずれかの有機ＥＬ素
子。
【請求項５】さらに樹脂封止構造体を有する請求項１
〜４のいずれかの有機ＥＬ素子。