CN103855320B - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极、功能层、阴极、封装层及封装盖，基底和封装盖形成封闭空间，阳极、功能层、阴极和封装层容置在该封闭空间内，所述封装层依次包括保护层、碳氮化合物膜、氟化物膜、有机阻挡层、湿气吸收层和散热层；所述碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱，本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法，该方法可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，可显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件可有效地减少水汽、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，对器件的寿命有显著的提高。本发明方法适用于封装以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。

一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，

包括依次层叠的基板、阳极、功能层、阴极、封装层和封装盖，基板和封装盖形成封闭空间，阳极、功能层、阴极、封装层容置在该封闭空间内，所述封装层依次包括保护层、碳氮化合物膜、氟化物膜、有机阻挡层、湿气吸收层和散热层；

所述碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19；所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱。

优选地，所述碳氮化合物膜的厚度为80nm～150nm；所述氟化物膜的厚度为80nm～150nm。

优选地，所述保护层的材料为酞菁铜、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm；

所述有机阻挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，所述有机阻挡层的厚度为1μm～1.5μm。

优选地，所述湿气吸收层的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁，所述湿气吸收层的厚度为100nm～200nm；

所述散热层的材料为铝、银、铜或他们的组合物，厚度为200nm～500nm；及

所述封装盖为金属薄片，金属薄片的材料为银、铝或铜。

优选地，所述碳氮化合物膜与所述氟化物膜交替层叠设置，层叠层数大于等于三层。

本发明另一方面提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在洁净的玻璃基板或有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备功能层、阴极和封装层，采用紫外光固化方式将封装盖进行封装，使所述基板和所述封装盖形成封闭空间；

所述封装层的制备包括首先在阴极上采用真空蒸镀的方式制备保护层；

在所述保护层上采用磁控溅射共溅制备碳氮化合物膜，所述碳氮化合物膜为掺杂有碳化物材料的氮化物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物膜中的氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，膜层厚度设置为80nm～150nm，将所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19作为靶材，在溅射速率为5nm/min～40nm/min条件下进行磁控溅射得到碳氮化合物膜，再在所述碳氮化合物膜上通过真空蒸发的方式制备氟化物膜，所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱，所述真空蒸发的方式为真空度8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度

然后在所述碳氮化合物膜上采用先旋涂后曝光的工艺制备有机阻挡层，所述先旋涂后曝光的工艺过程为，将所述有机阻挡层材料旋涂，然后用波长为200nm～400nm紫外光固化，光强为10mW/cm²～15mW/cm²，曝光时间200s～300s；

接着在所述有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，在所述湿气吸收层上真空蒸镀散热层；

最后采用封装胶将金属薄片封装形成封装盖，使所述基板和所述封装盖形成密闭空间，将所述阳极、功能层、阴极和封装层容置在该封闭空间内。

优选地，所述碳氮化合物膜的厚度为80nm～150nm；所述氟化物膜的厚度为80nm～150nm。

优选地，所述保护层的材料为酞菁铜、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm；

所述有机阻挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，所述有机阻挡层的厚度为1μm～1.5μm。

优选地，所述湿气吸收层的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁，所述湿气吸收层的厚度为100nm～200nm。

优选地，所述散热层的材料为铝、银、铜或他们的组合物，所述散热层的厚度为200nm～500nm。

优选地，所述封装盖为金属薄片，金属薄片的材料为银、铝或铜。

优选地，重复制备所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜的制备工艺，使所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜层叠设置，交替层叠层数为大于等于3层。

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：

本发明有机电致发光器件可以有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，显著地提高有机电致发光器件的寿命；使防水性能(WVTR)达到9.3E^-5g/m²·day，寿命达15,713小时以上，本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。

附图说明

图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图；

图2是本发明有机电致发光器件的制备流程图；

图3是本发明有机电致发光器件的封装层的制备流程图。

具体实施方式

以下所述是本发明的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和调整，这些改进和调整也视为在本发明的保护范围内。

根据图1本发明提供了一种有机电致发光器件100，包括依次层叠的基板10、阳极20、功能层30、阴极40、封装层50及封装盖60，基板10和封装盖60形成封闭空间，将阳极20、功能层30、阴极40及封装层50封装在该空间内。

在本实施例中，基板10为玻璃基板或有机薄膜，该有机薄膜具体为：聚对苯二甲酸乙二酯；

在本实施例中，在基板10上设置阳极20，阳极20为铟锡氧化物；

在本实施例中，功能层30形成于阳极20表面。功能层30包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。可以理解，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层30仅包括发光层；

空穴注入层为N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO₃)。MoO₃的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm；

空穴传输层为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。

发光层材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)₃)。客体材料的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。

电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。

电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN₃)。CsN₃的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。

需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。

在本实施例中，在功能层30上设置阴极40，阴极40可以为单层金属层，该单层金属为铝、银及金；也可以是层叠透明阴极，该透明阴极为ITO/Ag/ITO或ZnS/Ag/ZnS。

在本实施例中，在阴极40上设置封装层50，该封装层50包括保护层501、碳氮化合物膜502、氟化物膜503、有机阻挡层504、湿气吸收层505及散热层506。

保护层501，保护层501的材料为酞菁铜、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm。

在本实施例中，在保护层501上设置碳氮化合物膜502，碳氮化合物膜502为掺杂有氮化物的碳化物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19；

在本实施例中，碳氮化合物膜502的厚度为80nm～150nm。

在本实施例中，在碳氮化合物膜502表面设置氟化膜，所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱。

在本实施例中，所述氟化物膜的厚度为80nm～150nm。

在本实施例中，所述碳氮化合物膜502和氟化物膜503交替层叠设置，交替层叠层数为大于等于3层。

将碳氮化合物膜和氟化物膜交替层叠设置能够延长水氧渗透路径，交替设置可弥补孔隙，使有机物和无机物结合从而可缓解应力。

在氟化物膜上设置有机阻挡层504，有机阻挡层504的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，厚度为1μm～1.5μm。

在本实施例中，在有机阻挡层504表面设置湿气吸收层505，湿气吸收层505的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁，厚度为100nm～200nm。

在本实施例中，在湿气吸收层505表面设置散热层506，散热层506的材料为铝、银、铜或他们的组合物，厚度为200nm～500nm。

在本实施例中，以基底10为界采用封装盖60进行封装，使基底10与封装盖60之间形成密闭空间，将上述各层设置在该密闭空间内，所述封装盖60为金属薄片，金属薄片包括银、铝或铜薄片。

根据图2可知本发明提供的有机电致发光器件100的制备方法，具体步骤包括：

S101在基板10上制备阳极20，并在阳极20上形成功能层30。

功能层30包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。

基底10可以为玻璃基底或有机聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。基底10具有制备有阳极20，阳极20为ITO层。ITO层的厚度为100nm～150nm。

基板10表面在形成阳极20和功能层30之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加基底10表面的含氧量以提高基底10表面的功函数。具体为，将基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。

本实施方式中，空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO₃)。MoO₃的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)₃)。客体材料的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN₃)，CsN₃的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。

步骤S120、在功能层30表面形成阴极40。

阴极30可以为单层结构。阴极30的厚度为100nm。阴极30的材料为铝(Al)、银(Ag)或金(Au)，阴极30由真空蒸镀形成，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为也可以是层叠透明阴极，该透明阴极为ITO/Ag/ITO或ZnS/Ag/ZnS。

步骤S130、在阴极40上蒸镀形成封装层50。

根据图3可知，封装层的制备步骤如下：

封装层依次包括保护层501、碳氮化合物膜502、有机阻挡层504、湿气吸收层505及散热层506。

步骤S1301、在阴极40上蒸镀形成保护层501，保护层501的材料为酞菁铜、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm。蒸镀条件为，真空度为8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度为

步骤S1302、在保护层502上采用磁控溅射制作碳氮化合物膜502，碳氮化合物膜502为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19。其中，磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，膜层厚度设置为80nm～150nm，将碳化物与氮化物的质量比为1:6～14:19作为靶材,在溅射速率为5nm/min-40nm/min进行磁控溅射得到碳氮化合物膜502。

步骤S1303、在碳氮化合物膜502真空蒸发氟化物膜503，所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱，所述真空蒸发的方式为真空度8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度

步骤S1304、在氟化物膜503旋涂有机阻挡层504，然后在惰性气氛下采用紫外光固化，紫外光固化条件为波长200nm～400nm，光强10mW/cm²～15mW/cm²，曝光时间200s～300s，有机阻挡层504厚度为1μm～1.5μm；

步骤S1305、在有机阻挡层504上采用溅射方式制备湿气吸收层505，湿气吸收层505的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁，厚度为100nm～200nm。溅射条件为所述溅射方式具体为真空度1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸射速度

步骤S1306、在湿气吸收层505上采用蒸镀方式制备散热层506，散热层506的材料为铝、银、铜或他们的组合物，厚度为200nm～500nm。蒸镀条件为，真空度为8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度

在优选的实施例中，通过交替重复步骤S1303和步骤S1304制备层叠设置的碳氮化合物膜502和氟化物膜503，交替层叠层数为大于等于3层；

通过步骤S1302到步骤S1306形成封装层；

步骤S140、在封装层50表面形成封装盖60。

在封装盖边缘涂敷布封装胶，采用紫外光固化干燥的方式硬化封装胶，紫外光波长为200nm～400nm，光强为10mW/cm²～15mW/cm²，曝光时间300s～400s，使封装盖60与基板10之间形成密闭空间。

实施例1：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1、基板前处理及阳极的制备：依次采用丙酮、乙醇、去离子水和乙醇采用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤清洗时间为5分钟，然后用氮气吹干，使用烘箱烤干后待用；在基板上设置ITO玻璃，对负载有ITO玻璃的基板进行表面活化处理，以增表面层的含氧量，提高阳极表面的功函数；ITO玻璃厚度为100nm；

2、功能层的制备：

在阳极上蒸镀空穴注入层；

空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钼(MoO₃)。MoO₃的质量百分含量为30％。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

在空穴注入层上蒸镀空穴传输层；

空穴传输层的材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为

在空穴传输层上蒸镀发光层；

发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)₃)。客体材料的质量百分含量为5％。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

在发光层上蒸镀电子传输层；

电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

在电子传输层上蒸镀电子注入层；

电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)，CsN3的质量百分含量为30％。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

3、在电子注入层上蒸镀阴极：

金属阴极采用铝(Al)，厚度为100nm，蒸镀真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

4、封装层的制备：

在阴极上设置封装层，封装层包括保护层、碳氮化合物膜、氟化物膜、有机阻挡层、湿气吸收层及散热层；

在阴极上蒸镀形成保护层，保护层的材料为酞菁铜，保护层的厚度为200nm。蒸镀条件为，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

在保护层上采用磁控溅射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料为碳化硅，氮化物材料为四氮化三硅，碳化物与所述氮化物的质量比为1:4。其中，磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为1×10^-5Pa，膜层厚度设置为120nm，在溅射速率为5nm/min进行磁控溅射得到碳氮化合物膜。

在碳氮化合物膜上真空蒸发氟化物膜，氟化物膜的材料为氟化铝，真空蒸发的真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度厚度100nm；

在氟化物膜上旋涂有机阻挡层，有机阻挡层材料为聚四氟乙烯，然后在惰性气氛下采用紫外光固化，紫外光固化条件为波长365nm，光强10mW/cm²，曝光时间200s，有机阻挡层厚度为1μm；

碳氮化合物膜和氟化物膜交替制备三次；

在有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，湿气吸收层的材料为氧化钙，厚度为200nm。溅射条件为所述溅射方式具体为真空度2×10^-4Pa，蒸射速度

在湿气吸收层上采用蒸镀方式制备散热层，散热层的材料为铝，厚度为200nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度

5、封装盖的制备：

在封装盖边缘涂敷布封装胶，采用紫外光固化干燥的方式硬化封装胶，紫外光波长为365nm，光强为11mW/cm²，曝光时间350s，使封装盖与基板之间形成密闭空间。

实施例2：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1、2、3同实施例1；

4、封装层的制备：

在阴极上设置封装层，封装层包括保护层、碳氮化合物膜、有机阻挡层、湿气吸收层及散热层；

在阴极上蒸镀形成保护层，保护层的材料为N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺，保护层的厚度为300nm。蒸镀条件为，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

在保护层上采用磁控溅射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料为碳化钨，氮化物材料为氮化铝，碳化物与所述氮化物的质量比为1:19。其中，磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为2×10^-4Pa，膜层厚度设置为100nm，在溅射速率为1nm/min进行磁控溅射得到碳氮化合物膜。

在碳氮化合物膜上真空蒸发氟化物膜，氟化物膜的材料为四氟化铪，真空蒸发的真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度厚度80nm；

在氟化物膜上旋涂有机阻挡层，有机阻挡层材料为甲基丙烯酸树脂，然后在惰性气氛下采用紫外光固化，紫外光固化条件为波长365nm，光强15mW/cm²，曝光时间200s，有机阻挡层厚度为1.5μm；

碳氮化合物膜和氟化物膜交替制备三次；

在有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，湿气吸收层的材料为氧化钡，厚度为200nm。溅射条件为所述溅射方式具体为真空度2×10^-4Pa，蒸射速度

在湿气吸收层上采用蒸镀方式制备散热层，散热层的材料为银，厚度为500nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度

5、封装盖的制备：

在封装盖边缘涂敷布封装胶，封装盖的材料为铝薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封装胶，紫外光波长为365nm，光强为10mW/cm²，曝光时间400s，使封装盖与基板之间形成密闭空间。

实施例3：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1、2、3同实施例1；

4、封装层的制备：

在阴极上设置封装层，封装层包括保护层、碳氮化合物膜、有机阻挡层、湿气吸收层及散热层；

在阴极上蒸镀形成保护层，保护层的材料为八羟基喹啉铝，保护层的厚度为250nm。蒸镀条件为，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为

在保护层上采用磁控溅射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料为碳化钽，氮化物材料为氮化硼，碳化物与所述氮化物的质量比为3:7。其中，磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为2×10^-4Pa，膜层厚度设置为150nm，在溅射速率为40nm/min进行磁控溅射得到碳氮化合物膜。

在碳氮化合物膜上真空蒸发氟化物膜，氟化物膜的材料为氟化铈，真空蒸发的真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度厚度150nm；

在氟化物膜上旋涂有机阻挡层，有机阻挡层材料为环脂肪环氧树脂，然后在惰性气氛下采用紫外光固化，紫外光固化条件为波长365nm，光强11mW/cm²，曝光时间230s，有机阻挡层厚度为1.2μm；

碳氮化合物膜和氟化物膜交替制备四次；

在有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，湿气吸收层的材料为氧化锶，厚度为150nm。溅射条件为所述溅射方式具体为真空度2×10^-4Pa，蒸射速度

在湿气吸收层上采用蒸镀方式制备散热层，散热层的材料为铜，厚度为300nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度

5、封装盖的制备：

在封装盖边缘涂敷布封装胶，封装盖的材料为铜薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封装胶，紫外光波长为365nm，光强为15mW/cm²，曝光时间300s，使封装盖与基板之间形成密闭空间。

实施例4：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1、2、3同实施例1；

4、封装层的制备：

在阴极上设置封装层，封装层包括保护层、碳氮化合物膜、有机阻挡层、湿气吸收层及散热层；

在阴极上蒸镀形成保护层，保护层的材料为氧化硅，保护层的厚度为200nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

在保护层上采用磁控溅射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料为碳化硼，氮化物材料为氮化硅，碳化物与所述氮化物的质量比为1:4。其中，磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为2×10^-4Pa，膜层厚度设置为120nm，在溅射速率为20nm/min进行磁控溅射得到碳氮化合物膜。

在碳氮化合物膜上真空蒸发氟化物膜，氟化物膜的材料为氟化铈，真空蒸发的真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度厚度120nm；

在氟化物膜上旋涂有机阻挡层，有机阻挡层材料为聚四氟乙烯，然后在惰性气氛下采用紫外光固化，紫外光固化条件为波长365nm，光强10mW/cm²，曝光时间200s，有机阻挡层厚度为1μm；

碳氮化合物膜和氟化物膜交替制备五次；

在有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，湿气吸收层的材料为氧化镁，厚度为100nm。溅射条件为所述溅射方式具体为真空度2×10^-4Pa，蒸射速度

在湿气吸收层上采用蒸镀方式制备散热层，散热层的材料为铜铝合金，铜和铝的质量比为3:1，厚度为500nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度

5、封装盖的制备：

在封装盖边缘涂敷布封装胶，封装盖的材料为铜薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封装胶，紫外光波长为365nm，光强为11mW/cm²，曝光时间350s，使封装盖与基板之间形成密闭空间。

实施例5：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1、2、3同实施例1；

4、封装层的制备：

在阴极上设置封装层，封装层包括保护层、碳氮化合物膜、有机阻挡层、湿气吸收层及散热层；

在阴极上蒸镀形成保护层，保护层的材料为氟化镁，保护层的厚度为300nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

在保护层上采用磁控溅射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料为碳化钛，氮化物材料为氮化钽，碳化物与所述氮化物的质量比为1:9。其中，磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为2×10^-4Pa，膜层厚度设置为110nm，在溅射速率为1nm/min进行磁控溅射得到碳氮化合物膜。

在碳氮化合物膜上真空蒸发氟化物膜，氟化物膜的材料为氟化铱，真空蒸发的真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度厚度100nm；

在氟化物膜上旋涂有机阻挡层，有机阻挡层材料为甲基丙烯酸树脂，然后在惰性气氛下采用紫外光固化，紫外光固化条件为波长365nm，光强15mW/cm²，曝光时间200s，有机阻挡层厚度为1.5μm；

在有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，湿气吸收层的材料为氧化钙，厚度为200nm。溅射条件为所述溅射方式具体为真空度2×10^-4Pa，蒸射速度

在湿气吸收层上采用蒸镀方式制备散热层，散热层的材料为铜铝合金，铜和铝的质量比为3:1，厚度为500nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度

5、封装盖的制备：

在封装盖边缘涂敷布封装胶，封装盖的材料为铜薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封装胶，紫外光波长为365nm，光强为15mW/cm²，曝光时间400s，使封装盖与基板之间形成密闭空间。

实施例6：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1、2、3同实施例1；

4、封装层的制备：

在阴极上设置封装层，封装层包括保护层、碳氮化合物膜、有机阻挡层、湿气吸收层及散热层；

在阴极上蒸镀形成保护层，保护层的材料为硫化锌，保护层的厚度为250nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

在保护层上采用磁控溅射制作碳氮化合物膜，碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，碳化物材料为碳化铪，氮化物材料为氮化钛，碳化物与所述氮化物的质量比为3:17。其中，磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为2×10^-4Pa，膜层厚度设置为130nm，在溅射速率为5nm/min进行磁控溅射得到碳氮化合物膜。

在碳氮化合物膜上真空蒸发氟化物膜，氟化物膜的材料为氟化铈，真空蒸发的真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度厚度100nm；

在氟化物膜上旋涂有机阻挡层，有机阻挡层材料为环脂肪环氧树脂，然后在惰性气氛下采用紫外光固化，紫外光固化条件为波长365nm，光强11mW/cm²，曝光时间230s，有机阻挡层厚度为1.2μm；

在有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，湿气吸收层的材料为氧化钡，厚度为150nm。溅射条件为所述溅射方式具体为真空度2×10^-4Pa，蒸射速度

在湿气吸收层上采用蒸镀方式制备散热层，散热层的材料为银，厚度为300nm。蒸镀条件为，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度

碳氮化合物膜和氟化物膜交替制备八次；

5、封装盖的制备：

在封装盖边缘涂敷布封装胶，封装盖的材料为铜薄片，采用紫外光固化干燥的方式硬化封装胶，紫外光波长为365nm，光强为11mW/cm²，曝光时间350s，使封装盖与基板之间形成密闭空间。

效果实施例

为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果，提供相关实验数据如下。

有机电致发光器件水氧渗透率的测试条件为：设备：吉时利公司的Keithley2400，样品架；方法：测试Ca膜电阻的变化；条件：温度20℃～25℃，湿度40％～60％。结果如下：

表1.实施例1～6有机电致发光器件水氧渗透率

实施例1

实施例2

实施例3

实施例4

实施例5

实施例6

WVTR(g/m2/day)

8.4E-5

7.1E-5

9.3E-5

8.0E-5

5.1E-5

7.7E-5

表1是实施例1～6有机电致发光器件水氧渗透率，使防水性能(WVTR)达到9.3E^-5g/m²·day。

有机电致发光器件寿命测试条件：设备：吉时利公司的Keithley2400，柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计；方法：测试亮度从1000cd/m²降到700cd/m²所用的时间；条件：温度20℃～25℃，湿度40％～60％。

表2.实施例1～6有机电致发光器件寿命情况

表2是实施例1～6有机电致发光器件寿命情况可以看出，本发明有机电致发光器件的寿命达1.5713万小时以上(T70@1000cd/m²)。

综上，本发明提供的有机电致发光器件可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，满足封装的密封性要求，可显著地提高OLED器件的寿命。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极、功能层、阴极、封装层和封装盖，基板和封装盖形成封闭空间，阳极、功能层、阴极、封装层容置在该封闭空间内，其特征在于，所述封装层依次包括保护层、碳氮化合物膜、氟化物膜、有机阻挡层、湿气吸收层和散热层；

所述碳氮化合物膜为掺杂有碳化物的氮化物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19；所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化合物膜的厚度为80nm～150nm；所述氟化物膜的厚度为80nm～150nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的材料为酞菁铜、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm；

所述有机阻挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，所述有机阻挡层的厚度为1μm～1.5μm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述湿气吸收层的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁，所述湿气吸收层厚度为100nm～200nm；

所述散热层的材料为铝、银、铜或他们的组合物，所述散热层的厚度为200nm～500nm；及

所述封装盖为金属薄片，金属薄片的材料为银、铝或铜。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化合物膜与所述氟化物膜交替层叠设置，层叠层数大于等于三层。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在洁净的玻璃基板或有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备功能层、阴极和封装层，采用紫外光固化方式将封装盖进行封装，使所述基板和所述封装盖形成封闭空间；

所述封装层的制备包括首先在阴极上采用真空蒸镀的方式制备保护层；

在所述保护层上采用磁控溅射共溅制备碳氮化合物膜，所述碳氮化合物膜为掺杂有碳化物材料的氮化物膜，其中，所述碳化物材料为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪，所述氮化物膜中的氮化物材料为四氮化三硅、氮化铝、氮化硼、氮化硅、氮化钽或氮化钛，所述磁控溅射条件为：采用三靶磁控溅射沉积系统，设置本底真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，膜层厚度设置为80nm～150nm，将所述碳化物与所述氮化物的质量比为1:6～14:19作为靶材，在溅射速率为5nm/min～40nm/min条件下进行磁控溅射得到碳氮化合物膜，再在所述碳氮化合物膜上通过真空蒸发的方式制备氟化物膜，所述氟化物膜的材料为氟化铝、四氟化铪、四氟化锆、氟化铈或氟化铱，所述真空蒸发的方式为真空度8×10^-5Pa～3×10^-5Pa，蒸发速度

然后在所述氟化物膜上采用先旋涂后曝光的工艺制备有机阻挡层，所述先旋涂后曝光的工艺过程为，将所述有机阻挡层材料旋涂，然后用波长为200nm～400nm紫外光固化，光强为10mW/cm²～15mW/cm²，曝光时间200s～300s；

接着在所述有机阻挡层上采用溅射方式制备湿气吸收层，在所述湿气吸收层上真空蒸镀散热层；

最后采用封装胶将金属薄片封装形成封装盖，使所述基板和所述封装盖形成密闭空间，将所述阳极、功能层、阴极和封装层容置在该封闭空间内。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氮化合物膜的厚度为80nm～150nm；所述氟化物膜的厚度为80nm～150nm。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为酞菁铜、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、八羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm；

所述有机阻挡层的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或环脂肪环氧树脂，所述有机阻挡层的厚度为1μm～1.5μm。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述湿气吸收层的材料为氧化钙、氧化钡、氧化锶或氧化镁，所述湿气吸收层的厚度为100nm～200nm，所述散热层的材料为铝、银、铜或他们的组合物，所述散热层的厚度为200nm～500nm，所述封装盖为金属薄片，金属薄片的材料为银、铝或铜。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，重复制备所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜的制备工艺，使所述碳氮化合物膜和所述氟化物膜层叠设置，交替层叠层数为大于等于3层。