CN103855318B - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极层容置在该封闭空间内，所述封装层依次包括保护层、氧化物层、氢化硫化物层和金属薄片；本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法，该方法可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，可显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。

柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前普遍存在寿命短，因此封装的好坏直接影响器件的寿命。传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，对柔性OLED器件的寿命有显著的提高。本发明方法适用于封装以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件，也适用于封装以塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。

一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极层容置在该封闭空间内，所述封装层依次包括保护层、氧化物层、氢化硫化物层和金属薄片；

所述氧化物层的材质为二氧化硅（SiO₂）、三氧化二铝（Al₂O₃）、二氧化钛（TiO₂）、二氧化锆（ZrO₂）、二氧化铪（HfO₂）或五氧化二钽（Ta₂O₅）；

所述氢化硫化物层材质为氢化二硫化钨（表示为WS₂:H）、氢化二硫化钼（MoS₂:H）、氢化二硫化钽（TaS₂:H）、氢化二硫化铌（NbS₂:H）、氢化三硫化二锑（Sb₂S₃:H）或氢化三硫化二砷（As₂S₃:H）。

优选地，所述氧化物层的厚度为80～150nm。

所述氢化硫化物为氢原子填充硫化物中的悬挂键形成的硫化物，硫化物晶体因晶格在表面处突然终止，在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键。硫化物存在悬挂键时缺陷密度高，机械强度差，同时悬挂键具有化学活性，容易与其他原子结合而稳定下来，易被氧化；氢填充悬挂键后，硫化物的惰性增加，不易被氧化，且可以增加硫化物的机械强度，降低硫化物层的薄膜应力。

优选地，所述氢化硫化物层的厚度为80～150nm。

优选地，所述氧化物层和氢化硫化物层交替层叠4～7层。

所述氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成多层结构，延长了水、氧渗透路径，可以达到优良的封装效果，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，弥补了单一氧化物层和单一氢化硫化物层的缺点，延长器件寿命。

保护层的存在可以保护阴极在后续操作过程中免遭破坏。

优选地，所述保护层材料选自有机小分子材料、无机材料或金属材料中的一种，优选自酞菁铜（CuPc）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）、八羟基喹啉铝（Alq₃）、氧化硅（SiO）、氟化镁（MgF₂）或硫化锌（ZnS）。优选地，保护层的厚度为200～300nm。

采用金属薄片作为封装盖，可以提高器件散热能力，阻隔水汽和氧的腐蚀，适合柔性有机电致发光器件，可以将封装对光效的影响降到最低。

优选地，所述金属薄片的材质为银、铝、铜或金中的一种。

在金属薄片边缘涂布封装胶，用UV光进行固化，将所述有机电致发光器件封装在所述金属薄片及基板内。

优选地，所述阳极导电基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。

更优选地，所述阳极导电基板为氧化铟锡（ITO）导电玻璃基板。

功能层通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发光层设置于空穴传输层和电子传输层之间。优选地，功能层和发光层通过真空蒸镀的方法设置。

优选地，所述阴极层可以为非透明金属阴极（铝、银、金等）层或透明阴极层（介质层/金属层/介质层等，如ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS等）。

更优选地，所述阴极层为铝。

另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）在洁净的导电玻璃基板或导电有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极图形；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备功能层、发光层、阴极层和保护层；

（2）采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂或Ta₂O₅；

（3）采用反应磁控溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，所述氢化硫化物层的材质为WS₂:H、MoS₂:H、TaS₂:H、NbS₂:H、Sb₂S₃:H或As₂S₃:H；制备时通入氨气和氩气形成的混合气体，其中氨气占混合气体的体积分数为1%～9%；

（4）在氢化硫化物层上覆盖金属薄片，在金属薄片边缘涂布封装胶，用UV光进行固化，将所述有机电致发光器件封装在所述金属薄片及基板内。

步骤（2）采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，优选地，磁控溅射时的溅射靶材为SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂或Ta₂O₅，通入气体为氩气，气体流量为10～15sccm，本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

步骤（3）采用反应磁控溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，优选地，溅射靶材为WS₂、MoS₂、TaS₂、NbS₂、Sb₂S₃或As₂S₃，本底真空度为1×10^-5～1×10^-3，通入氨气和氩气形成的混合气体，其中氨气占混合气体的体积分数为1%～9%，气体流量为10～15sccm，更优选地，氨气占混合气体的体积分数为5%。

通过反应磁控溅射制备氢化硫化物层时，存在反应气体氨气的情况下，靶材会与反应气体反应，氢原子填充硫化物层的中的悬挂键得到氢化硫化物；反应溅射制备的氢化硫化物层成分纯净，薄膜厚度均匀致密，与氧化物层结合力强，且氢化硫化物层化学性质稳定，机械强度高。

优选地，在步骤（3）后采用和步骤（2）相同的方法和材质制备氧化物层，再在所述氧化物层上采用步骤（3）相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠4～7层形成的多层结构；

所述氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成多层结构，致密性高，延长了水、氧渗透路径，可以达到优良的封装效果，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，弥补了单一氧化物层和单一氢化硫化物层的缺点，同时可以起到降低膜层应力的作用，延长器件寿命。

通过真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层，保护层的存在可以保护阴极在后续操作过程中免遭破坏。

优选地，采用真空蒸镀的方法制备保护层时真空度为3×10^-5～8×10^-5Pa，蒸发速度为

功能层通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发光层设置于空穴传输层和电子传输层之间。优选地，功能层和发光层为通过真空蒸镀的方法设置。

采用金属薄片作为封装盖，可以提高器件散热能力，阻隔水汽和氧的腐蚀，适合柔性有机电致发光器件，可以将封装对光效的影响降到最低。

优选地，在散热片上覆盖金属薄片时，在金属薄片边缘涂布封装胶，由紫外线固化（UV-Curing）的方式干燥硬化封装胶，将所述的有机电致发光器件封装在所述金属薄片及基板内。

优选地，用UV光（λ＝365nm）进行固化时，光强为10～15mW/cm²，曝光时间为300～400s。

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：

（1）本发明有机电致发光器件可以有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，显著地提高有机电致发光器件的寿命；

（2）本发明有机电致发光器件防水性能（WVTR）达到4.4E^-4g/m²·day，寿命达8,000小时以上；

（3）本发明方法适用于封装以导电玻璃为阳极基板制备的有机电致发光器件，也适用于封装以塑料或金属为阳极基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件；

（4）本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法方式简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。

附图说明

图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图。

具体实施方式

以下所述是本发明的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和调整，这些改进和调整也视为在本发明的保护范围内。

实施例1：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）ITO导电玻璃基板1前处理：将ITO导电玻璃基板1依次放入丙酮、乙醇、去离子水、乙醇中，分别超声清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃基板1进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO导电玻璃基板1厚度为100nm；

（2）功能层及发光层的制备：

空穴注入层2：在ITO导电玻璃基板1上蒸镀MoO₃掺杂NPB得到的混合材料，MoO₃的掺杂质量分数为30％，蒸镀均采用高真空镀膜设备进行，蒸镀时真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为得到空穴注入层2，厚度为10nm;

空穴传输层3：采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，在空穴注入层2上蒸镀TCTA，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为30nm；

发光层4：在空穴传输层3上蒸镀发光层4，发光层4主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)，客体材料质量占主体材料的5%，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为20nm；

电子传输层5的制备：在发光层4上蒸镀4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输材料，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为10nm；

电子注入层6的制备：在电子传输层5上蒸镀电子注入材料形成电子注入层6，电子注入层6材质为CsN₃掺杂Bphen，掺杂质量分数为30%，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度为20nm；

（3）阴极层7的制备：在电子注入层6上蒸镀金属阴极7，金属阴极7采用铝（Al），厚度为100nm，蒸镀真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为

（4）保护层801的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层7上制备CuPc，真空度为3×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为200nm；

（5）氧化物层802的制备：采用磁控溅射的方法在保护层801上制备氧化物层802，氧化物层802材质为SiO₂，溅射靶材为SiO₂，通入气体为氩气（Ar），气体流量为10sccm，本底真空度为1×10^-5Pa，厚度为100nm；

（6）氢化硫化物层803的制备：采用反应溅射的方法在氧化物层802上制备氢化硫化物层803，氢化硫化物层803的材质为WS₂:H，溅射靶材为WS₂，通入氨气（NH₃）和Ar的混合气体，NH₃占混合气体体积分数为9%，气体流量为10sccm，本底真空度为1×10^-5Pa，厚度为150nm；

（7）氧化物层804、806、808和氢化硫化物层805、807、809的制备：在步骤（6）后采用和步骤（5）相同的方法和材质在氢化硫化物层803上制备氧化物层804，再在氧化物层804上采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层805，在氢化硫化物层805上采用和步骤（5）相同的方法和材质制备氧化物层806，在氧化物806采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层807，在氢化硫化物层807上采用和步骤（5）相同的方法和材质制备氧化物层808，在氧化物层808上采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层809，使氧化物层和氢化硫化物层层数各达到4层，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构；

（8）金属薄片810的覆盖：在氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构上覆盖金属薄片810，金属薄片材质为银，然后在金属薄片边缘涂布封装胶，由紫外线固化（UV-Curing）的方式干燥硬化封装胶，然后用UV光（λ＝365nm）进行固化，光强11mW/cm²，曝光时间350s；将有机电致发光器件封装在金属薄片810及ITO导电玻璃基板1内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为6.3E^-4，有机电致发光器件的寿命为8,070h（T701000cd/m²）。

图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO导电玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极层7和封装层8，封装层8依次包括保护层801，4层氧化物层802、804、806、808，4层氢化硫化物层803、805、807、809和金属薄片810，ITO导电玻璃基板1和金属薄片810通过封装胶密封形成封闭空间，空穴注入层2，空穴传输层3，发光层4，电子传输层5，电子注入层6，阴极层7，保护层801，氧化物层802、804、806、808，氢化硫化物层803、805、807、809容置在该封闭空间内。

实施例2：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备NPB，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为300nm；

（5）氧化物层的制备：采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为Al₂O₃，溅射靶材为Al₂O₃，通入气体为Ar，气体流量为15sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为150nm；

（6）氢化硫化物层的制备：采用反应溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，氢化硫化物层的材质为MoS₂:H，溅射靶材为MoS₂，通入NH₃和Ar的混合气体，NH₃占混合气体体积分数为1%，气体流量为15sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为100nm；

（7）在步骤（6）后采用和步骤（5）相同的方法和材质制备氧化物层，再在氧化物层上采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，使氧化物层和氢化硫化物层各达到4层，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构。

（8）金属薄片的覆盖：在氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构上覆盖金属薄片，金属薄片材质为铝，然后在金属薄片边缘涂布封装胶，由紫外线固化（UV-Curing）的方式干燥硬化封装胶，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强为10mW/cm²，曝光时间为400s；将有机电致发光器件封装在金属薄片及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为5.7E^-4，有机电致发光器件的寿命为8,229h（T701000cd/m²）。

实施例3：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备Alq₃，真空度为8×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为250nm；

（5）氧化物层的制备：采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为TiO₂，溅射靶材为TiO₂，通入气体为Ar，气体流量为11sccm，本底真空度为1×10^-3Pa，厚度为80nm；

（6）氢化硫化物层的制备：采用反应溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，氢化硫化物层的材质为TaS₂:H，溅射靶材为TaS₂，通入NH₃和Ar的混合气体，NH₃占混合气体体积分数为5％，气体流量为11sccm，本底真空度为1×10^-3Pa，厚度为120nm；

（7）在步骤（6）后采用和步骤（5）相同的方法和材质制备氧化物层，再在氧化物层上采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，使氧化物层和氢化硫化物层各达到4层，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构。

（8）金属薄片的覆盖：在氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构上覆盖金属薄片，金属薄片材质为铜，然后在金属薄片边缘涂布封装胶，由紫外线固化（UV-Curing）的方式干燥硬化封装胶，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强10mW/cm²，曝光时间400s；将有机电致发光器件封装在金属薄片及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为5.0E^-4，有机电致发光器件的寿命为8,256h（T701000cd/m²）。

实施例4：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备SiO，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为200nm；

（5）氧化物层的制备：采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为ZrO₂，溅射靶材为ZrO₂，通入气体为Ar，气体流量为12sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为100nm；

（6）氢化硫化物层的制备：采用反应溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，氢化硫化物层的材质为NbS₂:H，溅射靶材为NbS₂，通入NH₃和Ar的混合气体，NH₃占混合气体体积分数为1%，气体流量为12sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为80nm；

（7）在步骤（6）后采用和步骤（5）相同的方法和材质制备氧化物层，再在氧化物层上采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，使氧化物层和氢化硫化物层各达到5层，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构。

（8）金属薄片的覆盖：在氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构上覆盖金属薄片，金属薄片材质为金，然后在金属薄片边缘涂布封装胶，由紫外线固化（UV-Curing）的方式干燥硬化封装胶，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强为10mW/cm²，曝光时间为400s；将有机电致发光器件封装在金属薄片及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为4.7E^-4，有机电致发光器件的寿命为8,663h（T701000cd/m²）。

实施例5：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备MgF₂，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为300nm；

（5）氧化物层的制备：采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为HfO₂，溅射靶材为HfO₂，通入气体为Ar，气体流量为14sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为120nm；

（6）氢化硫化物层的制备：采用反应溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，氢化硫化物层的材质为Sb₂S₃:H，溅射靶材为Sb₂S₃，通入NH₃和Ar的混合气体，NH₃占混合气体体积分数为9%，气体流量为14sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为120nm；

（7）在步骤（6）后采用和步骤（5）相同的方法和材质制备氧化物层，再在氧化物层上采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，使氧化物层和氢化硫化物层各达到4层，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构。

（8）金属薄片的覆盖：在氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构上覆盖金属薄片，金属薄片材质为铝，然后在金属薄片边缘涂布封装胶，由紫外线固化（UV-Curing）的方式干燥硬化封装胶，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强为10mW/cm²，曝光时间为400s；将有机电致发光器件封装在金属薄片及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为5.9E^-4，有机电致发光器件的寿命为8,141h（T701000cd/m²）。

实施例6：

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）、（2）、（3）同实施例1；

（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备ZnS，真空度为5×10^-5Pa，蒸发速度为厚度为250nm；

（5）氧化物层的制备：采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为Ta₂O₅，溅射靶材为Ta₂O₅，通入气体为Ar，气体流量为10sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为150nm；

（6）氢化硫化物层的制备：采用反应溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，氢化硫化物层的材质为As₂S₃:H，溅射靶材为As₂S₃，通入NH₃和Ar的混合气体，NH₃占混合气体体积分数为5%，气体流量为10sccm，本底真空度为2×10^-4Pa，厚度为110nm；

（7）在步骤（6）后采用和步骤（5）相同的方法和材质制备氧化物层，再在氧化物层上采用步骤（6）相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，使氧化物层和氢化硫化物层各达到7层，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构。

（8）金属薄片的覆盖：在氧化物层和氢化硫化物层交替层叠形成的多层结构上覆盖金属薄片，金属薄片材质为银，然后在金属薄片边缘涂布封装胶，由紫外线固化（UV-Curing）的方式干燥硬化封装胶，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强为15mW/cm²，曝光时间为300s；将有机电致发光器件封装在金属薄片及基板内。

本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m²·day）为4.4E^-4，有机电致发光器件的寿命为8,708h（T701000cd/m²）。

效果实施例

为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果，提供相关实验数据如下。

表1是实施例1~6有机电致发光器件水氧渗透率，表2是实施例1~6有机电致发光器件寿命情况。

表1.实施例1~6有机电致发光器件水氧渗透率

实施例1

实施例2

实施例3

实施例4

实施例5

实施例6

WVTR(g/m2/day)

6.3E-4

5.7E-4

5.0E-4

4.7E-4

5.9E-4

4.4E-4

表2.实施例1~6有机电致发光器件寿命情况

从表1可以看出，本发明有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR）达到4.4E^-4g/m²·day,从表2可以看出，本发明有机电致发光器件的寿命达8,000小时以上（T701000cd/m²）。

综上，本发明提供的有机电致发光器件可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，满足封装的密封性要求，可显著地提高OLED器件的寿命。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层容置在该封闭空间内，其特征在于，所述封装层包括保护层、氧化物层、氢化硫化物层和金属薄片；

所述氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽；

所述氢化硫化物层材质为氢化二硫化钨、氢化二硫化钼、氢化二硫化钽、氢化二硫化铌、氢化三硫化二锑或氢化三硫化二砷。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层和氢化硫化物层交替层叠4～7层。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为80～150nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氢化硫化物层的厚度为80～150nm。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在洁净的导电玻璃基板或导电有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极图形；采用真空蒸镀的方法在阳极导电基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层和保护层；

(2)采用磁控溅射的方法在保护层上制备氧化物层，氧化物层的材质为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽；

(3)采用反应磁控溅射的方法在氧化物层上制备氢化硫化物层，所述氢化硫化物层的材质为氢化二硫化钨、氢化二硫化钼、氢化二硫化钽、氢化二硫化铌、氢化三硫化二锑或氢化三硫化二砷，制备时通入氨气和氩气形成的混合气体，其中氨气占混合气体的体积分数为1％～9％；

(4)在氢化硫化物层上覆盖金属薄片，在金属薄片边缘涂布封装胶，用UV光进行固化，将所述有机电致发光器件封装在所述金属薄片及基板内。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(2)磁控溅射时通入气体为氩气，气体流量为10～15sccm，本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)反应磁控溅射时，本底真空度为1×10^-5～1×10^-3Pa。

8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤(3)反应磁控溅射时，气体流量为10～15sccm。

9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，氨气占混合气体的体积分数为5％。

10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在步骤(3)后采用和步骤(2)相同的方法和材质制备氧化物层，再在所述氧化物层上采用步骤(3)相同的方法和材质制备氢化硫化物层，以此类推，最终得到氧化物层和氢化硫化物层交替层叠4～7层形成的多层结构。