CN104183767A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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王平
黄辉
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括保护层、有机阻挡层及形成于所述有机阻挡层表面的无机阻挡层，保护层的材料保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，有机阻挡层的材料为包括有机铍及酞菁化合物，无机阻挡层的材料为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽。上述有机电致发光器件的寿命较长。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
有机电致发光器件的发光层等受到氧气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。
发明内容
基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及形成于所述有机阻挡层表面的无机阻挡层；
所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌；
所述有机阻挡层的材料为包括有机铍及酞菁化合物，所述有机铍与所述酞菁化合物的质量比为0.2:1～0.4:1，所述酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的至少一种，所述有机铍的结构式为：
其中，k为1～4的整数；
所述无机阻挡层的材料为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆。二氧化铪或五氧化二钽。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡层及所述无机阻挡层的数量均为3～5，3～5个所述有机阻挡层及所述无机阻挡层依次交叠。
在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为200nm～300nm；所述有机阻挡层的厚度为80nm～140nm；所述无机阻挡层的厚度为100nm～150nm。
在其中一个实施例中，所述阴极包括依次层叠的第一介质层、金属层及第二介质层，所述第一介质层及所述第二介质层的材料为氧化铟锡或硫化锌，所述金属层的材料为银。
在其中一个实施例中，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面制备发光层；
在所述发光层表面制备阴极；及
在所述阴极表面制备封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及形成于所述有机阻挡层表面的无机阻挡层，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，所述有机阻挡层的材料为包括有机铍及酞菁化合物，所述有机铍与所述酞菁化合物的质量比为0.2:1～0.4:1，所述酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的至少一种，所述有机铍的结构式为：
其中，k为1～4的整数，所述无机阻挡层的材料为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆。二氧化铪或五氧化二钽。
在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为200nm～300nm；所述有机阻挡层的厚度为80nm～140nm；所述无机阻挡层的厚度为100nm～150nm。
在其中一个实施例中，所述有机阻挡层及所述无机阻挡层的数量均为3～5，3～5个所述有机阻挡层及所述无机阻挡层依次交叠。
在其中一个实施例中，所述阴极包括依次层叠的第一介质层、金属层及第二介质层，所述第一介质层及所述第二介质层的材料为氧化铟锡或硫化锌，所述金属层的材料为银。
在其中一个实施例中，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
上述有机电致发光器件及其制备方法，封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及无机阻挡层，三层配合可以有效的阻挡氧气的腐蚀，尤其是有机阻挡层含有高吸氧性物质，有效提高防氧能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。
附图说明
图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的阳极10、功能层20、阴极30及封装盖40。
阳极10为导电玻璃或导电有机薄膜。优选的，导电有机薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。阳极10上具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm～150nm。
功能层20形成于基底10表面。功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。可以理解，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。
本实施方式中，空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3）。CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。
需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度也可以根据需要进行调整。
阴极30形成于功能层20表面。阴极的厚度为100nm。阴极30为单层结构或多层结构。当阴极30为单层结构时，阴极30的材料为铝（Al）、银（Ag）或金（Au）。当阴极30为多层结构时，阴极包括依次层叠的第一介质层、金属层及第二介质层，第一介质层及第二介质层的材料为氧化铟锡（ITO）或硫化锌(ZnS)，金属层的材料为银（Ag）。第一介质层及第二介质层的厚度为30nm，金属层的厚度为10nm。
封装盖40形成于阴极30的表面。本实施方式中，封装盖40罩设于功能层20及阴极30，且封装盖40的边缘与阳极10固接，从而将功能层20及阴极30封装在阳极10上。封装盖40形成有收容腔。收容腔为自封装盖40的表面凹陷的凹槽。封装盖40将功能层20及阴极30收容于收容腔。
封装盖40包括依次层叠的保护层41、有机阻挡层42及无机阻挡层43。
保护层41形成于阴极30的表面，且覆盖阴极30及功能层20的端面以及阳极10的部分表面，从而将功能层20及阴极30封装在阳极10上。
保护层41的材料为酞菁铜（CuPc）、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、氧化硅（SiO）、氟化镁（MgF2）或硫化锌（ZnS）。保护层41的厚度为200nm～300nm。
有机阻挡层42罩设于有机阻挡层41。有机阻挡层42的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.2:1～0.4:1。酞菁化合物选自酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁铁（FePc）、酞菁钴（CoPc）、酞菁锰（MnPc）及酞菁镍（NiPc）中的至少一种。有机铍的结构式为：
其中，k为1～4的整数。
有机阻挡层42的厚度为80nm～140nm。
无机阻挡层43形成于有机阻挡层42的表面。无机阻挡层43的材料为二氧化硅（SiO2）、三氧化二铝（Al2O3）、二氧化钛（TiO2）、二氧化锆（ZrO2）、二氧化铪（HfO2）或五氧化二钽（Ta2O5）。无机阻挡层43的厚度为100nm～150nm。
优选的，有机阻挡层42及无机阻挡层43的数量均为3～5，3～5个有机阻挡层42及无机阻挡层43依次交叠，即封装盖40具有如下的层叠结构：保护层41/有机阻挡层42/无机阻挡层43/有机阻挡层42/无机阻挡层43/…/有机阻挡层42/无机阻挡层43。
上述有机电致发光器件100中，封装盖40包括依次层叠的保护层41、有机阻挡层42及无机阻挡层43，三层配合可以有效的阻挡氧气的腐蚀，尤其是有机阻挡层42含有高吸氧性物质，有效提高防氧能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。
可以理解，封装盖40的收容腔可以省略，此时直接在阳极10上设置收容腔即可。
请同时参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极10上形成功能层20。
功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
阳极10为导电玻璃或导电有机薄膜。优选的，导电有机薄膜的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm～150nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
本实施方式中，空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。
步骤S120、在功能层20表面形成阴极30。
阴极30形成于功能层20表面。阴极的厚度为100nm。阴极30为单层结构或多层结构。当阴极30为单层结构时，阴极30的材料为铝（Al）、银（Ag）或金（Au）。当阴极30为多层结构时，阴极包括依次层叠的第一介质层、金属层及第二介质层，第一介质层及第二介质层的材料为氧化铟锡（ITO）或硫化锌(ZnS)，金属层的材料为银（Ag）。第一介质层及第二介质层的厚度为30nm，金属层的厚度为10nm。阴极30由真空蒸镀形成，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为。
步骤S130、在阴极30表面制备封装盖40。
封装盖40形成于阴极30的表面。本实施方式中，封装盖40罩设于功能层20及阴极30，且封装盖40的边缘与阳极10固接，从而将功能层20及阴极30封装在阳极10上。封装盖40形成有收容腔。收容腔为自封装盖40的表面凹陷的凹槽。封装盖40将功能层20及阴极30收容于收容腔。
封装盖40包括依次层叠的保护层41、有机阻挡层42及无机阻挡层43。
保护层41形成于阴极30的表面，且覆盖阴极30及功能层20的端面以及阳极10的部分表面，从而将功能层20及阴极30封装在阳极10上。
保护层41的材料为酞菁铜（CuPc）、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、氧化硅（SiO）、氟化镁（MgF2）或硫化锌（ZnS）。保护层41的厚度为200nm～300nm。
保护层41由真空蒸镀形成，真空度为8×10-5Pa～3×10-5Pa，蒸发速度。
有机阻挡层42罩设于有机阻挡层41。有机阻挡层42的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.2:1～0.4:1。酞菁化合物选自酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁铁（FePc）、酞菁钴（CoPc）、酞菁锰（MnPc）及酞菁镍（NiPc）中的至少一种。有机铍的结构式为：
其中，k为1～4的整数。
有机阻挡层42的厚度为80nm～140nm。
有机阻挡层42由真空蒸镀形成，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度。
无机阻挡层43形成于有机阻挡层42的表面。无机阻挡层43的材料为二氧化硅（SiO2）、三氧化二铝（Al2O3）、二氧化钛（TiO2）、二氧化锆（ZrO2）、二氧化铪（HfO2）或五氧化二钽（Ta2O5）。无机阻挡层43的厚度为100nm～150nm。
无机阻挡层43由磁控溅射形成，本底真空度为2×10-4Pa。
优选的，有机阻挡层42及无机阻挡层43的数量均为3～5，3～5个有机阻挡层42及无机阻挡层43依次交叠，即封装盖40具有如下的层叠结构：保护层41/有机阻挡层42/无机阻挡层43/有机阻挡层42/无机阻挡层43/…/有机阻挡层42/无机阻挡层43。
可以理解，封装盖40的收容腔可以省略，此时直接在阳极10上设置收容腔即可。
上述有机电致发光器件的制备方法，制备工艺简单，容易大批量制备。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件制备方法进行详细说明。
实施例1
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件；其中，斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示掺杂，下同。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及无机阻挡层。
保护层采用真空蒸发制备，材料为CuPc，真空度3×10-5Pa，蒸发速度 ，厚度200nm；
有机阻挡层42的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.4:1。酞菁化合物为酞菁铜（CuPc）。有机铍的结构式为：
其中，k=4。
有机阻挡层采用真空蒸发制备，真空度1×10-5Pa，蒸发速度，厚度140nm。
无机阻挡层采用磁控溅射制备，材料为SiO2，真空度2×10-5Pa，厚度100nm；
有机阻挡层和无机阻挡层的数量为均5，5个有机阻挡层和5个无机阻挡层依次交叠。封装盖的结构为CuPc/（CuPc：有机铍/SiO2)3
实施例2
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及无机阻挡层。
保护层采用真空蒸发制备，材料为NPB，真空度3×10-5Pa，蒸发速度，厚度300nm；
有机阻挡层的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.2:1。酞菁化合物为酞菁锌（ZnPc）。有机铍的结构式为：
其中，k=3。
有机阻挡层采用真空蒸发制备，真空度1×10-5Pa，蒸发速度，厚度100nm。
无机阻挡层采用磁控溅射制备，材料为Al2O3，真空度2×10-4Pa，厚度120nm；
有机阻挡层和无机阻挡层的数量为均4，4个有机阻挡层和4个无机阻挡层依次交叠。封装盖的结构为NPB/（ZnPc：有机铍/Al2O3)3
实施例3
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及无机阻挡层。
保护层采用真空蒸发制备，材料为Alq3，真空度3×10-5Pa，蒸发速度，厚度250nm；
有机阻挡层42的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.3:1。酞菁化合物为酞菁铁（FePc）。有机铍的结构式为：
其中，k=2。
有机阻挡层采用真空蒸发制备，真空度1×10-5Pa，蒸发速度，厚度100nm。
无机阻挡层采用磁控溅射制备，材料为TiO2，真空度2×10-4Pa，厚度150nm；
有机阻挡层和无机阻挡层的数量为均3，3个有机阻挡层和3个无机阻挡层依次交叠。封装盖的结构为Alq3/（FePc：有机铍/TiO2)3
实施例4
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为150nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及无机阻挡层。
保护层采用真空蒸发制备，材料为SiO，真空度5×10-5Pa，蒸发速度，厚度200nm；
有机阻挡层的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.3:1。酞菁化合物为酞菁铜（CoPc）。有机铍的结构式为：
其中，k=1。
有机阻挡层采用真空蒸发制备，真空度1×10-5Pa，蒸发速度，厚度90nm。
无机阻挡层采用磁控溅射制备，材料为ZrO2，真空度2×10-5Pa，厚度100nm；
有机阻挡层和无机阻挡层的数量为均3，3个有机阻挡层和3个无机阻挡层依次交叠。封装盖的结构为SiO/（CoPc：有机铍/ZrO2)3
实施例5
本实施例制备结构为：ITO/NPB：MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为120nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为。
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及无机阻挡层。
保护层采用真空蒸发制备，材料为MgF2，真空度5×10-5Pa，蒸发速度，厚度300nm；
有机阻挡层的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.3:1。酞菁化合物为酞菁锰（MnPc）。有机铍的结构式为：
其中，k=4。
有机阻挡层采用真空蒸发制备，真空度1×10-4Pa，蒸发速度，厚度90nm。
无机阻挡层采用磁控溅射制备，材料为HfO2，真空度2×10-4Pa，厚度150nm；
有机阻挡层和无机阻挡层的数量为均3，3个有机阻挡层和3个无机阻挡层依次交叠。封装盖的结构为MgF2/（MnPc：有机铍/HfO2)3
实施例6
本实施例制备结构为：ITO/NPB:MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及无机阻挡层。
保护层采用真空蒸发制备，材料为ZnS，真空度5×10-5Pa，蒸发速度，厚度250nm；
有机阻挡层的材料包括有机铍及酞菁化合物。有机铍与酞菁化合物的质量比为0.3:1。酞菁化合物为酞菁涅（NiPc）。有机铍的结构式为：
其中，k=3。
有机阻挡层采用真空蒸发制备，真空度1×10-3Pa，蒸发速度，厚度80nm。
无机阻挡层采用磁控溅射制备，材料为Ta2O5，真空度2×10-4Pa，厚度120nm；
有机阻挡层和无机阻挡层的数量为均3，3个有机阻挡层和3个无机阻挡层依次交叠。封装盖的结构为ZnS/（NiPc：有机铍/Ta2O5)3
对比例
本实施例制备结构为：ITO/NPB:MoO3/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen：CsN3/Al/封装盖的有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
1、在阳极上形成功能层。
阳极10为导电玻璃。阳极10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nm。
阳极10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加阳极10表面的含氧量以提高阳极10表面的功函数。具体为，将阳极10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
空穴注入层的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺（NPB）及掺杂在NPB中的氧化钼（MoO3）。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
空穴传输层的材料为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯（CsN3），CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
2、在功能层表面形成阴极。
阴极的材料为铝。阴极的厚度为100nm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为。
3、在阴极表面制备封装盖。
封装盖形成于阴极的表面，且覆盖阴极及功能层的端面以及阳极的部分表面，从而将功能层及阴极封装在阳极上。
封装盖为保护层。
保护层采用真空蒸发制备，材料为ZnS，真空度5×10-5Pa，蒸发速度，厚度250nm；
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa）、磁控溅射设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司）、电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）、色彩亮度计（柯尼卡美能达，型号：CS-100A）。
请参阅表1，表1所示为实施例1～实施例6及对比例制备的有机电致发光器件的水气穿透率（Water Vapor Transmission Rate）的测试结果。从表1中可以看出实施例1～实施例6制备的有机电致发光器件的水气穿透率均小于8.0×10-2g/m2/day，远小于对比例制备的有机电致发光器件的水气穿透率，防水效果较好，可以有效减少外部水气对有机电致发光器件的侵蚀，从而提高有机电致发光器件的寿命。
表1
WVTR(g/m2/day)
实施例1 6.1×10-2
实施例2 6.5×10-2
实施例3 6.7×10-2
实施例4 7.1×10-2
实施例5 7.5×10-2
实施例6 8.0×10-2
对比例 0.951
请参阅表2，表2所示为实施例1～实施例6及对比例制备的有机电致发光器件在初始亮度为1000cd/m2的条件下的寿命(亮度降低到初始亮度70%所用的时间)。
表2
从表2可以看出，实施例1～实施例6制备的有机电致发光器件的起始亮度为1000cd/m2时，寿命达到2460小时以上，寿命较长。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层及阴极，其特征在于：所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及形成于所述有机阻挡层表面的无机阻挡层；
所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌；
所述有机阻挡层的材料为包括有机铍及酞菁化合物，所述有机铍与所述酞菁化合物的质量比为0.2:1～0.4:1，所述酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的至少一种，所述有机铍的结构式为：
其中，k为1～4的整数；
所述无机阻挡层的材料为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层及所述无机阻挡层的数量均为3～5，3～5个所述有机阻挡层及所述无机阻挡层依次交叠。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度为200nm～300nm；所述有机阻挡层的厚度为80nm～140nm；所述无机阻挡层的厚度为100nm～150nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极包括依次层叠的第一介质层、金属层及第二介质层，所述第一介质层及所述第二介质层的材料为氧化铟锡或硫化锌，所述金属层的材料为银。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面制备发光层；
在所述发光层表面制备阴极；及
在所述阴极表面制备封装盖，所述封装盖将所述发光层及阴极封装于所述阳极上，所述封装盖包括依次层叠的保护层、有机阻挡层及形成于所述有机阻挡层表面的无机阻挡层，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，所述有机阻挡层的材料为包括有机铍及酞菁化合物，所述有机铍与所述酞菁化合物的质量比为0.2:1～0.4:1，所述酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰及酞菁镍中的至少一种，所述有机铍的结构式为：
其中，k为1～4的整数，所述无机阻挡层的材料为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛、二氧化锆。二氧化铪或五氧化二钽。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为200nm～300nm；所述有机阻挡层的厚度为80nm～140nm；所述无机阻挡层的厚度为100nm～150nm。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层及所述无机阻挡层的数量均为3～5，3～5个所述有机阻挡层及所述无机阻挡层依次交叠。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述阴极包括依次层叠的第一介质层、金属层及第二介质层，所述第一介质层及所述第二介质层的材料为氧化铟锡或硫化锌，所述金属层的材料为银。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述封装盖与所述阳极配合形成有收容腔，所述发光层及阴极均收容于所述收容腔。
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