CN102856504A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN102856504A CN2011101775263A CN201110177526A CN102856504A CN 102856504 A CN102856504 A CN 102856504A CN 2011101775263 A CN2011101775263 A CN 2011101775263A CN 201110177526 A CN201110177526 A CN 201110177526A CN 102856504 A CN102856504 A CN 102856504A
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Abstract

本发明属于光电材料领域，其公开了一种有机电致发光器件及其制备方法；该器件为包括依次层叠的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层、第一防腐蚀层、第二防腐蚀层；第一、二防腐层由内到外包覆封装依次层叠的所述阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层；保护层的材质为MgF2、NPB或Alq3；第一防腐层的材质为ZnS或ZnSe；第二防腐蚀层的材质为PET。本发明提供的有机电致发光器件，在受到湿气和潮气侵蚀后，可以有效避免水渗透到有机电致发光器件的内部，从而减缓其内部功能层材料老化进度，进而延长其使用寿命。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及光电材料领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件，其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极，当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
然而，有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部功能层材料发生老化，进而失效，从而缩短有机电致发光器件的寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种寿命较长的有机电致发光器件。
本发明的技术方案如下：
本发明提供的有机电致发光器件包括依次层叠的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层；其中，该有机电致发光器件还包括保护层、第一防腐蚀层、第二防腐蚀层，所述保护层层叠在所述阴极层表面，所述第一防腐层包覆封装依次层叠的所述阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层；所述第二防腐层包覆封装在所述第一防腐层表面；其中，所述保护层的材质为MgF2、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或8-羟基喹啉铝；所述第一防腐层的材质为ZnS或ZnSe；所述第二防腐蚀层的材质为聚对苯二甲酸乙二酯。
上述有机电致发光器件中，各功能层材料如下：
所述阳极基板的材质为ITO玻璃或ITO聚对苯二甲酸乙二酯；其中，ITO为导电阳极，玻璃或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)为衬底；
所述空穴注入层的材质为MoO3或WO3；
所述空穴传输层的材质为N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺；
所述发光层的材质为N-芳基苯并咪唑掺杂三(2-苯基吡啶)合铱或双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱形成的掺杂混合物；
所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉铝或者4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)；
所述电子注入层的材质为CsF或LiF；
所述阴极层为透明阴极层，其结构为三文治层状结构，即ZnS-Ag-ZnS。
本发明的另一目的在于提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
S1、清洗阳极基板，随后对阳极基板的阳极层表面进行活化处理；
S2、在阳极基板的阳极层表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层；
S3、在所述阴极层的表面制备保护层，所述保护层的材质为MgF2、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或8-羟基喹啉铝；
S4、在所述保护层表面制备一层材质为ZnS或ZnSe的第一防腐蚀层，制得有机电致发光器件样品；
S5、步骤S4完成后，采用聚对苯二甲酸乙二酯环氧树脂封装有机电致发光器件样品，形成聚对苯二甲酸乙二酯为材质的第二防腐蚀层；
上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
上述制备方法的步骤S5中，聚对苯二甲酸乙二酯环氧树脂封装有机电致发光器件样品时，采用紫外线固化、干燥硬化方式进行封装的。
本发明提供的有机电致发光器件，由于采用了ZnS或ZnSe和PET层进行封装，其水氧渗透率达10-4g/m2·天；因此，该有机电致发光器件在受到湿气和潮气侵蚀后，可以有效避免水渗透到有机电致发光器件的内部，从而减缓其内部功能层材料老化进度，进而延长其使用寿命。
附图说明
图1为本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明有机电致发光器件的制作工艺流程图；
图3为本发明实施例1的有机电致发光器件和对比例的有机电致发光器件的寿命曲线图。
具体实施方式
本发明提供的有机电致发光器件，如图1所示，包括依次层叠的阳极基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极层107、保护层108、第一防腐蚀层109、第二防腐蚀层110；所述保护层108层叠在所述阴极层107表面，所述第一防腐层109包覆封装依次层叠的所述阳极基板101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极层107、保护层108；所述第二防腐层110包覆封装在所述第一防腐层109表面；其中，所述保护层108的材质为MgF2、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或8-羟基喹啉铝；所述第一防腐层的材质为ZnS或ZnSe；所述第二防腐蚀层110的材质为聚对苯二甲酸乙二酯。
上述有机电致发光器件中，各功能层如下：
所述阳极基板101的材质为ITO玻璃或ITO聚对苯二甲酸乙二酯；其中，ITO为导电阳极，玻璃或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)为衬底；
所述空穴注入层102的材质为MoO3或WO3；所述空穴注入层的厚度为10～15nm；
所述空穴传输层103的材质为N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)；所述空穴传输层的厚度为40～60nm；
所述发光层104的材质为N-芳基苯并咪唑(TPBi)掺杂三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)形成的掺杂混合物，即TPBi:Ir(ppy)3混合物或者TPBi:Firpic混合物，且TPBi为主体，Ir(ppy)3和Firpic为掺杂体，其掺杂比例为5～20wt％；所述发光层的厚度为10～50nm；
所述电子传输层105的材质为8-羟基喹啉铝(Alq3)或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)(BAlq)；所述电子传输层的厚度为20～80nm；
所述电子注入层106的材质为CsF或LiF；所述电子注入层的厚度为1～2nm；
所述阴极层107为透明阴极层，其结构为三文治层状结构，即ZnS-Ag-ZnS，且ZnS层的厚度为30nm，Ag层的厚度为10nm，整个阴极层的厚度为70nm；
所述保护层的厚度80～100nm，该保护层的材质为，保护层108的材质为MgF2、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或8-羟基喹啉铝；
所述第一防腐层109的材质为ZnS或ZnSe；所述第一防腐蚀层的厚度80～100nm；所述第一防腐蚀层用于防止有机电致发光器件器件内有机功能层的腐蚀和老化；
所述第二防腐蚀层110的材质为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)；所述第二防腐蚀层的厚度20～50nm；所述第二防腐蚀层用于进一步防止有机电致发光器件器件内有机功能层的腐蚀和老化。
本发明的另一目的在于提供上述有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：
S1、清洗阳极基板，随后对阳极基板的阳极层表面进行活化处理；
S2、采用真空蒸镀的方法或溶液涂敷的方法，在阳极基板的阳极层表面依次制备功能层，如，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层，且所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度依次为10～15nm、40～60nm、10～50nm、20～80nm、1～2nm；其中，阴极层为ZnS-Ag-ZnS的三文治层状结构，且ZnS层的厚度为30nm，Ag层的厚度为10nm，整个阴极层的厚度为70nm；
S3、采用真空蒸镀的方法，在真空度7×10-5Pa～3×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000052
的真空镀膜设备中，在所述阴极层的表面制备厚度80～100nm的材质为MgF2、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或8-羟基喹啉铝的保护层；
S4、采用真空蒸镀的方法，在真空度7×10-5Pa～3×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000053
Figure BDA0000071930800000054
的真空镀膜设备中，在所述保护层的表面制备厚度80～100nm的材质为ZnS或ZnSe的第一防腐蚀层；制得有机电致发光器件样品；
S5、步骤S4完成后，采用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)环氧树脂封装有机电致发光器件样品，形成聚对苯二甲酸乙二酯为材质的第二防腐蚀层；
上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件的制备方法中，为了获得一个较好的密闭封装效果，需要对重复多次步骤S3和S4，如：重复多次步骤S4后再接着重复多次步骤S5，或者交替重复多次步骤S3和S4。
上述制备方法的步骤S5中，PET环氧树脂封装有机电致发光器件样品时，采用紫外线固化、干燥硬化方式进行封装的。
本发明提供的有机电致发光器件，由于采用了ZnS或ZnSe和PET层进行封装，其水氧渗透率达10-4g/m2·天；因此，该有机电致发光器件在受到湿气和潮气侵蚀后，可以有效避免水渗透到有机电致发光器件的内部，从而减缓其内部功能层材料老化进度，进而延长其使用寿命。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
本实施例的有机电致发光器件，其结构如下：
ITO玻璃/MoO3/NPB/TPBi:FIrpic/Alq3/LiF/ZnS-Ag-ZnS/MgF2/ZnS/PET。
1、将ITO玻璃(其中，ITO，即氧化铟锡，为阳极层，起导电作用；玻璃为基板；ITO玻璃采用购买获得)基板依次采用洗洁精、乙醇、丙酮、纯水清洗，且各清洗阶段均在超声波清洗机进行清洗，每次清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；
2、对洗净后的ITO玻璃进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度100nm；
3、采用真空蒸镀的方法或溶液涂敷的方法，在ITO的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的所对应材料依次为MoO3、NPB、TPBi:FIrpic(其中，Firpic为掺杂材料，掺杂比例15wt％)、Alq3、LiF；其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度依次为10nm、40nm、10nm、20nm、1nm；
4、采用真空蒸镀的方法，在真空度5×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000071
的真空镀膜设备中，在电子注入层的表面蒸镀一层厚度为30nm的第一ZnS层，接着蒸镀厚度为10nm的Ag层，最后蒸镀厚度为30nm的第二ZnS层，完后，构成ZnS-Ag-ZnS三文治层状结构的的厚度为70nm的阴极层；
5、在真空度5×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000072
的真空镀膜设备中，在阴极层表面制备一层材质为MgF2、厚度为80nm的保护层；
6、在真空度5×10-5Pa、蒸发速度的真空镀膜设备中，在保护层表面制备一层以ZnS为材质的第一防腐蚀层，厚度100nm；
7、重复3次步骤5，在重复3次步骤6，制得有机电致发光器件样品；
8、采用紫外线固化、干燥硬化方式，利用PET环氧树脂封装有机电致发光器件样品，PET层的厚度为20nm，制得有机电致发光器件。
实施例2
本实施例的有机电致发光器件，其结构如下：
ITO玻璃/WO3/TPD/TPBi:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/ZnS-Ag-ZnS/Alq3/ZnSe/PET。
1、将ITO玻璃(其中，ITO，即氧化铟锡，为阳极层，起导电作用；玻璃为基板；ITO玻璃采用购买获得)基板依次采用洗洁精、乙醇、丙酮、纯水清洗，且各清洗阶段均在超声波清洗机进行清洗，每次清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；
2、对洗净后的ITO玻璃进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度100nm；
3、采用溶液涂敷的方法，在ITO的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的所对应材料依次为WO3、TPD、TPBi:Ir(ppy)3(其中，Ir(ppy)3为掺杂材料，掺杂比例20wt％)、Alq3、LiF；其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度依次为15nm、60nm、50nm、80nm、2nm；
4、采用真空蒸镀的方法，在真空度5×10-5Pa、蒸发速度的真空镀膜设备中，在电子注入层的表面蒸镀一层厚度为30nm的第一ZnS层，接着蒸镀厚度为10nm的Ag层，最后蒸镀厚度为30nm的第二ZnS层，完后，构成ZnS-Ag-ZnS三文治层状结构的厚度为70nm的阴极层；
5、在真空度7×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000082
的真空镀膜设备中，在阴极层表面制备一层材质为Alq3、厚度为100nm的保护层；
6、在真空度3×10-5Pa、蒸发速度的真空镀膜设备中，在保护层表面制备一层以ZnS为材质的第一防腐蚀层，厚度90nm；
7、重复4次步骤5，在重复5次步骤6，制得有机电致发光器件样品；
8、采用紫外线固化、干燥硬化方式，利用PET环氧树脂封装有机电致发光器件样品，PET层的厚度为50nm，制得有机电致发光器件。
实施例3
本实施例的有机电致发光器件，其结构如下：
ITO玻璃/WO3/TPD/TPBi:Ir(ppy)3/BAlq/CsF/ZnS-Ag-ZnS/NPB/ZnSe/PET。
1、将ITO玻璃(其中，ITO，即氧化铟锡，为阳极层，起导电作用；玻璃为基板；ITO玻璃采用购买获得)基板依次采用洗洁精、乙醇、丙酮、纯水清洗，且各清洗阶段均在超声波清洗机进行清洗，每次清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；
2、对洗净后的ITO玻璃进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度100nm；
3、采用真空蒸镀的方法，在ITO的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的所对应材料依次为WO3、TPD、TPBi:Ir(ppy)3(其中，Ir(ppy)3为掺杂材料，掺杂比例10wt％)、BAlq、CsF；其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度依次为12nm、50nm、30nm、60nm、1.5nm；
4、采用真空蒸镀的方法，在真空度5×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000091
的真空镀膜设备中，在电子注入层的表面蒸镀一层厚度为30nm的第一ZnS层，接着蒸镀厚度为10nm的Ag层，最后蒸镀厚度为30nm的第二ZnS层，完后，构成ZnS-Ag-ZnS三文治层状结构的厚度为70nm的阴极层；
5、在真空度3×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000092
的真空镀膜设备中，在阴极层表面制备一层材质为NPB、厚度为90nm的保护层；
6、在真空度7×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000093
的真空镀膜设备中，在保护层表面制备一层以ZnSe为材质的第一防腐蚀层，厚度80nm；
7、重复5次步骤5，在重复6次步骤6，制得有机电致发光器件样品；
8、采用紫外线固化、干燥硬化方式，利用PET环氧树脂封装有机电致发光器件样品，PET层的厚度为30nm，制得有机电致发光器件。
实施例4
本实施例的有机电致发光器件，其结构如下：
ITO聚对苯二甲酸乙二酯/MoO3/NPB/TPBi:FIrpic/BAlq/CsF/ZnS-Ag-ZnS/NPB/ZnS/PET。
1、将ITO聚对苯二甲酸乙二酯(其中，ITO，即氧化铟锡，为阳极层，起导电作用；聚对苯二甲酸乙二酯为基板；ITO聚对苯二甲酸乙二酯基板采用购买获得)基板依次采用洗洁精、乙醇、丙酮、纯水清洗，且各清洗阶段均在超声波清洗机进行清洗，每次清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；
2、对洗净后的ITO玻璃进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度100nm；
3、采用真空蒸镀的方法，在ITO的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的所对应材料依次为MoO3、NPB、TPBi:FIrpic(其中，Firpic为掺杂材料，掺杂比例5wt％)、BAlq、CsF；其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度依次为12nm、55nm、30nm、40nm、1.8nm；
4、采用真空蒸镀的方法，在真空度5×10-5Pa、蒸发速度的真空镀膜设备中，在电子注入层的表面蒸镀一层厚度为30nm的第一ZnS层，接着蒸镀厚度为10nm的Ag层，最后蒸镀厚度为30nm的第二ZnS层，完后，构成ZnS-Ag-ZnS三文治层状结构的厚度为70nm的阴极层；
5、在真空度5×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000102
的真空镀膜设备中，在阴极层表面制备一层材质为NPB、厚度为90nm的保护层；
6、在真空度5×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000103
的真空镀膜设备中，在保护层表面制备一层以ZnS为材质的第一防腐蚀层，厚度80nm；
7、交底重复步骤5和步骤6各5次，制得有机电致发光器件样品；
8、采用紫外线固化、干燥硬化方式，利用PET环氧树脂封装有机电致发光器件样品，PET层的厚度为40nm，制得有机电致发光器件。
对比例
本实施例的有机电致发光器件，其结构如下：
ITO玻璃/MoO3/NPB/TPBi:FIrpic/Alq3/LiF/ZnS-Ag-ZnS/PET。
1、将ITO玻璃(其中，ITO，即氧化铟锡，为阳极层，起导电作用；玻璃为基板；ITO玻璃采用购买获得)基板依次采用洗洁精、乙醇、丙酮、纯水清洗，且各清洗阶段均在超声波清洗机进行清洗，每次清洗5分钟，停止5分钟，分别重复3次的方法，然后再用烘箱烘干待用；
2、对洗净后的ITO玻璃进行表面活化处理，以增加ITO表面层的含氧量，提高ITO表面的功函数；ITO厚度100nm；
3、采用真空蒸镀的方法，在ITO的表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；且空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的所对应材料依次为MoO3、NPB、TPBi:FIrpic(其中，Firpic为掺杂材料，掺杂比例10wt％)、Alq3、LiF；其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度依次为10nm、40nm、10nm、20nm、1nm；
4、采用真空蒸镀的方法，在真空度5×10-5Pa、蒸发速度
Figure BDA0000071930800000111
的真空镀膜设备中，在电子注入层的表面蒸镀一层厚度为30nm的第一ZnS层，接着蒸镀厚度为10nm的Ag层，最后蒸镀厚度为30nm的第二ZnS层，完后，构成ZnS-Ag-ZnS三文治层状结构的厚度为70nm的阴极层；制得有机电致发光器件样品；
5、采用紫外线固化、干燥硬化方式，利用PET环氧树脂封装有机电致发光器件样品，PET层的厚度为20nm，制得有机电致发光器件。
图3为本发明实施例1的有机电致发光器件和对比例的有机电致发光器件的寿命曲线图；其中，曲线1代表本发明实施例1的有机电致发光器件的寿命曲线，曲线2代表对比例的有机电致发光器件的寿命曲线。从图3中可看出，本发明实施例1起始亮度为5000cd/m2，下降到3500cd/m2时，即亮度下降30％时，寿命(T70)达700小时以上，而对比例则不到100小时；因此，实施例1制得有机电致发光器件的使用寿命是对比例制得有机电致发光器件的使用寿命至少7倍以上。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层；其特征在于，该有机电致发光器件还包括保护层、第一防腐蚀层、第二防腐蚀层，所述保护层层叠在所述阴极层表面，所述第一防腐层包覆封装依次层叠的所述阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、保护层；所述第二防腐层包覆封装在所述第一防腐层表面；其中，所述保护层的材质为MgF2、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或8-羟基喹啉铝；所述第一防腐层的材质为ZnS或ZnSe；所述第二防腐蚀层的材质为聚对苯二甲酸乙二酯。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基板的材质为ITO玻璃或ITO聚对苯二甲酸乙二酯。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MoO3或WO3。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为N-芳基苯并咪唑掺杂三(2-苯基吡啶)合铱或双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱形成的掺杂混合物。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉铝或4-联苯酚基-二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝(III)。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材质为CsF或LiF。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层为ZnS-Ag-ZnS的三文治层状结构。
9.一种如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：
S1、清洗阳极基板，随后对阳极基板的阳极层表面进行活化处理；
S2、在阳极基板的阳极层表面依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层；
S3、在所述阴极层的表面制备保护层，所述保护层的材质为MgF2、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或8-羟基喹啉铝；
S4、在所述保护层表面制备一层材质为ZnS或ZnSe的第一防腐蚀层，制得有机电致发光器件样品；
S5、步骤S4完成后，采用聚对苯二甲酸乙二酯环氧树脂封装有机电致发光器件样品，形成聚对苯二甲酸乙二酯为材质的第二防腐蚀层；
上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中聚对苯二甲酸乙二酯环氧树脂封装有机电致发光器件样品时，采用紫外线固化、干燥硬化方式进行封装的。
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