CN103427045A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种有机电致发光器件，包括：阳极基底、量子阱层、电子注入层和阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层富勒烯或富勒烯衍生物层及设置于相邻的两层富勒烯或富勒烯衍生物层之间的发光层，所述富勒烯为C60或C70，所述富勒烯衍生物为[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC₆₁BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC₇₁BM）。另，本发明实施例还公开了一种有机电致发光器件的制备方法。本发明提供的有机电致发光器件，由富勒烯或富勒烯衍生物层与发光层组成的量子阱层，可对空穴传输形成一个势阱，使空穴限制在发光层中与电子复合发光，可进一步提高电子传输速率，有效提高空穴和电子的复合几率，最终达到提高发光效率的目的。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。他们利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机材料化合物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机材料化合物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，空穴传输速率一般比电子传输速率要高两个数量级以上，这就使得空穴在发光区域大量积累，而电子数目较少，最终导致空穴和电子的复合几率大大降低，复合区域发生变化，使色坐标发生改变，显色性较差。因此，为了有效提高空穴和电子的复合几率，提高发光器件的发光效率，提供一种具有可有效调控空穴与电子传输速率的有机电致发光器件变得很重要。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过量子阱调控电子传输速率，有效提高空穴和电子的复合几率，最终达到提高发光效率和光的色纯度的目的。

本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：阳极基底、量子阱层、电子注入层和阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层富勒烯或富勒烯衍生物层及设置于相邻的两层富勒烯或富勒烯衍生物层之间的发光层，所述富勒烯为C60或C70，所述富勒烯衍生物为[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC₆₁BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC₇₁BM）。

优选地，发光层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

优选地，所述两层富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为相同的富勒烯或相同的富勒烯衍生物。

量子阱层是由富勒烯或富勒烯衍生物层与发光层交替设置形成的具有n+1个富勒烯或富勒烯衍生物层和n个发光层的结构，其中，1≤n≤6，n为整数。在量子阱结构中，富勒烯或富勒烯衍生物层为势垒，发光层为势阱，富勒烯或富勒烯衍生物层与发光层交替设置，第一富勒烯或富勒烯衍生物层设置在阳极基底上，第n+1富勒烯或富勒烯衍生物层上设置电子传输层，发光层设置在相邻两个富勒烯或富勒烯衍生物层之间。

当n=1时，量子阱层的结构为：富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层。

当n=2时，量子阱层的结构为：富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层。

当n的取值过大，则会使得量子阱层的厚度过大，从而影响空穴传输的效果，不利于提高发光器件的发光效率，因此n应该取合适的值，本发明中，1≤n≤6，n为整数。

优选地，发光层的材质为荧光发光材料，所述荧光发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃（DCM）、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]（DPVBi）、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑（BCzVBi）或八羟基喹啉铝（Alq₃）。

优选地，富勒烯或富勒烯衍生物层的厚度为2~40nm/层，发光层的厚度为2~40nm/层。

其中，富勒烯C60和C70与富勒烯衍生物[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC₆₁BM）和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC₇₁BM）的HOMO能级约为-6.1eV，发光层的荧光发光材料的HOMO能级约为-5.0eV~-5.5eV，这样，发光材料的HOMO能级比富勒烯和富勒烯衍生物的要高，可对空穴传输形成一个势阱，作为空穴的阱，使空穴限制在发光层中与电子复合发光，避免了电子在其他有机层中复合发光，从而提高光的色纯度。而由于空穴传输材料的电子传输速率一般比电子传输材料要低两个数量级左右，所以量子阱采用电子传输材料富勒烯或富勒烯衍生物，则可以进一步提高电子传输速率，使其与空穴传输速率相匹配，从而提高空穴和电子的复合几率，提高有机电致发光器件的发光效率。

优选地，所述阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。

优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）或氟化锂（LiF）；更优选地，电子注入层的材料为氟化锂（LiF）。

优选地，电子注入层的厚度为0.5~10nm；更优选地，电子注入层的厚度为1nm。

优选地，阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）；更优选地，阴极为银（Ag）。

优选地，阴极的厚度为80~300nm；更优选地，阴极的厚度为100nm。

其中，电子注入层设置在量子阱层的第n+1富勒烯或富勒烯衍生物层上，阴极设置在电子注入层上。

当n=1时，本发明有机电致发光器件的结构为：阳极/富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层/电子注入层/阴极。

相应地，本发明实施例还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供清洁的阳极基底；

在经处理过的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，先在所述阳极基底上蒸镀富勒烯或富勒烯衍生物层，在所述富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀发光层，再在所述发光层上蒸镀富勒烯或富勒烯衍生物层，依此交替蒸镀得到包括依次层叠的至少两层富勒烯或富勒烯衍生物层及设置于相邻的两层富勒烯或富勒烯衍生物层之间的发光层的所述量子阱层，所述富勒烯为C60或C70，所述富勒烯衍生物为[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC₆₁BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC₇₁BM）；

在所述量子阱层上依次蒸镀电子注入层和金属阴极。

具体地，阳极基底的清洁操作为：将阳极基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min。去除玻璃表面的有机污染物，另外，还可对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W。氧等离子处理可以平滑阳极基底表面，使阳极基底平整度加强，提高功函数（约提高0.1~0.3eV），使空穴注入能力加强，降低启动电压。

优选地，阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。

优选地，发光层的层数为大于等于1且小于等于6的整数

优选地，所述两层富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为相同的富勒烯或相同的富勒烯衍生物。

量子阱层是由n+1个富勒烯或富勒烯衍生物层和n个发光层构成，1≤n≤6，n为整数，富勒烯或富勒烯衍生物层为势垒，发光层为势阱，富勒烯或富勒烯衍生物层与发光层交替设置，第一富勒烯或富勒烯衍生物层设置在阳极基底上，第n+1富勒烯或富勒烯衍生物层上设置电子传输层，发光层设置在相邻两个富勒烯或富勒烯衍生物层之间。

当n=1时，量子阱层的结构为：富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层。

当n=2时，量子阱层的结构为富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层。

优选地，发光层的材质为荧光发光材料，所述荧光发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃（DCM）、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]（DPVBi）、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑（BCzVBi）或八羟基喹啉铝（Alq₃）。

优选地，富勒烯或富勒烯衍生物层的厚度为2~40nm/层，发光层的厚度为2~40nm/层。

优选地，所述量子阱层的蒸镀为热蒸镀或电子束蒸镀。

优选地，所述蒸镀过程中，真空度为1×10^-3Pa~1×10^-5pa，温度为100~500℃。

在量子阱层上依次蒸镀电子注入层和金属阴极。具体地，在第n+1富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀电子注入层，在电子注入层上蒸镀阴极。

当n=1时，本发明有机电致发光器件的结构为：阳极/富勒烯或富勒烯衍生物层/发光层/富勒烯或富勒烯衍生物层/电子注入层/阴极。

优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）或氟化锂（LiF）；更优选地，电子注入层的材料为氟化锂（LiF）。

优选地，电子注入层的厚度为0.5~10nm；更优选地，电子注入层的厚度为1nm。

优选地，电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为100~500℃，真空度为1×10^-3～1×10^-5Pa。

优选地，阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）；更优选地，阴极为银（Ag）。

优选地，阴极的厚度为80~300nm；更优选地，阴极的厚度为100nm。

优选地，阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为500~1000℃，真空度为1×10^-3～1×10^-5Pa。

其中，电子注入层设置在量子阱层的第n+1富勒烯或富勒烯衍生物层上，阴极设置在电子注入层上。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

本发明提供的电子传输型量子阱有机电致发光器件，其量子阱的势垒为富勒烯或富勒烯衍生物层，势阱为发光层，发光层发光材料的HOMO能级比富勒烯或富勒烯衍生物的要高，使空穴限制在发光层中与电子复合发光，避免了电子在其他有机层中复合发光，提高了光的色纯度。量子阱采用电子传输材料富勒烯或富勒烯衍生物，进一步提高了电子传输速率，使其与空穴传输速率相匹配，从而提高了空穴和电子的复合几率，最终提高有机电致发光器件的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；

图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与现有有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（1）处理的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，在阳极基底上蒸镀第一富勒烯或富勒烯衍生物层，在第一富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第一发光层，在第一发光层上蒸镀第二富勒烯或富勒烯衍生物层，在第二富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第二发光层，在第二发光层上蒸镀第三富勒烯或富勒烯衍生物层，量子阱层包括第一、第二、第三富勒烯或富勒烯衍生物层和第一、第二发光层。

具体地，在本实施例中，富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为富勒烯衍生物PC₆₁BM，发光层的材质为荧光发光材料Alq₃，量子阱层包括四层富勒烯衍生物层（PC₆₁BM）和三层发光层（Alq₃），具体结构为：PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM（n=3），PC₆₁BM层的单层厚度为10nm，发光层（Alq₃）层的单层厚度为20nm。发光层和富勒烯衍生物层的蒸镀为热蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，电子注入层的材料为氟化锂（LiF），厚度为2nm；阴极为银（Ag），厚度为150nm。

图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括，阳极导电基底10，量子阱层20，电子注入层30和阴极40。其中，量子阱层20，包括四层富勒烯衍生物层（PC₆₁BM）21和三层发光层（Alq₃）22，其结构为PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM。该有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃/PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM/Alq₃/PC₆₁BM/LiF/Ag。

图2是本实施例的有机电致发光器件与现有发光器件的亮度与流明效率的关系图。其中，曲线1为本实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；曲线2为现有有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。其中，现有发光器件的结构为：ITO玻璃/NPB/Alq₃/TAZ/LiF/Ag。

从图2中可以看到，在不同亮度下，本实施例有机电致发光器件的流明效率都比现有有机电致发光器件的要大，其最大的流明效率为24.2lm/W，而现有有机电致发光器件的仅为19.1lm/W。这说明，由富勒烯或富勒烯衍生物层与发光层组成的量子阱层，可以使空穴限制在发光层中与电子复合发光，避免了电子在其他有机层中复合发光，提高了光的色纯度。量子阱采用电子传输材料富勒烯或富勒烯衍生物，进一步提高了电子传输速率，使其与空穴传输速率相匹配，从而提高了空穴和电子的复合几率，最终提高有机电致发光器件的发光效率。

实施例2

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极导电基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（1）处理的阳极导电基底上进行量子阱层的蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一富勒烯或富勒烯衍生物层，在第一富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀一层发光层，随后在发光层上蒸镀第二富勒烯或富勒烯衍生物层，量子阱层包括第一、第二富勒烯或富勒烯衍生物层和发光层。

其中，在本实施例中，第一富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为富勒烯衍生物PC₆₁BM，第二富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为富勒烯衍生物PC₇₁BM，发光层的材质为荧光发光材料DPVBi，量子阱层包括一层富勒烯衍生物层（PC₆₁BM）层与一层富勒烯衍生物层（PC₇₁BM）层和一层发光层（DPVBi），具体结构为：PC₆₁BM/DPVBi/PC₇₁BM（n=1），PC₆₁BM层的单层厚度为2nm，PC₇₁BM层的单层厚度为40nm，发光层（DPVBi）层的单层厚度为40nm。发光层和富勒烯衍生物层的蒸镀为热蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，电子注入层的材料为氟化铯CsF，厚度为0.5nm；阴极为Al，厚度为300nm。

本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：IZO玻璃/PC₆₁BM/DPVBi/PC₇₁BM/CsF/Al，其最大的流明效率为22.5lm/W。

实施例3

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（2）处理的阳极基底上进行量子阱层蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一富勒烯或富勒烯衍生物层，在第一富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第一发光层，在第一发光层上蒸镀第二富勒烯或富勒烯衍生物层，在第二富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第二发光层，在第二发光层上蒸镀第三富勒烯或富勒烯衍生物层，在第三富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第三发光层，在第三发光层上蒸镀第四富勒烯或富勒烯衍生物层，在第四富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第四发光层，在第四发光层上蒸镀第五富勒烯或富勒烯衍生物层，在第五富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第五发光层，在第五发光层上蒸镀第六富勒烯或富勒烯衍生物层，p掺杂量子阱结构包括第一、第二、第三、第四、第五、第六富勒烯或富勒烯衍生物层和第一、第二、第三、第四、第五发光层。

其中，在本实施例中，第一、第三、第五富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为富勒烯C₆₀，第二、第四、第六富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为富勒烯C₇₀，发光层的材质为荧光发光材料DPVBi，量子阱层包括三层富勒烯层（C₆₀）与三层富勒烯层（C₇₀）层和五层发光层（DPVBi），具体结构为：C₆₀/DPVBi/C₇₀/DPVBi/C₆₀/DPVBi/C₇₀/DPVBi/C₆₀/DPVBi/C₇₀（n=5），C₆₀层的单层厚度为2nm，C₇₀层的单层厚度为2nm，发光层（DPVBi）层的单层厚度为2nm。发光层和富勒烯层的蒸镀为热蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，电子注入层的材料为叠氮铯CsN₃，厚度为5nm；阴极为Pt，厚度为80nm。

本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃/C₆₀/DPVBi/C₇₀/DPVBi/C₆₀/DPVBi/C₇₀/DPVBi/C₆₀/DPVBi/C₇₀/CsN₃/Pt，其最大的流明效率为21.8lm/W。

实施例4

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（1）处理的阳极基底上进行量子阱层蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一富勒烯或富勒烯衍生物层，在第一富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第一发光层，在第一发光层上蒸镀第二富勒烯或富勒烯衍生物层，在第二富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀第二发光层，在第二发光层上蒸镀第三富勒烯或富勒烯衍生物层，量子阱层包括第一、第二、第三富勒烯或富勒烯衍生物层和第一、第二发光层。

具体地，在本实施例中，富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为富勒烯衍生物PC₇₁BM，发光层的材质为BCzVBi，量子阱层包括三层富勒烯衍生物层PC₇₁BM和两层发光层（BCzVBi），具体结构为：PC₇₁BM/BCzVBi/PC₇₁BM/BCzVBi/PC₇₁BM（n=2），PC₇₁BM层的单层厚度为30nm，发光层（BCzVBi）层的单层厚度为25nm。发光层和富勒烯衍生物层的蒸镀为热蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，电子注入层的材料为碳酸铯Cs₂CO₃，厚度为2nm；阴极为Au，厚度为100nm。

本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：AZO玻璃/PC₇₁BM/BCzVBi/PC₇₁BM/BCzVBi/PC₇₁BM/Cs₂CO₃/Au，其最大的流明效率为20.4lm/W。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：阳极基底、量子阱层、电子注入层和阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层富勒烯或富勒烯衍生物层及设置于相邻的两层富勒烯或富勒烯衍生物层之间的发光层，所述富勒烯为C60或C70，所述富勒烯衍生物为[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述两层富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为相同的富勒烯或相同的富勒烯衍生物。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为荧光发光材料，所述荧光发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑或八羟基喹啉铝。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯或富勒烯衍生物层的厚度为2~40nm/层，所述发光层的厚度为2~40nm/层。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供清洁的阳极基底；

在经处理过的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，先在所述阳极基底上蒸镀富勒烯或富勒烯衍生物层，在所述富勒烯或富勒烯衍生物层上蒸镀发光层，再在所述发光层上蒸镀富勒烯或富勒烯衍生物层，依此交替蒸镀得到包括依次层叠的至少两层富勒烯或富勒烯衍生物层及设置于相邻的两层富勒烯或富勒烯衍生物层之间的发光层的所述量子阱层，所述富勒烯为C60或C70，所述富勒烯衍生物为[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯；

在所述量子阱层上依次蒸镀电子注入层和金属阴极。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述两层富勒烯或富勒烯衍生物层的材质为相同的的富勒烯或相同的富勒烯衍生物。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的材质为荧光发光材料，所述荧光发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑或八羟基喹啉铝。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述富勒烯或富勒烯衍生物层的厚度为2~40nm/层，所述发光层的厚度为2~40nm/层。