CN103427031A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种有机电致发光器件，包括：阳极、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，该有机电致发光器件还包括形成于阳极及发光层之间的量子阱层，该量子阱层包括依次层叠的至少两层有机材料层及设置于相邻的两层有机材料层之间的p掺杂层，p掺杂层的材质为空穴传输材料掺杂金属氧化物形成的混合材料，p掺杂层的材质中，金属氧化物的掺杂质量分数为10~40%，有机材料层的材质为HOMO能级为－6.5eV~－5.5eV的有机材料。另，本发明实施例还公开了一种有机电致发光器件的制备方法。本发明提供的有机电致发光器件，通过调控空穴传输速率，有效提高了空穴和电子的复合几率，最终达到了提高发光效率的目的。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。他们利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机材料化合物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机材料化合物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

在传统的发光器件中，空穴传输速率一般比电子传输速率要高两个数量级以上，这就使得空穴在发光区域大量积累，而电子数目较少，最终导致空穴和电子的复合几率大大降低，复合区域发生变化，使色坐标发生改变，显色性较差。因此，为了有效提高空穴和电子的复合几率，提高发光器件的发光效率，提供一种具有可有效调控传输速率空穴传输层的有机电致发光器件变得很重要。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过p掺杂空穴传输层调控空穴传输速率，有效提高空穴和电子的复合几率，最终达到提高发光效率的目的。

本发明实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：阳极、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述有机电致发光器件还包括形成于所述阳极及所述发光层之间的量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层有机材料层及设置于相邻的两层有机材料层之间的p掺杂层，所述p掺杂层的材质为空穴传输材料掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述p掺杂层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10~40%，所述有机材料层的材质为HOMO能级为－6.5eV~－5.5eV的有机材料。

优选地，p掺杂层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

量子阱层是由p掺杂层与有机材料层交替设置形成的具有n+1个有机材料层和n个p掺杂层的结构，其中，1≤n≤6，n为整数。在量子阱结构中，p掺杂层为势阱，有机材料层为势垒，p掺杂层与有机材料层交替设置，第一低有机材料层设置在阳极基底上，第n+1有机材料层上设置发光层，p掺杂层设置在相邻两个有机材料层之间。

当n=1时，量子阱层的结构为：有机材料层/p掺杂层/有机材料层。

当n=2时，量子阱层的结构为：有机材料层/p掺杂层/有机材料层/p掺杂层/有机材料层。

当n的取值过大，则会使得量子阱层的厚度过大，从而影响空穴传输的效果，不利于提高发光器件的发光效率，因此n应该取合适的值，本发明中，1≤n≤6，n为整数。

在p掺杂层的材质中，空穴传输材料为主体，金属氧化物为客体。

优选地，空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。

优选地，所述金属氧化物为氧化钼（MoO₃）、五氧化二钒（V₂O₅）或氧化钨（WO₃））。

优选地，有机材料层的有机材料为八羟基喹啉铝（Alq₃）、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）。

优选地，p掺杂层的厚度为5~40nm/层，低HOMO能级有机材料层的厚度为5~40nm/层。

其中，有机材料层为低HOMO能级（－6.5eV~－5.5eV）的有机材料，作为量子阱的势垒，可以对空穴进行有效阻挡（空穴经过HOMO能级进行传输），通过结构单元的变化，可有效对空穴传输速率进行调控；而p掺杂层，作为量子阱的势阱，可以提高空穴传输速率，当空穴传输到此层时，传输速率明显提高，降低了空穴在量子阱里的淬灭几率，同时，也有效降低了空穴与电子在量子阱中复合发光的几率，p掺杂可以使量子阱在阻挡空穴的同时，也加快了未被阻挡空穴的传输速率，使量子阱调控空穴传输速率的作用更明显，从而通过调控空穴传输速率，有效提高了空穴和电子的复合几率，最终达到提高发光效率的目的。

优选地，所述阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。

优选地，所述发光层的材质为空穴传输材料掺杂发光材料。

优选地，发光材料的掺杂质量分数为1%~20%；更优选地，发光材料的掺杂质量分数为5%。

优选地，发光层的厚度为2~30nm；更优选地，发光层厚度为10nm。

优选地，发光材料为（4,6-二氟苯基吡啶-N,C²）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)；更优选地，发光材料为二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）。

优选地，电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI）；更优选地，电子传输层的材料为N-芳基苯并咪唑（TPBI）。

优选地，电子传输层的厚度为40~80nm；更优选地，电子传输层的厚度为50nm。

优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）或氟化锂（LiF）；更优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs₂CO₃）。

优选地，电子注入层的厚度为0.5~10nm；更优选地，电子注入层的厚度为2nm。

优选地，阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）；更优选地，阴极为银（Ag）。

优选地，阴极的厚度为80~300nm；更优选地，阴极的厚度为150nm。

其中，发光层设置在量子阱层的第n+1有机材料层上，电子传输层设置在发光层上，电子注入层设置在电子传输层上，阴极设置在电子注入层上。

当n=1时，本发明有机电致发光器件的结构为：阳极/有机材料层/p掺杂层/有机材料层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

相应地，本发明实施例还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供清洁的阳极基底；

在经处理过的导电基底上进行量子阱层的蒸镀，先在所述阳极基底上蒸镀有机材料层，在所述有机材料层上蒸镀p掺杂层，再在所述p掺杂层上蒸镀有机材料层，依此交替蒸镀得到包括依次层叠的至少两层有机材料层及设置于相邻的两层有机材料层之间的p掺杂层的量子阱层，所述p掺杂层的材质为空穴传输材料掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述p掺杂层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10~40%，所述有机材料层的材质为HOMO能级为－6.5eV~－5.5eV的有机材料；

在所述量子阱层上依次蒸镀发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极。

具体地，阳极基底的清洁操作为：将阳极基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min。去除玻璃表面的有机污染物，另外，还可对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W。氧等离子处理可以平滑阳极基底表面，使阳极基底平整度加强，提高功函数（约提高0.1~0.3eV），使空穴注入能力加强，降低启动电压。

优选地，阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO）。

优选地，p掺杂层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

量子阱层是由n+1个有机材料层和n个p掺杂层构成，1≤n≤6，n为整数，p掺杂层为势阱，有机材料层为势垒，p掺杂层与有机材料层交替设置，第一有机材料层蒸镀在阳极导电基底上，第n+1有机材料层上蒸镀发光层，p掺杂层蒸镀在相邻两个有机材料层之间。

当n=1时，量子阱层的结构为：有机材料层/p掺杂层/有机材料层。

当n=2时，量子阱层的结构为：有机材料层/p掺杂层/有机材料层/p掺杂层/有机材料层。

在p掺杂层的材质中，空穴传输材料为主体，金属氧化物为客体。

优选地，空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。

优选地，所述金属氧化物为氧化钼（MoO₃）、五氧化二钒（V₂O₅）或氧化钨（WO₃））

优选地，有机材料层的有机材料为八羟基喹啉铝（Alq₃）、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）。

优选地，p掺杂层的厚度为5~40nm/层，有机材料层的厚度为5~40nm/层。

优选地，p掺杂层与有机材料层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为100~500℃，真空度为1×10^-3～1×10^-5Pa。

在量子阱层上依次蒸镀发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极。具体地，在第n+1有机材料层上蒸镀发光层，再在发光层上蒸镀电子传输层，在电子传输层上蒸镀电子注入层，在电子注入层上蒸镀阴极。

当n=1时，本发明有机电致发光器件的结构为：阳极/有机材料层/p掺杂层/有机材料层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

优选地，步骤（3）中所述发光层的材质为空穴传输材料掺杂发光材料。

优选地，发光材料的掺杂质量分数为1%~20%；更优选地，发光材料的掺杂质量分数为5%。

优选地，发光层的厚度为2~30nm；更优选地，发光层厚度为10nm。

优选地，发光材料为（4,6-二氟苯基吡啶-N,C²）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)；更优选地，发光材料为二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）。

优选地，电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI）；更优选地，电子传输层的材料为N-芳基苯并咪唑（TPBI）。

优选地，电子传输层的厚度为40~80nm；更优选地，电子传输层的厚度为50nm。

优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）或氟化锂（LiF）；更优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs₂CO₃）。

优选地，电子注入层的厚度为0.5~10nm；更优选地，电子注入层的厚度为2nm。

优选地，发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为100~500℃，真空度为1×10^-3～1×10^-5Pa。

优选地，阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）；更优选地，阴极为银（Ag）。

优选地，阴极的厚度为80~300nm；更优选地，阴极的厚度为150nm。

优选地，阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为500~1000℃，真空度为1×10^-3～1×10^-5Pa。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

（1）本发明提供的p掺杂量子阱有机电致发光器件，其量子阱的势垒低HOMO能级（－6.5eV~－5.5eV）的有机材料，可以对空穴进行有效阻挡（空穴经过HOMO能级进行传输），通过结构单元的变化，可有效对空穴传输速率进行调控；

（2）量子阱的势阱p掺杂层，可以提高空穴传输速率，降低空穴在量子阱中的淬灭，同时，也降低了空穴与电子在量子阱中复合发光的几率，使量子阱调控空穴传输速率的作用更明显，从而有效提高了空穴和电子的复合几率，最终达到提高发光效率的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；

图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与现有有机电致发光器件的电流密度与电流效率的关系图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（1）处理的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，在阳极基底上蒸镀第一有机材料层，在第一有机材料层上蒸镀第一p掺杂层，在第一p掺杂层上蒸镀第有机材料层，在第二有机材料层上蒸镀第二p掺杂层，在第二p掺杂层上蒸镀第三有机材料层，量子阱层包括第一、第二、第三有机材料层和第一、第二p掺杂层。

具体地，在本实施例中，p掺杂层的材质为NPB掺杂MoO₃形成的混合材料（NPB:MoO₃），MoO₃的掺杂质量分数为20%，有机材料层的材质为低HOMO能级（－6.0eV）有机材料Alq₃，量子阱层包括三层有机材料Alq₃层和两层p掺杂层（NPB:MoO₃），具体结构为：Alq₃/NPB:MoO₃（20wt%）/Alq₃/NPB:MoO₃（20wt%）₃/Alq₃（n=2），Alq₃层的单层厚度为10nm，p掺杂层（NPB:MoO₃）层的单层厚度为15nm。p掺杂层和有机材料层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，发光层的材质为NPB掺杂Ir(MDQ)₂(acac)形成的混合材料（NPB:Ir(MDQ)₂(acac)），Ir(MDQ)₂(acac)的掺杂质量分数为5%，发光层厚度为10nm；电子传输层的材料为TPBi，厚度为50nm；电子注入层的材料为碳酸铯（Cs₂CO₃），厚度为2nm；阴极为银（Ag），厚度为150nm。

图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括，阳极导电基底10，量子阱层20，发光层30，电子传输层40，电子注入层50和阴极60。其中，量子阱层20，包括三层低HOMO能级有机材料Alq₃层21和两层p掺杂层（NPB:MoO₃）22，其结构为Alq₃/NPB:MoO₃（20wt%）/Alq₃/NPB:MoO₃（20wt%）/Alq₃。该有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃/Alq₃/NPB:MoO₃（20wt%）/Alq₃/NPB:MoO₃（20wt%）/Alq₃/NPB:Ir(MDQ)₂(acac)（5wt%）/TPBi/Cs₂CO₃/Ag。

图2是本实施例的有机电致发光器件与现有发光器件的电流密度与电流效率的关系图。其中，曲线1为本实施例有机电致发光器件的电流密度与电流效率的关系图；曲线2为现有有机电致发光器件的电流密度与电流效率的关系图。其中，现有发光器件的结构为：ITO玻璃/NPB/NPB:Ir(MDQ)₂(acac)/TPBi/Cs₂CO₃/Ag。

从图2中可以看到，在不同电流密度下，本实施例有机电致发光器件的电流效率都比现有有机电致发光器件的要大，其最大的电流效率为45.6cd/A，而现有有机电致发光器件的仅为32.5cd/A。这说明，由p掺杂层与低HOMO能级的有机材料层组成的p掺杂量子阱结构，可对空穴传输速率进行调控，p掺杂的空穴传输层，降低了空穴在量子阱里的淬灭几率，使量子阱调控空穴传输速率的作用更明显，而通过调控空穴传输速率，有效提高了空穴和电子的复合几率，从而提高了发光器件的发光效率。

实施例2

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极导电基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（1）处理的阳极导电基底上进行量子阱层蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一有机材料层，在第一有机材料层上蒸镀一层p掺杂层，随后在p掺杂层上蒸镀第二有机材料层，量子阱层包括第一、第二有机材料层和p掺杂层。

其中，在本实施例中，p掺杂层的材质为TAPC掺杂WO₃形成的混合材料（TAPC:WO₃），WO₃的掺杂质量分数为10％，有机材料层的材质为低HOMO能级（－5.7eV）有机材料BCP，量子阱层包括两层有机材料BCP层和两层p掺杂层（TAPC:WO₃），具体结构为：BCP/TAPC:WO₃（10wt%）/BCP（n=1），BCP层的单层厚度为40nm，p掺杂层TAPC:WO₃的单层厚度为40nm。p掺杂层和有机材料层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，发光层的材质为NPB掺杂Firpic形成的混合材料（NPB:Firpic），Firpic的掺杂质量分数为20%，发光层厚度为30nm；电子传输层的材料为TAZ，厚度为80nm；电子注入层的材料为氟化铯CsF，厚度为0.5nm；阴极为Al，厚度为300nm。

本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：IZO玻璃/BCP/TAPC:WO₃（10wt%）/BCP/NPB:Firpic（20wt%）/TAZ/CsF/Al，其最大的电流效率为35.4cd/A。

实施例3

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（2）处理的阳极基底上进行量子阱层蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一有机材料层，在第一有机材料层上蒸镀第一p掺杂层，在第一p掺杂层上蒸镀第二有机材料层，在第二有机材料层上蒸镀第二p掺杂层，在第二p掺杂层上蒸镀第三有机材料层，在第三有机材料层上蒸镀第三p掺杂层，在第三p掺杂层上蒸镀第四有机材料层，在第四有机材料层上蒸镀第四p掺杂层，在第四p掺杂层上蒸镀第五有机材料层，在第五有机材料层上蒸镀第五p掺杂层，在第五p掺杂层上蒸镀第六有机材料层，量子阱层包括第一、第二、第三、第四、第五、第六有机材料层和第一、第二、第三、第四、第五p掺杂层。

其中，在本实施例中，p掺杂层的材质为TAPC掺杂V₂O₅形成的混合材料（TAPC:V₂O₅），V₂O₅的掺杂质量分数为40%，有机材料层的材质为低HOMO能级（－5.6eV）有机材料PBD，量子阱层包括六层有机材料PBD层和五层p掺杂层（TAPC:V₂O₅），具体结构为：PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD（n=5），PBD层的单层厚度为5nm，p掺杂层TAPC:V₂O₅的单层厚度为5nm。p掺杂层和有机材料层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，发光层的材质为TCTA掺杂Ir(MDQ)2(acac)形成的混合材料（TCTA:Ir(MDQ)2(acac)），Ir(MDQ)2(acac)的掺杂质量分数为1%，发光层厚度为2nm；电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；电子注入层的材料为氟化锂LiF，厚度为1nm；阴极为Au，厚度为300nm。

本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/（TAPC:V₂O₅）（40wt%）/PBD/TCTA:Ir(MDQ)2(acac)（1wt%）/Bphen/LiF/Au，其最大的电流效率为40.8cd/A。

实施例4

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，对清洗干净后的阳极基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；

（2）在经（1）处理的阳极基底上进行量子阱层蒸镀，在阳极导电基底上蒸镀第一有机材料层，在第一有机材料层上蒸镀第一p掺杂层，在第一p掺杂层上蒸镀第二有机材料层，在第二有机材料层上蒸镀第二p掺杂层，在第二p掺杂层上蒸镀第三有机材料层，量子阱层包括第一、第二、第三有机材料层和第一、第二p掺杂层。

具体地，在本实施例中，p掺杂层的材质为NPB掺杂WO₃形成的混合材料（NPB:WO₃），WO₃的掺杂质量分数为25%，有机材料层的材质为低HOMO能级（－5.6eV）有机材料PBD，量子阱层包括三层有机材料PBD层和两层p掺杂层（NPB:WO₃），具体结构为：PBD/NPB:WO₃（25wt%）/Alq₃/NPB:WO₃（25wt%）₃/PBD（n=2），PBD层的单层厚度为15nm，p掺杂层（NPB:WO₃）层的单层厚度为10nm。p掺杂层和有机材料层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。

（3）在量子阱层上依次蒸镀发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件。发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10^-5Pa。阴极的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为800℃，真空度为1×10^-4Pa。

其中，发光层的材质为TAPC掺杂Ir(ppy)₃形成的混合材料（TAPC:Ir(ppy)₃），Ir(ppy)₃的掺杂质量分数为15%，发光层厚度为15nm；电子传输层的材料为TAZ，厚度为70nm；电子注入层的材料为叠氮铯CsN₃，厚度为2nm；阴极为Pt，厚度为80nm。

本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：AZO玻璃/PBD/NPB:WO₃（25wt%）/Alq₃/NPB:WO₃（25wt%）₃/PBD/TAPC:Ir(ppy)₃（15wt%）/TAZ/CsN₃/Pt，其最大的电流效率为38.9cd/A。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：阳极、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述有机电致发光器件还包括形成于所述阳极及所述发光层之间的量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层有机材料层及设置于相邻的两层有机材料层之间的p掺杂层，所述p掺杂层的材质为空穴传输材料掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述p掺杂层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10~40%，所述有机材料层的材质为HOMO能级为－6.5eV~－5.5eV的有机材料。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物为氧化钼、五氧化二钒或氧化钨；所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述p掺杂层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机材料为八羟基喹啉铝、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述p掺杂层的厚度为5~40nm/层，所述有机材料层的厚度为5~40nm/层。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供清洁的阳极基底；

在经处理过的阳极基底上进行量子阱层的蒸镀，先在所述阳极基底上蒸镀有机材料层，在所述有机材料层上蒸镀p掺杂层，再在所述p掺杂层上蒸镀有机材料层，依此交替蒸镀得到包括依次层叠的至少两层有机材料层及设置于相邻的两层有机材料层之间的p掺杂层的量子阱层，所述p掺杂层的材质为空穴传输材料掺杂金属氧化物形成的混合材料，所述p掺杂层的材质中，所述金属氧化物的掺杂质量分数为10~40%，所述有机材料层的材质为HOMO能级为－6.5eV~－5.5eV的有机材料；

在所述量子阱层上依次蒸镀发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述p掺杂层的层数为大于等于1且小于等于6的整数。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为氧化钼、五氧化二钒或氧化钨；所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机材料为八羟基喹啉铝、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述p掺杂层的厚度为5~40nm/层，所述有机材料层的厚度为5~40nm/层。

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