CN102916131A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于电致发光器件领域，其公开了一种有机电致发光器件及其制备方法；该有机电致发光器件包括依次叠层的阳极基底、空穴注入层、p型层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；p型层包括设置在空穴注入层表面的空穴传输层，以及设置在空穴传输层表面的p型材料层。本发明提供的有机电致发光器件，通过将p型材料层和空穴传输层分别单独蒸镀制备在有机电致发光器件中，空穴通过空穴传输层材料的HOMO能级传递到p型材料的LUMO能级上，接着在发光层与电子进行复合，最终实现辐射发光，并在很大程度的提高了空穴注入与传输能力，最终提高了有机电致发光器件的发光效率。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及光电器件，尤其涉及有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

要提高器件的发光效率，可以通过提高载流子的注入和传输速率来达到要求，载流子的注入和传输速率提高，有助于提高激子的复合几率，最终提高器件的发光效率，而目前使用的比较多的提高载流子的注入和传输速率的方法，是通过掺杂(p-掺杂)来实现对空穴注入与传输速率的提高，而这类掺杂层往往是用微量的p型材料(如MoO₃、F4-TCNQ、1-TANA、2-TANA等)掺杂到空穴传输材料(m-MTDATA、NPB等)中，而掺杂的质量分数往往在0.5-2％之间，需要的量极少，掺杂工艺难以控制，而且，在制备时，一般采用蒸镀的方法，共蒸温度是必须考虑的一个问题，对于掺杂层来说，两者之间的蒸发温度要比较接近，这样才能有利于共蒸的实现，而这给材料的选择带来了一定的困难，也就降低了有机电致发光器件的发光效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以提供发光效率的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件，包括依次叠层的阳极基底、空穴注入层、p型层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；所述p型层包括设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层，以及设置在所述空穴传输层表面的p型材料层。

上述有机电致发光器件，其阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝氧化锌玻璃或掺铟氧化锌玻璃。

上述有机电致发光器件中，各功能层的材料如下：

所述空穴注入层的材料采用三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒或酞菁铜；

所述空穴传输层的材料为4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺；

所述p型材料层的材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4′，4″-三(萘基-苯基-铵)三苯胺、4，4′，4″-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和4，4′，4″-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺；

所述电子阻挡层的材料为4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺；

所述发光层的材料为9，10-二-β-亚萘基蒽、8-羟基喹啉铝、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱)中的至少一种；

所述电子传输层的材料与空穴阻挡层的材料采用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述电子注入层的材料为Cs₂CO₃、CsN₃、LiF、CsF、CaF₂、MgF₂或者NaF；

所述阴极层的材料为银、铝、铂或金。

本发明的另一目的在于提供上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

S1、清洗、干燥阳极基底；

S2、在所述阳极基底的阳极层蒸镀空穴注入层；

S3、在所述空穴注入层表面依次层叠蒸镀空穴传输层和p型材料层组成的p型层；

S4、在所述p型层的表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；

上述工艺步骤完后，制得所述有机电致发光器件。

本发明提供的有机电致发光器件，通过将p型材料层和空穴传输层分别单独蒸镀制备在有机电致发光器件中，空穴通过空穴传输层材料的HOMO能级传递到p型材料层材料的LUMO能级上，接着在发光层与电子进行复合，最终实现辐射发光，并在很大程度的提高了空穴注入与传输能力，最终提高了有机电致发光器件的发光效率。

附图说明

图1为本发明有机电致发光器件的结构示意图；

图2为本发明有机电致发光器件的制备工艺流程图；

图3为实施例1的有机电致发光器件与对比例有机电致发光器件的电流效率与电流密度关系图；

图4为实施例1的有机电致发光器件与对比例有机电致发光器件的流明效率与亮度关系图。

具体实施方式

本发明提供的一种有机电致发光器件，如图1所示，包括依次叠层的阳极基底11、空穴注入层12、p型层13、电子阻挡层14、发光层15、空穴阻挡层16、电子传输层17、电子注入层18及阴极层19；所述p型层13包括设置在所述空穴注入层表面12的空穴传输层131，以及设置在所述空穴传输层131表面的p型材料层132。

对于上述有机电致发光器件，其阳极基底11可以选自铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺铝氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO)。

上述有机电致发光器件中，各功能层的材料如下：

所述空穴注入层12的材料采用三氧化钼(MoO₃)、三氧化钨(WO₃)、五氧化二钒(V₂O₅)或酞菁铜(CuPc)，优选为MoO₃；该空穴注入层厚度为20-80nm，优选厚度为40nm；

所述空穴传输层131的材料选自4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)；该空穴传输层的厚度为10-60nm；

所述p型材料层132的材料选自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4′，4″-三(萘基-苯基-铵)三苯胺(NATA)、4，4′，4″-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(1T-NATA)和4，4′，4″-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺(2T-NATA)；该p型材料层的厚度为1-5nm；

所述电子阻挡层14的材料为4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺(NPB)；该所述电子阻挡层的厚度为1-10nm；

所述发光层15的材料为9，10-二-β-亚萘基蒽(AND)、8-羟基喹啉铝(Alq₃)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)₂(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)₃)的一种或两种以上的混合材料；所述发光层的材料也可以是上述空穴传输层的材料或者电子传输层的材料(如，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq₃)、、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI))的一种或两种以上进行混合材料，其掺杂比例为1％-20％；所述发光层的材料优选为Alq₃；所述发光层的厚度为2-50nm，优选厚度为30nm；

所述空穴阻挡层16的材料与电子传输层17的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq₃)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)；其中，所述空穴阻挡层的材料优选为TPBi；所述空穴阻挡层的厚度为1-10nm，优选厚度为5nm；所述电子传输层的材料优选为Bphen，所述电子传输层的厚度为40-80nm，优选厚度为60nm；

所述电子注入层18的材料为Cs₂CO₃、CsN₃、LiF、CsF、CaF₂、MgF₂或者NaF；此时，该电子注入层的厚度为0.5-5nm；

所述电子注入层18的材料也可以是Cs₂CO₃、CsN₃、LiF、CsF、CaF₂、MgF₂或者NaF与电子传输层的材料(如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq₃)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI))组成的掺杂混合材料(其中，主体材料为电子传输层的材料，掺杂材料为电子注入层的材料；掺杂材料的掺杂质量百分比为4～40％)，掺杂比例为20-60％；此时，所述电子注入层18的材料优选Bphen：CsN₃；该Bphen：CsN₃中，Bphen为主体材料，CsN₃为掺杂材料；优选CsN₃的掺杂质量百分比为20％；所述电子注入层为20～60nm，优选厚度为40nm；

所述阴极层19的材料为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)；所述阴极层的厚度为80-250nm。

上述有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：

S1、将阳极基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除阳极基底表面的有机污染物，干燥阳极基底，备用；

S2、采用蒸镀工艺，在所述阳极基底的阳极层上蒸镀空穴注入层；

S3、采用蒸镀工艺，在所述空穴注入层表面依次层叠蒸镀空穴传输层和p型材料层组成的p型层；

S4、采用蒸镀工艺，在所述p型层的表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；

上述工艺步骤完后，制得所述有机电致发光器件。

上述有机电致发光器件的制备方法，为了获得更好的层叠粘附效果，在所述步骤S1结束后，还需要对阳极基底上的阳极层的表面进行刻蚀处理，处理过程如下：

将清洗干净后的阳极基底的阳极层氧等离子处理时间为5-15min，等离子处理的功率为10-50W。

本发明提供的有机电致发光器件，其通过将p型材料层和空穴传输层分别单独蒸镀制备在有机电致发光器件中；由于一般空穴传输层材料的HOMO能级都在5.0-5.5eV左右，而p型材料层材料的LUMO能级在4.5-4.7eV左右，且一个是容易给空穴的材料(空穴传输材料)，一个是容易得到空穴的材料(p型材料)；所以空穴可以通过HOMO能级传递到LUMO能级上，接着在发光层与电子进行复合，最终实现辐射发光，很大程度的提高了空穴注入与传输能力，最终提高了有机电致发光器件的发光效率；同时，p型层又因为是非共掺杂的分层蒸镀，因此，也简化了工序，有利于商业化的应用。

下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。

实施例1

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/MoO₃/(m-MTDATA/F4-TCNQ)/TAPC/Alq₃/TPBi/Bphen/Bphen：CsN₃/Ag。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、先将ITO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ITO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为5min，且氧等离子处理功率为50W；

2、在氧等离子处理的ITO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为MoO₃，厚度为40nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为m-MTDATA，厚度为20nm，p型材料层的材料为F4-TCNQ，厚度为2nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：TAPC、Alq₃、TPBi、Bphen、Bphen：CsN₃(其中，Bphen为主体材料，CsN₃为掺杂材料，CsN₃的掺杂质量百分比为20％)及Ag；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：5nm、30nm、5nm、60nm、40nm、150nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

实施例2

本实施例的有机电致发光器件的结构为：FTO/MoO₃/(TAPC/NATA)/m-MTDATA /AND/PBD /Alq₃/Cs₂CO₃/Al。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、将FTO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对FTO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，且氧等离子处理功率为10W；

2、在氧等离子处理的FTO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为MoO₃，厚度为80nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为TAPC，厚度为10nm，p型材料层的材料为NATA，厚度为1nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：m-MTDATA、AND、PBD、Alq₃、Cs₂CO₃及Al；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：1nm、2nm、1nm、80nm、3nm、250nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

实施例3

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ATO/WO₃/(TPD/2T-NATA)/TPD /Firpic：TPBi /TPBi /TAZ/CsN₃/Pt。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、将ATO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ATO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为10min，且氧等离子处理功率为20W；

2、在氧等离子处理的ATO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为WO₃，厚度为20nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为TPD，厚度为60nm，p型材料层的材料为2T-NATA，厚度为5nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：TPD、Firpic：TPBi(其中，Firpic为主体材料，TPBi掺杂材料，TPBi的掺杂质量百分比为20％)、TPBi、TAZ、CsN₃及Pt；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：10nm、20nm、10nm、40nm、0.5nm、80nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

实施例4

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/V₂O₅/(TCTA/1T-NATA)/NPB /Ir(ppy)₃：TCTA/TAZ /TPBi /LiF /Au。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、将ITO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ITO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为12min，且氧等离子处理功率为40W；

2、在氧等离子处理的ITO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为V₂O₅，厚度为30nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm，p型材料层的材料为1T-NATA，厚度为1.5nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：NPB、Ir(ppy)₃：TCTA(其中，Ir(ppy)₃为主体材料，TCTA掺杂材料，TCTA的掺杂质量百分比为8％)、TAZ、TPBi、LiF及Au；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：3nm、10nm、6nm、70nm、2nm、250nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

实施例5

本实施例的有机电致发光器件的结构为：IZO/WO₃/(NPB/2T-NATA)/TCTA/Ir(MDQ)₂(acac)：TPBi/Bphen/Bphen/CsF/Ag。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、将IZO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对IZO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为12min，且氧等离子处理功率为40W；

2、在氧等离子处理的IZO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为CuPc，厚度为70nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为NPB，厚度为40nm，p型材料层的材料为2T-NATA，厚度为4nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：TCTA、Ir(MDQ)₂(acac)：TPBi(其中，Ir(MDQ)₂(acac)为主体材料，TPBi掺杂材料，TPBi的掺杂质量百分比为20％)、Bphen、Bphen、CsF及Ag；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：4nm、2nm、6nm、70nm、5nm、100nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

实施例6

本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/MoO₃/(TAPC/NATA)/TAPC/Firpic：TAZ/PBD/Bphen/Alq₃：CaF₂/Ag。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、先将ITO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对ITO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为15min，且氧等离子处理功率为20W；

2、在氧等离子处理的ITO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为MoO₃，厚度为40nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为TAPC，厚度为50nm，p型材料层的材料为NATA，厚度为5nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：TAPC、Firpic：TAZ(其中，Firpic为主体材料，TAZ掺杂材料，TAZ的掺杂质量百分比为40％)、TPBi、Bphen、Alq₃：CaF₂(其中，Alq₃为主体材料，CaF₂为掺杂材料，CaF₂掺杂比例为40％)及Ag；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：3nm、15nm、8nm、50nm、20nm、150nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

实施例7

本实施例的有机电致发光器件的结构为：AZO/MoO₃/(TPD/NATA)/TAPC/Ir(MDQ)₂(acac)：PBD/TPBi/Bphen/CaF₂/Ag。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、先将AZO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对AZO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为7min，且氧等离子处理功率为40W；

2、在氧等离子处理的AZO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为MoO₃，厚度为40nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为TPD，厚度为50nm，p型材料层的材料为NATA，厚度为5nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：TAPC、Ir(MDQ)₂(acac)：PBD(其中，Ir(MDQ)₂(acac)为主体材料，PBD掺杂材料，PBD的掺杂质量百分比为4％)、TPBi、Bphen、CaF₂及Ag；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：3nm、15nm、8nm、50nm、20nm、150nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

实施例8

本实施例的有机电致发光器件的结构为：IZO/MoO₃/(TAPC/2T-NATA)/TAPC/FIrpic：TAPC /TPBi/Bphen/MgF₂/Ag。

该有机电致发光器件的制备工艺如下：

1、先将IZO依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后对IZO表面的阳极层进行氧等离子处理，氧等离子处理时间为7min，且氧等离子处理功率为40W；

2、在氧等离子处理的IZO表面的阳极层上蒸镀空穴注入层，材料为MoO₃，厚度为40nm；

3、在空穴注入层表面蒸镀p型层：其中，空穴传输层的材料为TPD，厚度为15nm，p型材料层的材料为2T-NATA，厚度为5nm；

4、在p型层的p型材料层表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层分别为：TAPC、FIrpic：TAPC(其中，FIrpic为主体材料，TAPC掺杂材料，TAPC的掺杂质量百分比为15％)、TPBi、Bphen、MgF₂及Ag；电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层的厚度分别为：3nm、10nm、8nm、50nm、20nm、150nm；

上述制备工艺完善后，得到所需要的有机电致发光器件。

附图3是实施例1的制备的有机电致发光器件(结构为：ITO/MoO₃/(m-MTDATA/F4-TCNQ)/TAPC/Alq₃/TPBi/Bphen/Bphen：CsN₃/Ag)与对比例有机电致发光器件(结构为：ITO/MoO₃/NPB/TAPC/Alq₃/TPBi/Bphen/Bphen：CsN₃/Ag)的电流效率与电流密度关系图；其中，曲线1表示实施例1制得有机电致发光器件的电流效率与电流密度曲线，曲线2表示对比例的有机电致发光器件的电流效率与电流密度曲线。

图4为实施例1的有机电致发光器件与对比例有机电致发光器件的流明效率与亮度关系图；其中，曲线1表示实施例1制得有机电致发光器件的流明效率与亮度曲线，曲线2表示对比例的有机电致发光器件的流明效率与亮度曲线。

上述电流密度与电压的测试，采用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强＜1×10^-3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号：2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号：PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学，型号：ST-86LA)。。

从图3中可以看到，实施例1制得的有机电致发光器件的最大电流效率(22.7cd/A)比对比例的有机电致发光器件的最大电流效率要大(18.6cd/A)；而从附图4中可以看到，实施例1制得的有机电致发光器件的最大流明效率为11.1 lm/W，而对比例的有机电致发光器件的最大流明效率仅为8.6lm/W；因此，本发明的有机电致发光器件采用的非掺杂p型结构，有效的提高了空穴注入与传输速率进行了调控，使空穴-电子的复合几率大大提高，最终提高了其发光效率。

应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，该有机电致发光器件包括依次叠层的阳极基底、空穴注入层、p型层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；所述p型层包括设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层，以及设置在所述空穴传输层表面的p型材料层。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝氧化锌玻璃或掺铟氧化锌玻璃。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料采用三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒或酞菁铜。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺；所述p型材料层的材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4′，4″-三(萘基-苯基-铵)三苯胺、4，4′，4″-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺和4，4′，4″-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为9，10-二-β-亚萘基蒽、8-羟基喹啉铝、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料与空穴阻挡层的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为Cs₂CO₃、CsN₃、LiF、CsF、CaF₂、MgF₂或者NaF。

9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层的材料为银、铝、铂或金。

10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、清洗、干燥阳极基底；

S2、在所述阳极基底的阳极层上蒸镀空穴注入层；

S3、在所述空穴注入层表面依次层叠蒸镀由空穴传输层和p型材料层组成的p型层；

S4、在所述p型层的表面依次层叠蒸镀电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极层；

上述工艺步骤完后，制得所述有机电致发光器件。

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