CN103682164A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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王平
黄辉
张振华
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、量子阱层、电子注入层及阴极，量子阱层包括依次层叠的至少两层金属化合物层及设置于相邻的两层金属化合物层之间的电子传输层，电子传输层的主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑，电子传输层的掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
但是在有机小分子材料中，空穴传输速率比电子传输速率要高两个数量级以上，因此，往往导致空穴与电子的复合几率低下，从而降低了有机电致发光器件的发光效率。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、量子阱层、电子注入层及阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层金属化合物层及设置于相邻的两层金属化合物层之间的电子传输层，所述金属化合物层的材料选自氧化锌、二氧化钛、硫化锌及硫化镉中的至少一种，所述电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的掺杂材料，所述主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑，所述掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述金属化合物层的厚度为2nm～40nm，所述电子传输层的厚度为2nm～40nm。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
在其中一个实施例中，所述电子传输层中所述掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。
在其中一个实施例中，所述发光层的材料选自4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羟基喹啉铝中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层及发光层；
在所述发光层表面蒸镀形成量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层金属化合物层及设置于相邻的两层金属化合物层之间的电子传输层，所述金属化合物层的材料选自氧化锌、二氧化钛、硫化锌及硫化镉中的至少一种，所述电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的掺杂材料，所述主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑，所述掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种；及
在所述量子阱层表面依次形成电子注入层及阴极。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
在其中一个实施例中，所述金属化合物层的厚度为2nm～40nm，所述电子传输层的厚度为2nm～40nm。
在其中一个实施例中，所述电子传输层中所述掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。
上述有机电致发光器件及其制备方法，由掺杂的电子传输材料与金属化合物组成量子阱，电子传输层为量子阱势阱，金属化合物层为势垒，电子传输层的LUMO能级约为-2.7eV，而金属化合物的功函约为-2.0eV左右，这样，可对电子传输形成一个势阱，调节电子的传输速率，电子传输层中的掺杂材料具有一定的电子传输能力，当电子达到电子传输层后可以快速的传输到金属化合物层中，使电子的传输速度与空穴传输速率相匹配，从而提高激子复合几率，最终使有机电致发光器件的发光效率较高；电子传输层中的掺杂材料为玻璃化温度低于100℃的结晶性材料，通过结晶，形成有序排列的链段晶体结构，使分子结构排列整齐，形成一定的表面形态，可对光线进行一定的散射，同时量子阱层可以降低有机电致发光器件表面等离子波的损失，改变光波的传输方向，使光波与金属的自由电子的耦合降低，进一步提高发光效率及色纯度。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流效率与电流密度关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、量子阱层50、电子注入层60及阴极70。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO），优选为ITO。
空穴注入层20形成于阳极10表面。空穴注入层20的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为40nm。
空穴传输层30形成于空穴注入层20的表面。空穴传输层30的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm，优选为40nm。
发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40的材料选自4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃（DCM）、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]（DPVBi）、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种。发光层40的厚度为0.5nm～40nm，优选为15nm。
量子阱层50形成于发光层40的表面。量子阱层50包括两个层叠的金属化合物层及设置于两个金属化合物层之间的电子传输层。金属化合物层的材料选自氧化锌（ZnO）、二氧化钛（TiO2）、硫化锌（ZnS）及硫化镉（CdS）中的至少一种。电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的掺杂材料。主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种。掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种。电子传输层中掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。金属化合物层的厚度为2nm～40nm。电子传输层的厚度为2nm～40nm。需要说明的是，两个金属化合物层的材料可以相同也可以不同。
量子阱层50中金属化合物层为势阱，电子传输层的LUMO能级约为-2.7eV，而金属化合物的功函约为-2.0eV左右，这样，可对电子传输形成一个势阱，调节电子的传输速率。
变化量子阱层50中金属化合物层及电子传输层的层数则可以对电子传输速率进行调控，最终提高激子的复合几率，此时量子阱层50包括两个以上的金属化合物层，相邻的两个金属化合物层之间设有电子传输层，即金属化合物层/[电子传输层/金属化合物层]n。优选的，电子传输层的层数n即量子阱层50的周期数为大于等于1且小于等于5的整数。
电子注入层60形成于量子阱层50表面。电子注入层60的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF），优选为LiF。电子注入层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。
阴极70形成于电子注入层60表面。阴极70的材料为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），优选为Ag。阴极70的厚度为80nm～300nm，优选为100nm。
上述有机电致发光器件100通过设置量子阱层50，由掺杂的电子传输材料与金属化合物组成量子阱，电子传输层为量子阱势阱，金属化合物层为势垒，电子传输层的LUMO能级约为-2.7eV，而金属化合物的功函约为-2.0eV左右，这样，可对电子传输形成一个势阱，调节电子的传输速率，电子传输层中的掺杂材料具有一定的电子传输能力，当电子达到电子传输层后可以快速的传输到金属化合物层中，使电子的传输速度与空穴传输速率相匹配，从而提高激子复合几率，最终使有机电致发光器件的发光效率较高；电子传输层中的掺杂材料为玻璃化温度低于100℃的结晶性材料，通过结晶，形成有序排列的链段晶体结构，使分子结构排列整齐，形成一定的表面形态，可对光线进行一定的散射，同时量子阱层可以降低有机电致发光器件表面等离子波的损失，改变光波的传输方向，使光波与金属的自由电子的耦合降低，进一步提高发光效率及色纯度。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极10表面依次形成空穴注入层20、空穴传输层30及发光层40。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO），优选为ITO。
本实施方式中，在阳极10表面形成空穴注入层20、空穴传输层30及发光层40之前先对阳极10进行前处理，前处理包括去除阳极10表面的有机污染物及对阳极10进行等氧离子处理。将阳极10进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极10表面的有机污染物；对阳极10进行等氧离子处理时间为5min～15min，功率为10～50W。
空穴注入层20形成于阳极10的表面。空穴注入层20由蒸镀制备。空穴注入层20的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为40nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～2×10-5Pa下，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
空穴传输层30形成于空穴注入层20的表面。空穴缓冲层30由蒸镀制备。空穴传输层30的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm，优选为40nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～2×10-5Pa下，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40由蒸镀制备。发光层40的材料选自4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃（DCM）、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]（DPVBi）、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种。发光层40的厚度为0.5nm～40nm，优选为15nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～2×10-5Pa下，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
步骤S120、在发光层40表面蒸镀形成量子阱层50。
量子阱层50形成于发光层40的表面。量子阱层50由蒸镀制备。量子阱层50包括两个层叠的金属化合物层及设置于两个金属化合物层之间的电子传输层。金属化合物层的材料选自氧化锌（ZnO）、二氧化钛（TiO2）、硫化锌（ZnS）及硫化镉（CdS）中的至少一种。电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的掺杂材料。主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种。掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种。电子传输层中掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。金属化合物层的厚度为2nm～40nm。电子传输层的厚度为2nm～40nm。需要说明的是，两个金属化合物层的材料可以相同也可以不同。蒸镀在真空压力为2×10-3～2×10-5Pa下，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
量子阱层50中金属化合物层为势阱，电子传输层的LUMO能级约为-2.7eV，而金属化合物的功函约为-2.0eV左右，这样，可对电子传输形成一个势阱，调节电子的传输速率。
变化量子阱层50中金属化合物层及电子传输层的层数则可以对电子传输速率进行调控，最终提高激子的复合几率，此时量子阱层50包括两个以上的金属化合物层，相邻的两个金属化合物层之间设有电子传输层，即金属化合物层/[电子传输层/金属化合物层]n。优选的，电子传输层的层数n即量子阱层50的周期数为大于等于1且小于等于5的整数。
步骤S130、在量子阱层50表面依次形成电子注入层60和阴极70。
电子注入层60形成于量子阱层50表面。电子注入层60由蒸镀制备。电子注入层60的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF），优选为LiF。电子注入层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。蒸镀在在真空压力为2×10-3-2×10-5Pa下，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
阴极70形成于电子注入层60表面。阴极70由蒸镀制备。阴极70的材料为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），优选为Ag。阴极70的厚度为80nm～300nm，优选为100nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～2×10-5Pa下，蒸镀速率为5～10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单，制备的有机电致发光器件的发光效率较高；电子传输层中的掺杂材料为玻璃化温度低于100℃的结晶性材料，蒸镀后掺杂材料结晶，形成有序排列的链段晶体结构，使分子结构排列整齐，形成一定的表面形态，可对光线进行一定的散射，同时量子阱层可以降低有机电致发光器件表面等离子波的损失，改变光波的传输方向，使光波与金属的自由电子的耦合降低，进一步提高发光效率及色纯度。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa）、电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2602）、电致发光光谱测试仪（美国photo research公司，型号：PR650）以及屏幕亮度计（北京师范大学，型号：ST-86LA）。
实施例1
本实施例制备的结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3/(ZnS/TPBi:PBD/ZnO/TPBi:PBD/ZnS/TPBi:PBD/ZnO)/LiF/Ag的有机电致发光器件。
先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；蒸镀空穴注入层，材料为MoO3，厚度为40nm；蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为40nm；蒸镀发光层，材料为Alq3，厚度为20nm；蒸镀量子阱层，结构为ZnS/TPBi:PBD/ZnO/TPBi:PBD/ZnS/TPBi:PBD/ZnO，ZnS的厚度为20nm，ZnO的厚度为10nm，TPBi:PBD的厚度为5nm，TPBi:PBD中PBD的质量百分含量为15%；蒸镀电子注入层，材料为LiF，厚度为0.7nm；蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为100nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为5×10-4Pa下，有机材料蒸镀速率为1nm/s，金属阴极蒸镀速率为10nm/s。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为ITO/MoO3/NPB/Alq3/(ZnS/TPBi:PBD/ZnO/TPBi:PBD/ZnS/TPBi:PBD/ZnO)/LiF/Ag的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为ITO/NPB/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件（曲线2）的电流效率与电流密度的关系。对比例制备的有机电致发光器件中NPB、Alq3、LiF和Ag的厚度与实施例1是一样的，TAZ为电子传输层，厚度为50nm。
从图上可以看到，在不同的电流密度下，实施例1的电流效率都比对比例的要大，实施例1制备的有机电致发光器件的最大的电流效率为39cd/A，而对比例的仅为28.7cd/A，这就说明，当采用本发明的量子阱结构时，对电子传输速率进行了调控，使空穴的传输速率与电子的传输速率匹配，从而提高空穴-电子的复合几率，最终提高了发光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的电流效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的电流效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备的结构为IZO/WO3/TCTA/DPVBi/(CdS/Bphen:OXD-7/CdS)/CsF/Al的有机电致发光器件。
先将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为20nm；蒸镀空穴传输层，材料为TCTA，厚度为60nm；蒸镀发光层，材料为DPVBi，厚度为40nm；蒸镀制备量子阱，结构为CdS/Bphen:OXD-7/CdS，CdS的厚度为40nm，Bphen:OXD-7的厚度为40nm，Bphen:OXD-7中OXD-7的质量分数为20%；蒸镀电子注入层，材料为CsF，厚度为0.5nm；蒸镀阴极，材料为Al，厚度为300nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa下，有机材料蒸镀速率为0.1nm/s，金属阴极蒸镀速率为5nm/s。
实施例3
本实施例制备的结构为ITO/V2O5/TAPC/BCzVBi/(ZnO/TAZ:BCP/CdS/TAZ:BCP/ZnO/TAZ:BCP/CdS/TAZ:BCP/ZnO/TAZ:BCP/CdS)/CsN3/Pt的有机电致发光器件。
先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5，厚度为80nm；蒸镀空穴传输层，材料为TAPC，厚度为20nm；蒸镀发光层，材料为BCzVBi，厚度为35nm；蒸镀制备量子阱，结构为ZnO/TAZ:BCP/CdS/TAZ:BCP/ZnO/TAZ:BCP/CdS/TAZ:BCP/ZnO/TAZ:BCP/CdS，ZnO的厚度为40nm，CdS的厚度为25nm，TAZ:BCP的厚度为30nm，BCP的质量分数为5%；蒸镀电子注入层，材料为CsN3，厚度为5nm；蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为80nm。最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为2×10-5Pa下，有机材料蒸镀速率为1nm/s，金属阴极蒸镀速率为10nm/s。
实施例4
本实施例制备的结构为AZO/MoO3/NPB/DCM/(ZnO/TPBi:BCP/TiO2/TPBi:BCP/ZnO/TPBi:BCP/TiO2/TPBi:BCP/ZnO)/Cs2CO3/Au的有机电致发光器件。
先将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；蒸镀空穴注入层，材料为MoO3，厚度为55nm；蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为70nm；蒸镀发光层，材料为DCM，厚度为0.5nm；蒸镀制备量子阱，结构为ZnO/TPBi:BCP/TiO2/TPBi:BCP/ZnO/TPBi:BCP/TiO2/TPBi:BCP/ZnO，ZnO的厚度为2nm，TiO2的厚度为15nm，TPBi:BCP的厚度为2nm，TPBi:BCP中BCP的质量分数为10%；蒸镀电子注入层，材料为Cs2CO3，厚度为2nm；蒸镀阴极，材料为Au，厚度为100nm。最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为3×10-4Pa下，有机材料蒸镀速率为0.8nm/s，金属阴极蒸镀速率为8nm/s。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层及阴极，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括形成于所述发光层及所述电子注入层之间的量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层金属化合物层及设置于相邻的两层金属化合物层之间的电子传输层，所述金属化合物层的材料选自氧化锌、二氧化钛、硫化锌及硫化镉中的至少一种，所述电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的掺杂材料，所述主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑，所述掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属化合物层的厚度为2nm～40nm，所述电子传输层的厚度为2nm～40nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层中所述掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羟基喹啉铝中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面依次形成空穴注入层、空穴传输层及发光层；
在所述发光层表面蒸镀形成量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层金属化合物层及设置于相邻的两层金属化合物层之间的电子传输层，所述金属化合物层的材料选自氧化锌、二氧化钛、硫化锌及硫化镉中的至少一种，所述电子传输层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的掺杂材料，所述主体材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑，所述掺杂材料选自2-(4′-叔丁苯基)-5-(4′-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉及2,2′-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的至少一种；及
在所述量子阱层表面依次形成电子注入层及阴极。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述金属化合物层的厚度为2nm～40nm，所述电子传输层的厚度为2nm～40nm。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层中所述掺杂材料的质量百分含量为5%～20%。
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