CN103682109A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、量子阱层、电子注入层及阴极，量子阱层包括依次层叠的至少两层电子传输层及设置于相邻的两层电子传输层之间的发光层，电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在电子传输材料中的有机结晶材料，有机结晶材料选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]及双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
但是在有机小分子材料中，空穴传输速率比电子传输速率要高两个数量级以上，因此，往往导致空穴与电子的复合几率低下，从而降低了有机电致发光器件的发光效率。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、量子阱层、电子注入层及阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层电子传输层及设置于相邻的两层电子传输层之间的发光层，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的有机结晶材料，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述有机结晶材料选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]及双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羟基喹啉铝中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的厚度为2nm~40nm，所述发光层的厚度为2nm~40nm。
在其中一个实施例中，所述发光层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
在其中一个实施例中，所述电子传输层中的所述有机结晶材料的质量百分含量为5%~20%。
在其中一个实施例中，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述阴极的材料为银、铝、铂或金。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面蒸镀形成量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层电子传输层及设置于相邻的两层电子传输层之间的发光层，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的有机结晶材料，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述有机结晶材料选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]及双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羟基喹啉铝中的至少一种；
在所述量子阱层表面形成电子注入层；及
在所述电子注入层表面形成阴极。
在其中一个实施例中，所述发光层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
在其中一个实施例中，所述电子传输层中的所述有机结晶材料的质量百分含量为5%~20%。
在其中一个实施例中，所述电子传输层的厚度为2nm~40nm，所述发光层的厚度为2nm~40nm。
上述有机电致发光器件及其制备方法，由掺杂的电子传输材料与发光材料组成量子阱，电子传输层为量子阱势垒，发光层为量子阱势阱，发光材料的HOMO能级比电子传输材料的要高，可对空穴传输形成一个势阱，使空穴限制在发光层中与电子复合发光，电子传输材料则可以进一步提高电子传输速率，使电子的传输速度与空穴传输速率相匹配，从而提高激子复合几率，最终使有机电致发光器件的发光效率较高；电子传输层中的有机结晶材料通过结晶，形成有序排列的链段晶体结构，可对光线进行一定的散射，进一步提高出光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极20、量子阱层30、电子注入层40及阴极50。
阳极20为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO），优选为ITO。
量子阱层30形成于阳极20表面。本实施方式中，量子阱层30包括两个层叠的电子传输层及设置于两个电子传输层之间的发光层。
电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在电子传输材料中的有机结晶材料。电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种。有机结晶材料选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]（OXD-7）及双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝（BAlq）中的至少一种。电子传输层中的有机结晶材料的质量百分含量为5%~20%。电子传输层的厚度为2nm~40nm。
发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃（DCM）、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]（DPVBi）、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种。发光层的厚度为2nm~40nm。
需要说明的是，两个电子传输层的材料可以相同也可以不同。
量子阱层30由掺杂的电子传输材料与发光材料组成，电子传输层为量子阱势垒，发光层为量子阱势阱，发光材料的HOMO能级比电子传输材料的要高，可对空穴传输形成一个势阱，使空穴限制在发光层中与电子复合发光，电子传输材料则可以进一步提高电子传输速率，使电子的传输速度与空穴传输速率相匹配，从而提高激子复合几率。
变化量子阱层30中电子传输层及发光层的层数则可以对空穴传输速率进行调控，最终提高激子的复合几率，此时量子阱层30包括两个以上的电子传输层，相邻的两个电子传输层之间设有发光层，即电子传输层/[发光层/电子传输层]n。优选的，发光层的层数n即量子阱层30的周期数为大于等于1且小于等于5的整数。
电子注入层40形成于量子阱层30表面。电子注入层40的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF），优选为LiF。电子注入层40的厚度为0.5nm~10nm，优选为0.7nm。
阴极50形成于电子注入层40表面。阴极50的材料为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），优选为Ag。阴极50的厚度为80nm~300nm，优选为100nm。
上述有机电致发光器件100通过设置量子阱层30，电子传输层为量子阱势垒，发光层为量子阱势阱，发光材料的HOMO能级比电子传输材料的要高，可对空穴传输形成一个势阱，使空穴限制在发光层中与电子复合发光，电子传输材料则可以进一步提高电子传输速率，使电子的传输速度与空穴传输速率相匹配，从而提高激子复合几率。由于电子传输层中的有机结晶材料为结晶性材料，通过结晶可以形成有序排列的链段晶体结构，对光线具有散射作用，使光线通过结晶结构进行反射和散射，可进一步提高有机电致发光器件100的出光效率。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极20表面形成量子阱层30。
阳极20为铟锡氧化物玻璃（ITO）、掺氟的氧化锡玻璃（FTO），掺铝的氧化锌玻璃（AZO）或掺铟的氧化锌玻璃（IZO），优选为ITO。
本实施方式中，对阳极20前处理包括去除阳极20表面的有机污染物及对阳极20进行等氧离子处理。将阳极20进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极20表面的有机污染物；对阳极20进行等氧离子处理时间为5min~15min，功率为10~50W。
量子阱层30由蒸镀制备。本实施方式中，量子阱层30包括两个层叠的电子传输层及设置于两个电子传输层之间的发光层。蒸镀在真空压力为2×10-3~2×10-5Pa下，蒸镀速率为0.1~1nm/s。
电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在电子传输材料中的有机结晶材料。电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种。有机结晶材料选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉（BCP）、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]（OXD-7）及双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝（BAlq）中的至少一种。电子传输层中的有机结晶材料的质量百分含量为5%~20%。电子传输层的厚度为2nm~40nm。
发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃（DCM）、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]（DPVBi）、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种。发光层的厚度为2nm~40nm。
需要说明的是，两个电子传输层的材料可以相同也可以不同。
量子阱层30由掺杂的电子传输材料与发光材料组成，电子传输层为量子阱势垒，发光层为量子阱势阱，发光材料的HOMO能级比电子传输材料的要高，可对空穴传输形成一个势阱，使空穴限制在发光层中与电子复合发光，电子传输材料则可以进一步提高电子传输速率，使电子的传输速度与空穴传输速率相匹配，从而提高激子复合几率。
变化量子阱层30中电子传输层及发光层的层数则可以对空穴传输速率进行调控，最终提高激子的复合几率，此时量子阱层30包括两个以上的电子传输层，相邻的两个电子传输层之间设有发光层，即电子传输层/[发光层/电子传输层]n。优选的，发光层的层数n即量子阱层30的周期数为大于等于1且小于等于5的整数。
步骤S120、在量子阱层30表面形成电子注入层40。
电子注入层40由蒸镀形成。电子注入层40的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF），优选为LiF。电子注入层40的厚度为0.5nm~10nm，优选为0.7nm。蒸镀在真空压力为2×10-3~2×10-5Pa下，蒸镀速率为0.1~1nm/s。
步骤S130、在电子注入层40表面形成阴极50。
阴极50由蒸镀形成。阴极50的材料为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），优选为Ag。阴极50的厚度为80nm~300nm，优选为100nm。蒸镀在真空压力为2×10-3-2×10-5Pa下，蒸镀速率为5~10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单，制备的有机电致发光器件的发光效率较高。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜设备（沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa）、电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2602）、电致发光光谱测试仪（美国photo research公司，型号：PR650）以及屏幕亮度计（北京师范大学，型号：ST-86LA）。
实施例1
本实施例制备的结构为ITO/(TAZ:BAlq/Alq3/TPBi:PBD/Alq3/TAZ:BAlq/Alq3/TPBi:PBD)/LiF/Ag的有机电致发光器件。先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；然后蒸镀制备掺杂量子阱，结构为TAZ:BAlq/Alq3/TPBi:PBD/Alq3/TAZ:BAlq/Alq3/TPBi:PBD，其中，Alq3的厚度为10nm，TAZ:BAlq的厚度为10nm，TPBi:PBD的厚度为10nm，TAZ:BAlq中BAlq的质量分数为10％，TPBi:PBD中的PBD的质量份数为15%；蒸镀电子注入层，材料为LiF，厚度为0.7nm；蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为100nm，最后得到所需要的无机量子阱有机电致发光器件。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa下，有机材料蒸镀速率为0.5nm/s，金属阴极蒸镀速率为7nm/s。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为ITO/(TAZ:BAlq/Alq3/TPBi:PBD/Alq3/TAZ:BAlq/Alq3/TPBi:PBD)/LiF/Ag的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为ITO/NPB/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件（曲线2）的亮度与流明效率的关系。对比例制备有机电致发光器件中NPB为40nm，Alq3厚度与实施例1一样，TAZ厚度为60nm，LiF与Ag的厚度与实施例1一样。
从图上可以看到，在不同的亮度下，实施例1的电流效率都比对比例的要大，实施例1制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为29.4lm/W，而对比例的仅为19.2lm/W，这就说明，当采用本发明的量子阱结构时，可以提高空穴-电子的复合几率，最终提高了有机电致发光器件的发光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的电流效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备的结构为IZO/（Bphen:BCP/DPVBi/Bphen:PBD）/CsF/Al的有机电致发光器件。
先将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；蒸镀制备量子阱，结构为Bphen:BCP/DPVBi/Bphen:PBD，Bphen:BCP厚度为40nm，DPVBi的厚度为2nm，Bphen:PBD厚度为40nm，BCP质量分数为5%，PBD的质量分数为5%；蒸镀电子注入层，材料为CsF，厚度为0.5nm；蒸镀阴极，材料为Al，厚度为300nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为2×10-5Pa下，有机材料蒸镀速率为0.1nm/s，金属阴极蒸镀速率为5nm/s。
实施例3
本实施例制备的结构为ITO/（TPBi:OXD-7/DCM/Bphen:OXD-7/DCM/TPBi:OXD-7）/CsN3/Pt的有机电致发光器件。
先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；蒸镀制备量子阱，结构为TPBi:OXD-7/DCM/Bphen:OXD-7/DCM/TPBi:OXD-7，TPBi:OXD-7厚度为2nm，DCM的厚度为2nm，Bphen:OXD-7厚度为5nm。TPBi:OXD-7中的OXD-7质量分数为20%，Bphen:OXD-7中的OXD-7的质量分数为10%；蒸镀电子注入层，材料为CsN3，厚度为5nm；蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为80nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为5×10-4Pa下，有机材料蒸镀速率为1nm/s，金属阴极蒸镀速率为10nm/s。
实施例4
本实施例制备的结构为AZO/（TAZ:OXD-7/DPVBi/Bphen:BAlq/DPVBi/TAZ:OXD-7/DPVBi//Bphen:BAlq/DPVBi/TAZ:OXD-7/DPVBi/Bphen:BAlq）/Cs2CO3/Au的有机电致发光器件。
先将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理：氧等离子处理，处理时间为5min，功率为30W；蒸镀制备量子阱，结构为TAZ:OXD-7/DPVBi/Bphen:BAlq/DPVBi/TAZ:OXD-7/DPVBi/Bphen:BAlq/DPVBi/TAZ:OXD-7/DPVBi/Bphen:BAlq），TAZ:OXD-7厚度为18nm，DPVBi的厚度为40nm，Bphen:BAlq厚度为25nm，TAZ:OXD-7中OXD-7的质量分数为8%，Bphen:BAlq中BAlq的质量分数为5%；蒸镀电子注入层，材料为Cs2CO3，厚度为2nm；蒸镀阴极，材料为Au，厚度为100nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为3×10-4Pa下，有机材料蒸镀速率为0.2nm/s，金属阴极蒸镀速率为8nm/s。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、量子阱层、电子注入层及阴极，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层电子传输层及设置于相邻的两层电子传输层之间的发光层，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的有机结晶材料，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述有机结晶材料选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]及双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羟基喹啉铝中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为2nm~40nm，所述发光层的厚度为2nm~40nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层中的所述有机结晶材料的质量百分含量为5%~20%。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材料为银、铝、铂或金。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面蒸镀形成量子阱层，所述量子阱层包括依次层叠的至少两层电子传输层及设置于相邻的两层电子传输层之间的发光层，所述电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的有机结晶材料，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种，所述有机结晶材料选自2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-恶二唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]及双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种，所述发光材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、4-（二腈亚甲叉）-2-甲基-6-（4-二甲胺基-苯乙烯）-4H-吡喃、[4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯]、双[9-乙基-3,3’-(1,4-苯基二-2,1-乙烯基)-H-咔唑及八羟基喹啉铝中的至少一种；
在所述量子阱层表面形成电子注入层；及
在所述电子注入层表面形成阴极。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述发光层的层数为大于等于1且小于等于5的整数。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层中的所述有机结晶材料的质量百分含量为5%~20%。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层的厚度为2nm~40nm，所述发光层的厚度为2nm~40nm。
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