CN104183731A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104183731A
CN104183731A CN201310196323.8A CN201310196323A CN104183731A CN 104183731 A CN104183731 A CN 104183731A CN 201310196323 A CN201310196323 A CN 201310196323A CN 104183731 A CN104183731 A CN 104183731A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
thickness
evaporation
electroluminescence device
organic electroluminescence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310196323.8A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
王平
黄辉
陈吉星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310196323.8A priority Critical patent/CN104183731A/zh
Publication of CN104183731A publication Critical patent/CN104183731A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层包括n型层，中间层及p型层，所述n型层材料为铯盐，中间层材料为掺杂有镧系氧化物的金属，p型层为酞菁类金属化合物，上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。然而，目前有机电致发光器件的发光效率较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层包括n型层，中间层及p型层，所述n型层材料为铯盐，中间层材料为掺杂有镧系氧化物的金属，p型层为酞菁类金属化合物，其中，所述铯盐选自碳酸铯、叠氮铯、氟化铯及氯化铯中至少一种，所述镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种，所述镧系氧化物与所述金属之间的质量比为1:20～1:5，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种。
所述n型层的厚度为1nm～10nm，所述中间层厚度为5nm～20nm，所述p型层的厚度为20nm～50nm。
所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
所述第一电子传输层及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；
在所述第一电子传输层表面蒸镀制备电荷产生层，所述电荷产生层包括n型层，中间层及p型层，所述n型层材料为铯盐，中间层材料为掺杂有镧系氧化物的金属，p型层为酞菁类金属化合物，其中，所述铯盐选自碳酸铯、叠氮铯、氟化铯及氯化铯中至少一种，所述镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种，所述镧系氧化物与所述金属之间的质量比为1:20～1:5，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s；及
在所述电荷产生层表面依次蒸镀形成第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极。
所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
所述n型层的厚度为1nm～10nm，所述中间层厚度为5nm～20nm，所述p型层的厚度为20nm～50nm。
在所述阳极表面形成空穴注入层之前先对阳极进行前处理，前处理包括：将阳极进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极表面的有机污染物。
上述有机电致发光器件及其制备方法，电荷产生层由包括n型层，中间层及p型层形成，其中，n型层材料为铯盐，铯盐具有较高的功函数，具有较强的电子注入能力，能够减少电荷产生层与电子传输层之间的势垒，提高电子的注入能力，中间层采用掺杂有镧系氧化物的金属，可以同时提高空穴与电子的再生能力，使发光层的空穴和电子对增加，提高激子的复合几率，p型层采用酞菁类化合物，其能级与空穴传输层的HOMO能级匹配，可减小空穴注入势垒，提高空穴的注入能力，有利于空穴的注入，有利于载流子的传输，这种电荷产生层可有效提高有机电致发光器件的发光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层20、第一空穴传输层32、第一发光层34、第一电子传输层36、电荷产生层40、第二空穴传输层52、第二发光层54、第二电子传输层56、电子注入层60和阴极70，电荷产生层40包括n型层401，中间层402及p型层403。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为ITO。
空穴注入层20形成于阳极10表面。空穴注入层20的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为30nm。
第一空穴传输层32形成于空穴注入层20的表面。第一空穴传输层32的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。第一空穴传输层32的厚度为20nm～60nm，优选为25nm。
第一发光层34形成于第一空穴传输层32的表面。第一发光层34的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为20nm。
第一电子传输层36形成于第一发光层32的表面。第一电子传输层36的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。第一电子传输层36的厚度为40nm～300nm，优选为100nm。
电荷产生层40形成于第一电子传输层36的表面。电荷产生层40，电荷产生层40包括n型层401，中间层402及p型层403，n型401材料为铯盐，中间层402材料为掺杂有镧系氧化物的金属，p型层403为酞菁类金属化合物，所述铯盐选自碳酸铯（Cs2CO3）、叠氮铯（CsN3）、氟化铯（CsF）及氯化铯（CsCl）中至少一种，所述镧系氧化物选自二氧化镨（PrO2）、三氧化二镨（Pr2O3）、三氧化镱（Yb2O3）及氧化钐（Sm2O3）中至少一种，所述金属选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中至少一种，所述镧系氧化物与所述金属之间的质量比为1:20～1:5，所述酞菁类金属化合物选自酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）及酞菁钒（VPc）中至少一种。n型层401的厚度为1nm～10nm，所述中间层402厚度为5nm～20nm，所述p型层403的厚度为20nm～50nm。
第二空穴传输层52形成于电荷产生层40的表面。第二空穴传输层52的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TCTA。第二空穴传输层52的厚度为20nm～60nm，优选为40nm。
第二发光层54形成于第二空穴传输层52的表面。第二发光层54的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为20nm。
第二电子传输层56形成于第二发光层52的表面。第二电子传输层56的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。第二电子传输层56的厚度为40nm～300nm，优选为180nm。
电子注入层60形成于第二电子传输层56表面。电子注入层60的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为LiF。电子注入层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。
阴极70形成于电子注入层60表面。阴极70的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Al。阴极70的厚度为60nm～300nm，优选为200nm。
上述有机电致发光器件100，电荷产生层40由包括n型层401，中间层402及p型层403形成，其中，n型层401材料为铯盐，铯盐具有较高的功函数，具有较强的电子注入能力，能够减少电荷产生层与电子传输层之间的势垒，提高电子的注入能力，中间层402采用掺杂有镧系氧化物的金属，可以同时提高空穴与电子的再生能力，使发光层的空穴和电子对增加，提高激子的复合几率，p型层403采用酞菁类化合物，其能级与空穴传输层的HOMO能级匹配，可减小空穴注入势垒，提高空穴的注入能力，有利于空穴的注入，这种电荷产生层40可有效提高有机电致发光器件100的发光效率；同时有机电致发光器件100有两个发光单元，从而具有成倍的亮度和发光效率。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层20、第一空穴传输层32、第一发光层34及第一电子传输层36。
阳极10为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO），优选为ITO。
本实施方式中，在阳极10表面形成空穴注入层20之前先对阳极10进行前处理，前处理包括：将阳极10进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极10表面的有机污染物。
空穴注入层20形成于阳极10的表面。空穴注入层20由蒸镀制备。空穴注入层20的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层20的厚度为20nm～80nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第一空穴传输层32形成于空穴注入层20的表面。第一空穴传输层32由蒸镀制备。第一空穴传输层32的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TAPC。第一空穴传输层32的厚度为20nm～60nm，优选为50nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第一发光层34形成于第一空穴传输层32的表面。第一发光层34由蒸镀制备。第一发光层34的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为20nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第一电子传输层36形成于第一发光层32的表面。第一电子传输层36由蒸镀制备。第一电子传输层36的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为TAZ。第一电子传输层36的厚度为40nm～300nm，优选为100nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
步骤S120、在第一电子传输层36表面蒸镀制备电荷产生层40。
电荷产生层40形成于第一电子传输层36的表面，电荷产生层40包括n型层401，中间层402及p型层403，n型401材料为铯盐，中间层402材料为掺杂有镧系氧化物的金属，p型层403为酞菁类金属化合物，所述铯盐选自碳酸铯（Cs2CO3）、叠氮铯（CsN3）、氟化铯（CsF）及氯化铯（CsCl）中至少一种，所述镧系氧化物选自二氧化镨（PrO2）、三氧化二镨（Pr2O3）、三氧化镱（Yb2O3）及氧化钐（Sm2O3）中至少一种，所述金属选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中至少一种，所述镧系氧化物与所述金属之间的质量比为1:20～1:5，所述酞菁类金属化合物选自酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）及酞菁钒（VPc）中至少一种。n型层401的厚度为1nm～10nm，所述中间层402厚度为5nm～20nm，所述p型层403的厚度为20nm～50nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。
步骤S130、在电荷产生层表面依次蒸镀制备第二空穴传输层52、第二发光层54、第二电子传输层56、电子注入层60和阴极70。
第二空穴传输层52形成于氧化锌掺杂层403的表面。第二空穴传输层52的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TCTA。第二空穴传输层52的厚度为20nm～60nm，优选为40nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第二发光层54形成于第二空穴传输层52的表面。第二发光层54的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）及八羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为BCzVBi。发光层40的厚度为5nm～40nm，优选为20nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
第二电子传输层56形成于第二发光层52的表面。第二电子传输层56的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。第二电子传输层56的厚度为40nm～300nm，优选为180nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
电子注入层60形成于第二电子传输层56表面。电子注入层60的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为LiF。电子注入层60的厚度为0.5nm～10nm，优选为0.7nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
阴极70形成于电子注入层60表面。阴极70的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Al。阴极70的厚度为60nm～300nm，优选为150nm。蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单，制备的有机电致发光器件的发光效率较高。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
实施例1
本实施例制备的结构为ITO/MoO3/NPB/BCzVBi/TAZ/Cs2CO3/PrO2:Ag/CuPc/TCTA/BCzVBi/Bphen/LiF/Al的有机电致发光器件。其中，“/”表示层叠结构，“：”表示掺杂或混合，以下实施例相同。
先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层，材料为MoO3，厚度为30nm；蒸镀第一空穴传输层，材料为NPB，厚度为25nm；蒸镀第一发光层，材料为BCzVBi，厚度为20nm；蒸镀第一电子传输层，材料为TAZ，厚度为100nm；蒸镀电荷产生层，n型层为Cs2CO3，厚度为2nm，中间层材料为PrO2:Ag，PrO2与Ag质量比为3:20，厚度为10nm，p型层材料为CuPc，厚度为40nm；蒸镀第二空穴传输层，材料为TCTA，厚度为40nm；蒸镀第二发光层，材料为BCzVBi，厚度为20nm；蒸镀第二电子传输层，材料为Bphen，厚度为180nm；蒸镀电子注入层，材料为LiF，厚度为0.7nm；蒸镀阴极，材料为Al，厚度为200nm。最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为8×10-5Pa下进行，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为3nm/s。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为ITO/MoO3/NPB/BCzVBi/TAZ/Cs2CO3/PrO2:Ag/CuPc/TCTA/BCzVBi/Bphen/LiF/Al的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为ITO玻璃/MoO3/NPB/BCzVBi/Bphen/LiF/Al（曲线2）的电流密度与流明效率的关系。对比例制备的有机电致发光器件中各层厚度与实施例1制备的有机电致发光器件中各层厚度相同。
从图3可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1制备的有机电致发光器件的最大流明效率为5.9lm/W，而对比例制备的有机电致发光器件的流明效率仅为4.1lm/W，而且对比例的流明效率随着亮度的增大而快速下降，这说明，电荷产生层由包括n型层，中间层及p型层形成，其中，n型层材料为铯盐，铯盐具有较高的功函数，具有较强的电子注入能力，能够减少电荷产生层与电子传输层之间的势垒，提高电子的注入能力，中间层采用掺杂有镧系氧化物的金属，可以同时提高空穴与电子的再生能力，使发光层的空穴和电子对增加，提高激子的复合几率，p型层采用酞菁类化合物，其能级与空穴传输层的HOMO能级匹配，可减小空穴注入势垒，提高空穴的注入能力，有利于空穴的注入，提高出光效率，这种电荷产生层可有效提高有机电致发光器件的发光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备的结构为AZO/WO3/TCTA/ADN/TPBi/CsN3/Pr2O3:Al/ZnPc/NPB/ADN/TAZ/CsN3/Pt的有机电致发光器件。
先将AZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀制备空穴注入层，材料为WO3，厚度为80nm；蒸镀制备第一空穴传输层，材料为TCTA，厚度为60nm；蒸镀制备第一发光层，材料为ADN，厚度为5nm；蒸镀制备第一电子传输层，材料为TPBi，厚度为200nm；蒸镀电荷产生层，n型层为CsN3，厚度为10nm，中间层材料为Pr2O3:Al，Pr2O3与Al质量比为1:5，厚度为5nm，p型层为ZnPc，厚度为50nm；蒸镀制备第二空穴传输层，材料为NPB，厚度为20nm，第二发光层，材料为ADN，厚度为7nm；蒸镀制备第二电子传输层，材料为TAZ，厚度为40nm；蒸镀制备电子注入层，材料为CsN3，厚度为0.5nm；蒸镀制备阴极，材料为Pt，厚度为60nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa下进行，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s。
实施例3
本实施例制备的结构为IZO/WO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Yb2O3:Pt/MgPc/TAPC/Alq3/Bphen/CsF/Ag的有机电致发光器件。
先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀制备空穴注入层，材料为WO3，厚度为20nm；蒸镀制备第一空穴传输层，材料为NPB，厚度为30nm；蒸镀制备第一发光层，材料为Alq3，厚度为40nm；蒸镀制备第一电子传输层，材料为TAZ，厚度为60nm；蒸镀制备电荷产生层，n型层为CsF，厚度为1nm，中间层材料为Yb2O3:Pt，Yb2O3与Pt质量比为1:20，厚度为20nm，p型层为MgPc，厚度为20nm；蒸镀制备第二空穴传输层，材料为TAPC，厚度为200nm；蒸镀制备第二发光层，材料为Alq3，厚度为30nm；蒸镀制备第二电子传输层，材料为Bphen，厚度为40nm；蒸镀制备电子注入层，材料为CsF，厚度为0.5nm；蒸镀制备阴极，材料为Ag，厚度为300nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为5×10-5Pa下进行，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s。
实施例4
本实施例制备的结构为IZO/V2O5/TAPC/DCJTB/TPBi/CsCl/Sm2O3:Au/VPc/TAPC/DCJTB/TAZ/Cs2CO3/Au的有机电致发光器件。
先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5，厚度为30nm；蒸镀制备第一空穴传输层，材料为TAPC，厚度为50nm；蒸镀制备第一发光层，材料为DCJTB，厚度为5nm；蒸镀制备第一电子传输层，材料为TPBi，厚度为40nm；蒸镀制备电荷产生层，n型层为CsCl，厚度为5nm，中间层材料为Sm2O3:Au，Sm2O3与Au之间质量比为3:20，厚度为10nm，p型层为VPc，厚度为20nm；蒸镀制备第二空穴传输层，材料为TAPC，厚度为50nm，第二发光层，材料为DCJTB，厚度为5nm；蒸镀制备第二电子传输层，材料为TAZ，厚度为80nm；蒸镀制备电子注入层，材料为Cs2CO3，厚度为2nm；蒸镀制备阴极，材料为Au，厚度为100nm，最后得到所需要的电致发光器件。蒸镀在真空压力为5×10-4Pa下进行，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，所述电荷产生层包括n型层，中间层及p型层，所述n型层材料为铯盐，中间层材料为掺杂有镧系氧化物的金属，p型层为酞菁类金属化合物，其中，所述铯盐选自碳酸铯、叠氮铯、氟化铯及氯化铯中至少一种，所述镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种，所述镧系氧化物与所述金属之间的质量比为1:20～1:5，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n型层的厚度为1nm～10nm，所述中间层厚度为5nm～20nm，所述p型层的厚度为20nm～50nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层及所述第二电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极表面依次蒸镀制备空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；
在所述第一电子传输层表面蒸镀制备电荷产生层，所述电荷产生层包括n型层，中间层及p型层，所述n型层材料为铯盐，中间层材料为掺杂有镧系氧化物的金属，p型层为酞菁类金属化合物，其中，所述铯盐选自碳酸铯、叠氮铯、氟化铯及氯化铯中至少一种，所述镧系氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中至少一种，所述金属材料选自银、铝、铂及金中至少一种，所述镧系氧化物与所述金属之间的质量比为1:20～1:5，所述酞菁类金属化合物材料选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中至少一种，蒸镀在真空压力为2×10-3～5×10-5Pa下进行，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s；及
在所述电荷产生层表面依次蒸镀形成第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一发光层及所述第二发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一空穴传输层及所述第二空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述n型层的厚度为1nm～10nm，所述中间层厚度为5nm～20nm，所述p型层的厚度为20nm～50nm。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述阳极表面形成空穴注入层之前先对阳极进行前处理，前处理包括：将阳极进行光刻处理，裁成所需要的大小，采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极表面的有机污染物。
CN201310196323.8A 2013-05-24 2013-05-24 有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN104183731A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310196323.8A CN104183731A (zh) 2013-05-24 2013-05-24 有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310196323.8A CN104183731A (zh) 2013-05-24 2013-05-24 有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104183731A true CN104183731A (zh) 2014-12-03

Family

ID=51964629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310196323.8A Pending CN104183731A (zh) 2013-05-24 2013-05-24 有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104183731A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107611271A (zh) * 2017-08-10 2018-01-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光二极管、显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060040132A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Eastman Kodak Company White OLED having multiple white electroluminescence units
CN102113414A (zh) * 2008-07-30 2011-06-29 松下电工株式会社 有机电致发光器件及其制造方法
CN103022366A (zh) * 2013-01-05 2013-04-03 太原理工大学 一种有机电致发光器件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060040132A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Eastman Kodak Company White OLED having multiple white electroluminescence units
CN102113414A (zh) * 2008-07-30 2011-06-29 松下电工株式会社 有机电致发光器件及其制造方法
CN103022366A (zh) * 2013-01-05 2013-04-03 太原理工大学 一种有机电致发光器件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107611271A (zh) * 2017-08-10 2018-01-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光二极管、显示面板及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103972413A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183738A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183778A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972420A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104037344A (zh) 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN104183732A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104253243A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972408A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972421A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104253228A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051642A (zh) 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN104183731A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051641A (zh) 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN104183777A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078575A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972400A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972411A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078568A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183739A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104253229A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972409A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972417A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183740A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103824956A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972412A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141203