CN102113414A - 有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种电致发光器件，其中可以通过改进中间层来改善其耐用性和持续性性能。该电致发光器件包括在阳极(1)和阴极(2)之间层叠的多个发光层(4)，所述中间层(3)介于发光层中的两个之间。中间层(3)由以下层形成：层(3a)，其由电荷转移复合物、功函数为3.7eV以下的金属或该金属的化合物所构成；包含导电材料的透光层(3b)；由电荷传输有机材料形成的层(3c)；以及由空穴注入材料形成的层(3d)。电荷传输材料层(3c)的厚度为0.5nm～30nm。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件及其制造方法。这种有机电致发光器件可用作照明光源、液晶显示器背光、平板显示器等。
背景技术
某些有机发光器件称为有机电致发光器件。例如，这种有机发光器件包括：用作阳极的透明电极、空穴传输层、发光层(有机发光层)、电子注入层和阴极，其依照以上次序叠置并且提供在透明衬底的一侧上。有机电致发光器件构造为使从电子注入层注入的电子与从空穴传输层注入的空穴在发光层处复合，以在发光层内产生发光。该器件设计为将由发光层发射的光通过透明电极和透明衬底向外传播。
有机电致发光器件设计为以相对高的输出产生不同波长的自发光。这种有机电致发光器件期望用于制造显示设备、发光体例如平板显示器，以及光源例如液晶显示背光和照明器。某些有机电致发光器件已经开发用于实际应用。
然而，有机电致发光器件存在由于亮度和耐用性之间的折衷而导致的问题。即，当构造为给出清晰的图像或以高亮度辐射光时，有机电致发光器件的耐用性可不足。
鉴于这种问题，已经开发了有机发光器件，如专利1～5中所公开的那样。所述有机发光器件中的每种均包括设置在阳极和阴极之间的多个发光层。在该器件中，多个发光层彼此电连接。
图3说明这种有机电致发光器件的一个实例。该有机电致发光器件包括：阳极1、阴极2、中间层3、多个发光层4a、4b以及透明衬底5。发光层4a、4b设置在阳极和阴极之间。中间层3介于发光层4a、4b之间。阳极1、阴极2、中间层3和发光层4a、4b层叠至透明衬底5的表面。阳极1由透光材料形成。阴极2由反光材料形成。该器件在发光层4a、4b的两侧提供有电子注入层和空穴传输层，图3中未示出。
在该器件中，多个发光层4a、4b彼此隔离，其中间插入中间层3，但是彼此电连接。与常规有机电致发光器件相比，响应于在阳极1和阴极2之间施加的电压，发光层4a、4b受到激发以同时地发光，如串联的发光层一样，通过组合从4a、4b发射的光从而以较高亮度产生发光。此外，该器件使得其能够克服如上所述由亮度和耐用性之间折衷所导致的问题。
作为中间层3的结构，通常已知存在多种结构，例如(1)BCP:Cs/V2O5，(2)BCP:Cs/NPD:V2O5，(3)Li复合物和Al之间的反应产物，(4)Alq:Li/ITO/空穴传输材料，(5)金属-有机混合物层，(6)碱金属氧化物或碱土金属氧化物。此处，符号“:”和“/”分别表示两种材料的混合物和两种组成的层合物。
专利参考文件6和非专利参考文件1中已经公开了中间层3的其它结构。这些文件中的中间层3分别由以下形成：(7)包括电子注入层、电子提取层和空穴传输材料层的层合物，以及(8)包括电子注入层、电子传输层、电子提取层和空穴传输层的层合物。
参考文件
专利参考文件
专利参考文件1：JP11-329748专利申请公开
专利参考文件2：JP2003-272860专利申请公开
专利参考文件3：JP2005-135600专利申请公开
专利参考文件4：JP2006-332048专利申请公开
专利参考文件5：JP2006-173550专利申请公开
专利参考文件6：JP2006-49393专利申请公开
非专利参考文件
非专利参考文件1：Japanese Journal of Applied Physics，第45卷，第12期，2006，9212页
发明内容
技术问题
然而，其中中间层介入发光层之间的常规组成，具有驱动电压过度增加和电压过度增加以及诸如由于其劣化的膜品质导致短路的不利效果。
上述结构(1)中的中间层可存在由于V2O5层的品质导致的短路问题。
上述结构(2)中的中间层由于两层之间的副反应而使电压过度增加。即，中间层使驱动电压过度增加，这起因于路易斯酸分子和电子传输材料之间反应以及用作路易斯碱的碱金属和空穴传输材料之间的反应，如“The society of polymer science，organic EL research meeting，2005年12月9日，multi-photon organic EL luminaire”中所报道的那样。
上述结构(3)中的中间层可存在由Li复合物的有机配位体组分产生的对器件本身的不利影响。
在上述结构(4)中，ITO不能够胜任用作用于将空穴注入空穴传输材料中的中间层，可能导致驱动电压和器件品质的问题。此外，ITO具有相对小的电阻，可能将电荷输送进入不希望的部分，从而在不希望的区域处产生发光。
在上述结构(5)中的中间层通过将金属(或金属化合物诸如金属氧化物)与有机材料混合来制备。这种中间层使热稳定性劣化，特别是当由于流过大的电流而受热时。
上述结构(6)中的中间层由碱金属氧化物或碱土金属氧化物形成。但是，金属氧化物不足以用作中间层。因此，除了金属氧化物之外，中间层需要提供有其它物质从而具有复杂的结构。
此外，上述结构(1)和(4)中的中间层可在用于形成大尺寸的器件时，存在其中压力过大的问题。该过大压力可在中间层附近产生不利影响。
在专利参考文件3中，在基质中加入添加剂以在中间层内的任何位置处均具有大于零的浓度。然而，这种中间层未克服上述参考文件中提及的全部问题。
结构(7)存在非专利参考文件1中所述的过大驱动电压的问题。结构(8)中的中间层可克服(7)中过大电压所产生的问题，但是无法克服起因于分别设置于电子传输层两侧中的电子注入层和电子提取层中的扩散和反应的耐用性的问题。
如上所述，在形成具有多个的发光层(所述发光层之间介入有中间层)的电致发光器件中存在各种问题。目前，中间层需要改善以克服在制造这种电致发光器件中的上述问题。
鉴于上述问题已经完成了本发明，本发明的一个目的是提供具有优异耐用性和持续性的有机电致发光器件及其制造方法。
技术方案
本发明的有机电致发光器件包括：阳极1、阴极2、中间层3、多个发光层4。多个发光层4设置在阳极1和阴极2之间。中间层3设置于发光层4之间。中间层3包括以如下次序叠置的层：层3a、包括导电材料的透光层3b、电荷传输有机材料层3c和空穴注入材料层3d。层3a为以下之一：由电荷转移复合物制成的电荷转移复合物层、由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层、以及由功函数为3.7eV以下的金属化合物制成的金属化合物层。电荷传输有机材料层3c由电荷传输有机材料形成。空穴注入材料层3d由空穴注入材料形成。电荷传输有机材料层3c形成为具有0.5nm～30nm的厚度。
根据本发明，在中间层3内，在层3a和空穴注入材料层3d之间插入包含导电材料的透光层3b和电荷传输有机材料层3c，其中层3a为以下之一：电荷转移复合物层、由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层、以及由功函数为3.7eV以下的金属化合物制成的金属化合物层。对于该结构，电致发光器件在驱动时能够防止层3a与空穴注入材料3d直接反应和抑制层3a、3d在其间界面处的混合、以及形成层3a、3d的材料的扩散。因此，能够提供具有优异耐用性和持续性的有机电致发光器件。
本发明特征在于电荷传输有机材料层3c由电子传输材料形成。
该电荷传输有机材料层3c由电子传输材料制成，使得其能够以低电阻有效地传输从空穴注入材料层3d供给的电子进入包含导电材料的透光层3b中。由此能够提供具有优异耐用性和持续性的有机电致发光器件。
本发明特征在于电荷传输有机材料层3c由空穴传输材料形成。
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本发明是特征在于：电荷传输有机材料层3c由空穴传输材料和电子传输材料的混合物以及双极材料中的任一种形成。
根据本发明，电荷传输有机材料层3c用于传输空穴和电子二者。即，电荷传输有机材料层3c使得其能够以低电阻有效地传输从空穴注入材料层3d供给的电子进入包含导电材料的透光层3b中。而且，电荷传输有机材料层3c使得其能够以低电阻有效地传输从包含导电材料的透光层3b供给的空穴进入空穴注入材料层3d中。由此能够提供具有优异的高耐用性和持续性的有机电致发光器件。
本发明的特征在于：包含导电材料的透光层3b由选自以下的层形成：由金属氧化物和金属氮化物中的至少之一制成的层；由包括由金属制成的金属层和由金属氧化物制成的金属氧化层的层合物所形成的叠层；由金属和金属氧化物的混合物制成的混合物层；以及由金属制成的金属层。
根据本发明，能够形成包含导电材料的透光层3b作为具有高度耐热性的稳定层。此外，电致发光器件使得其还能够防止器件驱动时层3a与空穴注入材料3d直接反应和进一步抑制层3a、3d在其间界面处的混合、以及形成层3a、3d的材料的扩散。由此能够提供具有优异的耐用性和持续性的有机电致发光器件。
本发明特征在于：包含导电材料的透光层3b形成为具有80％以上的透光性。
根据本发明，包含导电材料的透光层3b使得其能够减少光吸收，用于减少有机电致发光器件内部的光吸收的损失。由此能够提供具有优异的耐用性和持续性的有机电致发光器件。
本发明特征在于：空穴注入材料层3d由p掺杂的层和由受主材料制成的受主材料层中的一种形成。
根据本发明，该器件使得能够改善用于传输从空穴注入材料层3d注入的空穴进入在阴极2的一侧上与空穴注入材料层3d相邻的空穴传输层中的空穴注入性能。此外，器件使得能够减小在空穴注入材料层3d和在阳极1的一侧上与空穴注入材料层3d相邻的电荷传输有机材料层3c之间传输电荷所需要的电阻。因此，器件能够抑制在空穴注入材料层3d和电荷传输有机材料层3c之间的界面处生热。因此，本发明能够提供具有优异的耐用性和持续性的有机电致发光器件。
有益效果
在本发明的中间层3中，在层3a和空穴注入层3d之间插入包含导电材料的透光材料层3b和厚度为0.5nm～30nm的电荷传输有机材料层3c。层3a为以下之一：电荷转移复合物层；由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层；以及由功函数为3.7eV以下的金属化合物制成的金属化合物层。中间层3使得能够避免：在层3a、3d之间直接反应，在层3a、3d的界面处层3a、3d的混合，以及形成层3a、3d的材料的扩散。利用改善的中间层，有机电致发光器件能够具有优异的耐久性和持续性。
附图说明
图1说明根据本发明实施方案的一个实例的层结构的示意截面图。
图2说明显示在实例中制造的有机电致发光器件的示意结构的(a)平面图以及(b)通过(a)的线A-A’截取的截面图。
图3说明一个常规实例的层结构的示意截面图。
具体实施方式
以下，给出对本发明详述的说明。
图1说明本发明有机电致发光器件的结构的一个实例，其包括：阳极1、阴极2、发光层(有机发光层)4和中间层3。发光层4和中间层3设置在阳极1和阴极2之间。发光层4由多个发光层4a、4b构成。多个发光层4a、4b设置在阳极1和阴极2之间。中间层3设置在相邻的多个发光层4a、4b之间。电极之一(阳极1)层叠在透明衬底5的表面上。在图1示出的一个实施方案中，阳极1形成为透光电极。阴极2形成为光反射电极。
在图1示出的实施方案中，发光层4由两个发光层4a、4b构成，在两个发光层4a、4b之间插入中间层3。但是，发光层4可由多个发光层形成，中间层各自插入相邻的所述多个发光层之间。叠置的发光层的数目不限于特定的数目，但是鉴于随着叠置层数目增加引起的光和电器件设计中的困难增大，优选数目设定为5以下。本发明的有机电致发光器件可提供有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等，与常规有机电致发光器件一样。这些层在图1中未示出。
如图1所示，本发明的中间层3由单层3a、包含导电材料的透光层3b、电荷传输有机材料层3c以及电荷注入材料层3d形成，所述层以上述次序叠置于阳极1，然后形成阴极2。层3a由以下之一形成：电荷转移复合物制成的电荷转移复合物层，由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层，以及由功函数为3.7eV以下的金属化合物制成的金属化合物层。
在本发明中，层3a由以下之一形成：电荷转移复合物层，由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层，以及由功函数为3.7eV以下的金属化合物制成的金属化合物层。层3a用于促进从中间层3供给的电荷注入与阳极1相邻的发光层4之一(4a)。
电荷转移复合物层3a由有助于电子注入的通常称为电荷转移复合物体系的材料形成。电荷转移复合物层3a的材料不要求由特定的一种材料形成。例如，电荷转移复合物层3a可由电子传输材料和具有小的功函数的金属(特别是功函数为3.7eV以下的金属)(例如Ce、Li、Na、Mg、K、Rb、Sm、Y)的混合物形成。或者，电荷转移复合物层3a可由电子传输材料和具有适于将电子供给入电子传输材料中的能级的有机材料(或无机材料)的混合物形成。例如，通常称为有机施主的有机材料(例如钌复合材料)、功函数为3.7eV以下的金属、或包含上述金属的金属氧化物半导体可用作具有适于将电子供入电子传输材料中的能级的有机材料(或无机材料)。
电荷转移复合物层3a可通过在电子传输材料和具有小的功函数的还原性金属的化合物的混合物或层合物上叠置由还原性金属(例如Al)制成的金属膜来形成。具有小的功函数的还原性金属不限于特定的一种金属。还原性金属化合物可为金属氧化物、金属-有机复合物，其中金属可为碱金属、碱土金属或稀土金属(例如Li、Cs、Na、Sr、Mg、Ca、Y、Sm)。还原性金属化合物可为上述列出的物质中的一种或其混合物。
由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层3a不要求由特定的金属形成，但是可由选自包括上述金属的稀土金属、碱金属和碱土金属的组中的一种形成。金属化合物层不要求由特定的化合物形成，但是可由选自氧化物、卤化物、氮化物、硼化物、碳化物、氧氮化物或上述金属的复合化合物中的一种形成。
电荷转移复合物层3a、由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层、或由功函数为3.7eV以下的金属的化合物制成的金属化合物层3a不要求具有特定的厚度，但是优选形成为具有0.5nm～20nm的厚度。层3a可包括其它有机化合物、或无机物质例如金属(例如Al、Cu、Ni、Ag、Au和Ti)、金属卤化物(例如LiF、NaF和CsF)和金属氧化物(例如Li2O、SiO2、SiO、NiO、SnO和InO)。当包含两种或更多种物质时，层3a能够进一步改善稳定性差的物质的稳定性，并促进具有低品质和对相邻层粘合性差的材料的膜形成。
包含导电材料的透光材料层3b由熟知的具有高透光性和适当厚度的导电材料形成，并且不要求由特定的化合物制成。包含导电材料的透光材料层3b可由适合地选自常规导电材料例如金属、金属氧化物、金属氮化物、导电化合物等中的一种物质形成。例如，包含导电材料的透光材料层3b可由金属(例如Al、Cu、Ni、Ag、Au、Ti、Mg、Ca和Ba)、金属化合物(例如CuI、ZnSe、ZnS和CuSe)、金属氧化物(例如ITO(In/Sn氧化物)、SnO2、ZnO、IZO(In/Zn氧化物)、LiWO4和LiMoO2)、金属氮化物(例如TiN、SiN和AIN)或碳化合物(例如碳纳米管、富勒烯)形成。或者，包含导电材料的透光材料层3b可由金属氧化物和金属氮化物(例如SiO2/SiN混合物、SiON/TiO2/TiN混合物和TiON)的混合物形成。
包含导电材料的透光材料层3b不要求由仅仅一种物质形成。包含导电材料的透光材料层3b可由多种上述金属的组合(例如In/Sn、In/Zn、Al/Ga、Ga/Zn和Ti/Nb)、金属氧化物和金属氮化物的组合、或其它组合所形成。或者，包含导电材料的透光材料层3b可由金属/金属氧化物混合物(例如IZO/Mo混合物和ITO/W混合物)、金属/金属氧化物层合物(例如Al/IZO层合物)、金属/金属氮化物混合物(例如SiN/Al混合物和TiN/Mo混合物)或金属/金属氮化物层合物(例如SiN/Al层合物和TiN/Mo层合物)形成。可以适当地设定各金属的氧化数、各金属的氮化数和多种金属的混合比，这取决于膜品质、金属的氧化物(或氮化物)的热稳定性和电性能(优选小于105欧姆cm的低电阻，更优选小于102欧姆cm)。这些物质均可通过真空气相沉积、溅射、涂敷等来沉积以形成膜作为层。
除了上述导电材料之外，包含导电材料的透光材料层3b可还包含有机化合物和非导电的无机绝缘体。适当地选择无机绝缘体从而与导电金属氧化物共沉积为膜，而不要求由特定的化合物形成。例如，无机绝缘体可为选自金属卤化物例如金属氟化物(例如氟化锂、氟化镁)、金属氯化物(例如氯化钠、氯化镁)中的一种。或者，无机绝缘体可为选自诸如Al、Co、Zr、Ti、V、Nb、Cr、Ta、W、Mn、Mo、Ru、Fe、Ni、Cu、Ga和Zn的金属的金属氧化物(例如Al2O3、MgO和氧化铁，除显示出空穴注入性能的金属氧化物)中的一种。或者，无机绝缘体可为选自氮化物(例如AlN、SiN或BN)、碳化物(例如SiC)、氧氮化物(例如SiON)、硅化合物(例如SiO2和SiO)和碳化合物中的一种。
绝缘体优选选自各自在可见光区域中显示出较差吸光率和低折射率的材料，用于减小在透光层3b处的吸光率和折射率并最终抑制器件本身内部的光反射和吸光率。由此，能够使得从发光层4向外发射的光量的损失最小化。特别是，鉴于耐热性、稳定性和光学性质，绝缘体优选为选自非导电金属氧化物、金属卤化物、金属氮化物、金属碳化物、碳化合物、硅化合物中的一种材料。当透光层3b由这种混合物形成时，其混合比率适当地选择为在透光层3b处显示出1×105欧姆cm以下的相对电阻。
包含导电材料的透光层3b可还包含金属或金属化合物。金属可优选为选自Ce、Cs、Li、Na、Mg、K、Rb、Sm、Y、W、Mo、Re、V、Ru、Al等中的一种。金属化合物优选由这些金属中的一种的化合物形成。金属含量可适合地选择为在透光层3b处显示出在上述范围中的相对电阻，并且不要求为特定的范围。但是，金属含量优选为0.1-20wt％。
相对电阻为1×105欧姆厘米以下的包含导电材料的透光层3b优选形成为具有10nm以下的厚度，更优选具有5nm以下的厚度。当透光层3b形成为具有10nm以下的厚度时，能够在透光层3b处在横向上减少电传导至可忽略的水平，并且最终抑制在常规器件中未抑制的非期望区域中的光透射。包含导电材料的透光材料层3b的厚度(nm)优选选择为当除以相对电阻(欧姆厘米)时得出104以下的商数。
包含导电材料的透光层3b优选地形成为具有80％以上的透光率，更优选为90％以上。当形成具有低于80％的透光率时，透光层3b引起过度光吸收，导致从发光层4中发射的光中提取的光量减少。此处，层3b的透光率基于层3b的实质透光率来确定，而不基于在层3b和与层3b相邻的层之间的界面处由于其间的折射率差异而反射的光。该实质透光率可以通过利用常规方法的测量来获得，并且可以容易地基于各自形成在透光衬底例如玻璃衬底上厚度不同的膜的透光率之间的差异来确定。
由电荷传输有机材料形成的电荷传输有机材料层3c用于传输电荷，即电子和空穴。电荷传输有机材料层3c可形成为：由电子传输材料制成的电子传输材料层、由空穴传输材料制成的空穴传输材料层、空穴传输材料和电子传输材料的混合物、或由双极材料制成的层。
当由电子传输材料制成时，电荷传输有机材料层3c用于以低的电阻将从在阴极2侧上与层3c相邻的空穴注入材料层3d注入的电子有效地传输进入在阳极1侧上与层3c相邻的包含导电材料的透光层3b中。电子传输材料可适合地选择为显示出优异的电子传输性能和优异的热稳定性以及对电子的良好稳定性。电子传输材料不要求为特定的化合物，可为例如喹啉衍生物例如Alq、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、吡啶衍生物。
当由空穴传输材料制成时，电荷传输有机材料层3c用于以低的电阻将从在阳极1侧上与层3c相邻的包含导电材料的透光层3b注入的空穴有效地传输进入在阴极2侧上与层3c相邻的空穴注入材料层3d中。空穴传输材料可适合地选择为显示出优异的空穴传输性能和优异的热稳定性以及对空穴的良好稳定性。空穴传输材料不要求为特定的化合物，可为三芳胺衍生物(NPD、TPD、2-TNATA等)、芳族衍生物(联苯衍生物、蒽衍生物、萘衍生物等)、苯胺衍生物、噻吩衍生物等。
当由空穴传输材料和电子传输材料的混合物制成时，电荷传输有机材料层3c可由上述空穴传输材料之一和上述电子传输材料之一的混合物形成。或者，电荷传输有机材料层3c可由双极材料制成。双极材料适当地选择为显示出空穴传输性能和电子传输性能，并且可为蒽衍生物、多环芳族物质等。双极材料优选选择为显示出优异的传输空穴和电子的性能以及优异的热稳定性。
当由空穴传输材料和电子传输材料的混合物形成或由双极材料形成时，电荷传输有机材料层3c用于传输空穴和电子。即，电荷传输有机材料层3c用于以低的电阻将从空穴注入材料层3d注入的电子有效地传输入包含导电材料的透光材料层3b中。而且，电荷传输有机材料层3c用于以低的电阻将从包含导电材料的透光材料层3b注入的空穴有效地传输入空穴注入材料层3d中。特别地，由于由双极材料、或由空穴传输材料和电子传输材料的混合物形成，所以电荷传输有机材料层3c防止在反电荷侵袭时劣化，由此获得具有优异稳定性和优异耐用性的有机电致发光器件。
电荷传输有机材料层3c形成为具有0.5nm～30nm、优选1nm～10nm的厚度。当电荷传输有机材料层3c形成为具有小于0.5nm的厚度时，使得透光层3b与空穴注入材料层3d接触。在这种情况下，不可能避免物质扩散或者可能导致驱动性能降低。当形成为具有大于30nm的厚度时，使得电荷传输材料层3c显示出由于其电荷传输性能的不稳定性而导致的差的耐用性以及差的性能。
在本发明中，空穴注入材料层3d可由空穴注入有机材料、空穴注入金属氧化物、受主型有机(或无机)材料、p-掺杂层等形成。
空穴注入有机材料选择为显示出空穴传输性能并且具有约5.0eV～6.0eV的功函数以及对电极的强粘合。例如，空穴注入有机材料可为CuPc、星爆型胺等。空穴注入金属氧化物可为选自Mo、Re、W、V、Zn、In、Sn、Ga、Ti和Al中的金属的氧化物。空穴注入金属氧化物不要求为仅仅一种金属氧化物，而是可为多种金属的氧化物的组合。所述多种金属可为上述物质的组合，例如In/Sn、In/Zn、Al/Ga、Ga/Zn和Ti/Nb的组合。各金属的氧化数和所述多种金属的混合比率可适合地选择为显示出优异的膜品质、优异的热稳定性和优异的电性能。空穴注入材料层3d可由与包含导电材料的透光材料层3b几乎相同的材料形成。
受主型有机(或无机)材料选择为显示出电子接受性能，用于接受从其它有机(无机)材料供给的电子。这种有机(无机)材料包含于与层3d相邻的层中或者混入层3d中。受主型有机(或无机)材料可为具有氟取代基、氰基、硼取代基或用作路易斯酸的取代基的有机物质。或者，受主型有机(或无机)材料可为与路易斯酸相互作用以形成复合物的有机物质。例如，受主型有机(或无机)材料可为选自F4TCNQ、TCNQ、TTN、HAT-CN6、DDQ、CF2TCNQ、TBPAH、某些磷光体颜料等中的一种。这些物质的缩写是熟知的。受主型有机(或无机)材料可适合地选择为显示出与上述物质相同的性能，并且不要求为特定的一种物质。受主型有机(或无机)材料可为选自上述金属氧化物、路易斯酸例如氯化铁、溴化铁、碘化铜、卤素(例如Br和Cl)、酸(例如磷酸)等中的一种。
受主型有机(或无机)材料不要求选择为在不存在施加到层3d的电压时显示出电荷供给/接受性能，用于从其它有机(无机)材料接受电子或对其它有机(无机)材料供给电子，所述其它有机(无机)材料包含于与层3d相邻的层中或者混入层3d中。即，受主型有机(或无机)材料可选择为在存在施加到层3d的电压时显示出电荷供给/接受性能，用于从其它有机(无机)材料接受电子或对其它有机(无机)材料供给电子，所述其它有机(无机)材料包含于与层3d相邻的层中或者混入层3d中。在上述物质中，具有低的电子接受基团量的一些磷光体颜料、TCNQ和HAT-CN6显示出差的电子接受性能。电荷供给/接受性能可通过将包含两种材料的膜的吸收光谱(或拉曼光谱)与所述两种材料的吸收光谱(或拉曼光谱)的叠加进行比较来确认。当显示出电荷供给/接受性能时，包含两种材料的膜给出吸收光谱(或拉曼光谱)，其中观察到出现新峰、一些峰消失和一些峰的强度变化。当未显示出电荷供给/接受性能时，包含两种材料的膜给出与所述两种材料的吸收光谱(或拉曼光谱)的叠加几乎相同的吸收光谱(或拉曼光谱)。
p-掺杂层由空穴注入材料和从空穴注入材料接受电子的电子接受材料的混合物形成。空穴注入材料可利用有机材料替代，所述有机材料可为三芳胺衍生物(NPD、TPD、2-TNATA等)、芳族衍生物(例如联苯衍生物、蒽衍生物、萘衍生物等)、苯胺衍生物、噻吩衍生物等。电子接受材料对空穴注入材料的含量比率可根据选择的材料来适合地设定，并且优选选择为0.1-80摩尔％，更优选1-50摩尔％。
空穴注入材料层3d不要求具有特定的厚度，但是优选设定为具有0.5-20nm的厚度。
制备包括上述层3a、3b、3c、3d的中间层3的工艺起始于：在发光层中之一上形成由电荷转移复合物制成的电荷转移复合物层3a、由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层3a、以及由功函数为3.7eV以下的金属的化合物制成的金属化合物层。然后，在前述层3a的表面上层合包含导电材料的透光层3b。然后，在包含导电材料的透光层3b的表面上层合由空穴传输有机材料制成的空穴传输有机材料层3c。在空穴传输有机材料层3c的表面上层合由空穴注入材料制成的空穴注入材料层3d。PVD方法(例如气相沉积方法和溅射方法)、涂敷或其它方法可用于形成作为各层3a、3b、3c、3d的膜。发光层4中之一可在其表面提供有电子传输层。在这种情况下，为发光层4提供由层3a、3b、3c、3d构成的中间层3，其间插入电子传输层。
本发明的发光层4可由用于制造电致发光器件的任何熟知的材料形成，例如蒽、萘、芘、并四苯、六苯并苯、苝、邻苯二甲苝、萘二甲酰苝、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆灵、
二唑、二苯并
唑啉、联苯乙烯、环戊二烯、喹啉-金属络合物、三(8-羟基喹啉酸)铝络合物、三(4-甲基-8-喹啉酸)铝络合物、三(5-苯基-8-喹啉酸)铝复合物、氨基喹啉-金属络合物、苯并喹啉-金属络合物、三(p-三联苯-4-基)胺、1-芳基-2，5-二(2-噻吩基)吡咯衍生物、吡喃、喹吖啶酮、红荧烯、联苯乙烯苯衍生物、联苯乙烯亚芳基衍生物、联苯乙烯胺衍生物或各种磷光体颜料以及上述材料和它们的衍生物。发光层4不要求必须由上述物质形成。发光层4优选由选自这些物质中的发光材料的混合物形成。发光层4可由从自旋多重态产生光发射的其它发光材料之一形成，例如磷光材料和具有发磷光的部分的化合物，而非上述荧光化合物。由上述材料形成的有机层均可通过干式工艺(例如气相沉积和转移)或湿式工艺(例如旋涂、喷涂、模涂和凹版涂布)形成。
其它部件即衬底5、阳极1和阴极2分别由常规材料形成以形成有机电致发光器件。
衬底5显示出能够使得光在其中通过的透光性能，并且可由无色透明玻璃、精细有色玻璃或毛玻璃形成。衬底5可由透明玻璃(例如钠钙玻璃、无碱玻璃)以及通过任意方法由树脂(例如聚酯树脂、聚烯烃树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂和氟树脂)制备的塑料膜(塑料板)形成。衬底5可包含折射率与衬底5不同的粒状物(粉末、气泡等)或可在其表面形成任意形状，用于产生光散射效果。当器件不配置为通过衬底5发光时，考虑到器件的发光性能和耐用性等，衬底5不要求由透光材料形成，而是可由其它材料形成。特别地，衬底5可由高导热性材料形成，用于使由通过器件的电产生的热最小化。
阳极1设计为将空穴注入有机发光层4中，并且优选由功函数大(4eV以上)的金属、合金、导电化合物和由这些物质的混合物形成的电极材料形成。阳极1可由以下物质形成：金属(例如Au)、CuI、ITO(In-Sn氧化物)、SnO2、ZnO、IZO(In-Zn氧化物)、PEDOT、导电聚合物(例如聚苯胺)、掺杂有受主物质(等)的导电材料、导电透光材料(例如碳纳米管)。阳极1可通过真空蒸发沉积方法、溅射方法、涂敷等在衬底5的表面上形成为膜。当器件配置为使得从有机发光层4发射的光向外通过阳极1时，阳极1优选形成为具有70％以上的透光率。此外，阳极1优选形成为薄层电阻为数百欧姆每方以下，更优选100欧姆每方以下。阳极1可控制为具有适当的厚度，其取决于用于实现如上所述的透过率和薄层电阻而选择的材料，并且优选形成为具有500nm以下的厚度，更优选为10-200nm。
阴极2设计将电子注入有机发光层4中，并且优选由功函数低(优选为5eV以下)的金属、合金、导电化合物或由这些材料的混合物形成的电极材料形成。阴极2可由碱金属、碱金属卤化物、碱金属氧化物、碱土金属、由任意这些金属和其它金属形成的合金(例如Na、Na-K合金、Li、Mg、Mg-Ag混合物、Mg-In混合物、Al-Li混合物、Al/LiF混合物)、Al、Al/Al2O3混合物形成，阴极2可形成为层合物，所述层合物包括：由碱金属氧化物(碱金属卤化物或金属氧化物)制成的底层、以及一个或更多个由导电材料例如金属制成的上层。例如，阴极2可形成为碱金属/Al层合物、碱金属卤化物/碱土金属/Al层合物、碱金属氧化物/Al层合物。阴极2可由透明电极例如ITO和IZO形成，以使得光通过它们。与阴极2相邻的有机材料层可掺杂有碱金属(例如Li、Na、Cs)或碱土金属(例如Ca)。
阴极2可通过真空蒸发沉积方法或溅射方法制备为由这些电极材料形成的膜。当器件配置为使得从有机发光层4发射的光向外传播通过阳极1时，阴极2优选形成为透光率为10％以下。或者，当阴极2由透明电极形成以使得从有机发光层4发射的光通过其传播(或使得从有机发光层4发射的光通过阳极1和阴极2传播)时，阴极2优选形成为透光率为70％以上。在这种情况下，阴极2根据选择的材料适合地控制为具有期望的透光性能，并且优选控制为具有500nm以下的厚度，更优选为100-200nm。
除非延伸超出本发明的目的，否则可利用其它结构来形成本发明的有机电致发光器件。例如，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层在图1中未示出，但是必要时可适当地添加以形成有机电致发光器件。
空穴传输层可由选自显示出空穴传输性能的化合物中的一种形成。例如，空穴传输层可由芳胺化合物形成，例如4，4′-二[N-(萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、N，N’-二(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)、2-TNATA、4，4’，4”-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4，4’-N，N’-二咔唑联苯(CBP)、螺环-NPD、螺环-TPD、螺环-TAD、TNB。或者，空穴传输层可由包含咔唑基团的胺化合物、包含芴衍生物的胺化合物形成。或者，可利用常规空穴传输材料形成空穴传输层。
电子传输材料层可由选自显示出电子传输性能的化合物中的一种形成。这种电子传输化合物可为选自显示出电子传输性能的金属络合物(例如Alq3)、以及杂环化合物例如菲咯啉衍生物、吡啶衍生物、四嗪衍生物、二唑衍生物中的一种。或者，可利用其它常规电子传输材料作为电子传输材料。
在根据上述方法制造的有机电致发光器件中，在多个发光层4之间提供中间层3，由此使得能够将多个发光层串联连接以获得高亮度的发光。
在该实施方案中，中间层3包括以下之一：电荷转移复合物层3a、由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层3a、以及由功函数为3.7eV以下的金属的化合物制成的金属化合物层3a。中间层3还包括包含导电材料的透光材料层3b、电荷传输有机材料层3c和空穴注入材料层3d。在该结构中，层3a和空穴注入材料层3d通过包含导电材料的透光材料层3b和电荷传输有机材料层3c彼此隔离，由此防止彼此直接反应。此外，中间层3使得能够抑制层3a、3d之间材料的层间混合或层问扩散，由此实现具有优异耐用性和持久性的电致发光器件。
实施例
参考实施例对本发明进行具体描述。
(实施例1)在阳极1的制备中，ITO膜形成为具有图2中显示的预定图案。ITO膜的尺寸为150nm厚和5mm宽，其薄层电阻为约10欧姆每方。利用厚度为0.7mm的玻璃衬底作为衬底5。利用清洁剂将衬底5超声洗涤十分钟，利用离子交换水洗涤十分钟，并利用丙酮洗涤十分钟。然后，利用IPA(异丙醇)对经洗涤的衬底5进行蒸气洗涤并且进行干燥，然后进行UV/O3处理。
然后，将衬底5设置于真空蒸气沉积设备内。在1×10-4Pa以下的减压下，在阳极1上进行气相共沉积4，4’-二[N-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)和氧化钼(MoO3)，以形成厚度为30nm的α-NPD/MoO3膜(1∶1摩尔比率)作为空穴注入层。然后，气相沉积α-NPD以形成厚度为30nm的α-NPD膜作为空穴传输层。
然后，在空穴传输层上气相共沉积Alq3和喹吖啶酮以形成厚度为30nm的Alq3层(包含3重量％的喹吖啶酮)作为发光层4a。随后，在发光层4a上沉积BCP以形成厚度为60nm的BCP膜作为电子传输层。
然后，在电子传输层上共沉积Alq3和Li以形成厚度为5nm的Alq3/Li混合物(摩尔比率为1∶1)膜作为电荷传输复合物层3a。电荷传输复合物层用作电子注入层。然后，在层3a上沉积Al以形成厚度为3nm的Al膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积BCP以形成厚度为5nm的BCP膜作为电荷传输有机材料层3c。随后，在层3c上沉积HAT-CN6(式1)以形成厚度为5nm的HAT-CN6膜作为空穴注入材料层3d，由此制备中间层3。
[式1]
然后，在中间层3上气相沉积α-NPD以形成厚度为40nm的α-NPD膜作为空穴传输层。然后，在空穴传输膜上气相共沉积Alq3和喹吖啶酮以形成厚度为30nm的Alq3膜(包含7重量％的喹吖啶酮)作为发光层4b。
接着，在发光层4b上沉积BCP以形成厚度为40nm的BCP膜作为电子传输层。然后，沉积LiF以形成厚度为0.5nm的LiF膜。
随后，以0.4nm每秒的速率气相沉积Al以形成尺寸为5mm宽度和100nm厚度的Al膜作为阴极2，如图2所示。
上述程序使得能够提供图1所示的电致发光器件，其中发光层4由两个层构成，所述两个层中间插入中间层3。图1中未示出空穴注入层、空穴传输层和电子传输层。
(实施例2)通过电阻加热沉积，在提供于实施例1中发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Na和Li2MoO4，以形成厚度为5nm的Na/Li2MoO4层合膜作为层3a。所得层3a形成为由厚度为1nm的Na膜和厚度为4nm的Li2MoO4层构成的层合物。然后，通过电阻加热沉积，在层3a上沉积ZnO，以形成厚度为5nm的ZnO膜作为包含导电材料的透光层3b。以与实施例1中相同的方法形成层3c、3d用于制备中间层3。以与实施例1中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
(实施例3)通过电阻加热沉积，在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Li2WO4，以形成厚度为1nm的Li2WO4膜作为层3a。然后，在层3a上沉积Al以形成厚度为1.5nm的Al膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积Alq3以形成厚度为5nm的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积HAT-CN6以形成厚度为5nm的HAT-CN6层作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例4)通过电阻加热沉积，在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Li2O，以形成厚度为5nm的Li2O膜作为层3a。然后，通过电阻加热沉积，在层3a上气相沉积Al，以形成厚度为1.5nm的Al膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积Alq3以形成厚度为5nm的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上气相沉积F4-TCNQ以形成厚度为3nm的F4-TCNQ膜作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例5)在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上共沉积Alq3和Rb，以形成厚度为5nm的Alq3/Rb混合物(摩尔比率为1∶1)膜作为层3a。然后，通过电阻加热沉积，在层3a上气相共沉积In2O3和Al，以形成厚度为1.5nm的In2O3/Al(摩尔比率为10∶1)膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上共沉积NPD和Alq3，以形成厚度为5nm的NPD/Alq3混合物(摩尔比率为1∶1)膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上共沉积MoO3和NPD，以形成厚度为3nm的MoO3/NPD混合物(摩尔比率为1∶1)膜(用作p掺杂的层)作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例6)在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上共沉积BCP和K，以形成厚度为5nm的BCP/K混合物(摩尔比率为1∶1)膜作为层3a。然后，通过溅射在层3a上沉积IZO，以形成厚度为2nm的IZO膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积双极螺环DPVBi，以形成厚度为5nm的螺环DPVBi膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积F4-TCNQ和NPD，以形成厚度为3nm的F4-TCNQ/NPD混合物(摩尔比率为2∶98)膜作为用作p掺杂层的空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例7)在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上沉积Alq3和Cs，以形成厚度为5nm的Alq3/Cs混合物(摩尔比率为1∶0.5)膜作为层3a。然后，在层3a上气相共沉积Mg和Ag，以形成厚度为3nm的Mg/Ag(摩尔比率为1∶1)膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积NPD，以形成厚度为5nm的NPD膜(显示出空穴传输性能)作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积HAT-CN6和NPD，以形成厚度为10nm的HAT-CN6/NPD混合物(摩尔比率为1∶4)膜(用作p掺杂层)作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例8)在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相共沉积Li2WO4和Li，以形成厚度为5nm的Li2WO4/Li(摩尔比率为4∶1)膜作为层3a。然后，在层3a上气相共沉积In2O3和Li，以形成厚度为5nm的In2O3/Li(摩尔比率为10∶1)膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积双极螺环DPVBi，以形成厚度为5nm的螺环DPVBi膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积HAT-CN6以形成厚度为10nm的HAT-CN6膜作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例9)沉积Al以形成厚度为10nm的Al膜作为包含导电材料的透光层3b。以与实施例3中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例10)通过电阻加热沉积，在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Li，以形成厚度为1nm的Li膜作为层3a。然后，在层3a上沉积Al以形成厚度为2nm的Al膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积Alq3以形成厚度为5nm的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积HAT-CN6以形成厚度为5nm的HAT-CN6膜作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例11)通过电阻加热沉积，在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Na，以形成厚度为1nm的Na膜作为层3a。然后，在层3a上沉积Al以形成厚度为1nm的Al膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积Alq3以形成厚度为5nm的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上气相沉积F4-TCNQ以形成厚度为3nm的F4-TCNQ膜作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例12)通过电阻加热沉积，在提供于实施例2中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Li，以形成厚度为2nm的Li膜作为层3a。然后，通过溅射在层3a上沉积IZO，以形成厚度为3nm的IZO膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积Alq3以形成厚度为5nm的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积HAT-CN6以形成厚度为5nm的HAT-CN6膜作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例13)通过电阻加热沉积，在提供于实施例2中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Li，以形成厚度为2nm的Li膜作为层3a。然后，在层3a上沉积Mg以形成厚度为1.5nm的Mg膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积Alq3以形成厚度为5nm的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积HAT-CN6以形成厚度为5nm的HAT-CN6膜作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(实施例14)通过电阻加热沉积，在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上气相沉积Na，以形成厚度为2nm的Na膜作为层3a。然后，在层3a上沉积Ca以形成厚度为2nm的Ca膜作为包含导电材料的透光层3b。然后，在层3b上沉积Alq3以形成厚度为5nm的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。然后，在层3c上沉积HAT-CN6以形成厚度为5nm的HAT-CN6膜作为空穴注入材料层3d，从而制备中间层3。以与实施例1中相同的方法制备其它层以提供电致发光器件。
(常规实施例1)在提供于实施例1中的发光层4a上的用作第一电子传输层的BCP层上沉积Alq3和Li，以形成厚度为5nm的Alq3/Li(摩尔比率为1∶1)膜作为电荷转移复合物层3a。然后，在电荷转移复合物层3a上沉积Al以形成厚度为80nm的Al膜作为阴极2，以提供其中发光器件4由第一发光层4a单独构成的电致发光器件。
(常规实施例2)在实施例1中用作阳极1的ITO膜上沉积HAT-CN6，以形成厚度为5nm的HAT-CN6膜作为中间层3的最终层3d。然后，以与实施例1中相同的方法制备后续层(空穴传输层、发光层4b、电子传输层和阴极2)，以提供其中发光器件4由第二发光层4b单独构成的电致发光器件。
(对比实施例1)不形成实施例5的InO2/Al共沉积膜作为包含导电材料的透光层3b。以与实施例5中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
(对比实施例2)不形成实施例4的Li2O膜作为层3a。以与实施例4中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
(对比实施例3)不形成实施例4的Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c。以与实施例4中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
(对比实施例4)不形成用作p掺杂层的实施例6的F4-TCNQ/NPD膜作为空穴注入材料层3d。以与实施例6中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
(对比实施例5)以与实施例3几乎相同的方法，形成Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c，但是形成为具有50nm的厚度。以与实施例3中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
(对比实施例6)以与实施例4几乎相同的方法，形成Alq3膜作为电荷传输有机材料层3c，但是形成为具有0.5nm的厚度。以与实施例4中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
(对比实施例7)不形成实施例12的IZO沉积膜作为包含导电材料的透光层3b。以与实施例12中相同的方法形成其它层以提供电致发光器件。
表1显示上述实施例1-14和对比实施例1-7中的空穴注入材料层3d、电荷传输有机材料层3c、包含导电材料的透光层3b和电荷转移复合物层3a(或功函数为3.7eV的金属的金属层、金属化合物层)的性能和厚度。
表1还显示包含导电材料的透光层3b的透光率。测量各自提供在石英衬底上的两个具有不同厚度(5nm和10nm)的包含导电材料的透光层的透光率，以获得460nm～800nm波长范围中的平均吸光率，用于计算每5nm厚度的吸光率。基于所得的每5nm厚度的吸光率，计算各个实施例和对比实施例中的包含导电材料的透光层3b的透光率。
[表1]
实施例9显示出优异的耐用性和持续性，如下表2所示，但是给出了由于包含导电材料的透光层3b厚度过大导致的差的透光性能。
响应于对其施加的10mA/cm2的电流，测量各实施例1-14、对比实施例1-7和常规实施例1-2的驱动电压。响应于对其施加的40mA/cm2的电流，测量各实施例1-14、对比实施例1-7和常规实施例1-2的保持亮度为相对于初始亮度80％以上的持续时间。所得驱动电压和持续时间示于表2。
[表2]
实施例1-14中的各器件显示出基本等于常规实施例1和2器件的驱动电压之和的驱动电压，表明中间层3用于在常规实施例1和2的器件之间产生良好连接。实施例1-14中的各器件的耐用性等于常规实施例1-2的器件的耐用性，表明各中间层3不对器件产生不利效果。实施例1-14的各器件显示出等于常规实施例1-2的器件之和的发光性能。
对比实施例1-7的各器件的发光性能基本上等于常规实施例1-2的器件的发光性能之和。但是对比实施例1、5和7的各器件显示出高的电压。对比实施例2和4的各器件显示出显著高的驱动电压以及劣化的耐用性。对比实施例3和6的各器件显示出基本上等于各实施例的低的驱动电压以及相对低的耐用性。
实施例9的器件具有良好的电压和良好的耐用性，但是与常规实施例1和2的发光性能之和相比显示出较差的发光性能。该差的发光性能推测归因于中间层3的层3b处的透光率低。
如上所述，本发明的有机电致发光器件表明显示出适度低的驱动电压以及优异的耐用性。
附图标记
1阳极
2阴极
3中间层
3a电荷转移复合物层、由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层、或由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属化合物层
3b包含导电材料的透光层
3c电荷传输有机材料层
3d空穴注入材料层
4(4a、4b)发光层
5衬底
Claims (8)
1.一种有机电致发光器件，包括：
-阳极；
-阴极；
-设置在所述阳极和所述阴极之间的多个发光层；以及
-设置在所述发光层之间的中间层；
所述中间层包括以如下次序叠置的层：
-由电荷转移复合物制成的电荷转移复合物层、由功函数为3.7eV以下的金属制成的金属层、或由功函数为3.7eV以下的金属的化合物制成的金属化合物层；
-包含导电材料的透光层；
-由电荷传输有机材料形成的电荷传输有机材料层；和
-由空穴注入材料形成的空穴注入材料层；
其中所述电荷传输有机材料层形成为具有0.5nm～30nm的厚度。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述电荷传输有机材料层由电子传输材料形成。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述电荷传输有机材料层由空穴传输材料形成。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述电荷传输有机材料层由以下中的之一形成：
-空穴传输材料和电子传输材料的混合物；和
-双极材料。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机电致发光器件，其中所述包含导电材料的透光层由选自以下的层形成：
-由金属氧化物和金属氮化物中至少之一制成的层；
-由包括金属制成的金属层和金属氧化物制成的金属氧化物层的层合物所形成的层合层；
-由金属和金属氧化物的混合物制成的混合物层；和
-由金属制成的金属层。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光器件，其中所述包含导电材料的透光层形成为具有80％以上的透光率。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的有机电致发光器件，其中所述空穴注入材料层由p-掺杂层以及受主材料制成的受主材料层中的一种形成。
8.一种制造根据权利要求1～7中任一项所述的有机电致发光器件的方法，其中所述中间层通过以下步骤制备：
-在所述发光层中之一上形成由电荷转移复合物制成的所述电荷转移复合物层、由功函数为3.7eV以下的金属制成的所述金属层、或由功函数为3.7eV以下的金属的化合物制成的所述金属化合物层；
-在所述电荷转移复合物层、所述金属层和所述金属化合物层中之一的表面上形成所述包括导电材料的透光层；
-在所述包含导电材料的透光层的表面上层合所述电荷传输有机材料层；和
-在所述电荷传输有机材料层的表面上形成由空穴注入材料制成的所述空穴注入材料层。
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103915470A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN103972400A (zh) * | 2013-01-31 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN103972403A (zh) * | 2013-01-31 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN103972401A (zh) * | 2013-01-31 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104037344A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104037348A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104051642A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104183731A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104253233A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104253228A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104253226A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104508851A (zh) * | 2012-05-16 | 2015-04-08 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 有机光电子器件和透明的无机半导体在载流子对生成层序列中的应用 |
| CN105552242A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-04 | 苏州大学 | 一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法 |
| CN105957975A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-09-21 | 云南大学 | 高效率串联oled器件 |
| US10014487B2 (en) | 2013-09-17 | 2018-07-03 | Kyulux, Inc. | Organic electroluminescent device |
| US10068533B2 (en) | 2010-04-28 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5023033B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2012-09-12 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2010192719A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN102396296A (zh) * | 2009-04-01 | 2012-03-28 | 艾森科技株式会社 | 有机电致发光元件 |
| EP2458942A4 (en) * | 2009-07-23 | 2012-12-26 | Kaneka Corp | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
| EP2550690B1 (en) * | 2010-03-25 | 2018-12-26 | Universal Display Corporation | Solution processable doped triarylamine hole injection materials |
| KR101137392B1 (ko) | 2010-03-31 | 2012-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2012049088A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2012022953A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| TWI641287B (zh) * | 2010-09-14 | 2018-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 固態發光元件，發光裝置和照明裝置 |
| CN103460805B (zh) | 2011-03-31 | 2016-02-24 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光元件 |
| JP5977742B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2016-08-24 | エイソンテクノロジー株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP5803648B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器 |
| CN104508855B (zh) * | 2012-05-31 | 2017-06-23 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管 |
| KR101419877B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2014-08-13 | 주식회사 포스코 | 적층형 유기 발광 소자 |
| KR102050445B1 (ko) * | 2012-12-31 | 2019-11-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN104009170A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| DE102013109451B9 (de) * | 2013-08-30 | 2017-07-13 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| KR102081123B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2020-02-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101525459B1 (ko) * | 2013-11-14 | 2015-06-03 | 코닝정밀소재 주식회사 | 탠덤형 백색 유기발광소자 |
| CN105161510B (zh) * | 2014-06-10 | 2018-03-23 | 群创光电股份有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
| TWI542066B (zh) * | 2014-06-10 | 2016-07-11 | 群創光電股份有限公司 | 有機發光二極體顯示器 |
| KR101705406B1 (ko) * | 2014-09-11 | 2017-02-10 | 경희대학교 산학협력단 | 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
| CN104466023B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 层叠式有机发光二极体及其制备方法和显示装置 |
| KR102443645B1 (ko) * | 2016-01-13 | 2022-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102611206B1 (ko) | 2016-07-13 | 2023-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US10457148B2 (en) | 2017-02-24 | 2019-10-29 | Epic Battery Inc. | Solar car |
| WO2018187384A1 (en) | 2017-04-03 | 2018-10-11 | Epic Battery Inc. | Modular solar battery |
| KR20210014798A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 표시패널 |
| US11489082B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-11-01 | Epic Battery Inc. | Durable solar panels |
| KR102798044B1 (ko) * | 2020-06-15 | 2025-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치 |
| KR102811547B1 (ko) | 2020-11-30 | 2025-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0847228A2 (en) * | 1996-12-09 | 1998-06-10 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Material for organoelectroluminescence device and use thereof |
| US20050260451A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-24 | Sony Corporation | Organic electroluminescence element and display device constructed therefrom |
| CN1816230A (zh) * | 2004-12-06 | 2006-08-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备以及发光器件 |
| WO2006115848A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Eastman Kodak Company | Tandem oled device |
| US20070132373A1 (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5932895A (en) * | 1997-05-20 | 1999-08-03 | The Trustees Of Princeton University | Saturated full color stacked organic light emitting devices |
| JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置 |
| US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
| JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| KR101196558B1 (ko) * | 2003-07-02 | 2012-11-01 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치 |
| JP2005135600A (ja) | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス発光素子 |
| JP5167571B2 (ja) | 2004-02-18 | 2013-03-21 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
| JP4408382B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2010-02-03 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
| KR101249172B1 (ko) | 2004-07-30 | 2013-03-29 | 산요덴키가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네센스 소자 |
| JP4315874B2 (ja) | 2004-07-30 | 2009-08-19 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
| JP2006066380A (ja) | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
| KR100626036B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자의 제조방법 |
| US20060250079A1 (en) * | 2005-04-05 | 2006-11-09 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Intermediate layers treated by cf4-plasma for stacked organic light-emitting devices |
| US7728517B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
| EP1724852A3 (en) * | 2005-05-20 | 2010-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| CN101288343B (zh) * | 2005-09-22 | 2010-08-25 | 松下电工株式会社 | 有机发光元件及其制备方法 |
| JP4896544B2 (ja) | 2006-03-06 | 2012-03-14 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JP5237541B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4966176B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8633475B2 (en) * | 2010-07-16 | 2014-01-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and a method for producing the device |
-
2009
- 2009-07-23 JP JP2009172426A patent/JP5476061B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-27 EP EP09802916.8A patent/EP2309824B1/en not_active Not-in-force
- 2009-07-27 CN CN200980130244.9A patent/CN102113414B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-27 KR KR1020117004456A patent/KR101290610B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-27 US US12/737,552 patent/US8373191B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-27 WO PCT/JP2009/063344 patent/WO2010013673A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0847228A2 (en) * | 1996-12-09 | 1998-06-10 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Material for organoelectroluminescence device and use thereof |
| US20050260451A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-24 | Sony Corporation | Organic electroluminescence element and display device constructed therefrom |
| CN1816230A (zh) * | 2004-12-06 | 2006-08-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备以及发光器件 |
| WO2006115848A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Eastman Kodak Company | Tandem oled device |
| US20070132373A1 (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10068533B2 (en) | 2010-04-28 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| CN104508851B (zh) * | 2012-05-16 | 2017-06-16 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 有机光电子器件和透明的无机半导体在载流子对生成层序列中的应用 |
| CN104508851A (zh) * | 2012-05-16 | 2015-04-08 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 有机光电子器件和透明的无机半导体在载流子对生成层序列中的应用 |
| USRE50440E1 (en) | 2012-12-31 | 2025-05-20 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| CN103915470B (zh) * | 2012-12-31 | 2016-12-07 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN103915470A (zh) * | 2012-12-31 | 2014-07-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| US11005061B2 (en) | 2012-12-31 | 2021-05-11 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| CN103972401A (zh) * | 2013-01-31 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN103972403A (zh) * | 2013-01-31 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN103972400A (zh) * | 2013-01-31 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104037348A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104037344A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104051642A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104183731A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104253226A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104253228A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104253233A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| US10014487B2 (en) | 2013-09-17 | 2018-07-03 | Kyulux, Inc. | Organic electroluminescent device |
| TWI640111B (zh) * | 2013-09-17 | 2018-11-01 | 九州有機光材股份有限公司 | 有機電致發光元件 |
| CN105552242B (zh) * | 2016-01-29 | 2017-05-03 | 苏州大学 | 一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法 |
| CN105552242A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-05-04 | 苏州大学 | 一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法 |
| CN105957975A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-09-21 | 云南大学 | 高效率串联oled器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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