CN104009170A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104009170A CN201310060238.9A CN201310060238A CN104009170A CN 104009170 A CN104009170 A CN 104009170A CN 201310060238 A CN201310060238 A CN 201310060238A CN 104009170 A CN104009170 A CN 104009170A
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周明杰
王平
黄辉
张振华
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Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、光取出层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述光取出层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自二氧化铪及二硼化铪中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:20~3:10，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物。上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、光取出层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述光取出层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自二氧化铪及二硼化铪中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:20~3:10，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物。
在其中一个实施例中，所述光取出层的厚度为50nm~200nm，所述阳极的厚度为80nm~300nm。
在其中一个实施例中，所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
在其中一个实施例中，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在玻璃基底表面电子束蒸镀制备光取出层，所述光取出层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自二氧化铪及二硼化铪中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:20~3:10，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；
在所述光取出层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；及
在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
在其中一个实施例中，所述光取出层的厚度为50nm~200nm，所述阳极的厚度为80nm~300nm。
在其中一个实施例中，所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
在其中一个实施例中，电子束蒸镀光取出层时的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2。
在其中一个实施例中，所述玻璃基底在电子束蒸镀制备光取出层前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡1小时~12小时。
上述有机电致发光器件及其制备方法，在阳极与玻璃基底之间制备光取出层，使用铪的化合物与镧系的镨氧化物进行掺杂，铪的化合物的高透射波段宽（在200nm～10μm透过70%以上），高折射率（折射率大于2.0），可对光进行有效的折射与反射，同时，与阳极折射率较匹配，可避免界面的全反射现象，镧系的镨氧化物稳定性高，成膜性较好可提高光取出层的稳定性，从而有机电致发光器件的出光效率较高；同时，有效避免了ITO中的金属离子向玻璃基底的扩散，从而有机电致发光器件的寿命较长。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的玻璃基底10、光取出层20、阳极30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
玻璃基底10为折射率为1.8~2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
光取出层20形成于玻璃基底10的一侧表面。光取出层20的材料为光取出层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料。主体材料选自二氧化铪（HfO2）及二硼化铪（HfB2）中的至少一种。客体材料选自二氧化镨（PrO2）、三氧化二镨（Pr2O3）、三氧化镱（Yb2O3）及氧化钐（Sm2O3）中的至少一种。客体材料与主体材料的质量比为1:20~3:10。光取出层20的厚度为50nm~200nm。光取出层中，主体材料的折射率大于2.0，较高，且在200nm～10μm透过率大于70%，高透射波段较宽。
阳极30形成于光取出层20的表面。阳极30的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极30的厚度为80nm~300nm。
空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层40的厚度为20nm~80nm，优选为50nm。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm~60nm，优选为30nm。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm~40nm，优选为20nm。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。电子传输层70的厚度为40nm~250nm，优选为160nm。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为Cs2CO3。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm，优选为1nm。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Au。阴极90的厚度为80nm~250nm，优选为200nm。
上述有机电致发光器件100，采用折射率在1.8以上，可见光透过率为90%以上的玻璃作为有机电致发光器件的玻璃基底10，消除玻璃基底10与阳极30之间的全反射，使更多的光入射到玻璃基底10中；在阳极30与玻璃基底10之间制备光取出层20，使用铪的化合物与镧系的镨氧化物进行掺杂，铪的化合物的高透射波段宽（在200nm～10μm透过70%以上），高折射率（折射率大于2.0），可对光进行有效的折射与反射，同时，与阳极30折射率较匹配，可避免界面的全反射现象，镧系的镨氧化物稳定性高，成膜性较好可提高光取出层20的稳定性，从而有机电致发光器件100的出光效率较高；同时，有效避免了ITO中的金属离子向玻璃基底20的扩散，从而有机电致发光器件100的寿命较长。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在玻璃基底10表面电子束蒸镀制备光取出层20。
光取出层20形成于玻璃基底10的一侧表面。光取出层20的材料为光取出层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料。主体材料选自二氧化铪（HfO2）及二硼化铪（HfB2）中的至少一种。客体材料选自二氧化镨（PrO2）、三氧化二镨（Pr2O3）、三氧化镱（Yb2O3）及氧化钐（Sm2O3）中的至少一种。客体材料与主体材料的质量比为1:20~3:10。光取出层20的厚度为50nm~200nm。光取出层中，主体材料的折射率大于2.0，较高，且在200nm～10μm透过率大于70%，高透射波段较宽。
本实施方式中，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2～100W/cm2。
本实施方式中，玻璃基底10在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡1小时~10小时。
步骤S120、在光取出层20表面磁控溅射制备阳极30。
阳极30形成于光取出层20的表面。阳极30的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极30的厚度为80nm~300nm。
本实施方式中，磁控溅射的加速电压：300~800V，磁场约：50~200G，功率密度：1~40W/cm2。
步骤S130、在阳极30的表面依次蒸镀形成空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，优选为MoO3。空穴注入层40的厚度为20nm~80nm，优选为50nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为NPB。空穴传输层50的厚度为20nm~60nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm~40nm，优选为20nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。电子传输层70的厚度为40nm~250nm，优选为160nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为Cs2CO3。电子注入层80的厚度为0.5nm～10nm，优选为1nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Au。阴极90的厚度为80nm~250nm，优选为200nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s~10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，制备工艺简单；制备的有机电致发光器件的出光效率较高。
以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试电流密度和色度。
实施例1
本实施例制备结构为玻璃基底/HfO2:PrO2/ITO/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Au的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF44，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上制备光取出层，材料包括HfO2及掺杂在HfO2中的PrO2，PrO2与HfO2的质量比为1:5，采用电子束制备，厚度为150nm。然后在光取出层上制备ITO，厚度为180nm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀制备空穴注入层：材料为MoO3，厚度为50nm；蒸镀制备空穴传输层：材料为NPB，厚度为30nm；蒸镀制备发光层：所选材料为Alq3，厚度为20nm；蒸镀制备电子传输层，材料为Bphen，厚度为160nm；蒸镀制备电子注入层、材料为Cs2CO3，厚度为1nm；蒸镀制备阴极，材料为Au，厚度为80nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为8×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.3nm/s，金属的蒸镀速率为2nm/s。磁控溅射的加速电压：400V，磁场约：100G，功率密度：25W/cm2。电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为玻璃基底/HfO2:PrO2/ITO/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Au的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Al的有机电致发光器件（曲线2）的流明效率与电流密度的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
从图上可以看到，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的流明效率为5.2lm/W，而对比例的仅为3.8lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，在阳极与高折射率玻璃基板之间制备掺杂的光取出层，提高光取出层的稳定性，同时，有效避免了ITO中的金属离子向基板的扩散，提高了有机电致发光器件的发光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备结构为玻璃基底/HfB2:Pr2O3/AZO/WO3/TCTA/ADN/Bphen/LiF/Pt的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LAF36，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，在玻璃基底上制备光取出层，材料包括HfB2及掺杂在HfB2中的Pr2O3，Pr2O3与HfB2的质量比为3:10，采用电子束制备，厚度为50nm；然后在光取出层上制备AZO，厚度为300nm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为80nm；蒸镀空穴传输层：材料为TCTA，厚度为45nm；蒸镀发光层：所选材料为ADN，厚度为8nm；蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为65nm；蒸镀电子注入层、材料为LiF，厚度为0.5nm；蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为80nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-3Pa，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.1nm/s，金属的蒸镀速率为10nm/s。磁控溅射的加速电压：300V，磁场约：200G，功率密度：1W/cm2。电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2。
实施例3
本实施例制备结构为玻璃基底/HfO2:Yb2O3/IZO/V2O5/TAPC/DCJTB/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF31A，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上；在玻璃基底上制备光取出层，材料包括HfO2及掺杂在HfO2中的Yb2O3，Yb2O3与HfO2的质量比为1:20，采用电子束制备，厚度为200nm；然后在光取出层上制备IZO，厚度为80nm，采用磁控溅射的方法制备。蒸镀空穴注入层，材料为V2O5，厚度为20nm；蒸镀空穴传输层：材料为TAPC，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为DCJTB，厚度为10nm；蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为200nm；蒸镀电子注入层、材料为CsF，厚度为10nm；蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为100nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，金属的蒸镀速率为1nm/s。磁控溅射的加速电压：800V，磁场约：50G，功率密度：40W/cm2。电子束蒸镀的能量密度为l00W/cm2。
实施例4
本实施例制备结构为玻璃基底/HfO2:Sm2O3/ITO/WO3/TCTA/BCzVBi/TPBi/CsN3/Al的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF41A，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上制备光取出层，材料包括HfO2及掺杂在HfO2中的Sm2O3，Sm2O3与HfO2的质量比为1:5，采用电子束制备，厚度为150nm；然后在光取出层上制备ITO，厚度为150nm，采用磁控溅射的方法制备；蒸镀空穴注入层，材料为WO3，厚度为70nm；蒸镀空穴传输层：材料为TCTA，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为BCzVBi，厚度为40nm；蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为35nm；蒸镀电子注入层、材料为CsN3，厚度为3nm；蒸镀阴极，材料为Al，厚度为250nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.6nm/s，金属的蒸镀速率为6nm/s。磁控溅射的加速电压：350V，磁场约：80G，功率密度：30W/cm2。电子束蒸镀的能量密度为20W/cm2。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、光取出层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述光取出层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自二氧化铪及二硼化铪中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:20~3:10，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述光取出层的厚度为50nm~200nm，所述阳极的厚度为80nm~300nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃基底表面电子束蒸镀制备光取出层，所述光取出层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自二氧化铪及二硼化铪中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:20~3:10，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；
在所述光取出层表面磁控溅射制备阳极，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；及
在所述阳极的表面依次蒸镀制备穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述光取出层的厚度为50nm~200nm，所述阳极的厚度为80nm~300nm。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：电子束蒸镀光取出层时的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述玻璃基底在电子束蒸镀制备光取出层前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡1小时~12小时。
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