CN104009181A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的氧化物层、玻璃基底、阳极、缓冲层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述氧化物层的材料选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种，所述阳极的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物，所述缓冲层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:1000~1:20。上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的氧化物层、玻璃基底、阳极、缓冲层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述氧化物层的材料选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种，所述阳极的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物，所述缓冲层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1∶1000~1∶20。
在其中一个实施例中，所述氧化物层的厚度为5nm~20nm，所述阳极的厚度为20nm~80nm，所述缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。
在其中一个实施例中，所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
在其中一个实施例中，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述聚3,4-二氧乙烯噻吩与所述聚苯磺酸盐的质量比为2:1~6:1。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在玻璃基底的背面蒸镀制备氧化物层，所述氧化物层的材料选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种；
在所述玻璃基底的正面涂敷制备阳极，所述阳极的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物；
在所述阳极的表面蒸镀制备缓冲层，所述缓冲层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:1000~1:20，蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，所述主体材料及所述客体材料分别放在两个蒸发舟中进行蒸发，所述主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s，所述客体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s；及
在所述缓冲层的表面依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
在其中一个实施例中，所述氧化物层的厚度为5nm~20nm，所述阳极的厚度为20nm~80nm，所述缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。
在其中一个实施例中，所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
在其中一个实施例中，所述氧化物层通过电子束蒸镀制备，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2。
在其中一个实施例中，所述阳极通过旋涂制备，旋涂的转速为2000rpm~6000rpm，时间为10-30s，旋涂后在50℃~200℃下烘干10分钟~30分钟。
上述有机电致发光器件及其制备方法，阳极的材料为聚3,4-二氧乙基噻吩与聚苯磺酸盐的混合物，PEDOT具有很高的导电性，提高阳极的导电性能，同时，能级为-5.5eV左右，与有机层的能级比较匹配，适合空穴的注入，可作为阳极的同时提高注入能力，而在阳极表面制备一层缓冲层，缓冲层中客体材料的HOMO能级较高，适合空穴的注入，而缓冲层中的主体材料为空穴注入材料，可再次提高空穴的注入以及缓冲层的稳定性，同时，缓冲层有利于空穴的传输，避免载流子陷阱的存在，在玻璃基底出光面制备氧化物层作为散射层，提高光取出效率，这种结构可以极大的提高有机电致发光器件的出光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的氧化物层10、玻璃基底20、阳极30、缓冲层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
玻璃基底20为折射率为1.8~2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底20优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
氧化物层10形成于玻璃基底20的背面。氧化物层10的材料选自三氧化二铝（Al2O3）、氧化硼（B2O3）及氧化镓（Ga2O3）中的至少一种。氧化物层10的材料为高稳定性、高熔点的双性氧化物材料，为白色或透明色，起到散射的作用。氧化物层10的厚度为10μm~30μm。
阳极30形成于玻璃基底20的正面。阳极30材料为为聚3,4-二氧乙烯噻吩（PEDOT）与聚苯磺酸盐（PSS）的混合物。其中，PEDOT与PSS的质量比为2:1~6:1。阳极30的厚度为20nm~800nm。
缓冲层40形成于阳极30的表面。缓冲层40的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种。客体材料选自二氧化镨（PrO2）、三氧化二镨（Pr2O3）、三氧化镱（Yb2O3）及氧化钐（Sm2O3）中的至少一种。客体材料与主体材料的质量比为1∶1000~1:20。缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。
空穴传输层50形成于缓冲层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TAPC。空穴传输层50的厚度为20nm~60nm，优选为40nm。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm~40nm，优选为30nm。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。电子传输层70的厚度为40nm~250nm，优选为200nm。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为Cs2CO3。电子注入层80的厚度为0.5nm~10nm，优选为2nm。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Al。阴极90的厚度为80nm~250nm，优选为200nm。
上述有机电致发光器件100，阳极30的材料为聚3,4-二氧乙基噻吩与聚苯磺酸盐的混合物，PEDOT具有很高的导电性，提高阳极的导电性能，同时，能级为-5.5eV左右，与有机层的能级比较匹配，适合空穴的注入，可作为阳极30的同时提高注入能力，而在阳极30表面制备一层缓冲层40，缓冲层40中客体材料的HOMO能级较高，适合空穴的注入，而缓冲层40中的主体材料为空穴注入材料，可再次提高空穴的注入以及缓冲层的稳定性，同时，缓冲层40有利于空穴的传输，避免载流子陷阱的存在，在玻璃基底20出光面制备氧化物层10作为散射层，提高光取出效率，这种结构可以极大的提高有机电致发光器件100的出光效率。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在玻璃基底20的背面蒸镀制备氧化物层10。
玻璃基底20为折射率为1.8~2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底20优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
氧化物层10形成于玻璃基底20的背面。氧化物层10的材料选自三氧化二铝（Al2O3）、氧化硼（B2O3）及氧化镓（Ga2O3）中的至少一种。氧化物层10的材料为高稳定性、高熔点的双性氧化物材料，为白色或透明色，起到散射的作用。氧化物层10的厚度为10μm~30μm。氧化物层10通过电子束蒸镀制备，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2。
本实施方式中，玻璃基底20在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡1小时~12小时。
步骤S120、在玻璃基底20的正面涂敷制备阳极30。
阳极30的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩（PEDOT）与聚苯磺酸盐（PSS）的混合物。其中，PEDOT与PSS的质量比为2:1~6:1。聚合物层25的厚度为20nm~800nm。
优选的，阳极30由旋涂制备，旋涂时使用含有PEDOT及PSS的水溶液，其中PEDOT与PSS的质量比为2:1~6:1，水溶液中聚3,4-二氧乙烯噻吩的质量浓度为1%~5%。旋涂的转速为2000rpm~6000rpm，时间为10S~30S，旋涂后在50℃~200℃下烘干10分钟~30分钟。需要说明的是，阳极30也可采用刮涂等其他方法制备。
步骤S130、在阳极30的表面蒸镀制备缓冲层40。
缓冲层40的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种。客体材料选自二氧化镨（PrO2）、三氧化二镨（Pr2O3）、三氧化镱（Yb2O3）及氧化钐（Sm2O3）中的至少一种。客体材料与主体材料的质量比为1:1000~1:20。缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa～5×10-5Pa下进行，主体材料及客体材料分别放在两个蒸发舟中进行蒸发，主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s，客体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
步骤S140、在缓冲层40的表面依次蒸镀形成空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，优选为TAPC。空穴传输层50的厚度为20nm~60nm，优选为40nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm~40nm，优选为30nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，优选为Bphen。电子传输层70的厚度为40nm~250nm，优选为200nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，优选为Cs2CO3。电子注入层80的厚度为0.5nm~10nm，优选为2nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Al。阴极90的厚度为80nm~250nm，优选为200nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，蒸镀速率为1nm/s~10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法，制备工艺简单；制备的有机电致发光器件的出光效率较高。
以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试电流密度和色度。
实施例1
本实施例制备结构为Al2O3/玻璃基底/PEDOT:PSS/PrO2:MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Al的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF44，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底的一面制备氧化物层，材料为Al2O3，采用电子束制备，厚度为10nm；玻璃基底另一面制备阳极层，材料为PEDOT:PSS（“：”表示混合，下同），旋涂制备，旋涂时使用采用重量比为4:1的PEDOT:PSS水溶液（此处指的是PTDOT与PSS的质量比，下同），在PEDOT:PSS水溶液中，PEDOT的质量分数为2.5%，转速为4000rpm，时间为20s，在100度下烘干20min，厚度为60nm，在阳极表面制备缓冲层，材料包括MoO3及掺杂在MoO3中的PrO2，PrO2与MoO3的质量比为1:50，厚度为2nm，采用热蒸镀制备；蒸镀制备空穴传输层：材料为TAPC，厚度为40nm；蒸镀制备发光层：所选材料为Alq3，厚度为30nm；蒸镀制备电子传输层，材料为Bphen，厚度为200nm；蒸镀制备电子注入层、材料为Cs2CO3，厚度为2nm；蒸镀制备阴极，材料为Al，厚度为80nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为8×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.2nm/s，金属的蒸镀速率为2nm/s。电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为Al2O3/玻璃基底/PEDOT:PSS/PrO2:MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Al的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为ITO玻璃/MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Al的有机电致发光器件（曲线2）的流明效率与电流密度的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
从图上可以看到，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的流明效率为4.11m/W，而对比例的仅为2.8lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，这说明，阳极采用PEDOT:PSS水溶液进行旋涂，可作为阳极的同时提高注入能力，制备一层薄层的镨氧化物掺杂层作为缓冲层，可再次提高空穴的注入以及薄层的稳定性，在玻璃出光面制备氧化物作为散射层，提高光取出效率，这种结构可以极大的提高有机电致发光器件的出光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备结构为B2O3/玻璃基底/PEDOT:PSS/PrO2:WO3/TCTA/ADN/TAZ/LiF/Pt的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LAF36，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底的一面制备氧化物层，材料为B2O3，采用电子束制备，厚度为20nm；然后在玻璃另一面制备阳极，材料为PEDOT:PSS（“：”表示混合，下同），旋涂制备，旋涂时使用采用重量比为2:1的PEDOT:PSS水溶液（此处指的是PTDOT与PSS的质量比），在PEDOT:PSS水溶液中，PEDOT的质量分数为1%，旋涂制备，转速为2000rpm，时间为10s，在200℃下烘干10min，厚度为80nm。然后在阳极表面制备缓冲层，材料包括WO3及掺杂在WO3中的为Pr2O3，Pr2O3与WO3的质量比为1:20，厚度为10nm，采用热蒸镀制备；蒸镀空穴传输层：材料为TCTA，厚度为45nm；蒸镀发光层：所选材料为ADN，厚度为8nm；蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为65nm；蒸镀电子注入层、材料为LiF，厚度为0.5nm；蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为80nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-3Pa，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属的蒸镀速率为10nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.1nm/s，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2。
实施例3
本实施例制备结构为Ga2O3/玻璃基底/PEDOT:PSS/Yb2O3:V2O5/NPB/DCJTB/Bphen/CsF/Ag的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF31A，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上；在玻璃基底的一面制备氧化物层，材料为Ga2O3，采用电子束制备，厚度为5nm；然后在玻璃基底另一面制备阳极，材料为PEDOT:PSS（“：”表示混合，下同），旋涂制备，旋涂时使用采用重量比为6:1的PEDOT:PSS水溶液（此处指的是PTDOT与PSS的质量比），在PEDOT:PSS水溶液中，PEDOT的质量分数为5%，旋涂制备，转速为6000rpm，时间为30s，在50℃下烘干30min，厚度为20nm；然后在阳极表面制备缓冲层，材料包括V2O5及掺杂在V2O5中的为Yb2O3:V2O5，Yb2O3与V2O5的质量比为1:1000，厚度为0.1nm，采用热蒸镀制备；蒸镀空穴传输层：材料为NPB，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为DCJTB，厚度为10nm；蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为200nm；蒸镀电子注入层、材料为CsF，厚度为10nm；蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为100nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属的蒸镀速率为1nm/s，金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，电子束蒸镀的能量密度为l00W/cm2。
实施例4
本实施例制备结构为Al2O3/玻璃基底/PEDOT:PSS/Sm2O3:WO3/TAPC/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Al的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF41A，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上；在玻璃基底的一面制备氧化物层，材料为Al2O3，采用电子束制备，厚度为15nm；然后在玻璃基底另一面制备阳极，材料为PEDOT:PSS（“：”表示混合，下同），旋涂制备，旋涂时使用采用重量比为3:1的PEDOT:PSS水溶液（此处指的是PTDOT与PSS的质量比），在PEDOT:PSS水溶液中，PEDOT的质量分数为1.5%，旋涂制备，转速为3500rpm，时间为15s，在50℃下烘干30min，厚度为60nm；然后在阳极表面制备缓冲层，材料包括WO3及掺杂在WO3中的为Sm2O3，Sm2O3与WO3的质量比为1:900，厚度为3nm，采用热蒸镀制备；蒸镀空穴传输层：材料为TAPC，厚度为60nm；蒸镀发光层：所选材料为BCzVBi，厚度为40nm；蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为35nm；蒸镀电子注入层、材料为CsN3，厚度为3nm；蒸镀阴极，材料为Au，厚度为250nm；最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属的蒸镀速率为6nm/s，金属化合物的蒸镀速率为0.6nm/s，电子束蒸镀的能量密度为20W/cm2。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的氧化物层、玻璃基底、阳极、缓冲层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述氧化物层的材料选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种，所述阳极的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物，所述缓冲层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:1000~1:20。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为5nm~20nm，所述阳极的厚度为20nm~80nm，所述缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述聚3,4-二氧乙烯噻吩与所述聚苯磺酸盐的质量比为2:1~6:1。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在玻璃基底的背面蒸镀制备氧化物层，所述氧化物层的材料选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种；
在所述玻璃基底的正面涂敷制备阳极，所述阳极的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐的混合物；
在所述阳极的表面蒸镀制备缓冲层，所述缓冲层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料，所述主体材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述客体材料选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1∶1000~1:20，蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行，所述主体材料及所述客体材料分别放在两个蒸发舟中进行蒸发，所述主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s，所述客体材料的蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s；及
在所述缓冲层的表面依次蒸镀制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述氧化物层的厚度为5nm~20nm，所述阳极的厚度为20nm~80nm，所述缓冲层的厚度为0.1nm~10nm。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述氧化物层通过电子束蒸镀制备，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述阳极通过旋涂制备，旋涂的转速为2000rpm~6000rpm，时间为10-30s，旋涂后在50℃~200℃下烘干10分钟~30分钟。
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