CN111129343B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括依次层叠设置的基板、折射层、第一电极层、电极修饰层、有机功能层和第二电极层，其中，所述第一电极层、所述电极修饰层、所述有机功能层和所述第二电极层构成微腔结构。本方案中的微腔结构可以有效减小波导效应，进而提高显示装置的发光效率。

Description

显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)由于其具有柔性，响应时间快，色域广，能耗低等特点，在平板显示、照明等领域有着广泛的发展。
OLED由阳极、阴极以及电极之间的一层或多层的有机材料构成，通过从阳极、阴极注入的空穴和电子在有机发光层复合形成激子，激子辐射跃迁发光。
目前OLED中采用磷光材料，OLED的内量子效率几乎能达到100％，然而大部分的光被OLED内部材料吸收或者由于波导效应被限制在OLED内部，导致OLED的外量子效率一般在20％-30％，发光效率低。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示装置，可以提高显示装置的发光效率。
本申请实施例提供了一种显示装置，包括依次层叠设置的基板、折射层、第一电极层、电极修饰层、有机功能层和第二电极层，其中，所述第一电极层、所述电极修饰层、所述有机功能层和所述第二电极层构成微腔结构；所述第一电极层为阳极层；所述电极修饰层为阳极修饰层，所述阳极修饰层的材料包括三氧化钼、五氧化二铌或铜酞菁，所述阳极修饰层上设置有柱状结构，所述柱状结构嵌入所述有机功能层内，所述柱状结构的高度小于所述阳极修饰层的宽度。
在本申请实施例提供的显示装置中，所述阳极层的材料包括金、银或镁银合金。
在本申请实施例提供的显示装置中，所述阳极层的厚度为1纳米至10纳米。
在本申请实施例提供的显示装置中，所述阳极修饰层厚度为1纳米至30纳米。
在本申请实施例提供的显示装置中，所述第二电极层为阴极层。
在本申请实施例提供的显示装置中，所述阴极层包括金、银或镁银合金。
在本申请实施例提供的显示装置中，所述折射层的材料包括折射率大于1.8的有机材料。
在本申请实施例提供的显示装置中，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。
由上，本申请实施例提供的显示装置包括依次层叠设置的基板、折射层、第一电极层、电极修饰层、有机功能层和第二电极层，其中，所述阳极层、所述阳极修饰层、所述有机功能层和所述阴极层构成微腔结构。本方案中的微腔结构可以有效减小波导效应，提高显示装置的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种显示装置，以下将进行详细说明。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。该显示装置100可以包括依次层叠设置的基板10、折射层20、第一电极层31、电极修饰层32、有机功能层33和第二电极层34。其中，该第一电极层31、电极修饰层32、有机功能层33和第二电极层34可以构成微腔结构30。
需要说明的是，微腔结构30可以利用光在折射率不连续的界面上的反射、全反射、干涉、衍射或散射等效应，将光限制在一个很小的波长区域内。通过设计腔长和优化腔内各层的厚度，使发光中心位于腔内驻波场的增强峰附近，可以提高显示装置100辐射偶极子和腔内电场的耦合效率，从而提高显示装置100的发光效率和亮度。
需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
可以理解的是，微腔结构30的腔长即为第一电极层31、阳极修饰层32、有机功能层33和第二电极层34的厚度之和。该微腔结构30的腔长可以根据实际情况进行调整，通过选择合适的腔长，使得显示装置100的出光效率因干涉加强。
在一些实施例中，该有机功能层33可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。
在一些实施例中，第一电极层31可以为阳极层。电极修饰层32可以为阳极修饰层。第二电极层34可以为阴极层。其中，阳极层的材料可以包括金(Au)、银(Ag)或镁银(Mg/Ag)合金。该阳极层的厚度可以为1纳米-30纳米。该阴极层的材料可以包括金(Au)、银(Ag)或镁银(Mg/Ag)合金。
在一些实施例中，该阳极修饰层的材料可以包括三氧化钼(MoO3)、五氧化二铌(Nb2O5)或铜酞菁(CuPc)等常用的空穴注入材料。该阳极修饰层的厚度可以为1纳米-10纳米。该阳极修饰层可以用于降低阳极层与有机功能层33之间的能垒，以便于加快空穴的注入速率，使得空穴可以更快的传输到有机功能层33中的发光单元内复合形成激子，进而提升显示装置100的稳定性，提高显示装置100的发光效率。
在一些实施例中，该阳极修饰层上可以设置有柱状结构，该柱状结构可以嵌入有机功能层33内。需要说明的是，该柱状结构的高度小于该阳极修饰层的宽度。由此，该柱状结构可以增加阳极修饰层与有机功能层33的接触面积，从而加快空穴的注入速率。其中，该柱状结构的数量可以根据实际情况进行设定，在此不做限制。
需要说明的是，该阳极修饰层上还可以设置其他形状的结构嵌入有机功能层33。比如，球状结构、棱锥结构等，在此不再一一赘述。
在一些实施例中，折射层20的材料可以为折射率大于1.8的有机材料。也可以为比如五氧化二钽(折射率为2.1)、铟锌氧化物(折射率为2.1)等材料。该折射层20的厚度可以为10纳米-200纳米。需要说明的是，折射层20的厚度可以根据显示装置100的实际发光情况进行调整。该折射层20可以降低基板10与第一电极层31之间的波导效应，进而提高显示装置100的发光效率。
由上，本申请实施例提供的显示装置100可以包括依次层叠设置的基板10、折射层20、第一电极层31、电极修饰层32、有机功能层33和第二电极层34，其中，第一电极层31、电极修饰层32、有机功能层33和第二电极层31构成微腔结构30。该方案中的微腔结构30可以有效减小波导效应，进而提高显示装置100的发光效率。
以上对本申请实施例所提供的一种显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种显示装置，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、折射层、第一电极层、电极修饰层、有机功能层和第二电极层，其中，所述第一电极层、所述电极修饰层、所述有机功能层和所述第二电极层构成微腔结构；
所述第一电极层为阳极层；
所述电极修饰层为阳极修饰层，所述阳极修饰层的材料包括三氧化钼、五氧化二铌或铜酞菁，所述阳极修饰层上设置有柱状结构，所述柱状结构嵌入所述有机功能层内，所述柱状结构的高度小于所述阳极修饰层的宽度。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阳极层的材料包括金、银或镁银合金。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阳极层的厚度为1纳米至30纳米。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阳极修饰层厚度为1纳米至10纳米。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二电极层为阴极层。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述阴极层包括金、银或镁银合金。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述折射层的材料包括折射率大于1.8的有机材料。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104009181A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104851988A (zh) * 2015-05-22 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器件及其制作方法和显示装置
CN110379938A (zh) * 2019-07-26 2019-10-25 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种非对称紫外微腔有机发光二极管及其制备方法
CN110400890A (zh) * 2019-07-26 2019-11-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种非规整微腔胶体量子点电致发光器件及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8466484B2 (en) * 2011-06-21 2013-06-18 Kateeva, Inc. Materials and methods for organic light-emitting device microcavity

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104009181A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104851988A (zh) * 2015-05-22 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器件及其制作方法和显示装置
CN110379938A (zh) * 2019-07-26 2019-10-25 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种非对称紫外微腔有机发光二极管及其制备方法
CN110400890A (zh) * 2019-07-26 2019-11-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种非规整微腔胶体量子点电致发光器件及其制备方法

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