CN104009184A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104009184A
CN104009184A CN201310060389.4A CN201310060389A CN104009184A CN 104009184 A CN104009184 A CN 104009184A CN 201310060389 A CN201310060389 A CN 201310060389A CN 104009184 A CN104009184 A CN 104009184A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
titanium dioxide
evaporation
organic electroluminescence
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310060389.4A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
王平
黄辉
张振华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310060389.4A priority Critical patent/CN104009184A/zh
Publication of CN104009184A publication Critical patent/CN104009184A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机电致发光器件,包括依次层叠的第一二氧化钛层、玻璃基底、第二二氧化钛层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阳极的材料包括金属及掺杂在所述金属中的金属氧化物,所述金属选自银、铝、铂及金中的至少一种,所述金属氧化物选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种,所述金属氧化物与所述金属的质量比为1:20~1:5。上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的,而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部,界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差,玻璃折射率为1.5,ITO为1.8,光从ITO到达玻璃,就会发生全反射),引起了全反射的损失,从而导致整体出光性能较低。
发明内容
基于此,有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件,包括依次层叠的第一二氧化钛层、玻璃基底、第二二氧化钛层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阳极的材料包括金属及掺杂在所述金属中的金属氧化物,所述金属选自银、铝、铂及金中的至少一种,所述金属氧化物选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种,所述金属氧化物与所述金属的质量比为1:20~1:5。
在其中一个实施例中,所述第一二氧化钛层的厚度为10μm~30μm,所述第二二氧化钛层的厚度为50nm~300nm,所述阳极的厚度为5nm~20nm。
在其中一个实施例中,所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
在其中一个实施例中,所述发光层的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
在其中一个实施例中,所述空穴传输层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:
在玻璃基底的背面涂敷含有二氧化钛的溶液制备第一二氧化钛层;
在所述玻璃基底的正面蒸镀制备第二二氧化钛层,所述第二二氧化钛层的材料为二氧化钛;
在所述第二二氧化钛层的表面蒸镀制备阳极,所述阳极的材料包括金属及掺杂在所述金属中的金属氧化物,所述金属选自银、铝、铂及金,所述金属氧化物选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种,所述阳极中,所述金属氧化物与所述金属的质量比为1:20~1:5,蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,所述金属及所述金属氧化物分别放在两个蒸发舟中进行蒸发,所述金属的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s,所述金属氧化物的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s;及
在所述阳极的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
在其中一个实施例中,所述第一二氧化钛层的厚度为10μm~30μm,所述第二二氧化钛层的厚度为50nm~300nm,所述阳极的厚度为5nm~20nm。
在其中一个实施例中,所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
在其中一个实施例中,所述含有二氧化钛的溶液中还含有聚乙二醇对异辛基苯基醚,所述二氧化钛的质量百分含量为20~60%,所述聚乙二醇对异辛基苯基醚的质量百分含量为0.1%~1%,所述含有二氧化钛的溶液中的溶剂选自水、乙醇、异丙醇及正丁醇。
在其中一个实施例中,所述第二二氧化钛层通过电子束蒸镀制备,电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2
上述有机电致发光器件及其制备方法,通过在阳极与玻璃基底之间制备第二二氧化钛层,使得有机电致发光器件内部往两边发射的光散射回到中路,提高发光强度,而阳极采用金属与金属氧化物掺杂而成,金属作为阳极,其折射率可以忽略不计,金属与金属氧化物作为阳极,提高了导电性,消除了阳极的全反射影响,同时,金属氧化物可作为缓冲作用,提高空穴的注入效率,同时,提高电极的稳定性,而在玻璃基底与空气的接触面上,再制备一层第一二氧化钛层,使光从高折射率的玻璃基底中通过散射出射到空气中,这种结构可以极大的提高有机电致发光器件的出光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图;
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的第一二氧化钛层10、玻璃基底20、第二二氧化钛层25、阳极30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
玻璃基底20为折射率为1.8~2.2的玻璃,在400nm透过率高于90%。玻璃基底20优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
第一二氧化钛层10形成于玻璃基底20的背面。第一二氧化钛层10的材料为二氧化钛(TiO2)。第一二氧化钛层10的厚度为10μm~30μm。
第二二氧化钛层25形成于玻璃基底20的正面。第二二氧化钛层25的材料为二氧化钛(TiO2)。第二二氧化钛层25的厚度为50nm~300nm。二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
阳极30形成于第二二氧化钛层25的表面。阳极30的材料包括金属及掺杂在金属中的金属氧化物。金属选自银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)及金(Au)中的至少一种。金属氧化物选自三氧化二铝(Al2O3)、氧化硼(B2O3)及氧化镓(Ga2O3)中的至少一种。金属氧化物与金属的质量比为1:20~1:5。阳极30的厚度为5nm~20nm。
空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种,优选为V2O5。空穴注入层40的厚度为20nm~80nm。优选25nm。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB)中的至少一种,优选为TCTA。空穴传输层50的厚度为20nm~60nm,优选为40nm。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm~40nm,优选为30nm。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种,优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm~250nm,优选为200nm。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种,优选为LiF。电子注入层80的厚度为0.5nm~10nm,优选为0.7nm。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)及金(Au)中的至少一种,优选为Al。阴极90的厚度为80nm~250nm,优选为200nm。
上述有机电致发光器件100,通过在阳极30与玻璃基底20之间制备第二二氧化钛层25,使得有机电致发光器件100内部往两边发射的光散射回到中路,提高发光强度,而阳极30采用金属与金属氧化物掺杂而成,金属作为阳极30,其折射率可以忽略不计,金属与金属氧化物作为阳极,提高了导电性,消除了阳极30的全反射影响,同时,金属氧化物可作为缓冲作用,提高空穴的注入效率,同时,提高电极的稳定性,而在玻璃基底20与空气的接触面上,再制备一层第一二氧化钛层10,使光从高折射率的玻璃基底20中通过散射出射到空气中,这种结构可以极大的提高有机电致发光器件100的出光效率。
可以理解,该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2,一实施例的有机电致发光器件100的制备方法,其包括以下步骤:
步骤S110、在玻璃基底20的背面涂敷含有二氧化钛的溶液制备第一二氧化钛层10。
玻璃基底20为折射率为1.8~2.2的玻璃,在400nm透过率高于90%。玻璃基底20优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
第一二氧化钛层10形成于玻璃基底20的背面。第一二氧化钛层10的材料为二氧化钛(TiO2)。第一二氧化钛层10的厚度为10μm~30μm。
含有二氧化钛的溶液中还含有聚乙二醇对异辛基苯基醚(曲拉通)。二氧化钛的质量百分含量为20~60%。聚乙二醇对异辛基苯基醚的质量百分含量为0.1%~1%。含有二氧化钛的溶液中的溶剂选自水、乙醇、异丙醇及正丁醇。
优选的,第一二氧化钛层10通过刮涂制备,当然第一二氧化钛层10还可以通过旋涂等其他方法制备。刮涂后,在400℃~600℃下煅烧20分钟~60分钟。
本实施方式中,玻璃基底20在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡1小时~5小时。
步骤S120、在玻璃基底20的正面蒸镀制备第二二氧化钛层25。
第二二氧化钛层25形成于玻璃基底20的正面。第二二氧化钛层25的材料为二氧化钛(TiO2)。第二二氧化钛层25的厚度为50nm~300nm。二氧化钛的粒径为20nm~200nm。
优选的,第二二氧化钛层25通过电子束蒸镀制备,电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2。当然,第二二氧化钛层25也可通过其他的方法制备,比如真空蒸镀。
步骤S130、在第二二氧化钛层25的表面蒸镀制备阳极30。
阳极30的材料包括金属及掺杂在金属中的金属氧化物。金属选自银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)及金(Au)中的至少一种。金属氧化物选自三氧化二铝(Al2O3)、氧化硼(B2O3)及氧化镓(Ga2O3)中的至少一种。金属氧化物与金属的质量比为1:20~1:5。阳极30的厚度为5nm~20nm。
蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,所述金属及所述金属氧化物分别放在两个蒸发舟中进行蒸发,金属的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s,金属氧化物的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s。
步骤S140、在阳极30的表面依次蒸镀形成空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
空穴注入层40形成于阳极30的表面。空穴注入层40的材料选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种,优选为V2O5。空穴注入层40的厚度为20nm~80nm。优选25nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
空穴传输层50形成于空穴注入层40的表面。空穴传输层50的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB)中的至少一种,优选为TCTA。空穴传输层50的厚度为20nm~60nm,优选为40nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
发光层60形成于空穴传输层50的表面。发光层60的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层60的厚度为5nm~40nm,优选为30nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
电子传输层70形成于发光层60的表面。电子传输层70的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种,优选为TAZ。电子传输层70的厚度为40nm~250nm,优选为200nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
电子注入层80形成于电子传输层70的表面。电子注入层80的材料选自碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种,优选为LiF。电子注入层80的厚度为0.5nm~10nm,优选为0.7nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,蒸镀速率为0.1nm/s~1nm/s。
阴极90形成于电子注入层80的表面。阴极90的材料选自银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)及金(Au)中的至少一种,优选为Al。阴极90的厚度为80nm~250nm,优选为200nm。蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,蒸镀速率为1nm/s~10nm/s。
上述有机电致发光器件制备方法,制备工艺简单;制备的有机电致发光器件的出光效率较高。
以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司),美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱,美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能,日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试电流密度和色度。
实施例1
本实施例制备结构为TiO2/玻璃基底/TiO2/Ag:Al2O3/V2O5/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF44,将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上。先制备第一二氧化钛层,由TiO2组成,先配置成溶液,溶液的溶剂为乙醇,质量分数为35%,加入曲拉通乳化剂,质量分数为0.2%,然后进行刮涂,然后在450度下煅烧,时间为30min,厚度为15μm;再制备第二二氧化钛层,由TiO2组成,其粒径为100nm,采用电子束制备,厚度为200nm;在第二二氧化钛层上蒸镀制备掺杂的阳极,材料包括Ag及掺杂在Ag中的Al2O3,Al2O3与Ag的质量比为15:100,厚度为10nm;蒸镀制备空穴注入层:材料为V2O5,厚度为25nm;蒸镀制备空穴传输层:材料为TCTA,厚度为40nm;蒸镀制备发光层:所选材料为Alq3,厚度为30nm;蒸镀制备电子传输层,材料为TAZ,厚度为200nm;蒸镀制备电子注入层、材料为LiF,厚度为0.7nm;蒸镀制备阴极,材料为Al,厚度为80nm;最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为8×10-4Pa,有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s,金属及金属氧化物材料的蒸镀速率为2nm/s。电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2
请参阅图3,所示为实施例1中制备的结构为TiO2/玻璃基底/TiO2/Ag:Al2O3/V2O5/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件(曲线1)与对比例制备的结构为ITO玻璃/V2O5/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件(曲线2)的流明效率与电流密度的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
从图上可以看到,实施例1的流明效率都比对比例的要大,实施例1的流明效率为4.4lm/W,而对比例的仅为3.1lm/W,而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降,这说明,消除玻璃与有机层之间的全反射,使器件内部往两边发射的光散射回到中路,采用金属与金属氧化物作为阳极,提高了导电性,消除使光从高折射率的基板中通过散射出射到空气中,这种结构可以极大的提高有机电致发光器件的出光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似,各有机电致发光器件也具有类似的流明效率,在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备结构为TiO2/玻璃基底/TiO2/Al:Ga2O3/V2O5/TCTA/ADN/TPBi/Cs2CO3/Pt的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LAF36,将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上;刮涂制备第一二氧化钛层,由TiO2组成,先配置成溶液,溶液的溶剂为水,质量分数为60%,加入曲拉通乳化剂,质量分数为0.1%,然后进行刮涂,然后在400度下煅烧,时间为60min,厚度为30μm;制备第二二氧化钛层,由TiO2组成,其粒径为200nm,采用电子束制备,厚度为50nm;在第二二氧化钛层上制备掺杂的阳极,材料包括Al及掺杂在Al中的Ga2O3,Ga2O3与Al的质量比为1:5,采用蒸镀制备,厚度为20nm;蒸镀制备空穴注入层:材料为V2O5,厚度为60nm;蒸镀制备空穴传输层:材料为TCTA,厚度为45nm;蒸镀制备发光层:所选材料为ADN,厚度为8nm;蒸镀制备电子传输层,材料为TPBi,厚度为65nm;蒸镀制备电子注入层、材料为Cs2CO3,厚度为10nm;蒸镀制备阴极,材料为Pt,厚度为80nm;最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-3Pa,有机材料的蒸镀速率为1nm/s,金属及金属氧化物材料的蒸镀速率为10nm/s。电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2
实施例3
本实施例制备结构为TiO2/玻璃基底/TiO2/Pt:B2O3/WO3/TCTA/DCJTB/Bphen/CsF/Al的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF31A,将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上;制备第一二氧化钛层,由二氧化钛组成,先配置成溶液,溶液的溶剂为正丁醇,质量分数为20%,加入曲拉通乳化剂,质量分数为1%,然后进行刮涂,然后在600度下煅烧,时间为20min,厚度为10μm;然后再制备第二二氧化钛层,由TiO2组成,其粒径为20nm,采用电子束制备,厚度为300nm;然后在第二二氧化钛层上制备掺杂的阳极,材料包括Pt及掺杂在Pt中的B2O3,B2O3与Pt的质量比为1:20,采用蒸镀制备,厚度为5nm;蒸镀制备空穴注入层:材料为WO3,厚度为80nm;蒸镀制备空穴传输层:材料为TCTA,厚度为60nm;蒸镀制备发光层:所选材料为DCJTB,厚度为10nm;蒸镀制备电子传输层,材料为Bphen,厚度为200nm;蒸镀制备电子注入层、材料为CsF,厚度为0.5nm;蒸镀制备阴极,材料为Al,厚度为100nm;最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为5×10-5Pa,有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s,金属及金属氧化物材料的蒸镀速率为1nm/s。电子束蒸镀的能量密度为l00W/cm2
实施例4
本实施例制备结构为TiO2/玻璃基底/TiO2/Au:Al2O3/V2O5/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件。
玻璃基底为N-LASF41A,将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上;制备第一二氧化钛层,由TiO2组成,先配置成溶液,溶液的溶剂为异丙醇,质量分数为45%,加入曲拉通乳化剂,质量分数为0.8%,然后进行刮涂,然后在500度下煅烧,时间为30min,厚度为12μm;制备第二二氧化钛层,由TiO2组成,其粒径为150nm,采用电子束制备,厚度为150nm;然后在第二二氧化钛层上制备掺杂的阳极,材料包括Au及掺杂在Au中的Al2O3,Al2O3与Au的质量比为15:100,采用蒸镀制备,厚度为15nm;蒸镀制备空穴注入层:材料为MoO3,厚度为20nm;蒸镀制备空穴传输层:材料为TAPC,厚度为60nm;蒸镀制备发光层:所选材料为BCzVBi,厚度为40nm;蒸镀制备电子传输层,材料为TAZ,厚度为35nm;蒸镀制备电子注入层、材料为CsN3,厚度为3nm;蒸镀制备阴极,材料为Au,厚度为250nm;最后得到所需要的电致发光器件。制备的工作压强为2×10-4Pa,有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s,金属及金属氧化物材料的蒸镀速率为6nm/s。电子束蒸镀的能量密度为80W/cm2
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的第一二氧化钛层、玻璃基底、第二二氧化钛层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极,所述阳极的材料包括金属及掺杂在所述金属中的金属氧化物,所述金属选自银、铝、铂及金中的至少一种,所述金属氧化物选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种,所述金属氧化物与所述金属的质量比为1:20~1:5。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一二氧化钛层的厚度为10μm~30μm,所述第二二氧化钛层的厚度为50nm~300nm,所述阳极的厚度为5nm~20nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料选自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料选自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在玻璃基底的背面涂敷含有二氧化钛的溶液制备第一二氧化钛层;
在所述玻璃基底的正面蒸镀制备第二二氧化钛层,所述第二二氧化钛层的材料为二氧化钛;
在所述第二二氧化钛层的表面蒸镀制备阳极,所述阳极的材料包括金属及掺杂在所述金属中的金属氧化物,所述金属选自银、铝、铂及金,所述金属氧化物选自三氧化二铝、氧化硼及氧化镓中的至少一种,所述阳极中,所述金属氧化物与所述金属的质量比为1:20~1:5,蒸镀在真空压力为2×10-3Pa~5×10-5Pa下进行,所述金属及所述金属氧化物分别放在两个蒸发舟中进行蒸发,所述金属的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s,所述金属氧化物的蒸镀速率为1nm/s~10nm/s;及
在所述阳极的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述第一二氧化钛层的厚度为10μm~30μm,所述第二二氧化钛层的厚度为50nm~300nm,所述阳极的厚度为5nm~20nm。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述含有二氧化钛的溶液中还含有聚乙二醇对异辛基苯基醚,所述二氧化钛的质量百分含量为20~60%,所述聚乙二醇对异辛基苯基醚的质量百分含量为0.1%~1%,所述含有二氧化钛的溶液中的溶剂选自水、乙醇、异丙醇及正丁醇。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述第二二氧化钛层通过电子束蒸镀制备,电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2~l00W/cm2
CN201310060389.4A 2013-02-26 2013-02-26 有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN104009184A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310060389.4A CN104009184A (zh) 2013-02-26 2013-02-26 有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310060389.4A CN104009184A (zh) 2013-02-26 2013-02-26 有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104009184A true CN104009184A (zh) 2014-08-27

Family

ID=51369761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310060389.4A Pending CN104009184A (zh) 2013-02-26 2013-02-26 有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104009184A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1722602A1 (en) * 2004-03-05 2006-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display
CN101518152A (zh) * 2006-08-14 2009-08-26 印可得株式会社 有机电致发光器件及其制备方法
TW201244217A (en) * 2011-04-12 2012-11-01 Arkema Inc Internal optical extraction layer for OLED devices
EP2525629A1 (en) * 2010-09-21 2012-11-21 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd Electrode foil and organic device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1722602A1 (en) * 2004-03-05 2006-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display
CN101518152A (zh) * 2006-08-14 2009-08-26 印可得株式会社 有机电致发光器件及其制备方法
EP2525629A1 (en) * 2010-09-21 2012-11-21 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd Electrode foil and organic device
TW201244217A (en) * 2011-04-12 2012-11-01 Arkema Inc Internal optical extraction layer for OLED devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103972413A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972420A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009166A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972408A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104253228A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009184A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972421A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009181A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518140A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009180A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104425724A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103824956A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104425745A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104518109A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104659231A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009161A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103682129A (zh) 顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN104518106A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972411A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972404A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103682130A (zh) 顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN104009170A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009171A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009172A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104009176A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140827