KR101705406B1 - 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 - Google Patents

갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101705406B1
KR101705406B1 KR1020140120365A KR20140120365A KR101705406B1 KR 101705406 B1 KR101705406 B1 KR 101705406B1 KR 1020140120365 A KR1020140120365 A KR 1020140120365A KR 20140120365 A KR20140120365 A KR 20140120365A KR 101705406 B1 KR101705406 B1 KR 101705406B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
oxide semiconductor
light emitting
type oxide
hole injection
Prior art date
Application number
KR1020140120365A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160030767A (ko
Inventor
장진
김정기
빈센트 아비스 크리스토프
Original Assignee
경희대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경희대학교 산학협력단 filed Critical 경희대학교 산학협력단
Priority to KR1020140120365A priority Critical patent/KR101705406B1/ko
Priority to CN201580048537.8A priority patent/CN106796995B/zh
Priority to PCT/KR2015/009586 priority patent/WO2016039585A1/ko
Priority to US15/510,416 priority patent/US20170263879A1/en
Publication of KR20160030767A publication Critical patent/KR20160030767A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101705406B1 publication Critical patent/KR101705406B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/78—Benzo [b] furans; Hydrogenated benzo [b] furans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F13/00—Compounds containing elements of Groups 7 or 17 of the Periodic System
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/033—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the solvent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/037—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the pigment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C09D11/32—Inkjet printing inks characterised by colouring agents
    • C09D11/322—Pigment inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C09D11/36—Inkjet printing inks based on non-aqueous solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C09D11/38—Inkjet printing inks characterised by non-macromolecular additives other than solvents, pigments or dyes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/52—Electrically conductive inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Abstract

본 발명은, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드가 제공된다.

Description

갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE USING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR COMPRISING GALLIUM, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
고효율의 유기 발광 다이오드를 제작하기 위한 개발이 이루어지고 있다.
그 중에서 정공의 이동은 매우 중요한 부분이다. 대표적인 정공 주입층으로는 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)) 층을 사용하나, 정공의 주입과 이동 및 유기 발광 다이오드의 효율에 제한적이었다.
또한, 정공 주입층으로 PEDOT:PSS를 사용하는 경우에는 어닐링(annealing) 시간이 필요하기 때문에 공정 시간이 길어지는 문제점이 있다.
한편, 정공 주입층을 산화물 반도체로 대체하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 산화물 반도체는, 이동도가 크고 투명하여 투명 디스플레이를 용이하게 구현할 수 있을 뿐 아니라, 종래의 기술의 한계점을 극복할 수 있는 대안 기술로서 평가되고 있기 때문이다.
또한, 상온에서 비정질(amorphous) 또는 다결정질(polycrystalline) 구조를 갖기 때문에, 별도로 그레인(grain)을 형성하기 위한 열처리 과정이 필요하지도 않으며, 유기 발광 다이오드 적용 시, 우수한 특성을 보이고 있다.
다만, 산화물 반도체는 oxygen-vacancies와 zinc interstitials에 의해 주로 n형으로 보고되어지고 있으며 p형 도핑이 어려운 단점을 가지고 있다.
이처럼 현재까지 알려진 산화물 반도체는 대부분 n-type 특성을 보이고 있기 때문에 p-type 특성을 갖는 투명 산화물 반도체가 구현될 경우 유기 발광 다이오드의 정공 주입층으로의 활용에 유리한 측면이 많기 때문에 도핑조건 조절 또는 신물질 개발 등으로 p-type 투명 산화물 반도체 소재를 찾는 연구가 필요한 실정이다.
한국공개특허공보 10--2002-0077890
본 발명은, 상술한 기술의 문제점을 해결하기 위해, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 제안하고자 한다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드가 제공된다.
상기 p형 산화물 반도체는 CuS 및 SnO에 상기 Ga이 포함될 수 있다.
상기 Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 70 퍼센트(atomic 퍼센트) 범위일 수 있다.
상기 p형 산화물 반도체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현될 수 있다.
[화학식 1]
CuS1 - xGax-SnO
[화학식 2]
CuSGaxSn1 - xO
[화학식 3]
CuSGaxSnO
상기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3에서 0 < x < 1 이다.
상기 정공 주입층은 미리 설정된 온도에서 열처리되거나, UV 처리된 것일 수 있다.
상기 정공 주입층의 열처리 온도는 150 내지 250℃ 범위를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 양극, 정공 주입·수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입·수송층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드가 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 진공증착공정에 의해 기판 상에 양극을 형성하는 단계; 용액공정에 의해, 상기 양극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계; 진공증착공정에 의해, 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 진공증착공정에 의해, 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 진공증착공정에 의해, 상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 정공 주입층은, p형 산화물 반도체를 용매에 혼합한 용액으로 성막하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 정공 주입층으로 제공하여 고효율의 유기 발광 다이오드를 구현할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면 용액공정을 이용하여 제조된 p형 산화물 반도체를 이용하기 때문에 저온 및 저비용 제조가 가능한 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드를 나타낸 단면 구조도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체와 PEDOT:PSS를 사용한 박막의 표면을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 XRD (X-Ray Diffraction) 결과를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 전류-전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 스펙트럼 특성을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 외부 양자 효율 특성을 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 수명 특성을 나타낸 도면.
도 8은 CuS-GaxSn1-xO 박막에서 Ga의 농도가 0~50%일 때의 XRD 결과를 나타낸 도면.
도 9는 CuS-GaxSn1-xO 박막에서 Ga의 농도가 0%, 30%, 50%일 때의 AFM 이미지를 나타낸 도면.
도 10은 CuS-SnO 박막의 (a) TEM 이미지와 (b) EDX (Energy Dispersive X-ray) 분광법에 의한 atomic mapping 이미지.
도 11은 CuS-Ga0.5Sn0.5O 박막의 (a) TEM 이미지와 (b) EDX (Energy Dispersive X-ray) 분광법에 의한 atomic mapping 이미지.
도 12는 SnO2와 CuS-GaxSn1-xO의 UPS(Ultraviolet Photo Spectroscopy) 스펙트럼과 work function, Fermi level과 valence band의 차이, 및 ionization potential의 값을 나타낸 도면.
도 13은 p형 전구체 용액의 Raman 스펙트럼 결과를 나타낸 도면.
우선, 본 발명 명세서 상의 용어에 대해 정의한다.
용액 공정(solution process)은, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥 코팅, 잉크 젯 인쇄, 롤투롤 인쇄, 스크린 인쇄 등의 액상 용매를 사용하여 성막하는 기존의 모든 공정을 포함한다.
진공증착공정은, 음압이 걸리 상태에서 증착이 이루어지는 공정을 말하는 것으로서, CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 비록한, PVD(Physical Vapor Deposition)법의 일종인 스퍼터링(sputtering) 등의 기존의 모든 공정을 포함한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다. 다만, 도면의 내용은 본 발명을 보다 쉽게 설명하기 위하여 도시된 것일 뿐이며, 본 발명의 범위가 도면의 범위로 한정되는 것은 아님을 분명히 밝혀둔다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드의 단면 구조도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드는, 양극(1), 음극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5) 및 전자 수송층(6)을 포함할 수 있다.
양극(1) 및 음극(2)은, 종래에 잘 알려진 진공증착공정(CVD; Chemical Vapor Deposition)을 이용하거나, 메탈 플레이크(flake) 내지 파티클(particle)이 바인더(binder) 등과 혼합되어 있는 페이스트 메탈 잉크를 프린팅하는 방식을 사용할 수 있고, 상기 양극 또는 음극의 형성 방법은 특별히 제한되지 아니한다.
기판 상에 형성되는 음극(cathode)은, 소자에 전자를 제공하는 전극으로서, 이온화된 금속 물질, 소정의 액체 속에서 콜로이드(colloid) 상태인 금속 잉크 물질, 투명 금속 산화물 등을 사용할 수 있다.
기판은, 유리(glass) 기판, PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylenenaphthelate), PP(polypropylene), PI(polyamide), TAC(tri acetyl cellulose), PES(polyethersulfone) 등을 포함하는 플라스틱 중 어느 하나를 포함하는 플라스틱 기판, 알루미늄 포일(aluminum foil), 스테인리스 스틸 포일(stainlesssteel foil) 중 어느 하나를 포함하는 플렉서블(flexible) 기판 등이 이용될 수 있다.
음극(2)은, 진공증착공정에 의하여 고진공 상태에서 증착되하거나, 종래의 음극으로 형성에 사용되는 금속물질을 용액 또는 페이스트 공정으로 음극을 형성할 수도 있다. 음극 형성물질은, 특별히 제한되지 않고, 종래의 음극 형성물질을 비제한적으로 사용할 수 있고, 종래의 음극 형성물질의 예시로, 산화가 잘되는 금속물질인, 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 세슘(Cs) 등을 들 수 있다.
또한 음극을 형성할 수 있는 투명 금속 산화물의 비제한적 예시로, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-doped Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 또한, 투명 금속산화물 전극의 경우 졸 겔(sol-gel), 분무열분해(spray pyrolysis), 스퍼터링(sputtering), ALD(Atomic Layer Deposition), 전자 빔 증착(e-beam evaporation) 등의 공정을 적용하여 형성할 수 있다.
전자 수송층(6)은, 음극(2)에서 발생된 전자를 발광층(5)으로 이동시켜 소자의 높은 효율을 위해 추가되는 층으로서, 음극(2)과 발광층(5) 사이에 형성된다.
전자 수송층(6)은, 유기 물질이 진공증착공정에 의하여 고진공 상태에서 형성될 수 있다.
발광층(5)은, 유기물질을 포함하고, 유기물질의 광전자 방출 효과에 의해 빛을 발생시킨다.
정공 수송층(4)은 정공 주입층(3)에서 주입되는 정공을 발광층(5)으로 이동시키는 것으로 도와주는 레이어로서, 발광층(5)과 정공 주입층(3) 사이에 형성된다.
정공 수송층(4)은, 유기 물질이 진공증착공정에 의하여 고진공 상태에서 형성될 수 있다.
정공 주입층(3)은 양극(1)에서 주입되는 정공을 정공 수송층(4)으로 이동시키는 것을 도와주는 레이어로서, 정공 수송층(4)과 양극(1) 사이에 형성된다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 정공 주입층(3)은, 일반적인 PEDOT:PSS 대신 p형 산화물 반도체를 사용하여 형성된다.
도 1에서는 정공 주입층(3)과 정공 수송층(4)이 서로 분리된 형태로 도시되어 있고, 본 실시예에 따른 p형 산화물 반도체가 정공 주입층(3)으로 형성되는 것을 설명할 것이나, 이에 한정됨이 없이 정공의 주입 및 이동을 하나의 층으로 형성하는 경우에도 정공 주입·수송층이 p형 산화물 반도체를 사용하여 형성하는 것도 본 발명의 범주에 포함될 수 있다.
바람직하게, p형 산화물 반도체는 갈륨(Ga)을 포함할 수 있으며, p형 산화물 반도체 내의 갈륨 함량은 10 내지 70 atomic 퍼센트 범위일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, p형 산화물 반도체는 용액 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이때 용매는 에틸렌 글리콜에 5 내지 50 부피 퍼센트의 아세토나이트릴을 혼합한 것일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 아세토나이트릴 외에 DI water, 알코올, 사이클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene) 및 유기 용매 중 적어도 하나가 이용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체는 CuS, 및 SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되어지는 1종 이상의 결합에 Ga이 추가적으로 결합되어 형성될 수 있다. .
상기 CuS는 황화구리(Copper monosulfide)이고, SnO는 산화주석(Tin(Ⅱ) oxide)이고, ITO는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide)이고, IZTO는 인듐 징크 주석 산화물(Indium Zinc Tin Oxide)이고, IGZO는 인듐 갈륨 징크 산화물(Indium Zinc Gallium Oxide)이며, IZO는 인듐 징크 산화물(Indium Zinc Tin Oxide)을 말하는 용어로서, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자(이하, ‘당업자’라 한다)에게 자명한 사항이다.
본 발명의 일 실시예 따른 p형 산화물 반도체는, 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것일 수 있다.
[화학식 1]
CuS1 - xGax-SnO
[화학식 2]
CuSGaxSn1 - xO
[화학식 3]
CuSGaxSnO
상기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3에서 0 < x < 1 이다.
본 발명에 따른 p형 산화물 반도체는,
Cu, S, M, 및 Ga이 포함된 전구체 용액을 제조하는 단계(여기서, M은, SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되는 1종 이상의 화합물이다);
상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하는 단계; 및
상기 코팅층을 열처리하는 단계를 순차적으로 포함하여 형성될 수 있다.
상기 전구체 용액은, [CuTu3]Cl를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 전구체 용액은, Thiourea를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 기판 상의 도포단계는, 진공 공정, 스핀 코팅, 슬롯 프린팅(slot printing), 또는 잉크젯 프린팅 공정에 의한 것일 수 있지만, 공정의 단순성 및 비용 측면에서 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅 공정에 의한 것이 바람직하다.
양극(1)은, 소자에 정공을 제공하는 전극으로서, 금속 페이스트, 또는 소정의 액체 속에서 콜로이드 상태인 금속 잉크 물질을 스크린 인쇄 등의 용액공정을 통하여 형성될 수 있다. 여기서 금속 페이스트는, 은 페이스트(Ag paste), 알루미늄 페이스트(Al paste), 금 페이스트(Au paste), 구리 페이스트(Cu paste) 등의 물질 중 어느 하나이거나 합금된 형태일 수 있다. 또한, 금속 잉크물질은, 은(Ag) 잉크, 알루미늄(Al) 잉크, 금(Au) 잉크, 칼슘(Ca) 잉크, 마그네슘(Mg) 잉크, 리튬(Li) 잉크, 세슘(Cs) 잉크 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 금속 잉크 물질에 포함된 금속 물질은 용액 내부에서 이온화된 상태이다.
상기에서는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드의 구조에 대해 상세하게 설명하였다. 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, p형 산화물 반도체로 정공 주입층을 형성하는 경우, 이러한 정공 주입층은 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드 뿐만 아니라 다른 유기 전기소자에 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 제조 방법은,
진공증착공정에 의해 기판 상에 양극을 형성하는 단계;
용액공정에 의해, 상기 양극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;
진공증착공정에 의해, 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
진공증착공정에 의해, 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;
진공증착공정에 의해, 상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
상기 전자 수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 정공 주입층은, p형 산화물 반도체를 용매에 혼합한 용액으로 성막하여 형성된다.
이하, 본 발명에 대하여 실시예를 들어 보다 더 상세히 설명한다. 이하의 실시예는 발명의 상세한 설명을 위한 것일 뿐이므로, 이에 의해 권리범위를 제한하려는 의도가 아님을 분명히 한다.
실시예
이하에서와 같이, PEDOT:PSS 대신 p형 산화물 반도체를 이용하여 정공 주입층을 형성하였다.
여기서, p형 산화물 반도체 내의 갈륨 함량은 10 내지 70 atomic 퍼센트인 것이 바람직하다.
또한 용매는 에틸렌 글리콜과 아세토나이트릴을 일반 대기 상태에서 격렬히 혼합하여 형성하였고, 여기에 p형 산화물 반도체를 0.2M/16의 농도로 혼합하여 혼합 용액을 생성하였다.
상기한 용액은 양극 위에 질소 환경 내에서 프린팅되었다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체와 PEDOT:PSS를 사용한 박막의 표면이다.
도 2의 (a), (b), (c) 와 (d)는 p형 산화물 반도체를 사용한 박막을 각각 100℃, 200℃, 300℃ 그리고 UV 열처리 한 박막이고 (e)는 PEDOT:PSS 박막이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 XRD (X-Ray Diffraction) 결과를 나타낸 도면이다.
도 4 및 표 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 전류-전압-휘도 특성을 나타낸 도면이다.
도 4 (a)와 (b)는 전류-전압 특성, (c)는 휘도-전압 특성, (d)는 전류 효율 (Current efficiency) 특성을 나타내고 (e)는 전력 효율 (Power efficiency) 특성을 나타낸다.

 VT
(V)		 VD
(V)		 Maximum Luminance
(at 8V)
C/E
(cd/A)		 P/E
(Im/W)
PEDOT:PSS 2.82 4.49 51.30 50.32 19530
CuS-GaSnO-100℃ 2.83 4.50 52.33 55.32 24030
CuS-GaSnO-200℃ 2.85 5.47 62.18 63.16 25900
CuS-GaSnO-300℃ 2.96 5.91 69.20 68.20 21500
CuS-GaSnO-UV curing 2.82 5.02 68.78 61.46 24130
도 4 및 표 1을 참조하면, 정공 수송층으로 PEDOT:PSS만 사용된 경우에는 전류 효율이 51.30 cd/A이고 전력 효율은 50.32 lm/W 였다.
이에 비해, p형 산화물 반도체를 사용하는 경우 최고 69.20 cd/A와 68.20 lm/W 로 전류 효율과 전력 효율이 높아짐을 확인할 수 있다.
또한, 열처리를 수행하는 경우에 전류 효율과 전력 효율이 높아지는 점을 확인할 수 있다.
그러나, 열처리 온도가 높아지는 경우 구동 전압(VD)이 함께 높아지고 Luminance는 감소하는 것을 확인할 수 있는데, 이러한 점을 고려할 때, 열처리 온도가 150℃ 내지 250℃인 경우에 유기 발광 다이오드를 위한 최적의 정공 주입층을 제조할 수 있으며, 보다 바람직하게, 200℃인 경우 최적의 정공 주입층이 제공될 수 있다.
한편, p형 산화물 반도체의 고온 열처리 외에, 상온에서 UV를 조사하는 경우에도 성능이 개선되는 점을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 스펙트럼 특성을 나타낸 도면이다.
도 6 및 표 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 외부 양자 효율 특성을 나타낸 도면이다.
EQE(%)
PEDOT:PSS 18.83
CuS-GaSnO-100℃ 20.79
CuS-GaSnO-200℃ 24.17
CuS-GaSnO-300℃ 26.77
CuS-GaSnO-UV curing 26.39
도 6 및 표 2를 참조하면 외부 양자 효율(EQE)은 p형 산화물 반도체를 프린팅하여 정공 주입층을 형성하는 경우, PEDOT:PSS를 사용하는 경우에 비해 높아짐을 확인할 수 있다.
도 7 및 표 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체를 사용한 경우와 PEDOT:PSS를 사용한 경우의 유기 발광 다이오드의 수명 특성을 나타낸 도면이다.
L70 Lifetime
(h)
PEDOT:PSS 48.14
CuS-GaSnO-100℃ 30.14
CuS-GaSnO-200℃ 51.95
CuS-GaSnO-300℃ 152.77
CuS-GaSnO-UV curing 30.84
도 7 및 표 3을 참조하면 유기 발광 다이오드의 수명은 p형 산화물 반도체를 프린팅하여 정공 주입층을 형성하는 경우, PEDOT:PSS를 사용하는 경우에 비해 증가함을 확인할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 산화물 반도체의 제조 과정을 상세하게 살펴본다.
전구체 용액의 제조
질소 환경 하에서, CuCl2, NH2CSNH2(Thiourea), Ga(NO3)3·xH2O(Gallium nitrate hydrate), SnCl2를 아세토니트릴 및 에틸렌글리콜 용매에 녹여 전구체 용액을 제조하였다.
활성층의 형성
상기 제조된 전구체 용액을 스핀 코팅 한 후, 240℃ 핫플레이트 상에서 약 1분 동안 열처리하거나, 60℃ 기판 상에 잉크젯 프린팅하여 활성층을 형성하였다.
열처리 단계
상기 스핀 코팅 또는 잉크젯 프린팅에 의해 형성된 활성화층은, 질소 분위기 하에서 300℃ 온도에서 약 1시간 동안 어닐링(anealing) 되었다.
반도체 산화물 분석
도 8은 CuS-GaxSn1 - xO 박막에서 Ga의 농도가 0~50%일 때의 XRD 결과를 나타낸다.
CuS-GaxSn1 - xO는 다결정 구조(2θ=28°,32°)이고, Ga의 농도가 30% 이상인 경우 결정 상태에서 비정질 상태로 변화한다.
도 9는 CuS-GaxSn1 - xO 박막에서 Ga의 농도가 0%, 30%, 50%일 때의 AFM 이미지를 나타낸다.
Ga의 농도가 0%일 때 바늘 모양의 박막이 형성되었고, 제곱 평균 거칠기(root-mean-square(RMS) roughness)의 값이 23~90㎚이고, 이 경우 박막질이 좋지 않았다.
그러나, Ga의 농도가 증가할수록 제곱 평균 거칠기의 값이 감소하여 박막질이 향상되었다. 30%일 때는, 0.46~2.5㎚이고, 50%일 때는 0.67~3.4㎚를 나타내었다.
도 10은 CuS-SnO 박막의 (a) TEM 이미지와 (b) EDX (Energy Dispersive X-ray) 분광법에 의한 atomic mapping 이미지이다. CuS-SnO 박막은, Cu, S, Sn, 및 O가 각각 존재하며 균일하지 않은 박막 상태의 결정 구조를 나타낸다. 이는 도 8 XRD 결과에서 Ga이 0%일 때, 결정 피크가 존재함과 일치한다.
도 11은 CuS-Ga0 .5Sn0 .5O 박막의 (a) TEM 이미지와 (b) EDX (Energy Dispersive X-ray) 분광법에 의한 atomic mapping 이미지이다. CuS-Ga0 .5Sn0 .5O 박막은, Cu, S, Sn, 및 O가 각각 존재하며 균일한 비정질 구조를 나타낸다.
도 12와 표 4는 SnO2와 CuS-GaxSn1 - xO의 UPS(Ultraviolet Photo Spectroscopy) 스펙트럼과 work function, Fermi level과 valence band의 차이, 및 ionization potential의 값을 정리한 표이다.
Figure 112014086201691-pat00001
CuS-GaxSn1 - xO 박막에서 결정화된 박막 (Ga<0.3)인 경우, 4.63, 4.61 eV의 work function 값을 나타내고, 비정질 박막 (Ga≥0.3)인 경우, ≥4.66 eV의 높은 값을 나타내었다.
도 13은, p형 전구체 용액의 Raman 스펙트럼 결과를 나타낸다. (a)는 600-800㎝-1 영역의 p형 반도체 용액의 Raman 스펙트럼 결과로 710㎝- 1 에서 [Cu(Tu)3]n 폴리머가 형성되었고, Ga 또는 Sn을 첨가하면 파상수(Wavenumber)가 720㎝- 1으로 이동하며, 용액 내에 Ga 또는 Sn이 존재함을 나타낸다.
(b)는 250-450㎝-1 영역의 Raman 스펙트럼 결과이다. 290㎝- 1 에서는 Sn이 340㎝- 1 에서는 Sn과 Cu가 존재함을 나타낸다. Tu 또는 Ca가 용액에 첨가되면 파상수(Wavenumber) 349㎝- 1 로 이동하며, 이는 용액 내에 Tu가 존재함을 나타낸다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 부가 및 변경이 가능하다는 것이 당업자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (17)

  1. 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서,
    상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 p형 산화물 반도체는 CuS 및 SnO에 상기 Ga이 포함된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 70 퍼센트(atomic 퍼센트) 범위인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 p형 산화물 반도체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것인 유기 발광 다이오드.
    [화학식 1]
    CuS1 - xGax-SnO
    [화학식 2]
    CuSGaxSn1 - xO
    [화학식 3]
    CuSGaxSnO
    상기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3에서 0 < x < 1 이다.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 정공 주입층은 미리 설정된 온도에서 열처리되거나, UV 처리된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 정공 주입층의 열처리 온도는 150 내지 250℃ 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  7. 양극, 정공 주입·수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서,
    상기 정공 주입·수송층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드.
  8. 진공증착공정에 의해 기판 상에 양극을 형성하는 단계;
    용액공정에 의해, 상기 양극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;
    진공증착공정에 의해, 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
    진공증착공정에 의해, 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;
    진공증착공정에 의해, 상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자 수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 정공 주입층은, Ga이 포함된 p형 산화물 반도체를 용매에 혼합한 용액으로 성막하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 p형 산화물 반도체는 CuS 및 SnO에 상기 Ga이 포함된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 70 퍼센트(atomic 퍼센트) 범위인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 p형 산화물 반도체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것인 유기 발광 다이오드 제조 방법.
    [화학식 1]
    CuS1 - xGax-SnO
    [화학식 2]
    CuSGaxSn1 - xO
    [화학식 3]
    CuSGaxSnO
    상기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3에서 0 < x < 1 이다.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 용매는 에틸렌 글리콜에 아세토나이트릴, DI water, 알코올, 사이클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene) 및 유기 용매 중 적어도 하나를 5 내지 50 부피 퍼센트로 혼합한 것인 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 p형 산화물 반도체는,
    (a) Cu, S, M, 및 Ga이 포함된 전구체 용액을 제조하는 단계(여기서, M은, SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되는 1종 이상의 화합물이다);
    (b) 상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하여 코팅층을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 코팅층을 열처리하는 단계를 순차적으로 포함하는 과정에 의해 제조되는 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 전구체 용액은, [CuTu3]Cl를 포함하는 것임을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전구체 용액은, Thiourea를 포함하는 것임을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 정공 주입층은 미리 설정된 온도에서 열처리되거나, UV 처리된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 정공 주입층의 열처리 온도는 150 내지 250℃ 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법.

KR1020140120365A 2014-09-11 2014-09-11 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 KR101705406B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140120365A KR101705406B1 (ko) 2014-09-11 2014-09-11 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
CN201580048537.8A CN106796995B (zh) 2014-09-11 2015-09-11 利用含镓的p型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法
PCT/KR2015/009586 WO2016039585A1 (ko) 2014-09-11 2015-09-11 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
US15/510,416 US20170263879A1 (en) 2014-09-11 2015-09-11 Organic light emitting diode using p-type oxide semiconductor containing gallium, and preparation method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140120365A KR101705406B1 (ko) 2014-09-11 2014-09-11 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170012783A Division KR102044601B1 (ko) 2017-01-26 2017-01-26 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160030767A KR20160030767A (ko) 2016-03-21
KR101705406B1 true KR101705406B1 (ko) 2017-02-10

Family

ID=55459284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140120365A KR101705406B1 (ko) 2014-09-11 2014-09-11 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170263879A1 (ko)
KR (1) KR101705406B1 (ko)
CN (1) CN106796995B (ko)
WO (1) WO2016039585A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015142038A1 (ko) * 2014-03-17 2015-09-24 경희대학교 산학협력단 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법
CN106531895B (zh) * 2016-12-12 2019-09-10 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置
JP7193953B2 (ja) * 2018-08-24 2022-12-21 住友化学株式会社 有機ｅｌデバイスの製造方法及び有機ｅｌデバイス
KR102085670B1 (ko) 2018-09-17 2020-03-06 경희대학교 산학협력단 양자점 발광 다이오드 및 이의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008075794A1 (ja) 2006-12-20 2008-06-26 Showa Denko K.K. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
WO2013183726A1 (ja) 2012-06-06 2013-12-12 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5776623A (en) * 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device
JP2000223273A (ja) * 1999-01-27 2000-08-11 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US6366017B1 (en) * 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
JP3895938B2 (ja) * 2001-03-22 2007-03-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP3804858B2 (ja) * 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
US6737177B2 (en) * 2001-11-08 2004-05-18 Xerox Corporation Red organic light emitting devices
US6661704B2 (en) 2001-12-10 2003-12-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diode decoupled sensing method and apparatus
CN1672096A (zh) * 2002-07-22 2005-09-21 出光兴产株式会社 有机场致发光元件
CN101260509A (zh) * 2002-08-02 2008-09-10 出光兴产株式会社 溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机el元件及其所用的衬底
US7268485B2 (en) * 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
US20090160325A1 (en) * 2003-12-16 2009-06-25 Panasonic Corporation Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
WO2007023708A1 (ja) * 2005-08-25 2007-03-01 Asahi Glass Company, Limited 膜付き基体および膜形成用ガラス
EP1933603A1 (en) * 2005-09-12 2008-06-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Conductive laminate and organic el device
JP5016831B2 (ja) * 2006-03-17 2012-09-05 キヤノン株式会社 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置
WO2007142025A1 (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Konica Minolta Holdings, Inc. 表示素子
WO2008029669A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Konica Minolta Holdings, Inc. Élément d'affichage
US8426722B2 (en) * 2006-10-24 2013-04-23 Zetta Research and Development LLC—AQT Series Semiconductor grain and oxide layer for photovoltaic cells
JP5003685B2 (ja) * 2006-11-08 2012-08-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 表示素子
JP2009060012A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Canon Inc 有機電界発光素子及びその製造方法、並びに表示装置
TWI367684B (en) * 2007-11-02 2012-07-01 Chimei Innolux Corp Organic light emitting display device and electronic device
TWI479947B (zh) * 2008-01-18 2015-04-01 Lg Chemical Ltd 有機發光裝置及其製造方法
JP2009267002A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Panasonic Corp 発光素子および発光素子の製造方法
JP5476061B2 (ja) * 2008-07-30 2014-04-23 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
EP2159846A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-03 ODERSUN Aktiengesellschaft Thin film solar cell and photovoltaic string assembly
KR20100054110A (ko) * 2008-11-13 2010-05-24 주식회사 엘지화학 저전압 구동 유기발광소자 및 이의 제조 방법
US8592810B2 (en) * 2009-10-09 2013-11-26 National University Corporation Tohoku University Thin film, method of forming the same, and semiconductor light-emitting element comprising the thin film
KR101213493B1 (ko) * 2010-04-13 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120010060A (ko) * 2010-07-23 2012-02-02 엘지이노텍 주식회사 유기전계 발광 표시장치
AU2011313809B2 (en) * 2010-10-05 2015-01-22 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Sintered device
BR112013024418A2 (pt) * 2011-03-29 2016-12-20 Univ California materiais ativos para dispositivos eletroópticos e dispositivos eletroópticos
WO2013063562A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 The University Of Akron P-type transition metal oxide-based films serving as hole transport
CN104302572B (zh) * 2012-03-19 2018-02-02 奈科斯多特股份公司 包含各向异性平胶体半导体纳米晶体的发光设备及其制造方法
KR101564137B1 (ko) * 2012-04-10 2015-10-28 포항공과대학교 산학협력단 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자
WO2013154354A1 (ko) * 2012-04-10 2013-10-17 포항공과대학교 산학협력단 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자
DE102012214021B4 (de) * 2012-08-08 2018-05-09 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
US8927986B2 (en) * 2012-09-28 2015-01-06 Industrial Technology Research Institute P-type metal oxide semiconductor
KR20140122655A (ko) * 2013-04-10 2014-10-20 포항공과대학교 산학협력단 역구조 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법
EP2889596B1 (en) * 2013-12-24 2020-07-22 Honeywell Romania S.R.L. Dynamic strain sensor and method
WO2015142038A1 (ko) * 2014-03-17 2015-09-24 경희대학교 산학협력단 갈륨을 포함하는 p형 비정질 산화물 반도체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008075794A1 (ja) 2006-12-20 2008-06-26 Showa Denko K.K. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
WO2013183726A1 (ja) 2012-06-06 2013-12-12 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016039585A1 (ko) 2016-03-17
CN106796995B (zh) 2019-07-16
CN106796995A (zh) 2017-05-31
KR20160030767A (ko) 2016-03-21
US20170263879A1 (en) 2017-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9859515B2 (en) Methods for producing thin film charge selective transport layers
US7915101B2 (en) Thin film transistor and organic light emitting display using the same
KR20170002967A (ko) 페로브스카이트 기반 태양전지
KR101460489B1 (ko) 산소 플라즈마 처리 공정이 포함된 졸겔(sol-gel)법을 이용한 산화물 반도체층 방법 및 이에 의해 제조된 산화물 반도체층
JP2010518619A (ja) 銅ニッケル及びガリウム−スズ−亜鉛−銅−チタンのｐ型及びｎ型酸化物に基づく電子半導体デバイス、周辺機器及びその製造工程
KR101705406B1 (ko) 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
RU2702802C1 (ru) Полевой транзистор, отображающий элемент, устройство отображения изображения и система
US20230312936A1 (en) Nickel oxide sol-gel ink
JP2010093165A (ja) 電極の製造方法、これを用いた薄膜トランジスタ素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2018166094A1 (zh) 一种柔性显示器件及其制备方法
US10270055B2 (en) Flexible display device and method of manufacturing the same
US10797192B2 (en) P-type amorphous oxide semiconductor including gallium, method of manufacturing same, and solar cell including same and method of manufacturing said solar cell
Tsai et al. Organic light-emitting diodes with an electro-deposited copper (I) thiocyanate (CuSCN) hole-injection layer based on aqueous electrolyte
US11600796B2 (en) Quantum dot light-emitting diode and method of fabricating the same
KR102044601B1 (ko) 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR102496956B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
US11943947B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device
KR101559246B1 (ko) 갈륨을 포함하는 p형 산화물 반도체를 이용한 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101657345B1 (ko) 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230099529A (ko) 결정성 p형 반도체 필름, 박막 트랜지스터, 다이오드 및 전자 장치
KR20150079331A (ko) 산화물 반도체 제조용 용액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터
CN114267799A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
Alam et al. Improved performance of top contact organic thin film transistors with bilayer WO 3/Au electrodes
KR20160102768A (ko) 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200203

Year of fee payment: 4