JP2007123865A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007123865A JP2007123865A JP2006264708A JP2006264708A JP2007123865A JP 2007123865 A JP2007123865 A JP 2007123865A JP 2006264708 A JP2006264708 A JP 2006264708A JP 2006264708 A JP2006264708 A JP 2006264708A JP 2007123865 A JP2007123865 A JP 2007123865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- light
- organic electroluminescent
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 81
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 27
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 13
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 10
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- -1 quinone compound Chemical class 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 ZPHQFGUXWQWWAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NKSVWCGROGFYEY-UHFFFAOYSA-M [O-]C(C1=NC=CC(C2=C(C3=NC=CC=C3)C(F)=CC(F)=C2)=C1[Ir+]C(C(C(O)=O)=NC=C1)=C1C1=C(C2=NC=CC=C2)C(F)=CC(F)=C1)=O Chemical compound [O-]C(C1=NC=CC(C2=C(C3=NC=CC=C3)C(F)=CC(F)=C2)=C1[Ir+]C(C(C(O)=O)=NC=C1)=C1C1=C(C2=NC=CC=C2)C(F)=CC(F)=C1)=O NKSVWCGROGFYEY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】一対の電極間に、少なくとも1つの発光層を有する複数の薄層を備えた有機電界発光素子において、前記複数の薄層の少なくとも1層が主成分と副成分(ドーパント)とを含有し、前記主成分と副成分の体積比が電極端子からの距離に比例して変化することを特徴とする有機電界発光素子。
【選択図】図1
Description
有機電界発光素子は、発光層もしくは発光層を含む複数の有機層を挟んだ対向電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子からの発光を利用するもの、又は前記励起子からエネルギー移動によって生成する他の分子の励起子からの発光を利用するものである。
有機電界発光素子において、透明電極としてITO(インジウム錫酸化物)、ZnO(酸化亜鉛)等が用いられている。しかし、これらの透明電極は高い抵抗率を示し、端子からの距離に遠い場合、抵抗が大きくなり、有機層への電流量が低下し、その結果、輝度が低下しムラとなる。
この輝度ムラを解決する方法として、透明基板と面状発光素子と接続端子部とを有し、前記接続端子部から遠くなるに従って密になるように光散乱手段が設けられた面状発光装置が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、光取り出し効果を変化させることで改善を試みているが、その効果は十分ではない。
また、エレクトロルミネッセンスにおいて、電極層とリードとの接続点から遠ざかるに従い発光層の幅を広くする方法が開示されている(例えば、特許文献2参照。)。
しかしながら、例えば、接続点から遠い有機層の電流量に合わせるため、全体にかかる電圧が上昇する。また、層の厚さが不揃いとなり干渉効果が位置によって異なるため色度が変化し、ムラが生じてしまう。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。
<2> 前記複数の薄層の少なくとも一層が発光層であり、前記主成分がホスト材料で前記副成分が発光材料であることを特徴とする上記<1>に記載の有機電界発光素子。
<4> 前記複数の薄層の少なくとも一層が電子輸送層又は電子注入層であること特徴とする上記<1>に記載の有機電界発光素子。
本発明の有機電界発光素子は、前記構成とすることにより、発光特性(外部量子効率)を低下させることなく、輝度ムラを改善することができる。
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、少なくとも1つの発光層を含有する複数の薄層を備え、前記複数の薄層の少なくとも1層が主成分と副成分(ドーパント)とを含有する。
前記複数の薄層の少なくとも1層は、特に限定されるものではないが、発光層であることが輝度の制御が容易である点で好ましい。
前記複数の薄層の少なくとも1層が発光層である場合、前記主成分はホスト材料であり、前記副成分が発光材料であることが好ましい。
ここで、前記主成分とは、複数の薄層の少なくとも1層を構成する構成成分のうち、最も多く含有される成分を言う。
前記電極端子とは、前記一対の電極のうちの一方の電極と、発光素子に電界印加する際に用いるリードとの接合部をいい、該接合部は点としての接合であってもまた線状又は面状であっても、本発明に包含されるものであり特に限定されるものではない。
前記一対の電極のうちの一方の電極としては、特に限定されるものではなく、一般的に抵抗率が高い電極が選択されることが好ましい。
前記電極端子の位置は、特に限定されるものではなく、いずれの箇所に設けられていても良い。
即ち、陽極の電極端子からの距離が増すに従って主成分又は副成分の一方が増加するか、又は、減少するように体積比が変化することを言う。
例えば、主成分をホスト材料とし、副成分を発光材料(ドーパント)とした場合、陽極に接続する前記電極端子からの距離が大きくなる(離れる)に従って、発光材料(ドーパント)をホスト材料に対して相対的に増加させることをいう。発光層において、主成分であるホスト材料中の副成分である発光材料の濃度を増すことで発光材料の再結合確率が高くなり外部量子効率が上昇する。この効果により電極端子からの距離が離れ電圧が低下し電流量が少なくなっても一定の輝度を維持させることが可能となる。選択する材料によっては、相対的に減少させる場合もある。
主成分と副成分の量比を変える具体的方法としては、特に限定されるものではないが、積層手段が共蒸着による手段を用いている場合、主成分、副成分の材料が入った坩堝の位置を、素子の長さ方向で互いに対抗する位置に置く方法等が挙げられる。
この他にも、特開平6−212153号、特開平11−111463号、特開平11−251067号、特開2000−196140号、特開2000−286054号、特開2000−315580号、特開2001−102175号、特開2001−160493号、特開2002−252085号、特開2002−56985号、特開2003−157981号、特開2003−217862号、特開2003−229278号、特開2004−342614号、特開2005−72012号、特開2005−166637号、特開2005−209643号等の各公報に記載の化合物を好適に用いることが出来る。
この他にも、特開平6−212153号、特開2000−196140号、特開2003−68468号、特開2003−229278号、特開2004−342614号等の各公報に記載の材料を用いることが出来る。
図1(A)は、下部電極1として透明電極(ITO)を用いたボトムエミッション構造を有する有機電界発光素子である。
(2)さらに、その上に、主成分のホスト材料と副成分(ドーパント)の発光材料(例えば、4,4’−N,N’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(以下、CBPともいう。)及びビス(3,5−ジフルオロ−2−(2−ピリジル)フェニル−(2−カルボキシピリジル))イリジウム(III)(以下、Firpicともいう。)等)を用いて、前記電極端子から離れるに従いドーパントが増加するように2元共蒸着して発光層3を形成する。
前記2元共蒸着の具体的な方法については、後述する。
(以下、BAlqともいう。)、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム錯体(以下、Alq3ともいう。)及びLiF等)を用いて、それぞれの薄層を蒸着により形成する。
(4)更に、前記電子輸送層・電子注入層4上に上部電極層(陰極、例えば、Al等)5を形成する。
上記により発光素子を形成することができる。
尚、前記上部電極5は電源8と電極端子7を介して接合される。
即ち、図1(A)において、有機電界発光素子の抵抗は、紙面に向かって電極端子6側に最も近い部分が低く、下部電極1に平行して電極端子6から遠ざかるに従って抵抗が大きくなることを示すものである。
上記のように、発光層内のドーパント(発光材料)の質量を主成分のホスト材料に対して、電極端子から離れるに従い増加させて単位電流当りの光量を増加させることにより、電極端子6,7に近い発光素子部分での陽極側から得られる見かけ上の光量と、電極端子6,7より離れた発光素子部分での陽極側から得られる見かけ上の光量とが同じにすることができ、即ち、光量差が無くなり、その結果、輝度ムラが無くなる。
図2は、下部電極1として透明電極(ITO)を用いたボトムエミッション構造を有する有機電界発光素子である。
(2)さらに、その上に、ホスト材料と発光材料(例えば、CBP及びFirpic等)を用いて、2元共蒸着して発光層3を形成する。
(4)更に、Alq3層4’として、主成分として電子注入材料(例えば、Alq3等)を、副成分としてLiを用いて、前記電極端子から離れるに従い副成分Liが増加するように2元共蒸着して蒸着する。
前記2元共蒸着の具体的な方法については、後述する。
(5)続いて、前記Alq3層4’上に上部電極層(陰極、例えば、Al等)5を形成する。
上記により発光素子を形成することができる。
尚、前記上部電極5は電源8と電極端子7を介して接合される。
即ち、図2において、有機電界発光素子の抵抗は、紙面に向かって電極端子6側に最も近い部分が低く、下部電極1に平行して電極端子6から遠ざかるに従って抵抗が大きくなることを示すものである。
上記構成とすることにより図1(A)と同様の効果が得られる。
図3(A)は、前記図1(A)の発光層を蒸着形成する方法を示す図である。
まず、前記発光層3の構成成分の1つであるドーパントが入っている坩堝20をドーパント濃度が最も高くする坩堝位置(紙面上の右端)に置く。
もう一つの構成成分であるホスト材料が入っている坩堝21をドーパントの濃度が最も低くする坩堝位置(紙面上の左端)に置く。
続いて、各坩堝を加熱してそれぞれの所望の温度に制御して各材料を蒸着する。
上記操作によりドーパント濃度分布が制御された発光層を得ることができる。
図1(B)は、発光層成分の主成分と副成分の体積比を変化させた有機電界発光素子の別の一例(紙面に向かって両側に電極端子を有する場合)を示す横断面構成図である。
発光層の中央部は部分抵抗が最も抵抗が高いことを示している。
図1(B)は、下部電極1として透明電極(ITO)を用いたボトムエミッション構造を有する有機電界発光素子である。
さらに、その上に、主成分のホスト材料と副成分(ドーパント)の発光材料(例えば、CBP及びFirpic等)を用いて、前記電極端子6から離れるに従いドーパントが増加するように3元共蒸着して発光層3を形成する。
前記3元共蒸着の具体的な方法については、後述する。
更に、前記電子輸送層・電子注入層4上に上部電極層(陰極、例えば、Al等)5を形成する。
以上により発光素子を得ることができる。
尚、前記上部電極5は電源8と電極端子7を介して接合される。
即ち、図1(B)において、有機電界発光素子の抵抗は、紙面に向かって電極端子6、7側に最も近い部分が低く、下部電極1に平行して電極端子6、7から遠ざかるに従って抵抗が大きくなることを示すものである。
上記構成とすることにより図1(A)と同様の効果が得られる。
図3(B)は、前記図1(B)の発光層を蒸着形成する方法を示す図である。
前記発光層3の構成成分の1つであるドーパントが入っている坩堝20をドーパント濃度が最も高い坩堝位置(紙面上の中央)に置き、もう一つの構成成分であるホスト材料が入っている坩堝21、22をドーパント濃度が最も低い坩堝位置(紙面上の左端)に置く。
続いて、各坩堝20〜22をそれぞれの所望の温度に昇温して各材料を加熱して蒸着することにより、所望のドーパント濃度分布に制御された発光層を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子は一対の陰極と陽極を有し、両電極の間に少なくとも発光層を含む複数の薄層から構成される。
前記陰極及び陽極は基板上に形成されることが好ましい。
更に該発光層と陽極との間、及び発光層と陰極との間には他の薄層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、通常の場合、透明である。
更に、正孔輸送層と発光層との間、及び電子輸送層と発光層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。
(1)陰極/複数の薄層/陽極(ボトムエミッション構造)
(2)陰極/複数の薄層/陽極(トップエミッション構造)
また、上記(1)、(2)は、片側電極端子であっても、両側電極端子であってもよい。
更に該発光層と陽極との間、及び発光層と陰極との間には他の薄層を有していてもよい。
発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、通常の場合、透明である。
更に、正孔輸送層と発光層との間、及び電子輸送層と発光層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。
本発明に適用しうる基板としては、一般には、ガラス基板、セラミックス基板、金属基板、又は有機高分子物質からなる樹脂基板が挙げられる。前記のように、反射層を発光層に対して電極の外側に形成する場合は反射層が基板として機能するものであってもよい。
本発明における電極材料としては、電極に光反射の機能を持たせる場合の態様では、陽極及び陰極の少なくとも一方は光透過性(透明又は半透明)の材料であることが発光素子の性質上好ましい。通常の場合、陽極が透明である。
また、電極とは異なる層として反射層を設ける場合は、前記一対の電極のいずれも光透過性の材料であることが好ましく、透明であることがより好ましい。
本発明における複数の薄層は、少なくとも一つの発光層を含む。
本発明における複数の薄層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。
更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層(電子、ホール、励起子)等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。
また、発光層としては一層だけでもよく、また、第一発光層、第二発光層、第三発光層等に発光層を分割してもよい。さらに、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。
前記複数の薄層の少なくとも1層が発光層で、主成分と副成分を含有するとき、主成分がホスト材料で副成分が発光材料であることが好ましい。
複数の薄層の少なくとも1層において、該層中における主成分と副成分の体積比は、
副成分の変化量xが0<x≦20となる100−x:x(%)が好ましく、2≦x≦18となる100−x:x(%)がより好ましく、5≦x≦14となる100−x:x(%)が特に好ましい。主成分と副成分との体積比を前記変化量xが0<x≦20となる100−x:x(%)の範囲とすることにより発光効率を最適化できることから好ましい。
発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、発光材料は1種であっても2種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
また、発光層が積層構造である場合については、積層構造を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、各発光層の合計膜厚が前述の範囲になるようにすることが好ましい。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷(正孔及び電子)を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平11−329748号公報や、特開2003−272860号公報や、特開2004−39617号公報に記載の材料が挙げられる。
更に具体的には、ITO、IZO(インジウム亜鉛酸化物)などの透明導電材料、C60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ca、Ag、Al、Mg:Ag合金、Al:Li合金、Mg:Li合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものを用いてもよい。
前記正孔伝導性材料は、例えば4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下2−TNATAともいう。)、NPDなどの正孔輸送有機材料に2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノ−p−キノジメタン(以下、F4−TCNQともいう。)、テトラシアノエチレン(以下、TCNQともいう。)、FeCl3などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、P型導電性高分子、P型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に4.0eV未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、N型導電性高分子、N型半導体が挙げられる。N型半導体としては、N型Si、N型CdS、N型ZnSなどが挙げられ、P型半導体としては、P型Si、P型CdTe、P型CuOなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、V2O5などの電気絶縁性材料を用いることもできる。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。
以上で挙げられた内容以外にも、特開2003−45676号公報、米国特許第6337492号、同第6107734号、同第6872472号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。
本発明は縦(幅)1に対し横(長さ)が100以上となるライン光源として用いるときに特に効果がある。この効果発現のメカニズムについては明確ではないが、前記のようなライン光源では電極幅が狭いため、単位長さあたりの抵抗値が高くなり、位置による電圧差が生じ、輝度ムラが発生しやすくなるためと推測している。
よって本発明に顕著な効果のある前記有機電界発光素子の縦横比は100以上100000以下であることがより好ましく、1000以上100000以下であることがさらに好ましく、2000以上100000以下であることが特に好ましく、5000以上100000以下であることが最も好ましい。
この有機電界発光素子の重要な特性値として、外部量子効率がある。外部量子効率は、「外部量子効率φ=素子から放出されたフォトン数/素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。
0.5mm厚み、2.5cm角のガラス基板にIn2O3含有率が95質量%であるITOタ−ゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタ(条件:基材温度100℃、酸素圧1×10−3Pa)により、透明陽極としてのITO薄膜(厚み0.2μm)を形成した。ITO薄膜の表面抵抗は10Ω/□であった。
その上に、(N,N’−ジ−α−ナフチル−N,N’−ジフェニル)−ベンジジン(α−NPD)を真空蒸着法にて0.3nm/秒の速度で30nmの正孔輸送層を設けた。
ITO電極端子側の最短部で真空蒸着法にてCBPは0.3nm/秒、一方のFirpicは0.016nm/秒、最遠部でCBPは0.284nm/秒、Firpicは0.032nm/秒となるように坩堝位置と蒸着レートを調整することで30nmの均一な膜厚でグラデーションの入った共蒸着膜が得られる。
銅フタロシアニンの蒸着から封止までの作業は、真空または窒素雰囲気下で行い、大気に暴露することなく素子作製を行った。
上記により得られた発光素子を用いて、以下の方法で輝度ムラ及び発光効率を測定した。その結果を下記表1に示す。
発光素子に一定の電流を流しITO電極端子側の最端部から反対側の最端部まで分光放射計SR−3(トプコン(株)製)を用いスキャンさせながら、輝度ムラを測定して、評価した。
発光素子に流した電流量を電流密度に換算し、分光放射計SR−3(トプコン(株)製)で測定した光量を元に発光効率を求めた。
実施例1の発光層の形成において、ITO電極端子側の最端部をCBP95%:Firpic5%の体積率で、最遠部をCBP90(%):Firpic10(%)の体積比(体積率)で、かつ、発光光量が一定となるように共蒸着する代わりに、CBP:Firpicを真空蒸着法にて95:5の体積率での共蒸着に変更し、更に、実施例1のAlq3層の形成において、Alq3(主成分)とLi(副成分)とを二元共蒸着法により、Liドープ量をITO電極端子側の最端部を最小にAlq3(主成分)99.9(%):Li(副成分)0.1(%)、最端部から離れても光量が一定となるようにAlq3(主成分)98.5(%):Li(副成分)1.5(%)として蒸着速度を制御して行った以外は、実施例1と同様に行い、本発明の有機電界発光素子を得た。得られた有機電界発光素子を実施例1と同様に評価して、結果を表1に示す。
実施例1の発光層の形成において、ITO電極端子側の最端部をCBP95%:Firpic5%の体積率で、最遠部をCBP90(%):Firpic10(%)の体積比(体積率)で、かつ、発光光量が一定となるように共蒸着する代わりに、CBP:Firpicを真空蒸着法にて95:5の体積率での共蒸着に変更し、更に、実施例1のBAlq層の形成において、BAlq(主成分)とLi(副成分)とを二元共蒸着法により、Liドープ量をITO電極端子側の最端部を最小にBAlq(主成分)99.7(%):Li(副成分)0.3(%)、最端部から離れても光量が一定となるようにBAlq(主成分)98.8(%):Li(副成分)1.2(%)として蒸着速度を制御して行った以外は、実施例1と同様に行い、本発明の有機電界発光素子を得た。得られた有機電界発光素子を実施例1と同様に評価して、結果を表1に示す。
実施例1の発光層の形成において、ITO電極端子側の最端部をCBP95%:Firpic5%の体積率で、最遠部をCBP90(%):Firpic10(%)の体積比(体積率)で、かつ、発光光量が一定となるように共蒸着する代わりに、CBP:Firpicを真空蒸着法にて95:5の体積率での共蒸着に変更し、更に、実施例1のα−NPD層の形成において、α−NPD(主成分)とF4−TCNQ(副成分)とを二元共蒸着法により、F4−TCNQドープ量をITO電極端子側の最端部を最小にα−NPD(主成分)99.9(%):F4−TCNQ(副成分)0.1(%)、最端部から離れても光量が一定となるように最遠部では、α−NPD(主成分)99.7(%):F4−TCNQ(副成分)0.3(%)として蒸着速度を制御して行った以外は、実施例1と同様に行い、本発明の有機電界発光素子を得た。
得られた有機電界発光素子を実施例1と同様に評価して、結果を表1に示す。
実施例1の発光層の形成において、CBP:Firpicを真空蒸着法にて95:5の体積比(体積率)での共蒸着に変更し、他の層は実施例1と同様に行い、比較の為の有機電界発光素子を得た。
得られた有機電界発光素子を実施例1と同様に評価して、結果を表1に示す。
2 ホール注入・輸送層
3 発光層
4 電子注入・輸送層・ホールブロック層
4’Alq3層
5 上部電極
6 下部電極側電極端子
7 上部電極側電極端子
8 電源
9 穴
10 基板
20、22 坩堝(ホスト材料用)
21 坩堝(ドーパント用)
Claims (5)
- 一対の電極間に、少なくとも1つの発光層を有する複数の薄層を備えた有機電界発光素子において、前記複数の薄層の少なくとも1層が主成分と副成分(ドーパント)とを含有し、前記主成分と副成分の体積比が電極端子からの距離に比例して変化することを特徴とする有機電界発光素子。
- 前記複数の薄層の少なくとも一層が発光層であり、前記主成分がホスト材料で前記副成分が発光材料であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記複数の薄層の少なくとも一層が正孔輸送層又は正孔注入層であること特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記複数の薄層の少なくとも一層が電子輸送層又は電子注入層であること特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の縦横比が1を超える値であることを特徴とする有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006264708A JP2007123865A (ja) | 2005-09-30 | 2006-09-28 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005288832 | 2005-09-30 | ||
JP2006264708A JP2007123865A (ja) | 2005-09-30 | 2006-09-28 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123865A true JP2007123865A (ja) | 2007-05-17 |
Family
ID=38147309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006264708A Abandoned JP2007123865A (ja) | 2005-09-30 | 2006-09-28 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007123865A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016579A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子および製造方法 |
JP2010232286A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 面状発光素子に対する給電方法 |
JP2010272588A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機el素子 |
JP2011510514A (ja) * | 2008-01-24 | 2011-03-31 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 輝度の均一性を改善したエレクトロルミネセンスデバイス |
JP2012507158A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機発光素子および有機発光素子の製造方法 |
WO2012124642A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2013515367A (ja) * | 2009-12-21 | 2013-05-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 輝度が均一なオプトエレクトロニクス装置 |
KR20130102262A (ko) * | 2012-03-07 | 2013-09-17 | 주성엔지니어링(주) | 발광 소자 |
WO2015104939A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置および発光モジュール |
CN114391187A (zh) * | 2019-09-26 | 2022-04-22 | 夏普株式会社 | 场致发光元件以及场致发光装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235378A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-09-05 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
JPH1140362A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006264708A patent/JP2007123865A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235378A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-09-05 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
JPH1140362A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016579A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子および製造方法 |
JP2011510514A (ja) * | 2008-01-24 | 2011-03-31 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 輝度の均一性を改善したエレクトロルミネセンスデバイス |
JP2012507158A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機発光素子および有機発光素子の製造方法 |
KR101572710B1 (ko) | 2008-10-31 | 2015-11-27 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | 유기 복사 방출 소자 및 유기 복사 방출 소자의 제조 방법 |
US8643312B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-02-04 | Panasonic Corporation | Method for feeding electric power to a planar light-emitting element |
JP2010232286A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 面状発光素子に対する給電方法 |
JP2010272588A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機el素子 |
US9224974B2 (en) | 2009-12-21 | 2015-12-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device with homogeneous light intensity |
JP2013515367A (ja) * | 2009-12-21 | 2013-05-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 輝度が均一なオプトエレクトロニクス装置 |
KR101815214B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2018-01-05 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | 균질한 광 세기를 갖는 광전자 디바이스 |
JP2012195054A (ja) * | 2011-03-14 | 2012-10-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2012124642A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20130102262A (ko) * | 2012-03-07 | 2013-09-17 | 주성엔지니어링(주) | 발광 소자 |
KR101867593B1 (ko) * | 2012-03-07 | 2018-06-15 | 주성엔지니어링(주) | 발광 소자 |
WO2015104939A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | コニカミノルタ株式会社 | 照明装置および発光モジュール |
CN114391187A (zh) * | 2019-09-26 | 2022-04-22 | 夏普株式会社 | 场致发光元件以及场致发光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101290610B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP3933591B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP4898560B2 (ja) | 有機発光装置 | |
JP4886352B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR100886426B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
JP2007123865A (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR100931060B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
WO2011010696A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP5735162B1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置 | |
WO2009142030A1 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
US7821201B2 (en) | Tandem OLED device with intermediate connector | |
US20070075636A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
JP4770699B2 (ja) | 表示素子 | |
JP2010161357A (ja) | 有機電界発光素子及び発光装置 | |
JP5610848B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP5109054B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2006114844A (ja) | 有機el素子材料の選択方法、有機el素子の製造方法及び有機el素子 | |
JP5791129B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP3967946B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP5761962B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
WO2011132540A1 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4631600B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2010033973A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4394639B2 (ja) | 半導体薄膜の積層体、積層体の製造方法 | |
KR20130135185A (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070215 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20110411 |