JP2013515367A - 輝度が均一なオプトエレクトロニクス装置 - Google Patents
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Abstract
Description
オプトエレクトロニクス装置の種々の実施の形態は、第1の導電部及び第2の導電部を備えている。第2の導電部は第1の電気的な端子に接続されている。第1の導電部と第2の導電部との間には、放射を放出するための機能層が配置されている。第2の導電部は第1の導電率を有しており、この第1の導電率は第2の導電部の長さにわたり第1の電気的な端子から離れる方向において単調に変化する。
図1は、オプトエレクトロニクス装置の一つの実施例を示す。オプトエレクトロニクス装置100は例えばエレクトロルミネセンス装置である。オプトエレクトロニクス装置100は第1の上面を有しており、この第1の上面には第1のコンタクト層102が設けられている。第1のコンタクト層102は第1の端子104と接続されている。この接続は第1の電極106を介して行なわれる。図示されているオプトエレクトロニクス装置100の実施例において、第1の電極106はカソードの一部である。オプトエレクトロニクス装置100のアノードは第2の端子108と接続されており、且つ第2の電極110を有している。第2の電極110は第2のコンタクト層に直接的に接しており、この第2のコンタクト層はオプトエレクトロニクス装置100の第1のコンタクト層102側とは反対側の上面を覆っている。第2のコンタクト層は図1には図示していない。以下では、オプトエレクトロニクス装置100の構造を切断面A−Aに沿った断面図に基づき詳細に説明する。相互に対向している第1の電極106及び第2の電極110は、図示を簡略化するために、第1の端子104又は第2の端子108の一部と見なされる。
図10は、第2のオプトエレクトロニクス装置1000の平面図を示す。この平面図からは、第2のオプトエレクトロニクス装置1000は、第2の電極110がそれぞれ一つの部分領域を用いて第2のオプトエレクトロニクス装置1000の対向している二つの側縁に配置されている点において第1のオプトエレクトロニクス装置とは異なっていることが分かる。第1の電極106はそれぞれ一つの部分領域を用いて、同様に対向している別の二つの側縁の一部に配置されている。従って、第1のオプトエレクトロニクス装置とは異なる電流密度プロフィールが、オプトエレクトロニクス装置のボディによって生じる。
別の電極構造を備えている別のオプトエレクトロニクス装置を第3のオプトエレクトロニクス装置に基づき説明する。図12は、第3のオプトエレクトロニクス装置1200の平面図を示す。図面を見やすくするために、この図示されている側に通常設けられている封止部は図示していない。
上記においては、本願の基本思想を説明するために、オプトエレクトロニクス装置を幾つかの実施例に基づいて説明した。上記の実施例は特定の特徴の組み合わせに制限されるものではない。幾つかの特徴及び実施の形態が、特別な実施例又は個々の実施例との関連においてのみ説明されていた場合であっても、それらの特徴及び実施の形態はそれぞれ別の実施例の別の特徴と組み合わせることができる。同様に、一般的な技術的教示を実現できる限り、幾つかの実施例においては個別に示した特徴又は特別な実施の形態を省略又は追加することができる。
本明細書において以下の刊行物を引用した。
[1] Neyts, K. et al.: "Inhomogeneous Luminance in Organic Light Emitting Diodes Related to Electrode Resistivity": Journal of Applied Physics, Bd. 100, S.114513 ff., American Inst. Of Physics, New York: 2006
Claims (12)
- オプトエレクトロニクス装置において、
第1の導電部(206)と、
第1の電気的な端子(104)に接続されている第2の導電部(212)と、
放射を放出するために、前記第1の導電部(206)と前記第2の導電部(212)との間に配置されている機能層(208)とを備えており、
前記第2の導電部(212)は横方向の第1の導電率を有しており、該第1の導電率は前記第2の導電部(212)の長さにわたり、前記第1の電気的な端子(104)から離れる方向において単調に変化することを特徴とする、オプトエレクトロニクス装置。 - 前記機能層(208)は有機発光層を含む、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記第2の導電部(212)はコンタクト層(210)を含む、請求項1又は2に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記コンタクト層(210)は一定の面導電率を有しており、
前記コンタクト層(210)の厚さは該コンタクト層(210)の長さにわたり、前記第1の電気的な端子(104)から離れる方向において単調に変化する、請求項3に記載のオプトエレクトロニクス装置。 - 前記第2の導電部(212)は電荷輸送層(210)を含む、請求項3又は4に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記電荷輸送層(210)はドープされた有機半導体材料を含む、請求項5に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記ドープされた有機半導体材料のドーパント濃度は前記第1の電気的な端子(104)から離れる方向において単調に変化する、請求項6に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記第1の導電率は前記第1の電気的な端子(104)から離れる方向において大きく単調に変化する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記第1の導電率は第2の電気的な端子(120)から離れる方向において低下する、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記第2の導電部(212)はカソードを形成し、前記第1の導電率は電子導電率に対応する、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置。
- 前記第1の導電部(206)は第2の電気的な端子(108)に接続されており、
前記第1の導電部(206)は第2の導電率を有しており、該第2の導電率は前記第1の導電部(206)の長さにわたり、前記第2の電気的な端子(108)から離れる方向において単調に変化する、請求項1乃至10のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス装置。 - 前記第1の導電部(206)はアノードを形成し、前記第2の導電率は正孔導電率に対応する、請求項11に記載のオプトエレクトロニクス装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076388A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2016119169A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2985379B1 (fr) * | 2011-12-30 | 2014-01-24 | Saint Gobain | Dispositif oled a emission par l'arriere |
CN103078018A (zh) * | 2013-01-30 | 2013-05-01 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种led外延结构 |
DE102013107529A1 (de) | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines organischen Licht emittierenden Bauelements |
DE102014102191B4 (de) * | 2014-02-20 | 2017-12-28 | Osram Oled Gmbh | Organisches lichtemittierendes Bauelement mit verbessertem Farbwiedergabeindex |
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DE102014223507A1 (de) * | 2014-11-18 | 2016-05-19 | Osram Oled Gmbh | Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements |
JP2016200675A (ja) | 2015-04-08 | 2016-12-01 | キヤノン株式会社 | エレクトロクロミック素子、レンズユニット、撮像装置、窓材 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140362A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
JP2002325162A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置の光源と画像読取装置 |
JP2006156773A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2007123865A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP2008166343A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 線状発光装置 |
WO2009135466A1 (de) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Novaled Ag | Lichtemittierendes organisches bauelement und verfahren zum herstellen |
WO2010048927A1 (de) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen strahlungsemittierenden bauelements |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL184312B (nl) * | 1954-01-14 | Single Buoy Moorings | Afmeerinrichting met op verticale kabels geleide fenders. | |
US4211586A (en) * | 1977-09-21 | 1980-07-08 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating multicolor light emitting diode array utilizing stepped graded epitaxial layers |
JP2005285523A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
DE102005002836A1 (de) * | 2005-01-20 | 2006-08-17 | Schott Ag | Elektro-optisches Element mit gesteuerter, inbesondere uniformer Funktionalitätsverteilung |
JP2008529205A (ja) | 2005-01-20 | 2008-07-31 | ショット アクチエンゲゼルシャフト | 電気光学素子 |
JP4462074B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-05-12 | 株式会社豊田自動織機 | エレクトロルミネッセンス素子 |
US20070075636A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140362A (ja) * | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
JP2002325162A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置の光源と画像読取装置 |
JP2006156773A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2007123865A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP2008166343A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 線状発光装置 |
WO2009135466A1 (de) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Novaled Ag | Lichtemittierendes organisches bauelement und verfahren zum herstellen |
US20110114932A1 (en) * | 2008-05-09 | 2011-05-19 | Novaled Ag | Light Emitting Organic Component and Method for Production Thereof |
WO2010048927A1 (de) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen strahlungsemittierenden bauelements |
JP2012507158A (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機発光素子および有機発光素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076388A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2016119169A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
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