JP2002325162A - 画像読取装置の光源と画像読取装置 - Google Patents

画像読取装置の光源と画像読取装置

Info

Publication number
JP2002325162A
JP2002325162A JP2002045763A JP2002045763A JP2002325162A JP 2002325162 A JP2002325162 A JP 2002325162A JP 2002045763 A JP2002045763 A JP 2002045763A JP 2002045763 A JP2002045763 A JP 2002045763A JP 2002325162 A JP2002325162 A JP 2002325162A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light source
image reading
electrode layer
electroluminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002045763A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuro Nakamura
哲朗 中村
Masaichiro Tachikawa
雅一郎 立川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002045763A priority Critical patent/JP2002325162A/ja
Publication of JP2002325162A publication Critical patent/JP2002325162A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】光媒体としてエレクトロルミネッセンスを用い
た光源であっても種々の要因でその発光輝度が位置、特
に長手方向の位置に依存することになる。 【解決手段】本願発明は、リードと電極層からの接続点
に応じてエレクトロルミネッセンス層の幅又は膜の厚み
を決定している。また、リードと電極との接続点をエレ
クトロルミネッセンス層に多数設たり、エレクトロルミ
ネッセンス層の外周部の一部や全部にリードを積層した
りしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光源に関し、特に、
画像読取装置の光源に関するものである。
【0002】
【従来の技術】複写機や画像読取装置、プリンタ、ファ
クシミリ、或いはファクシミリと複写機とプリンタの機
能を兼ね備えたマルチファンクションプリンタ等の機器
は、用紙或いはシート状の記録媒体等(以下、原稿と呼
ぶ)に描かれた文字・図柄の形状等のイメージを読み取
る画像読取装置を備えている。
【0003】上記画像読取装置の光源として、縮小光学
方式(縮小CCD方式)が従来よりよく知られている
が、この構成は十分な発光輝度を得ることができ、レン
ズの焦点深度を大きくとることによって、原稿面から原
稿が浮いた状態でも鮮明な画像を得ることができる利点
がある。しかしながら、大型となることから、より小型
化・薄型化を配慮するときは、図19に示すように等倍
正立で原稿からの情報をセンサに導く密着方式が用いら
れるようになっている。
【0004】すなわち、光源としてのLED アレイ112
を原稿面斜め上方に左右対称に配列し、当該原稿面10
6に照射された光を上記2つのLED アレイ112の中間
上方位置に配置した下記ロッドレンズアレイ121で受
ける構成となっている。上記LED アレイ112は例えば
図20に示すように基板124上に主走査方向にLED素
子125を多数配列した構成である。上記ロッドレンズ
アレイ121は、例えば図21に示すように、まず所定
長さ、所定径の円柱形状のロッドレンズ122を、所定
数隣接させて複数列に、上記LED アレイ112の長さに
対応した長さ配列し、基板124で挟み込んだ構成にな
っている。
【0005】この構成によると縮小光学方式(縮小CC
D方式)に比べて、原稿面106と当該ロッドレンズ1
22との距離を小さくできるので装置全体をかなり小さ
くできることになり、また上記ロッドレンズ122の焦
点距離を小さくすることでよりより薄型の装置を期待す
ることができる。ロッドレンズアレイ121の焦点距離
を小さくするには、各ロッドレンズ122の径を小さく
すればよいが、各ロッドレンズ122の径を小さくする
と、各ロッドレンズ間のクロストークやフレア光等の光
ノイズが多くなりMTF(modulation tr
ansferfunction)値が低下する。そこで
本願出願人は特願2000-224156にてより光ノイズの少な
いロッドレンズアレイの構成(後に説明)を提案してい
る。
【0006】更に、上記LED アレイ112を使用したと
しても、当該LED アレイ112に使用される光源は点光
源の集合であるので、原稿面106と当該光源との間に
ある程度の距離を保たないと原稿面106上での照度の
均一性が確保できない欠点がある。この点で、上記LE
Dアレイ112を用いての密着方式の装置の薄型・小型
化を進めるには限度があることになる。そこで本願出願
人は、より薄型・小型化を図る目的で光源としてエレク
トロルミネッセンスを用いることを特願2000-217561等
で提案している。
【0007】その構成は例えば図22に示すように、走
査方向に長いガラス基板あるいは透明樹脂等の透明基板
101上に透明電極層102を形成し、その背面に光媒
体としてのエレクトロルミネッセンス層100を形成
し、更にその背面に金属電極層103を積層したもので
ある。この構成の上記2つの電極層102・103に所
定の電圧を印加することで、上記透明電極層102の前
面から所定の強度の発光を得ることができる。カラー画
像を得たいときにはRGBの3種の光を発光する3種の
エレクトロルミネッセンスを上記透明基板101上に形
成することになる。
【0008】上記のように構成された光源を使用した読
み取り装置の構成は後に説明するようにLEDアレイ1
12を使用した構成とほぼ同じではあるが、光源から均
一な光が原稿に照射されるので、より原稿に対して光源
を近づけることができ、更に、ロッドレンズアレイ12
1を構成する各ロッドの径を小さくして焦点距離を短く
することによって、より薄型の画像読取装置を構成する
ことが期待できることになる。尚、上記エレクトロルミ
ネッセンス層100は、一般的な薄膜形成に用いられる
蒸着等に限らず、印刷、塗布等で形成される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のように光媒体と
してエレクトロルミネッセンスを用いた光源であっても
種々の要因でその発光輝度が位置、特に長手方向の位置
に依存することになる。その要因としてエレクトロルミ
ネッセンスに形成される電極層102、103(特に透
明電極層102)の抵抗が考えられる。すなわちリード
と電極層との接続点からの距離が遠くなればなるほど電
極層の抵抗が大きくなり、接続点から遠い部分のエレク
トロルミネッセンスの発光輝度は弱くなる。
【0010】本発明は上記従来の事情に鑑みて提案され
たものであって、エレクトロルミネッセンスを用いても
均一な発光強輝度を得ることができる画像読取装置用の
光源を提供することを目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために以下の手段を採用している。エレクトロル
ミネッセンスの発光輝度は、エレクトロルミネッセンス
に印加される電界に比例するため、上記のようにリード
と電極との接続点からの距離が遠い部分のエレクトロル
ミネッセンスの発光輝度は低くなる。そこで、本願発明
は接続点から遠ざかるに従いエレクトロルミネッセンス
層の幅を広くすることで発光輝度の補償を行う。また、
接続点から遠ざかるに従いエレクトロルミネッセンス層
の幅を広くする代わりに、エレクトロルミネッセンス層
の膜厚を薄くして、発光輝度の補償を行うようにしても
よい。
【0012】更に、上記のようにリードと電極との接続
点からの距離が遠い部分のエレクトロルミネッセンス層
の発光輝度は低くなる。そこで、エレクトロルミネッセ
ンス層に接続点を多数設け、エレクトロルミネッセンス
層の発光輝度のばらつきを小さくする。また、エレクト
ロルミネッセンス層の外周部の一部又は外周全体とリー
ドを接続し、エレクトロルミネッセンス層の発光輝度の
ばらつきを小さくしてもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1、図2
(a)に示すように、走査方向に長い透明基板2(例え
ばガラスの基板やフィルム状の基板でもよい)上に透明
電極層3が積層され、その上に光媒体としてのエレクト
ロルミネッセンス層1が積層され、更にその上に金属電
極層4が積層される構成は従来と同じである。更に、上
記透明電極層3と金属電極層4の長手方向の一方端にリ
ード10a、10bと透明電極層3、金属電極層4との
接続点Pが設けられる構成も従来と同様である。
【0014】本発明のエレクトロルミネッセンス層1
は、図2(a)に示すように上記接続点Pから離れるに
従い幅が広くなっている。即ち、上記接続点Pからの距
離が大きくなるに従って電極の抵抗(特に透明電極層3
の抵抗)が大きくなり、エレクトロルミネッセンス層1
の幅を一定にすると上記接続点Pからの距離が大きくな
るに従って輝度が小さくなる(電極間の電界強度が小さ
くなる)。そこで原稿面上の照度を均一するために、上
記構成が採られる。
【0015】例えば上記透明電極層3は、厚みが0.1
5μmのITO(Indium Tin Oxide)電極から形成さ
れ、また上記エレクトロルミネッセンス層1は、正孔輸
送層としてTPD層(厚み、0.05μm)と、当該T
PD層上に積層される発光層としてAlq3層(厚み、
0.05μm)とから形成され、更に上記金属電極層4
は、厚みが0.15μmのAl−Li合金から形成され
ている。
【0016】この構成において、上記透明電極層3、金
属電極層4の長手方向の一方端に上記接続点Pを設け、
上記エレクトロルミネッセンス層1の長手方向(走査方
向)の長さを160mmとした場合、当該エレクトロル
ミネッセンス層1の狭い方の幅を2mmとし、広い方の
幅を6mmとしたとき、上記透明基板2から所定の距離
の位置に置かれた原稿面の照度が光源5の長手方向の位
置に依存しなくなった。
【0017】尚、本発明の光源5の構成として、図3
(a)に示すように上記透明基板2上に、2つの透明電
極層3、エレクトロルミネッセンス層1、金属電極層4
を積層した構成を採用してもよい。例えば、2つの透明
電極層3、金属電極層4の透明基板2の長手方向の端部
側に上記接続点Pを設けた場合、図3(a)に示すよう
に2つのエレクトロルミネッセンス層1の形状を透明基
板2の長手方向中央部分に近づくに従い幅が広い形状と
する。これにより上記透明基板2から所定の距離の位置
に置かれた原稿面の照度が光源5の長手方向の位置に依
存しなくなった。
【0018】この構成において、2つの透明電極層3、
金属電極層4上の透明基板2の長手方向の端部に上記接
続点Pを設け、2つの上記エレクトロルミネッセンス層
1の長手方向の長さを80mmとした場合、狭い方の上
記エレクトロルミネッセンス層1の幅を2mmとし、広
い方(透明基板2の中央部分)の幅を4mmとすること
で、上記透明基板2から所定の距離の位置に置かれた原
稿面の照度が光源5の長手方向の位置に依存しなくなっ
た。
【0019】更に、上記発光輝度の低下を防ぐための構
成として、図4(a)に示すように上記接続点Pから遠
ざかるに従い、上記エレクトロルミネッセンス層1を薄
くする構成も考えられる。即ち、上記接続点Pからの距
離に応じて電界強度の低下が発生するため、当該電界強
度の低下に応じて膜厚を薄くすると透明電極層3と金属
電極層4との間に印加される電界強度を均一に保つこと
ができ、発光輝度の低下を防止することができる。
【0020】図4(a)に示す構成では、例えば透明電
極層3は、厚みが0.15μm のITO電極から形成
され、エレクトロルミネッセンス層1は、厚い方の厚み
が0.3μm 、薄い方の厚みが0.1μmのエレクト
ロルミネッセンスから形成され、金属電極層4は、厚み
が0.15μmのAl−Li合金のから形成される。
【0021】この構成において、透明電極層3、金属電
極層4の長手方向の一方端に上記接続点Pを設け、上記
エレクトロルミネッセンス層1の長手方向の長さを16
0mmとした場合、発光輝度が長手方向の位置に依存し
ない光源を得ることができた。
【0022】また、図5(a)に示すように、透明基板
2上に2つの透明電極層3、エレクトロルミネッセンス
層1、金属電極層4を積層し、それぞれの透明電極層
3、金属電極層4上の透明基板2の長手方向の端部側に
上記接続点Pを設けた場合、2つのエレクトロルミネッ
センス層1の膜厚は、透明基板2の長手方向中央部に近
づくに従い薄くする。
【0023】この構成において、上記エレクトロルミネ
ッセンス層1の長手方向の長さを160mmとした場
合、厚い方の厚さを0.2mm、薄い方の厚さを0.1
mmとすることで、発光輝度が長手方向の距離に依存し
ない光源を得ることができた。
【0024】尚、図4(a)、5(a)に示すエレクト
ロルミネッセンス層1の正孔輸送層(TPD層)と、発
光層(Alq3層)との膜厚は、どの部分においても同
じ厚さとなっている。
【0025】図6(a)は本発明の更に別の実施例を示
す平面図である。図6(a)で示す構成では、上記のよ
うに透明電極層3、金属電極層4の長手方向の端部にの
み接続点Pを設けるのではなく、接続点Pを複数設ける
構成となっている。これによって上記のようにエレクト
ロルミネッセンス層1の膜厚や幅を調整しなくても、発
光輝度が長手方向の位置に依存しない光源を得ることが
できる。
【0026】更にこの観点から、図7(a)、(b)に
示すような構成も考えられる。透明基板2上に長手方向
が3mm×短手方向が2.5mmの複数の透明電極層3
を積層し、各透明電極層3の外周部全体にリード10a
を積層する。更にこのリード10aのエレクトロルミネ
ッセンス層1が積層される側にポリイミド等の絶縁膜1
2を積層し、透明電極層3及び絶縁膜12の上にエレク
トロルミネッセンス層1を積層し、更にその上に当該積
層された全部のエレクトロルミネッセンス層1に共通す
る金属電極層4を積層した構成も考えられる。
【0027】この構成では、リード10aが透明電極層
3の外周部全体と接するために、図2(a)〜図6
(a)の構成に比べて透明電極層3による電界強度の低
下を大幅に低減することができる。尚、リード10aと
エレクトロルミネッセンス層1との間を絶縁にするの
は、図7(a)上のリード10aの上方の部分のエレク
トロルミネッセンス層1が発光したとしても、当該部分
から発せられた光はリード10aにより透明基板2から
外部に出ることができないため、リード10aの上方の
部分に電流を流すメリットがないためである。
【0028】図7(a)に示す構成では、例えば透明電
極層3は、厚み0.15μm のITO電極にて形成さ
れ、エレクトロルミネッセンス層1は、正孔輸送層とし
てTPD層(厚み0.05μm)と、当該正孔輸送層の
上に積層される発光層としてAlq3層(厚み0.05
μm)とから形成され、金属電極層4は、厚みが0.1
5μmのAl−Li合金から形成される。上記エレクト
ロルミネッセンス層1の長手方向が160mmである場
合、エレクトロルミネッセンス層1の発光輝度の分布
は、図8(a)に示すようにエレクトロルミネッセンス
層1の外周部で高く、中央部で低い状態となる。
【0029】また、図9に示すように上記透明電極層3
とリード10aとが一つの接続点Pにて接続されている
場合の発光輝度の分布は、図8(b)に示すように接続
点Pに近いほど高くなり、接続点Pから離れるに従い低
くなる。
【0030】図8(a)、(b)に示すB領域、C領
域、D領域、E領域、F領域、G領域内のエレクトロル
ミネッセンスは、A地点のエレクトロルミネッセンスの
発光輝度に比べて、0%〜0.5%、0.5%〜1.0
%、1.0%〜2.0%、2.0%〜4.0%、4.0
%〜7.0%、7.0%〜10%低くなっている。従っ
て、図8(a)、(b)に示すように、透明電極層3の
外周部全体にリード10aを積層すると、エレクトロル
ミネッセンス層1の発光輝度のばらつき幅を小さくする
ことができる。
【0031】上記では、図7(a)に示すように透明電
極層3の外周部全体にリード10aを積層した場合につ
いて述べたが、図10に示すように外周部の一部にのみ
リード10aを積層するようにしてもよい。この場合の
エレクトロルミネッセンス層1の発光輝度の分布は図8
(c)に示すようになる。
【0032】尚、光媒体としてR(赤)、G(緑)、B
(青)に発光する各色のエレクトロルミネッセンス層1
r、1g、1bを用いた場合、3色のエレクトロルミネ
ッセンス層1r、1g、1bが透明基板2の短手方向に
並んで配置されるように、透明電極層3上に積層する。
図2(a)〜図6(a)に示す光源の光媒体として、エ
レクトロルミネッセンス層1r、1g、1bを用いる場
合の構成は、図2〜図6の各(b)に示すようになる。
尚、エレクトロルミネッセンス層1r、1g、1bを用
いた構成において、上記で述べたエレクトロルミネッセ
ンス層1の形状やリード10a、10bと透明電極層
3、金属電極層4との接続形態を上記と同様の構成とす
ることで、各色のエレクトロルミネッセンス層1r、1
b、1gの発光輝度の低下の補償をしたり、又は当該光
源から所定の距離に置かれた原稿面上の照度を均一にす
ることができる。
【0033】尚、エレクトロルミネッセンス層1r、1
g、1bの配置は図2(b)〜図6(b)に示すような
配置でなくてもよい。また、図7(a)に示す構成にお
いて、上記3色のエレクトロルミネッセンス1r、1
g、1bを用いる場合、例えば図11に示すように長手
方向が2.5mm、短手方向が1mmの透明電極層3を
透明基板2の長手方向に複数積層する。そして、該複数
の透明電極層3の上に、各色のエレクトロルミネッセン
ス層1r、1g、1bが透明基板2の長手方向に交互に
配列されるように、各色のエレクトロルミネッセンス層
1r、1g、1bを積層する。
【0034】以上のように構成された光源5は、例え
ば、図12に示すようにして画像読取装置の光源ユニッ
ト15の光源5a、5bとして用いることができる。す
なわち、上記のように構成した光源5a 、5bを、読み
取り位置Paに対して斜上方に、左右対称に配置し、ま
た読み取り位置Paの垂直方向上方に、上記ファイバレ
ンズ14を配置した構成となる。
【0035】この構成において、本願発明にかかる光源
に対してレンズとして従来のロッドレンズを使用する限
りはその焦点距離には限度があるので、従来以上に薄型
・小型化する必要がある場合、上記レンズの焦点距離を
小さくする必要がある。
【0036】そこで、図13に示すように、レンズとし
てロッドレンズ122より細い径のファイバレンズ14
を使用する。すなわち0.5mm以下の光ファイバ14
0を束ねることによって構成される。これによって、焦
点距離を短くすることができ、全体の光路長も短くする
ことができるが、逆に、クロストークとフレア等の現象
が顕著になる。そこで、図14に示すように、所定長さ
の光ファイバ140単体のそれぞれの外周に光吸収層1
43を形成するか、あるいは、上記図13に示すよう
に、所定長さの光ファイバ140を複数本束ね、その外
周に光吸収層141を形成したファイバ束144を形成
する。
【0037】ここで、上記ファイバ束144は、上記ク
ロストークとフレア等の現象を防止するため、下記の関
係を満たすようにする。つまり、図15に示すように、
ファイバ束144の一辺の長さYを光ファイバ140の
長さNで除した値が、当該光ファイバ140の中心軸Z
と入射光Vとの間の角度である開口角ωの正接値よりも
小さくなる関係を満たすように、当該開口角ωを設定す
る。図15では、光を正常に伝送することができる最大
の角度で光Vが光ファイバ140に入射している状態を
示しているのでこの図でいうと、光ファイバ140の中
心軸Zと入射光Vとの間の角度が開口角ωに相当する
【0038】このように、光吸収層143を形成した光
ファイバ140単体を複数本或いは光吸収層141を形
成したファイバ束144の複数個を、上下が開放された
所定の形状の型枠に当該光ファイバ140の長さ方向を
上下に向けて径方向に並列に充填し、接着剤を各光ファ
イバ140の隙間に充填して固化し、脱枠する。上記型
枠の所定形状とは、当該ファイバレンズ14を用いた複
写機や画像読取装置等が本来の機能を発揮するに必要な
形状であって、通常原稿搬送方向に直角な長さの帯状と
なる。更に、図16に示すように成形上必要であれば上
記光ファイバ140単体もしくはファイバ束144を上
記型枠内で、不透明なガラス或いは樹脂等の基板142
で挟み込むようにし、当該基板142と上記光ファイバ
140単体相互あるいは、ファイバ束144相互を上記
の方法で接着するようにしてもよい。
【0039】また、光吸収層143を形成した光ファイ
バ140単体を複数本或いは光吸収層141を形成した
ファイバ束144の複数個を、例えば当該光ファイバ1
40の長さ方向を径方向に並列に密着配置し、隙間に接
着剤を充填すると共に、所定形状の2枚の不透明なガラ
ス或いは樹脂等の基板142で挟み込み、熱圧着するこ
とにより上記接着剤を固化させる方法(図示せず)があ
る。
【0040】上記光ファイバ140は屈折率が軸と直角
方向で外周に向かって漸次小さく(例えば、大きくなる
距離の値の2乗に対応して小さく)なっており、上記光
吸収層141・143がなくても原理的には光は中心方
向に収束するようになっているが、現実の問題として径
が細くなると、上記クロストークあるいはフレア現象が
顕著になり、上記光吸収層141・143を形成するこ
とが必要となる。
【0041】尚、上記光吸収層141・143は黒色の
樹脂をコーティング、ディッピング、あるいは蒸着する
ことで形成することができる。また、上記型枠に光ファ
イバ140単体あるいはファイバ束144を充填した状
態で用いられる接着剤は、従来の接着剤でもよいが、上
記クロストークあるいはフレア現象を防止できるような
黒色等の接着剤を用いることが好ましく、これらの接着
剤が上記光吸収層141となる。ここで、上記黒色等の
接着剤で光吸収層を兼ねるようにする場合は、上記光フ
ァイバ140単体あるいはファイバ束144の外周に当
該接着剤を形成しておき、上記と同様に上下が開放され
た所定の形状の型枠を使用した方法、又は2枚の基板1
42で挟み込み、熱圧着する方法等で上記ファイバレン
ズ14を製造する。勿論、この製造において上記黒色等
の接着剤が光ファイバ140単体あるいはファイバ束1
44の外周の全体に行き渡るようにする。上記接着剤と
しては、例えば、軟化点が低いガラス或いは樹脂等を使
用することができるが、この軟化点は上記ファイバレン
ズ14を構成する光ファイバ140や基板142等の材
料よりも低いことが必要である。
【0042】さて、ここで、上記ファイバレンズ14の
備える光ファイバ140の径を、従来のロッドレンズの
径の1/6である約0.1mmとし、当該光ファイバ1
40の長さを、当該ロッドレンズの長さの1/6である
約4.0mmとした場合、上記光源ユニット15の原稿
9の表面に対して垂直方向の厚みが、従来の密着型の画
像読取装置の1/6である約10mmとなる。
【0043】図17は本願発明が適用された、画像読取
装置を示すものであり、この場合は表裏両面が読み取る
ことが可能な構成となっている。もちろんこの画像読取
装置は、ファックスに使用されてもよいし、コピー機に
使用されてもよい。
【0044】従来と同様、原稿搬送部162を構成する
ピックローラ151で装置内に引き込まれた原稿9は上
下の送り込みローラ152a・152bによって、水平
の搬送路133に送り込まれる。この搬送路133には
原稿9を上下の送り込みローラ152a・152bより
受け取って後方へ搬送するベルトローラ164が設けら
れ、原稿9の先端が所定の位置に来たときに稼働するよ
う制御されるようになっている。
【0045】上記水平の搬送路133の前端付近には上
下2つの画像読取装置120a・120bが配置され、
原稿9の搬送時に上下の読み取り位置Pa・Pbで当該
原稿9の両面を同時に読み取るようになっている。
【0046】ここで、下側の画像読取装置120bは、
図17に示す原稿台136から浮くような原稿、例えば
本を見開いた状態の原稿を読み取るため、深い焦点深度
が要求される。そこで、図13に示すファイバレンズ1
4と本願発明の光源とを下側の画像読取装置120bに
用いることで、読み取り装置全体を薄く設計することが
できる。もちろん、上下両側の読み画像読取装置に図1
3に示すファイバレンズ14と本願発明の光源を用いる
ことにより、画像読取装置の薄型化をより一層図ること
ができるようになる。
【0047】上記のように、原稿9の両面のイメージを
読み取る場合、上下側の画像読取装置120a・120
bの各光源からの照射光が、上下の同じ位置を照射する
ようにすると、相互の照射光が干渉することになる。そ
こで、上記画像読取装置120a・120bの配置を、
当該画像読取装置120a・120bの各光源よりの照
射光が上下で同じ位置とならない程度にずらせ、上記の
干渉を防止するようにしている。
【0048】また、上記画像読取装置120a・120
bは、原稿9の両面のイメージを読み取った各読み取り
情報に影響を与えるγ値(濃度対センサ出力値)、階調
特性等の読み取り特性を持つ。ここで、上記複写機の備
える用紙等の両面に印字されるイメージの印字画質は、
同等であることが望ましくい。そこで、上記複写機は、
読み取り補正手段132を備えて、上記画像読取装置1
20a・120bの各読み取り特性を補正して同一とな
るように構成されている。
【0049】例えば、上記γ値において、原稿9からの
反射光の光量(所定時間の光束の総量)とセンサ部の出
力、及びγ値の関係は図18に示すように、一般的にγ
>1とγ=1、或いはγ<1のグラフとなる。ここで、
任意の光量値aでセンサ出力を大きくする場合は、上記
読み取り補正手段132でγ>1となるようにγ値を補
正する。同様に、上記読み取り補正手段132でγ=
1、或いはγ<1となるように補正して上記光量とセン
サ出力の値の調整を行い、上下両側の画像読取装置の読
み取り情報を同一にする。
【0050】その他、上記複写機が備える上下両側の画
像読取装置120a・120bのうち、上側の画像読取
装置120aを固定して、下側の画像読取装置120b
を移動式としてもよく、例えば従来と同様に縮小光学方
式(縮小CCD方式)を用いた移動式としてもよい。
【0051】この場合のイメージの読み取り動作は、ま
ず上記原稿搬送部162に挿入された原稿9を上記ピッ
クローラ151及び送り込みローラ152a・152b
が上記搬送路133に搬送する。
【0052】これにより、原稿9は、上記固定式の画像
読取装置120aによって読み取られながら水平の搬送
路133に送り込まれるが、搬送路133の下側にはガ
ラスよりなる読み取り台(図示せず)が配置されてお
り、原稿9が当該読み取り台に載置された状態で、ベル
トローラ164は一旦停止し、光源である上記の蛍光灯
(すなわち読み取り位置Pb)が移動する。そして、上
記画像読取装置120bによる読み取りが終了すると、
更に上記ベルトローラ164が稼働して原稿9を排出す
るようになっている。
【0053】このように、下側の画像読取装置20bを
縮小光学方式(縮小CCD方式)を用いた移動式とする
とともに、上記ガラスの原稿台上に原稿9を上から載置
できる現状のコピー機と同様の構成とすることによっ
て、本等の原稿搬送部162で送り込むことが出来ない
原稿にも対応することができることになる。
【0054】勿論、上記のように縮小光学方式(縮小C
CD方式)を用いた下の画像読取装置120bを移動す
るのでなく、蛍光灯を所定位置に固定しておき、ベルト
ローラ164によって搬送される原稿9に対応して読み
取る構成も可能である。
【0055】ところで、上記は本発明の光源を利用した
画像読取装置を複写機に適用した場合であるが、その
他、ファクシミリや画像読取装置、或いはマルチファン
クションプリンタ等にも同様に適用できる。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように本願発明は、長手方
向に均一な強度の光を発光することができるので、画像
読取装置の光源として利用したとき、印刷濃度が均一な
画像を印刷することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光源の断面図である。
【図2】エレクトロルミネッセンス層の幅が接続点から
遠くなるに従って広い光源を示した平面図である。
【図3】エレクトロルミネッセンス層の両端に接続点を
設けた光源を示す平面図である。
【図4】エレクトロルミネッセンス層の膜厚が接続点か
ら遠くなるに従って薄い光源を示した図である。
【図5】エレクトロルミネッセンス層の両端に接続点を
設けた光源を示す図である。
【図6】複数の接続点を設けた光源を示す図である。
【図7】透明電極の外周部にリードが積層された光源を
示す図である。
【図8】光源の発光輝度の分布を示した図である。
【図9】透明電極とリードとが一点で接続されている光
源を示した図である。
【図10】透明電極の外周部にリードが積層された光源
を示す図である。
【図11】透明電極層の外周部にリードが積層された光
源を示す図である。
【図12】光源ユニットを示した図である。
【図13】画像読取装置が備えるファイバレンズの斜視
図である。
【図14】ファイバレンズを構成する光ファイバの斜視
図である。
【図15】ファイバレンズのA−A'断面図である。
【図16】画像読取装置が備えるその他のファイバレン
ズの斜視図である。
【図17】両面読み取りを行う複写機の構成図である。
【図18】読み取り補正手段のγ値による補正の一例を
示した図である。
【図19】従来の密着方式の画像読取装置の構成図であ
る。
【図20】従来の密着方式の画像読取装置が備える光源
の斜視図である。
【図21】従来の密着方式の画像読取装置が備えるロッ
ドレンズアレイの斜視図である。
【図22】エレクトロルミネッセンス膜を用いた光源の
斜視図である。
【符号の説明】
1 エレクトロルミネッセンス層 2 透明基板 3 透明電極層 4 金属電極層 P 接続点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB02 BA02 DB03 5C051 AA01 BA04 DB01 DB06 DB28 DB35 DC07 DE30 5C072 AA01 BA08 CA02 CA15 CA18 DA21 DA25 EA07

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    画像読取装置の光源において、 上記エレクトロルミネッセンス層の幅が、電極層とリー
    ドとの接続点からの距離に応じた幅であることを特徴と
    する画像読取装置の光源。
  2. 【請求項2】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    画像読取装置の光源において、 上記エレクトロルミネッセンス層の膜厚を、電極層とリ
    ードとの接続点からの距離に応じた膜厚としたことを特
    徴とする画像読取装置の光源。
  3. 【請求項3】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    画像読取装置の光源において、 上記電極層とリードとの接続点を複数設けたことを特徴
    とする画像読取装置の光源。
  4. 【請求項4】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    画像読取装置の光源において、 上記電極層の外周部の少なくとも一部にリードを接続し
    たことを特徴とする画像読取装置の光源。
  5. 【請求項5】 上記エレクトロルミネッセンス層とリー
    ドとの間を絶縁膜で絶縁した請求項4に記載の画像読取
    装置の光源。
  6. 【請求項6】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    光源を用いた画像読取装置において、 上記エレクトロルミネッセンス層の幅が、電極層とリー
    ドとの接続点からの距離に応じた幅としたことを特徴と
    する画像読取装置。
  7. 【請求項7】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    光源を用いた画像読取装置において、 上記エレクトロルミネッセンス層の膜厚を、電極層とリ
    ードとの接続点からの距離に応じた膜厚としたことを特
    徴とする画像読取装置。
  8. 【請求項8】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    光源を用いた画像読取装置において、 上記電極とリードとの接続点を複数設けたことを特徴と
    する画像読取装置。
  9. 【請求項9】 透明基板上に透明電極層、エレクトロル
    ミネッセンス層、金属電極層の順で膜層を形成し、上記
    両電極層に所定の電圧を印加することによって発光する
    光源を用いた画像読取装置において、 上記電極層の外周部の少なくとも一部にリードを接続し
    たことを特徴とする画像読取装置。
  10. 【請求項10】 上記エレクトロルミネッセンス層とリ
    ードとの間を絶縁膜で絶縁した請求項9に記載の画像読
    取装置。
JP2002045763A 2001-02-22 2002-02-22 画像読取装置の光源と画像読取装置 Withdrawn JP2002325162A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002045763A JP2002325162A (ja) 2001-02-22 2002-02-22 画像読取装置の光源と画像読取装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-46628 2001-02-22
JP2001046628 2001-02-22
JP2002045763A JP2002325162A (ja) 2001-02-22 2002-02-22 画像読取装置の光源と画像読取装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002325162A true JP2002325162A (ja) 2002-11-08

Family

ID=26609899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002045763A Withdrawn JP2002325162A (ja) 2001-02-22 2002-02-22 画像読取装置の光源と画像読取装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002325162A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100904A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子
JP2006156773A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Hitachi Displays Ltd 表示装置
WO2008072520A1 (ja) * 2006-12-15 2008-06-19 Panasonic Corporation 線状発光装置
JP2008166343A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 線状発光装置
JP2009117932A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像読み取り装置
JP2009225035A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像読み取り装置および光源
JP2009289742A (ja) * 2008-05-01 2009-12-10 Fujitec International Inc 有機el発光装置、有機el照明装置および有機el発光装置の電流注入方法
JP2011204664A (ja) * 2010-03-04 2011-10-13 Rohm Co Ltd 有機el装置
JP2013515367A (ja) * 2009-12-21 2013-05-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 輝度が均一なオプトエレクトロニクス装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263382A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像読取装置
JPS63149664U (ja) * 1987-03-24 1988-10-03
JPH0348897U (ja) * 1989-09-18 1991-05-10
JPH1140362A (ja) * 1997-07-15 1999-02-12 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
JP2000354132A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Matsushita Graphic Communication Systems Inc 画像読取装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6263382A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像読取装置
JPS63149664U (ja) * 1987-03-24 1988-10-03
JPH0348897U (ja) * 1989-09-18 1991-05-10
JPH1140362A (ja) * 1997-07-15 1999-02-12 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその製造方法
JP2000354132A (ja) * 1999-06-10 2000-12-19 Matsushita Graphic Communication Systems Inc 画像読取装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100904A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子
JP2006156773A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP4727216B2 (ja) * 2004-11-30 2011-07-20 株式会社 日立ディスプレイズ 有機el表示装置
JPWO2008072520A1 (ja) * 2006-12-15 2010-03-25 パナソニック株式会社 線状発光装置
WO2008072520A1 (ja) * 2006-12-15 2008-06-19 Panasonic Corporation 線状発光装置
JP2008166343A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 線状発光装置
JP2009117932A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像読み取り装置
JP2009225035A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像読み取り装置および光源
JP2009289742A (ja) * 2008-05-01 2009-12-10 Fujitec International Inc 有機el発光装置、有機el照明装置および有機el発光装置の電流注入方法
JP4533963B2 (ja) * 2008-05-01 2010-09-01 フジテック・インターナショナル株式会社 有機el発光装置
JP2013515367A (ja) * 2009-12-21 2013-05-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 輝度が均一なオプトエレクトロニクス装置
KR101815214B1 (ko) 2009-12-21 2018-01-05 오스람 오엘이디 게엠베하 균질한 광 세기를 갖는 광전자 디바이스
JP2011204664A (ja) * 2010-03-04 2011-10-13 Rohm Co Ltd 有機el装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7385169B2 (en) Contact image sensor and methods for aligning a light element array substrate thereof
JP4233196B2 (ja) 露光装置
US7512301B2 (en) Image reader and image processor having a light source forming trapezoid-shaped illuminance distribution in sub-scanning direction
JP2002325162A (ja) 画像読取装置の光源と画像読取装置
US6891328B2 (en) Light source for image reading apparatus and image reading apparatus
JP3708024B2 (ja) 画像書込み装置と画像書込み装置の光源
JP3807494B2 (ja) 光源と当該光源を用いた画像読取装置
JP2002328438A (ja) 画像読取装置の光源と画像読取装置
US7692822B2 (en) Image reading apparatus, image forming apparatus and image reading method
JP4830332B2 (ja) 電気光学装置、画像印刷装置および画像読み取り装置
US6828999B2 (en) Light emitting device, light emitting device array, and printer having light emitting device array
JP2001167874A (ja) 有機el発光素子及びその製造方法
JP6129777B2 (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法、プリントヘッド、及び画像形成装置
JP2000343752A (ja) 有機elプリントヘッド
JP4024616B2 (ja) 光源の駆動装置
JP2011230332A (ja) プリンターヘッド及び露光装置
JP2005070463A (ja) 画像読取装置
JP2002164163A (ja) 有機el書込光源装置
JP2006289957A (ja) 画像形成装置
JP2006248219A (ja) 走査ヘッド及びプリンタ
CN101420502A (zh) 图像读取装置的光源和图像读取装置
JP4024617B2 (ja) 画像読み取り装置の光源
JP3922635B2 (ja) 画像読み取り装置の光源
JP2000238325A (ja) 有機elプリントヘッド
JP4954856B2 (ja) 光源装置及びこれを備えた画像読み取り装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050811

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060609

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060728