JP2005100904A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005100904A JP2005100904A JP2003351675A JP2003351675A JP2005100904A JP 2005100904 A JP2005100904 A JP 2005100904A JP 2003351675 A JP2003351675 A JP 2003351675A JP 2003351675 A JP2003351675 A JP 2003351675A JP 2005100904 A JP2005100904 A JP 2005100904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode region
- electrode
- anode
- terminal portion
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 41
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 41
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 aluminum Metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(Cl)Cl QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001175904 Labeo bata Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCVMIAHADDDFPT-UHFFFAOYSA-N O1C(=O)C=CC2=CC=CC=C12.[P] Chemical compound O1C(=O)C=CC2=CC=CC=C12.[P] VCVMIAHADDDFPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 Chemical compound [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N [P].O1CC=CC=C1 Chemical compound [P].O1CC=CC=C1 DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- RGKMZNDDOBAZGW-UHFFFAOYSA-N aluminum calcium Chemical compound [Al].[Ca] RGKMZNDDOBAZGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940031826 phenolate Drugs 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/06—Electrode terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B44/00—Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】有機EL素子1は基板2上に、陽極10、有機層20、陰極30の順に形成され、陽極10は陰極30よりも体積抵抗率が高い物質で形成され、陽極10と陰極30との間に有機層20が存在する。陽極10は、有機層20と接する略矩形の電極領域13と、電極領域13の外周に沿った位置に配置されて外部駆動回路が接続される端子部11と、導通部12とを有する。導通部12は、端子部11と接続する接続部12bと、電極領域13と接続する接続部12aとを備え、両接続部12a,12b間を電気的に接続し、かつ、電極領域13及び端子部11とは直接電気的に接続しない導通部本体12cとからなる。接続部12aは、電極領域13の外周における端子部11と対向する部分以外の部分において電極領域13と接続されている。
【選択図】図1
Description
また、有機電界発光素子が装備される装置(例えば携帯端末等)は、その大きさに制限があるため、当該素子の大きさにも制約があり、その結果、電極の端子部の大きさや配置位置も限定されている。
電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所とが存在するために、素子全体として輝度むらが生じる。有機電界発光素子の輝度は、流れる電流が大きくなるほど高くなるため、電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所が存在すると両者の間で輝度の差が生じ、輝度むらとなるためである。
電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所とで、素子の寿命が変わってしまう。一般に、流れる電流の多い部分は寿命が短くなる。このため、電流が均一に流れる素子と比べると、寿命の短い箇所が存在してしまい、有機電界発光素子としての寿命が短くなってしまう。また、長期間使用していると、光らない箇所ができてしまったり、他の箇所に比べて輝度が低い箇所ができてしまったりする。
電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所とが存在するため、場所によって変質してしまう場合がある。
電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所とがあるため、素子内において、蛍光材料を用いた有機電界発光素子ではS−Sアニヒレーション現象が発生したり、燐光材料を用いた有機電界発光素子ではT−Tアニヒレーション現象が発生したりする。したがって、発光層に複数の発光材料を含有させて、各発光材料が少なくとも他の一つの発光材料とは異なる波長の色を発する有機電界発光素子では、電流が流れやすい箇所と流れにくい箇所とで、各層の輝度が異なってしまう場合があり、結果として色度のむらが発生してしまう場合がある。
以下、有機電界発光素子における電流の流れる各経路の抵抗差について、図26を用いて詳細に説明する。
この構成の有機電界発光素子の発光領域における輝度むら等の問題をなくすには、電極領域130上の、端子部110と電極領域130との接点P0から、電極領域130上の各点、例えばP1〜P6への抵抗が等しくなければならない。
この有機電界発光素子では、両電極ともにITOで形成されているために、陽極の抵抗率も陰極の抵抗率も、上記各経路の抵抗差を考える際に無視することはできない。この構成では、端子部110、310間を直線で結ぶ(最短距離の)経路L1を通る経路の抵抗が最も小さくなる。したがって、経路L1上の有機層に流れる電流が最も大きくなり、経路L1から離れる程有機層に流れる電流が小さくなるため、結果として、輝度むら等が発生してしまう。
・一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成されている。
・一方の電極は、少なくとも、有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有する。
・端子部は、電極領域の外周に沿った位置に配置され、導通部を介して電極領域と電気的に接続されている。
・電極領域は略矩形である。
・導通部は、端子部と接続する接続部と、電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・電極領域と接続する接続部は、電極領域の外周における端子部と対向する部分以外の部分において電極領域と接続されている。
・一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成されている。
・一方の電極は、少なくとも、有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有している。
・電極領域は略矩形である。
・端子部は、電極領域の外周に沿った位置に配置され、導通部を介して電極領域と電気的に接続されている。
・導通部は、端子部と接続する接続部と、電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・電極領域と接続する接続部は、電極領域の外周における端子部と対向する部分の一部で電極領域と接続されている。
・一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成されている。
・一方の電極は、少なくとも、有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有している。
・端子部は、電極領域の外周に沿った位置に配置され、導通部を介して電極領域と電気的に接続されている。
・電極領域は略矩形とされている。
・導通部は、複数設けられ、それぞれ、端子部と接続する接続部と、電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・電極領域と接続する接続部のうちの少なくとも一つは、電極領域の外周における端子部と対向する部分以外の部分において電極領域と接続され、他の一つは、電極領域の外周における端子部と対向する部分の一部で電極領域と接続されている。
・有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有する。
・電極領域が略矩形である。
・端子部は、電極領域の外周に沿った位置に配置され、導通部を介して電極領域と電気的に接続されている。
・導通部は、端子部と接続する接続部と、電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・電極領域と接続する接続部は、電極領域の外周における端子部と対向する部分以外の部分において電極領域と接続されている。
・有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有する。
・電極領域が略矩形である。
・端子部は、電極領域の外周に沿った位置に配置され、導通部を介して電極領域と電気的に接続されている。
・導通部は、端子部と接続する接続部と、電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・電極領域と接続する接続部は、電極領域の外周における端子部と対向する部分の一部で電極領域と接続されている。
・有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有している。
・端子部は、電極領域の外周に沿った位置に配置され、導通部を介して電極領域と電気的に接続されている。
・電極領域が略矩形とされている。
・導通部は、複数設けられ、それぞれ、端子部と接続する接続部と、電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・電極領域と接続する接続部のうちの少なくとも一つは、電極領域の外周における端子部と対向する部分以外の部分において電極領域と接続され、他の一つは、電極領域の外周における端子部と対向する部分の一部で電極領域と接続されている。
・一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成されている。
・一方の電極は、少なくとも、有機層と接する一つの電極領域と、外部駆動回路が接続される二つの端子部と、それぞれ互いに異なる端子部に接続された二つの導通部とを有している。
・各端子部は、導通部を介して電極領域に電気的に接続されている。
・電極領域は略矩形である。
・各端子部は、電極領域の外周の一方の短辺の両側に配置されている。
・各導通部は、それぞれ、電極領域の外周における異なる長辺において電極領域と接続されている。
・有機層と接する一つの電極領域と、外部駆動回路が接続される二つの端子部と、それぞれ互いに異なる端子部に接続された二つの第一の導通部と、それぞれ互いに異なる端子部に接続された二つの第二の導通部とを有している。
・各端子部は、導通部及び第二の導通部を介して電極領域に電気的に接続されている。
・電極領域は略矩形とされている。
・各端子部は、電極領域の外周における一方の短辺の両側に配置されている。
・各第一の導通部は、それぞれ、電極領域の外周における異なる長辺において電極領域と接続されている。
・各第二の導通部は、それぞれ、電極領域の外周における端子部と対向する部分の一部で電極領域と接続されている。
・第二の端子部と第二の電極領域とを有している。
・第二の端子部は、上記一方の電極における二つの端子部の間に設けられている。
なお、本明細書において単に導通部と表記する場合には、第七の素子における第一の導通部及び第二の導通部を含む。また、第七の素子においては、一の導通部のみが本条件を備えていてもよく、複数(すべてを含む)の導通部が本条件を備えていてもよい。
・電極領域の外周のいずれかの位置であって、かつ、当該位置と電極領域の外周上の各点との間の抵抗値の最大値と最小値との差が、電極領域と端子部とを最短距離で直接電気的に接続した場合における、当該接続される部分の各点と電極領域の外周上の各点との間の抵抗値の最大値と最小値との差よりも小さい位置、若しくは当該位置の近傍。
本実施の形態に係る第一の有機EL素子は、以下の特徴を有する。
・一方の電極(本例では陽極)が他方の電極(本例では陰極)よりも体積抵抗率が高い物質で形成されている。
・陽極と陰極との間に有機層が存在する。
・陽極は、少なくとも、有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有する。
・陽極の電極領域は略矩形である。
・端子部は、陽極の電極領域の外周に沿った位置に配置され、陽極の導通部を介して陽極の電極領域と電気的に接続されている。
・陽極の導通部は、陽極の端子部と接続する接続部と、陽極の電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、陽極の電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・陽極の電極領域と接続する接続部は、陽極の電極領域の外周における端子部と対向する部分以外の部分において陽極の電極領域と接続されている。
以下、第一の有機EL素子の構成、製造例、作用及び効果について、図を参照しながら詳細に説明する。
図1に、第一の有機EL素子1の平面図を示す。図2に、図1におけるA−A’線断面図を示す。図3に図1におけるB−B’線断面図を示す。
図1〜図3に示すように、第一の有機EL素子1は基板2上に形成されている。図2に示すように、第一の有機EL素子1は、一方の電極としての陽極10、有機層20及び他方の電極としての陰極30を有する。以下、第一の有機EL素子1を構成する各構成要素について説明する。
陽極10は、陽極の端子部(端子部)11、陽極の導通部(導通部)12及び陽極の電極領域(電極領域)13とを有し、それぞれが基板2上に形成されている。陽極の端子部11、陽極の導通部12及び陽極の電極領域13は、陰極30(少なくとも陰極の電極領域33)よりも体積抵抗率が高い物質により一体構成されている。
陽極の導通部12と陽極の電極領域13と接続する位置、すなわち接続部12aの位置は、陽極の電極領域13の外周に沿った位置13aで、陽極の電極領域13が陽極の端子部11と対向する部分13x以外の位置である。
ITO(インジウム−スズ−オキサイド)、IZO(インジウム−亜鉛−オキサイド)、酸化スズ,酸化亜鉛、亜鉛アルミニウム酸化物、窒化チタン等の金属酸化物や金属窒化物;金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉛、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ等の金属;これらの金属の合金やヨウ化銅の合金等、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリフェニレンスルフィド等の導電性高分子など。
陽極10の抵抗が高い場合には、補助電極を設けて抵抗を下げるとよい。補助電極は、銅、クロム、アルミニウム、チタン、アルミニウム合金等の金属もしくはこれらの積層物が陽極10に部分的に併設された電極である。
有機層20は、公知の有機エレクトロルミネッセンス素子における公知の層構成及び公知の材料の層にすればよく、公知の製造方法によって製造できる。すなわち、有機層20は、少なくとも以下の機能を実現できればよく、積層構造とし、各層にそれぞれいずれかの機能を担わせてもよく、単層により下記機能を実現してもよい。
・電子注入機能
電極(陰極)から電子を注入される機能。電子注入性。
・正孔注入機能
電極(陽極)から正孔(正孔)を注入される機能。正孔注入性。
・キャリア輸送機能
電子及び正孔の少なくとも一方を輸送する機能。キャリア輸送性。
電子を輸送する機能は電子輸送機能(電子輸送性)と言い、正孔を輸送する機能は正孔輸送機能(正孔輸送性)と言う。
・発光機能
注入・輸送された電子及びキャリアを再結合させて励起子を発生させ(励起状態となり)、基底状態に戻る際に光を発する機能。
図1〜図3に示すように、陰極30は、陰極の端子部31、陰極の導通部32及び陰極の電極領域33とを有し、これらの構成要素は一体構成されている。
例えば以下のような構造にしてもよい。
・陰極30の酸化を防ぐため、陰極30の有機層20と接しない部分に、耐食性のある金属からなる保護層を設ける。
この保護層形成用の材料としては例えば銀やアルミニウムなどが好ましく用いられる。
例えば、陰極30の材料をアルミニウムとし、界面部分にフッ化リチウムや酸化リチウムを挿入したものも用いられる。
基板2は、有機EL素子1を支える、主として板状の部材である。有機EL素子1は、構成する各層が非常に薄いため、一般に基板2によって支えられた有機ELデバイスとして作製される。
また、基板2は、有機層20よりも光取り出し側にある場合には取り出す光に対して透明とされる。
第一の有機EL素子1は、前記した製造方法等の公知の有機EL素子製造方法を適宜組み合わせて作製することができ、例えば図4に示すように製造することもできる。
基板2の一方の面上に、陽極10形成用材料としてのITO層40を設ける。この際、図4(a)に示すように、少なくとも陽極の端子部11、陽極の導通部12及び電極領域13を配置する範囲を含むようにITO層40を設ける。基板2上にITO層40を設ける方法としては、前記したような公知の方法を適宜採用でき、例えばスパッタリング法や真空蒸着法、ゾル・ゲル法、クラスタービーム蒸着法、PLD法等を採用できる。
また、第一の有機EL素子1を次のように作製することもできる。
まず、基板2の一方の面上における陽極10を形成しない部分にマスクをする。そして、基板のこの面上にITO層40を設け、次いでマスクを除去する。このようにして陽極10を作製した後は、前記同様に有機層20及び陰極30を形成する。
次に、第一の有機EL素子1の作用について説明する。
第一の有機EL素子1の陽極の端子部11と陰極の端子部31に外部駆動回路が接続されると、陽極の端子部11から陽極の導通部12を介して陽極の電極領域13に正孔が輸送される。一方、陰極の電極領域33には、陰極の端子部31から陰極の導通部32を介して電子が輸送される。
次に、第一の有機EL素子1の効果について説明する。
第一の有機EL素子1は、有機層の発光領域内の各位置に流れる電流の大きさの差を小さくできる。すなわち、有機EL素子1に無数に存在する各電流経路の抵抗値の最大差を小さくできる。
一方、第一の有機EL素子1における最も抵抗値の小さな経路は、図5(a)に示す、陽極の接続部12aから、接続部12a近傍の点13t2へ至る経路である。
両経路の抵抗値の差は、接続部12aから点13t1,13t2への距離の差が大きくなるほど大きくなる。ここで、接続部12aから13t2間の距離はほぼゼロであるので、後者の抵抗値はほぼゼロと考えることができる。
つまり、第一の有機EL素子1における抵抗値の最大差は、接続部12aと13t1とを結ぶ直線P−1の長さで決まる。
つまり、従来の有機EL素子における抵抗値の最大差は、接点130t1と点130t2とを結ぶ直線P−2の長さによって決まる。
ここで、直線P−2は、矩形の陽極の電極領域130のほぼ対角線である。したがって、直線P−2よりも直線P−1の方が短いと言える。
また、第一の有機EL素子1において、導通部12が陽極の電極領域13と接続する位置を適宜設定すれば、抵抗値の最大差をより小さくすることも可能になる。
(効果a)輝度むらの抑制
第一の有機EL素子1は、前記したように、電流経路の抵抗値の差が従来よりも小さくできる。したがって、有機層20において、電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所との電流値の差を従来よりも小さくできる。そのため、素子全体として輝度むらを小さくすることが可能になる。
第一の有機EL素子1は、前記したように、有機層20において、電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所との電流値の差を従来よりも小さくできる。そのため、電流の流れる量に起因して、素子の寿命が長くなる箇所と短くなる箇所との寿命差を小さなものにすることも可能になる。
第一の有機EL素子1は、前記したように、有機層20において、電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所との電流値の差を従来よりも小さくできる。そのため、電流の流れる量に起因して、素子が変質しやすい場所と変質しにくい場所との変質の度合いの差を小さなものにすることも可能になる。
例えば、赤色に発光する層(赤色発光層)、青色に発光する層(青色発光層)及び緑色に発光する層(緑色発光層)を積層して白色を表現するような、有機層に複数の発光材料を含有させて、複数の波長の光を発する有機EL素子における色度むらを抑制することができる。このような有機EL素子では、有機層に流れる電流の大きさが変わると、発光材料ごとに輝度が変わってしまう。すなわち、素子としての発光色(色度)が変わってしまう(S−Sアニヒレーション現象、T−Tアニヒレーション現象)。
しかし、第一の有機EL素子1は、前記したように、有機層20において、電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所との電流値の差を従来よりも小さくできる。したがって、以上の現象を抑制することが可能になる。すなわち、色度むらを抑制することが可能になる。
第一の有機EL素子1は、以下のように変形することもできる。また、各変形例が互いに矛盾しない範囲内で、それぞれを組み合わせて具現化することもできる。
陽極の導通部12を、図1等に示すように陽極の電極領域13の一辺に沿わせるのではなく、複数の辺に沿わせてもよい。
例えば図6(a)に示すように三辺に沿わせてもよい。
また、陽極の導通部12は、陽極の電極領域13の外周に沿って設けなくてもよい。例えば、図6(b)に示すように、陽極の導通部12が陽極の電極領域13の外周に沿っていなくても、前記した作用・効果を得ることができる。
すなわち、第一の有機EL素子1における陽極の導通部12は、少なくとも一方の接続部12aが陽極の電極領域13に接続しており、他方の接続部12bが陽極の端子部11に接続していればよい。
陽極の導通部12の接続部は二つであることに限定されない。
例えば図7(a)に示すように、陽極の電極領域13と接続する接続部を二つ(接続部12aと接続部12a’)設けてもよい。また、(b)に示すように、陽極の端子部11と接続する接続部を二つ(接続部12bと接続部12b’)設けてもよい。当然、接続部を三つ以上設けてもよい。場合によっては、接続部をミシン目状に設けてもよい。
なお、各接続部の太さ(陽極の電極領域13と接する部分の長さ)を変更し、各接続部から電極領域へ流れる電流量を調整し、有機層における各位置に流れる電流量の差が小さくなるようにするとよい。
陽極の導通部12を複数設けてもよい。例えば図8に示すように、陽極の導通部を二つ(導通部12と導通部12’)設けてもよい。すなわち、陽極の導通部12を、陽極の端子部11の数を超えた数設けてもよい。
以上の構成を採用すると、有機層20における陽極の端子部11に近い位置に流れる電流の量も多くすることが可能となる。
陽極の導通部12が陽極の電極領域13と接続する位置を、以下の条件(i)を満たすように設定すると上記した効果がより得られ、以下の条件(ii)を満たすように設定すると上記した効果がさらに得られる。
つまり、陽極の電極領域13を均一の膜厚、均一の密度等で作製した場合には、図5(a)に示した直線P−1が、(b)に示した直線P−2よりも短くなるように上記接続位置を設定するとよい。
つまり、陽極の電極領域13を均一の膜厚、均一の密度等で作製した場合には、図5(a)に示した、陽極の導通部12の接続部12aと、陽極の電極領域13の周囲とを結ぶ直線の長さが最も短くなる位置を計算し、この位置若しくはこの位置近傍を両者の接続位置とするとよい。
図10に示すように、陽極の電極領域13と陽極の導通部12との間の領域に、陽極の電極領域13よりも体積抵抗率の高い物質により形成した高抵抗部14を設けてもよい。このように高抵抗部14を設けることで、陽極の導通部12から陽極の電極領域13へ、陽極の導通部12の接続部12a以外の位置で陽極の電極領域13に電流が流れる可能性を極めて小さくできる。そのため、上記した効果をより得ることが可能になる。
また、高抵抗部14は、陽極の電極領域13の外周に沿って設けず、外周に対して斜めに設けたり、曲線を有するように設けたりしてもよい。すなわち、前記した作用が得られるように設ければよい。
このようにして作製された高抵抗部14は溝(空洞、空気が配置された部位)となるため、陽極の導通部12よりも体積抵抗率の高い領域となる。
なお、有機層20等の変質などを防止するために、このように作製した溝に、有機層20等にとっての不活性なガスや材料を配置してもよい。ただし、これらのガスや材料は、陽極の電極領域13よりも体積抵抗率が高い物質である必要がある。また、これらのガスや材料は、好ましくは有機EL素子を変質させない、又は変質させにくいガスや材料であることが好ましく、一般には、変形例11に示すような、公知の有機EL素子に用いられる絶縁材料を採用することができる。また、変形例11における絶縁層4が上記溝内に入るように有機EL素子を製造してもよい。
図11に示すように、陽極の端子部11と陽極の電極領域13との間の領域に、陽極の導通部12よりも体積抵抗率の高い物質により形成された高抵抗部(第二の高抵抗部)15を設けるとよい。
このような高抵抗部15を設けることで、陽極の端子部11から陽極の電極領域13へ直接電流が流れる可能性を極めて小さくできるため、上記したような効果をより得ることが可能になる。
陽極の端子部11の数は、一つに限定されず、二つ以上であってもよい。
例えば、図12(a)に示すように、陽極の電極領域13の一辺の外側に、陽極の端子部を二つ(端子部11と端子部11’)設けてもよく、図13に示すように、陽極の電極領域13の向かい合う辺の外側にそれぞれ陽極の端子部11,11’を設けてもよい。このように複数の陽極の端子部11,11’を設ける場合には、各陽極の端子部11,11’に陽極の導通部12,12’を設け、各陽極の導通部12,12’はそれぞれ異なる位置で陽極の電極領域13と接続してもよい。
・陽極10は、少なくとも、有機層と接する一つの陽極の電極領域13と、外部駆動回路が接続される二つの陽極の端子部11,11’と、二つの陽極の導通部12,12’とを有している。
・各端子部11,11’は、それぞれ陽極の導通部12,12’を介して陽極の電極領域13に電気的に接続されている。
・陽極の電極領域13は略矩形である。
・各陽極の端子部11,11’は、図12(a)に示すように、陽極の電極領域13の外周の一方の短辺の両側に配置されている。
・各陽極の導通部12,12’は、図12(a)に示すように、それぞれ、陽極の電極領域13の外周における異なる長辺において陽極の電極領域13と接続されている。つまり、陽極の導通部12が長辺13−2において電気的に接続され、陽極の導通部12’が長辺13−4において電気的に接続されている。
陽極の電極領域13の形状は矩形に限定されない。例えば、図14(a)に示すように、角取り(面取り)された形状でもよく、(b)に示すように、角を丸めた形状であってもよい。各辺も、厳密な直線である必要はなく、例えば一部に曲線部を有していたり、一辺が全体として曲線であったりしても、実際上矩形と同等の形状であれば、このような形状も採用しうる。つまり、このような形状の陽極の電極領域13も、本実施の形態における「略矩形」の陽極の電極領域13に含まれる。
補助電極を設けることも当然に可能である。補助電極は、陽極の端子部11、陽極の導通部12及び陽極の電極領域13の少なくとも一つに設けることができる。これにより、陽極10の体積抵抗率を下げることが可能になる。
図16に示すように、陽極10に、陽極の端子部11、陽極の導通部12及び陽極の電極領域13以外の部分16を設けてもよい。なお、この部分16に補助電極を設けるなどして、陽極の導通部12と陽極の電極領域13との接続部における電位と、部分16と陽極の電極領域13との各接続部との電位との差を小さくすれば、上記した効果をより得ることも可能になる。つまり、陽極の導通部12と陽極の電極領域13との接続部12aの数を、極めて多くしたのと実質的に同等の効果を得ることが可能になる。
陽極10と陰極30とが短絡しないようにするために、有機層20の周囲、特に陽極の導通部12と陰極30との間に絶縁部を設けるとよい。すなわち、図17〜図19に示すように、基板2上に、陽極10と陰極の端子部31とを設け、陽極の導通部12,12’上に絶縁層4を設け、陽極の電極領域13上に有機層20を設け、有機層20上に陰極の電極領域33を設けてもよい。
有機層20等を外気から保護するために、第一の有機EL素子1をパッシベーション膜や封止缶によって保護してもよい。この際、陽極の端子部11及び陰極の端子部31は、素子外部に露出するように保護する必要がある。
上記した各例では、陽極10を一体構成で作製した例を示したが、陽極10の各構成要素をそれぞれ別個に作製して組み合わせて陽極10を構成してもよい。例えば、基板2上に陽極の端子部11と陽極の電極領域13とをITOにより形成した後、両者を銅線等で接続してもよい。この構成では、銅線が陽極の導通部12となる。
有機EL素子を、全面発光する構成ではなく、複数の素子をマトリックス状に配置してもよい。この場合、パッシブマトリックス制御法やアクティブマトリックス制御法等を用い、有機EL素子を用いて画像を表示できるようにしてもよい。
上記例では、陽極の方が陰極よりも体積抵抗率の高い材料により構成されている例を示したが、陰極の方が陽極よりも体積抵抗率が高い場合には、陰極に上記した処理を施せばよい。
また、上記例では、基板側の電極が他方の電極よりも体積抵抗率の高い材料により構成されている例を示したが、他方の電極の方が基板側の電極よりも体積抵抗率が高い場合には、他方の電極に上記した処理を施せばよい。
上記した位置以外に高抵抗部(第三の高抵抗部)を設けることもできる。例えば、図20に示すように、第三の高抵抗部17を、高抵抗部14や第二の高抵抗部15とは異なる位置に設けてもよい。これによっても、陽極の導通部12と陽極の電極領域13との接続部を実質上複数(接続部12aと接続部12a’と接続部12a”)設けることが可能となり、前記した効果がより得られる可能性がある。
次に、本実施の形態に係る第二の有機EL素子について説明する。
図21及び図22に、第二の有機EL素子の構成を説明するための、陽極10の構成を示す。第二の有機EL素子は、以下の構成を採用する。
・一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極(陽極)が、他方の電極(陰極)よりも体積抵抗率が高い物質で形成されている。
・陽極は、少なくとも、有機層と接する陽極の電極領域と、外部駆動回路が接続される陽極の端子部と、陽極の導通部とを有している。
・陽極の電極領域は略矩形である。
・陽極の端子部は、陽極の電極領域の外周に沿った位置に配置され、陽極の導通部を介して陽極の電極領域と電気的に接続されている。
・陽極の導通部は、陽極の端子部と接続する接続部と、陽極の電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなる。
・陽極の電極領域と接続する接続部は、陽極の電極領域の外周における陽極の端子部と対向する部分の一部で陽極の電極領域と接続されている。
例えば、図21や図22に示すように、接続部12aの位置は、電極領域13の外周における端子部と対向する部分13Xにおいて、陽極の電極領域13の外周への直線距離が短い位置、又はこの位置近傍に設定するとよい。このように設定すれば、第一の有機EL素子と同様の理由(作用)により、前記同等の効果を得ることができる。
例えば、図23(a)に示すように、二つの陽極の導通部12及び12’を設け、一方の導通部12を第二の有機EL素子による構成(第二の導通部)とし、他方の導通部12’を第一の有機EL素子による構成(第一の導通部)としてもよい。具体的には、以下の通りである。
・導通部12は、陽極の電極領域13と、その外周における端子部11と対向する部分13Xの一部において接続している。
・導通部12’2は、陽極の電極領域13と、その外周における端子部と対向する部分13X以外の部分において接続している。
このような構成を採用する場合、接続部と電極領域との接する部分の長さを調整し、有機層の各位置に流れる電流量の差が小さくなるように設計することが好ましい。
・各端子部11並びに11’は、それぞれ、導通部12’−1並びに12’−2及び導通部12−1並びに12−2を介して陽極の電極領域13に電気的に接続されている。
・陽極の電極領域13は略矩形とされている。
・各端子部11並びに11’は、図に示すように、陽極の電極領域13の外周における一方の短辺の両側に配置されている。
・導通部12’−1並びに12’−2は、それぞれ、陽極の電極領域13における異なる長辺において電極領域13と接続されている。本例では、それぞれ3箇所ずつの接続部が設けられている(12b1〜12b6)。
・導通部12−1並びに12−2は、それぞれ、陽極の電極領域13における端子部と対向する部分13X、13X’の一部で電極領域13と接続されている。本例では、それぞれ一箇所ずつの接続部が設けられている(12a1〜12a2)。
次に、本実施の形態に係る第三の有機EL素子について説明する。
本実施の形態に係る第三の有機EL素子は、一対の電極に有機層が挟まれ、いずれの電極も略同一の体積抵抗率の物質で形成されており、少なくとも一方の電極が、第一及び第二の有機EL素子における陽極の構成、又は陽極を変形した構成を備えていることを特徴とする。この構成を採用しているため、前記同様の理由により、上記同等の効果を得ることができる。
陽極:陰極
第一の有機EL素子における陽極と同等の構成:第一の有機EL素子における陽極と同等の構成
第一の有機EL素子における陽極と同等の構成:第二の有機EL素子における陽極と同等の構成
第二の有機EL素子における陽極と同等の構成:第一の有機EL素子における陽極と同等の構成
第二の有機EL素子における陽極と同等の構成:第二の有機EL素子における陽極と同等の構成
図24に示すように、横の長さ40mm、縦の長さ50mmの透明なガラス製の基板2上に、横の長さAが30mm、縦の長さBが40mm、膜厚220nmのITO層が形成された基板を用意した。この基板からITOをレーザリペア装置により一部除去して、陽極の端子部11、陽極の導通部12及び陽極の電極領域13を形成した。図24における各部位の寸法は以下の通りである。
長さC=10mm、
長さD=3mm
幅E=10μm〜20μm
距離F=3mm
間隔H=10μm〜20μm
まず、陽極の電極領域13上に、真空蒸着装置(カーボンルツボ、蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Pa)で膜厚30nmのTPTEの層を作製し、この層をホール輸送層とした。
ホール輸送層上に、真空蒸着装置(カーボンルツボ、蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Pa)で膜厚30nmの示すDPVBi(93.0重量%、ホスト材料)と、BCzVBi(7.0重量%、ゲスト材料)とを共蒸着した層を作製し、この層を発光層とした。
発光層上に、真空蒸着装置(カーボンルツボ、蒸着速度0.1nm/s、真空度約5.0×10−5Pa)で膜厚20nmの2,5−ビス(6’−(2’,2”−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロールの層を作製し、この層を電子輸送層とした。
実施例2に係る有機EL素子は、図25(b)に示す形状の陽極10とし、長さ10mmの切り込みGを設けた点以外は、実施例1と同様に有機EL素子を作製し、実施例1と同様に輝度を測定した。測定結果を表1に示す。なお、表1には、実施例2における各測定ポイントにおいて測定した輝度を、最も輝度の小さかったポイントの輝度で割った輝度比にて示した。
実施例3に係る有機EL素子は、切り込みGの長さを20mmとした点以外は、実施例2と同様に有機EL素子を作製し、実施例1と同様に測定した。測定結果を表1に示す。なお、表1には、実施例3における各測定ポイントにおいて測定した輝度を、最も輝度の小さかったポイントの輝度で割った輝度比にて示した。
比較例では、図25(c)に示すように、陽極の導通部12を省略し、陽極の端子部11と陽極の電極領域13とを直接接続した点以外は、実施例1と同様に有機EL素子を作製し、実施例1と同様に輝度を測定した。測定結果を表1に示す。なお、表1には、比較例における各測定ポイントにおいて測定した輝度を、最も輝度の小さかったポイントの輝度で割った輝度比にて示した。
比較例では、輝度の最も小さかった測定ポイントに対する輝度の最も大きかった測定ポイントの輝度比が2.68であったのに対し、陽極の端子部11と陽極の電極領域13とを離した(3mm空間を空けた)実施例1の有機EL素子では上記輝度比が2.16であった。
また、10mmの切り込みGを設けた実施例2では上記輝度比が1.58、20mmの切り込みGを設けた実施例3では上記輝度比が1.60となった。
また、本実施の形態に係る実施例1〜実施例3の有機EL素子は、平均輝度に対する最も輝度の小さい測定ポイントの輝度比が、比較例の有機EL素子における平均輝度に対する最も輝度の小さい測定ポイントの輝度比よりも小さかった。
Claims (12)
- 一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成された有機電界発光素子であって、
前記一方の電極は、少なくとも、前記有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有し、
前記端子部は、前記電極領域の外周に沿った位置に配置され、前記導通部を介して前記電極領域と電気的に接続され、
前記電極領域は略矩形であり、
前記導通部は、前記端子部と接続する接続部と、前記電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、前記電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなり、
前記電極領域と接続する接続部は、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分以外の部分において前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成された有機電界発光素子であって、
前記一方の電極は、少なくとも、前記有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有し、
前記端子部は、前記電極領域の外周に沿った位置に配置され、前記導通部を介して前記電極領域と電気的に接続され、
前記電極領域は略矩形であり、
前記導通部は、前記端子部と接続する接続部と、前記電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、前記電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなり、
前記電極領域と接続する接続部は、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分の一部で前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成された有機電界発光素子であって、
前記一方の電極は、少なくとも、前記有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有し、
前記端子部は、前記電極領域の外周に沿った位置に配置され、前記導通部を介して前記電極領域と電気的に接続され、
前記電極領域は略矩形であり、
前記導通部は、複数設けられ、それぞれ、前記端子部と接続する接続部と、前記電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、前記電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなり、
前記電極領域と接続する接続部のうちの少なくとも一つは、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分以外の部分において前記電極領域と接続され、他の一つは、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分の一部で前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極に有機層が挟まれ、いずれの電極も略同一の体積抵抗率の物質で形成された有機電界発光素子であって、
少なくとも一方の電極は、
前記有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有し、
前記端子部は、前記電極領域の外周に沿った位置に配置され、前記導通部を介して前記電極領域と電気的に接続され、
前記電極領域が略矩形であり、
前記導通部は、前記端子部と接続する接続部と、前記電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、前記電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなり、
前記電極領域と接続する接続部は、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分以外の部分において前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極に有機層が挟まれ、いずれの電極も略同一の体積抵抗率の物質で形成された有機電界発光素子であって、
少なくとも一方の電極は、
前記有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有し、
前記端子部は、前記電極領域の外周に沿った位置に配置され、前記導通部を介して前記電極領域と電気的に接続され、
前記電極領域が略矩形であり、
前記導通部は、前記端子部と接続する接続部と、前記電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、前記電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなり、
前記電極領域と接続する接続部は、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分の一部で前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極に有機層が挟まれ、いずれの電極も略同一の体積抵抗率の物質で形成された有機電界発光素子であって、
少なくとも一方の電極は、
前記有機層と接する電極領域と、外部駆動回路が接続される端子部と、導通部とを有し、
前記端子部は、前記電極領域の外周に沿った位置に配置され、前記導通部を介して前記電極領域と電気的に接続され、
前記電極領域が略矩形であり、
前記導通部は、複数設けられ、それぞれ、前記端子部と接続する接続部と、前記電極領域と接続する接続部と、両接続部間を電気的に接続し、かつ、前記電極領域及び端子部とは電気的に接続しない導通部本体とからなり、
前記電極領域と接続する接続部のうちの少なくとも一つは、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分以外の部分において前記電極領域と接続され、他の一つは、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分の一部で前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成された有機電界発光素子であって、
前記一方の電極は、少なくとも、前記有機層と接する一つの電極領域と、外部駆動回路が接続される二つの端子部と、それぞれ互いに異なる端子部に接続された二つの導通部とを有し、
各端子部は、前記導通部を介して前記電極領域に電気的に接続され、
前記電極領域は略矩形であり、
各端子部は、前記電極領域の外周における一方の短辺の両側に配置され、
各導通部は、それぞれ、前記電極領域の外周における異なる長辺において前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 一対の電極に有機層が挟まれ、一方の電極が、他方の電極よりも体積抵抗率が高い物質で形成された有機電界発光素子であって、
前記一方の電極は、少なくとも、前記有機層と接する一つの電極領域と、外部駆動回路が接続される二つの端子部と、それぞれ互いに異なる端子部に接続された二つの第一の導通部と、それぞれ互いに異なる端子部に接続された二つの第二の導通部とを有し、
各端子部は、前記導通部及び第二の導通部を介して前記電極領域に電気的に接続され、
前記電極領域は略矩形であり、
各端子部は、前記電極領域の外周における一方の短辺の両側に配置され、
各第一の導通部は、それぞれ、前記電極領域の外周における異なる長辺において前記電極領域と接続され、
各第二の導通部は、それぞれ、前記電極領域の外周における前記端子部と対向する部分の一部で前記電極領域と接続されていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項7又は8に記載の有機電界発光素子であって、
他方の電極は、少なくとも前記外部駆動回路が接続される第二の端子部と、有機層と接する第二の電極領域とを有し、
第二の端子部は、前記二つの端子部の間に設けられていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の有機電界発光素子であって、
前記導通部は、前記電極領域と接続する接続部を複数有し、各接続部は、それぞれ少なくとも他の一の接続部とは異なる位置で前記電極領域と接続していることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の有機電界発光素子であって、
前記導通部は、前記電極領域の外周に沿って設けられていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 請求項1から11のいずれか一項に記載の有機電界発光素子であって、
前記導通部が前記電極領域と接続される位置は、前記電極領域の外周のいずれかの位置であって、かつ、当該位置と電極領域の外周上の各点との間の抵抗値の最大値と最小値との差が、電極領域と端子部とを最短距離で直接電気的に接続した場合における、当該接続される部分の各点と電極領域の外周上の各点との間の抵抗値の最大値と最小値との差よりも小さい位置、若しくは当該位置の近傍であることを特徴とする有機電界発光素子。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003351675A JP4020060B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-10-10 | 有機電界発光素子 |
US10/926,383 US7196466B2 (en) | 2003-08-29 | 2004-08-25 | Organic Electroluminescence device suppressing brightness unevenness |
EP04020314A EP1515592A1 (en) | 2003-08-29 | 2004-08-26 | Organic electroluminescence device |
KR1020040067822A KR100683469B1 (ko) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | 유기 el 소자 |
CNA2004100832837A CN1592530A (zh) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | 有机电致发光装置 |
TW093125694A TWI243628B (en) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | Organic electroluminescence device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003307258 | 2003-08-29 | ||
JP2003351675A JP4020060B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-10-10 | 有機電界発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005100904A true JP2005100904A (ja) | 2005-04-14 |
JP4020060B2 JP4020060B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=34137976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003351675A Expired - Lifetime JP4020060B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-10-10 | 有機電界発光素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7196466B2 (ja) |
EP (1) | EP1515592A1 (ja) |
JP (1) | JP4020060B2 (ja) |
KR (1) | KR100683469B1 (ja) |
CN (1) | CN1592530A (ja) |
TW (1) | TWI243628B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007004470A1 (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 発光装置及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
JP2008243495A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機elモジュール |
JP2008243494A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機elモジュール |
US7772764B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP5638599B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-12-10 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116193A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Toyota Industries Corp | 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス |
EP1655785A1 (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-10 | C.R.F. Società Consortile per Azioni | Light emitting ambipolar device |
JP4561490B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-10-13 | 株式会社豊田自動織機 | エレクトロルミネッセンス素子 |
US20060237695A1 (en) * | 2005-03-16 | 2006-10-26 | Plextronics, Inc. | Copolymers of soluble poly(thiophenes) with improved electronic performance |
KR101356093B1 (ko) | 2005-03-28 | 2014-01-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 안트라센 유도체, 발광소자용 재료, 발광소자, 발광장치 및전자기기 |
US20080260970A1 (en) * | 2005-03-28 | 2008-10-23 | Kenichi Nakayama | Organic Electroluminescence Device |
US20090015156A1 (en) * | 2006-03-09 | 2009-01-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lighting elements with segmented electrodes |
FR2923084B1 (fr) | 2007-10-30 | 2017-06-09 | Thomson Licensing | Diode organique electroluminescente de type vumetre. |
CN102365770A (zh) * | 2009-03-26 | 2012-02-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光装置和分段照明装置 |
KR101091964B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2011-12-08 | 금호전기주식회사 | 배면 전극을 갖는 oled 장치 |
JP5694096B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-04-01 | 株式会社東芝 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR102396288B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2022-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
DE102015100099B4 (de) * | 2015-01-07 | 2017-10-19 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines organischen lichtemittierenden Bauelements |
KR20170101128A (ko) | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
CN109037466B (zh) * | 2018-08-08 | 2019-08-02 | 华域视觉科技(上海)有限公司 | Oled屏体器件、车灯、以及oled屏体器件中分流单元的制造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102392A (ja) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機elパネルおよびこのパネルを用いた表示装置 |
JPH09306665A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JPH11143398A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表示灯装置 |
JP2000021565A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Nippon Seiki Co Ltd | エレクトロルミネセンス |
JP2000056707A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Lg Electronics Inc | 有機elディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP2000252058A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 有機el表示装置素子およびその封止方法 |
JP2001223079A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Futaba Corp | 有機el表示素子 |
JP2002325162A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置の光源と画像読取装置 |
JP2003168557A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU547981A1 (ru) | 1974-07-16 | 1977-02-25 | Предприятие П/Я Г-4937 | Электролюминесцентна индикаторна панель |
JPH0265090A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-05 | Fukuvi Chem Ind Co Ltd | エレクトロルミネッセンスおよびほの製造方法 |
JPH09148069A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Toshiba Corp | El素子 |
JPH1140362A (ja) | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
CN1263610A (zh) * | 1998-03-19 | 2000-08-16 | 松下电器产业株式会社 | 液晶显示元件及其制造方法 |
US6362027B1 (en) * | 1998-07-08 | 2002-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, active matrix substrate, method of manufacturing the semiconductor device and method of manufacturing the active matrix substrate |
JP4302901B2 (ja) | 2001-02-27 | 2009-07-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光体および発光システム |
KR100404327B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2003-11-03 | 주식회사 한국이엘 | 교차 발광용 분산형 발광소자 시이트 |
JP4896318B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2012-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2005019211A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Casio Comput Co Ltd | El表示パネル及びel表示パネルの製造方法 |
JP2005100916A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2003
- 2003-10-10 JP JP2003351675A patent/JP4020060B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-25 US US10/926,383 patent/US7196466B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-26 EP EP04020314A patent/EP1515592A1/en not_active Withdrawn
- 2004-08-27 TW TW093125694A patent/TWI243628B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-08-27 KR KR1020040067822A patent/KR100683469B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-08-27 CN CNA2004100832837A patent/CN1592530A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102392A (ja) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機elパネルおよびこのパネルを用いた表示装置 |
JPH09306665A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JPH11143398A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表示灯装置 |
JP2000021565A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Nippon Seiki Co Ltd | エレクトロルミネセンス |
JP2000056707A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Lg Electronics Inc | 有機elディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP2000252058A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 有機el表示装置素子およびその封止方法 |
JP2001223079A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Futaba Corp | 有機el表示素子 |
JP2002325162A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置の光源と画像読取装置 |
JP2003168557A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007004470A1 (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 発光装置及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
US7772764B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP2008243495A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機elモジュール |
JP2008243494A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機elモジュール |
JP5638599B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-12-10 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル及びその製造方法 |
US9082736B2 (en) | 2010-03-05 | 2015-07-14 | Pioneer Corporation | Organic EL panel and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1592530A (zh) | 2005-03-09 |
TW200514474A (en) | 2005-04-16 |
US7196466B2 (en) | 2007-03-27 |
KR100683469B1 (ko) | 2007-02-20 |
KR20050021888A (ko) | 2005-03-07 |
US20050052124A1 (en) | 2005-03-10 |
JP4020060B2 (ja) | 2007-12-12 |
EP1515592A1 (en) | 2005-03-16 |
TWI243628B (en) | 2005-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4020060B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
US7855506B2 (en) | Electric field light emitting element | |
KR100635901B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 및 이를 구비한 유기 전계발광 장치 | |
JP3249297B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP4932929B2 (ja) | 発光装置 | |
US7235921B2 (en) | Organic electroluminescent element with particular electrode terminal structure | |
JPWO2012086758A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP2005158373A (ja) | 発光デバイス及び当該デバイスの製造方法 | |
JP2008053557A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005174701A (ja) | 電界発光デバイス | |
JP2008053558A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPWO2011030378A1 (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
KR20080005409A (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
JP6665856B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2005079075A (ja) | 有機電界発光素子及び当該素子の製造方法 | |
JP2005050706A (ja) | 画像表示装置 | |
JP4656906B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2008085142A (ja) | 有機el素子及び光配線モジュール | |
WO2017134748A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2005285386A (ja) | 有機電界発光素子及びそれを用いた表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070917 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |