KR20050021888A

KR20050021888A - 유기 ｅｌ 소자

Info

Publication number: KR20050021888A
Application number: KR1020040067822A
Authority: KR
Inventors: 히에다마사또; 야마시따겐따로; 가또요시후미; 무따미쯔하루
Original assignee: 가부시키가이샤 도요다 지도숏키
Priority date: 2003-08-29
Filing date: 2004-08-27
Publication date: 2005-03-07
Also published as: KR100683469B1; TW200514474A; US7196466B2; CN1592530A; JP4020060B2; EP1515592A1; JP2005100904A; US20050052124A1; TWI243628B

Abstract

유기 전계발광 소자의 전극은 유기층을 접촉하는 직사각형 전극 영역, 외부 구동 회로가 연결되는 단자부, 및 단자부를 전극 영역에 전기적으로 연결하는 도통부를 실질적으로 포함한다. 도통부는 단자부에 연결된 제 1 접속부, 전극 영역의 외주에 연결된 제 2 접속부, 및 제 1 접속부를 제 2 접속부와 전기적으로 연결하기 위해 제 1 접속부와 제 2 접속부 사이에서 연장되는 도통부 본체를 포함한다. 따라서, 유기 전계발광 소자에 있어서 발광 영역의 각 위치에서 흐르는 전류 사이의 크기의 차는 작아진다.

Description

유기 ＥＬ 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}

본 발명은, 발광영역이 실질적으로 직사각형인 유기전계발광소자에 관한 것이다.

유기전계발광소자의 전극은, 적어도 하나의 전극이 광 투과성을 가져야만 한다는 제약 및 유기층 등을 열화시키지 않는 재료와 제법에 의해 구성되어야만 한다는 제약과 같은 여러 가지 제약을 가지고 있다. 따라서, 유기 전계발광 소자의 전극으로서 채용될 수 있는 재료는 매우 제한되어 있다.

또한, 유기 전계발광 소자를 구비하는 장치 (예를 들어, 개인용 디지털 보조기 등) 는 그 크기에 있어 제한을 가지기 때문에, 해당 소자의 크기는 또한 제한을 가지고 있다. 따라서, 전극의 단자부의 크기나 배치위치도 또한 제한된다.

따라서, 유기 전계발광 소자에 있어서의 전류가 흐르는 다수의 각각의 전류 경로에 있어서, 저항이 크게 달라질 수 있다. 이 때문에, 예를 들어 다음의 문제가 발생한다.

· 휘도편차의 발생

많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳이 존재하기 때문에, 소자 전체에서 휘도 편차가 발생한다. 이것은 흐르는 전류가 클수록 유기 전계발광 소자의 휘도가 크기 때문에, 많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳에서는 양자 사이에서 휘도 편차가 되는 휘도의 차이가 발생하기 때문이다.

·소자내에서의 수명 차이의 발생

소자 내에서의 수명은 많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳에서 다르다. 일반적으로, 많은 전류가 흐르는 부분의 수명은 짧아진다. 이 때문에, 균일한 전류가 흐르는 소자와 비교하여 짧은 수명을 가지는 곳이 존재하고, 유기 전계발광 소자의 수명은 짧아진다. 또한, 유기 전계발광 소자가 장시간동안 사용되는 경우, 발광하지 않는 곳과 다른 곳의 휘도보다 낮은 곳이 생긴다.

·열화 등의 문제

많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳이 존재하기 때문에, 열화되는 곳이 생길 수도 있다.

·색도얼룩의 발생

많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳이 존재하기 때문에, 소자에서, 형광 재료를 사용하는 유기 전계발광 소자의 경우 S-S 어니힐레이션 현상 (annihilation phenomenon) 이 발생하거나, 인광재료를 사용하는 유기 전계발광 소자의 경우 T-T 어니힐레이션 현상이 발생한다. 따라서, 발광층에 복수의 발광재료를 포함하고 각 발광 재료가 적어도 다른 하나의 발광재료와 다른 파장의 컬러를 방출하는 유기 전계발광 소자에 있어서, 전류가 흐르기 쉬운 곳과 전류가 흐르기 어려운 곳에서 각 층의 휘도가 서로 달라지는 경우가 생길 수 있다. 따라서, 색도 얼룩이 발생될 수 있다.

이러한 문제들에 대하여, 예를 들어, 작은 부피 저항값을 가지는 물질만을 가지고 유기 전계발광 소자를 제작할 수 있거나, 소자의 전체 주변에 걸치는 단자부가 제공되는 경우 그 영향이 작아질 수 있다. 그러나, 전술한 여러 가지의 제약이 존재하기 때문에, 실제로 그러한 문제가 발생한다.

이하, 도 26 을 이용하여 유기 전계발광 소자에서 전류가 흐르는 각각의 경로 사이의 저항 차이를 설명한다.

여기에서 설명하기 위해 사용되는 유기 전계발광 소자에는, 유기층보다 광 출력측에 제공된 전극이 ITO 에 의해 형성된 애노드이고, 애노드에 대향하는 캐소드는 알루미늄으로 형성된다. 이 구성에 있어서, 알루미늄의 부피 저항은 ITO 의 부피 저항에 비교하여 매우 작기 때문에, 부피 저항은 실질적으로 무시될 수 있다. 따라서, 도 26 에서는 각 경로 사이의 저항 차이를 고려할 때 문제가 되는 (부피 저항이 큰 전극인) 애노드만이 도시된다.

애노드 (100) 는 외부 구동 회로가 연결된 단자부 (110) 및 유기층과 접촉하는 영역 (전극 영역) (130)을 포함한다. 유기층에서 전극 영역 (130) 은 전류가 흘러 들어와 발광하는 영역 (발광 영역) 이 된다.

이러한 구성의 유기 전계발광 소자의 발광 영역에서의 휘도 편차와 같은 문제를 없애기 위하여, 전극 영역 (130) 상에서 단자부 (110)가 전극 영역 (130) 에 접촉하는 점 (P0) 로부터 전극 영역 (130) 상의 각각의 점, 예를 들어, P1 내지 P6 까지의 저항은 같아야 한다.

그러나, ITO 의 부피 저항율은, 유기 전계발광 소자에서의 각 전류 경로의 저항을 고려할 경우 무시할 수 있을 정도로 작은 값이 아니다. 따라서, P0 와 P1, P2 또는 P3 사이의 전류 경로와 같이 ITO를 통해 지나는 거리가 짧은 경로에서는 저항이 작고, P0 와 P4, P5 또는 P6 사이의 전류 경로와 같이 ITO를 통해 지나는 거리가 긴 경로에서는 저항이 크다. 따라서, 유기층을 흐르는 전류의 크기가 경로, 즉 발광 영역에서의 위치에 의해 다르고, 그 결과 휘도 편차 등이 생긴다.

도 27 은 애노드와 캐소드가 ITO 로 형성된 유기 전계발광 소자를 도시한다. 본 도에 있어서, 실선은 애노드를 도시하고 파선은 캐소드를 도시한다. 캐소드 (300) 는 외부 구동 회로가 연결된 단자부 (310) 및 유기층을 접촉하는 영역 (전극 영역) (330)을 포함한다.

본 유기 전계발광 소자에서, 양 전극이 ITO 로 형성되기 때문에, 애노드의 저항율 및 캐소드의 저항율은, 전술한 각 경로 사이에서의 저항 차이가 고려하는 경우 무시될 수 없다.

이 구성에서는, 단자부 (110 및 310) 사이를 직선으로 연결하는 (최단) 경로 (L1)를 지나는 경로의 저항이 가장 작다. 따라서, 경로 (L1) 상의 유기층에 흐르는 전류가 가장 크고, 유기층에 흐르는 전류는 경로가 경로 (L1) 으로부터 떨어진 정도만큼 작아진다. 따라서, 휘도 편차 등이 생긴다.

위도 편차를 해소하는 종래의 기술로서 여러 가지 종래 기술이 제안되었다. 예를 들어, 제 1 전극과 제 2 전극사이에 형성되고, 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전압 및 두께에 대응하는 휘도로 발광하는 발광층을 구비하고, 상기 발광층은 발광영역의 휘도가 균일하게 되도록 층 두께 방향의 두께가 다른 EL 소자가 또한 제안되었다(예를 들어, 일본 공개특허공보 1999-040362 참조). 상기 제 1 전극은 전압을 인가하기 위한 제 1 단자를 가지며, 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극은 전압을 인가하기 위한 제 2 단자를 가지며, 상기 제 1 전극의 시트 저항보다 낮은 시트 저항을 나타낸다.

본 발명의 목적은 유기 전계발광 소자에서의 발광 영역의 각 위치에서 흐르는 전류 사이의 크기의 차이를 줄이는 것이다. 따라서, 유기 전계발광 소자에 무수히 존재하는 각 전류 경로 사이의 저항의 차이를 줄이는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 유기 EL 소자를 제공한다. 본 소자는 제 1 전극, 상기 제 1 전극의 부피 저항율 이상의 부피 저항율을 갖는 물질로 형성된 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 포함한다. 상기 제 2 전극은, 상기 유기층을 접촉하는 대략 사각형인 전극영역, 상기 전극 영역의 외주를 따라서 소정의 위치에 위치하고, 외부 구동 회로가 연결된 단자부 및 상기 단자부를 상기 전극 영역에 전기적으로 연결하는 도통부를 포함한다. 상기 도통부는, 기 단자부와 연결된 제 1 접속부, 기 전극 영역의 외주에 연결된 제 2 접속부 및 기 제 1 접속부와 상기 제 2 접속부 사이에서 연장하여 상기 제 1 접속부와 상기 제 2 접속부를 전기적으로 연결하는 도통부 본체를 포함한다.

발명의 다른 양태 및 이점은, 예로서 본 발명의 원리를 나타낸 첨부된 도면과 관련하여 다음 설명으로부터 알 수 있다.

본 발명은 본 발명의 목적 및 이점과 함께, 첨부된 도면과 현재의 바람직한 실시형태의 다음 설명을 참고하여 최상으로 이해될 수 있다.

이하, 본 발명을 구현하는 유기 전계발광 소자(이하, 유기 EL 소자라 한다)를 상술한다. 먼저, 제 1 유기 EL 소자를 설명한다. 본 발명에 관한 제 1 유기 EL 소자는 다음 특징을 갖는다.

·하나의 전극(본 예에서는 애노드) 이 다른 전극 (본 예에서는 캐소드) 의 부피 저항율보다 큰 물질로 형성된다. 즉, 캐소드가 제 1 전극이고, 애노드가 제 2 전극일 경우, 제 2 전극은 제 1 전극의 부피 저항율보다 큰 부피 저항율을 갖는 재료로 형성된다.

·애노드와 캐소드 사이에 유기층이 존재한다.

·애노드는 적어도 유기층에 접촉하는 전극 영역, 외부 구동회로가 연결되는 단자부 및 도통부를 갖는다.

·애노드의 전극 영역은 실질적으로 직사각형이다.

·단자부는 애노드의 전극 영역의 외주에 따른 위치에 배치되며, 애노드의 도통부를 통해 애노드의 전극 영역에 전기적으로 연결된다.

·애노드의 도통부는 애노드의 단자부와 연결되는 접속부, 애노드의 전극 영역과 연결되는 접속부, 및 양 접속부를 전기적으로 연결하며 애노드의 전극 영역 및 단자부를 전기적으로 연결하지 않는 도통부 본체를 포함한다.

·애노드의 전극 영역에 연결된 접속부는 애노드의 전극 영역의 외주에 있어서 단자부와 대향하는 부분 이외의 부분에서 애노드의 전극 영역과 연결된다.

이하, 도면을 참조하여, 제 1 유기 EL 소자의 구조, 제작 예, 작용 및 효과를 자세히 설명한다.

<구성>

도 1 내지 도 3 에 도시된 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1) 는 기판 (2) 상에 형성된다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1) 는 하나의 전극으로서 애노드 (10), 유기 층 (20) 및 다른 전극으로서 캐소드 (30)을 갖는다. 이하, 제 1 유기 EL 소자 (1)를 구성하는 각각의 소자를 자세히 설명한다.

(애노드 10)

애노드 (10) 은 애노드의 단자부 (11), 애노드의 도통부 (12) 및 애노드의 전극 영역 (13)을 가지며, 각각은 기판 (2) 상에 형성된다. 애노드의 접속부 (11), 애노드의 도통부 (12), 및 애노드의 전극 영역 (13)은 캐소드 (30) (적어도 캐소드의 전극 영역 33) 의 부피 저항율보다 큰 부피 저항율이 큰 물질에 의해 하나의 조각으로 형성된다. 즉, 캐소드가 제 1 전극으로 기능하고, 애노드가 제 1 전극의 부피 저항율보다 큰 부피 저항율을 갖는 재료로 형성된 제 2 전극으로 기능한다.

도 1 에 도시된 바와 같이, 애노드의 단자부 (11) 는 애노드의 전극 영역 (13) 의 외주에 따른 위치에 제공되며, 도시되지 않은 외부 구동 회로에 연결된다. 애노드의 단자부 (11) 전역에 걸쳐 외부 구동 회로를 연결할 필요는 없으나, 단자부의 일부는 또한 외부 구동 회로에 연결되도 좋다. 애노드의 단자부 (11) 는 애노드의 전극 영역 (13) 에 직접 연결되지 않는다. 즉, 애노드의 전극 영역 (13) 및 애노드의 단자부 (11) 는, 전류가 애노드의 단자부 (11) 로부터 애노드의 전극 영역 (13) 에 직접 흐르지 않도록 하기 위해, 기판(2) 상에 떨어져 배치된다.

애노드의 도통부 (12) 는 애노드의 단자부 (11) 및 애노드의 전극 영역 (13) 과 전기적으로 연결된다. 보다 구체적으로, 도 1 에 도시된 바와 같이, 도통부 (12) 의 하나의 단인 제 1 접속부 (12b) 는 애노드의 접속부 (11) 와 연결되고, 도통부 (12) 의 나머지 단인 제 2 접속부 (12a) 는 애노드의 전극 영역 (13) 와 연결한다. 접속부 (12a 및 12b) 를 제외한 도통부 (12) 의 부분은 애노드의 접속부 (11) 및 애노드의 전극 영역 (13) 과 연결되지 않는다. 애노드의 양 접속부 (12a 및 12b) 사이의 부분은 도통부 (12) 의 본체 (12c) 가 된다. 즉, 도통부의 본체 (12c) 는 애노드의 전극 영역 (13) 및 단자부 (11) 과 전기적으로 연결되지 않는다.

애노드의 도통부 (12)와 애노드의 전극 영역 (13) 이 연결되는 부분, 즉, 제 2 접속부 (12a) 의 위치는 애노드의 전극 영역 (13) 의 외주를 따르는 위치 (13a)이고, 애노드의 전극 영역 (13) 이 애노드의 단자부 (11) 를 대향하는 부분 (13x) 이외의 위치이다. 즉, 부분 (13X) 는 "대향부분" 이다. 제 2 접속부 (12a) 는 "비대향부분" 에서 전극 영역 (13) 에 연결된다.

도 2 에 도시된 바와 같이 애노드의 전극 영역 (13) 은 유기층 (20)을 접촉하는 영역이다. 소자를 발광시키는 경우, 애노드의 도통부 (11)를 통해 애노드의 단자부 (11) 에 연결된 외부 구동 소자로부터 정공이 수송되며, 전극 영역 (13) 은 이러한 정공을 유기층 (20) 으로 주입한다.

애노드 (10)을 형성하는 재료로서 필요한 것은 전술한 특성을 애노드 (10) 에 부여하는 물질이며, 일반적으로는 애노드의 전극 영역 (13) 의 유기층 (20) 과 접촉하는 면의 일 함수가 4 eV 이상이 되도록 제조되는 금속, 합금, 전기 전도성의 화합물, 또는 이것들의 혼합물과 같은 공지의 재료가 선택된다.

예를 들어, 애노드 (10)을 형성하는 재료로서, 이하의 것을 들 수 있다. 그것들은 ITO (인듐-주석-옥사이드), IZO (인듐-아연-옥사이드), 산화주석, 산화아연, 아연알루미늄 산화물, 질화티탄 등의 금속산화물이나 금속질화물;금, 백금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 코발트, 납, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈, 니오븀 등의 금속; 이러한 금속의 합금이나 요오드 구리의 합금; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 피롤 (pyrrole), 폴리페닐렌 비닐렌, 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리페닐렌 황화물등의 도전성고분자 등이다.

애노드가 유기층 (20) 보다도 광 출력측에 형성되는 경우, 애노드 (10) 은 일반적으로 출력되는 빛에 대한 투과율이 10% 보다 크도록 설정된다. 가시광선 영역의 빛이 출력되는 경우, 가시광선 영역에서 투과율이 큰 ITO 가 사용되는 것이 바람직하다.

애노드 (10) 가 반사 전극으로 사용되는 경우, 전술한 재료 중에서 외부로 출력되는 광을 반사하는 성능을 가지는 재료가 적절하게 선택되며, 일반적으로 금속, 합금 또는 금속 화합물이 선택된다.

애노드 (10) 은 전술한 재료의 하나의 종류만으로 형성될 수도 있고, 복수의 재료를 혼합하여 형성될 수도 있다. 또한, 동일한 조성의 둘 이상의 층 또는 다른 종류의 조성의 둘 이상의 층으로 구성되는 복층구조도 또한 될 수 있다.

애노드 (10) 의 저항이 큰 경우, 저항을 낮출 수 있는 보조 전극을 제공하는 것이 좋다. 보조 전극은 구리, 크롬, 알루미늄, 티탄, 알루미늄 합금 등의 금속 또는 이것들의 적층물이 애노드 (10) 에 부분적으로 부착되는 전극이다.

또한 사용되는 재료에 의존하여, 애노드 (10) 의 막 두께는 일반적으로 약 5 ㎚∼1㎛ 정도, 바람직하게는 10 ㎚∼1㎛ 정도, 더욱 바람직하게는 10 ㎚∼500 ㎚ 정도, 특히 바람직하게는 10 ㎚∼300 ㎚ 정도, 바람직하게는 10 ㎚∼200 ㎚ 의 범위에서 선택된다.

애노드 (10) 은 상술한 재료를 이용하여, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 또는 전자 빔 증착법 등의 공지된 박막 형성 방법에 의해 형성된다.

또한, 표면을 UV 오존 세정 또는 플라즈마 세정을 수행해도 된다.

유기 EL 소자의 단락 또는 결함의 발생을 억제하기 위해서, 입자 크기를 미세하게 하는 방법 또는 증착후에 연마하는 방법에 의해, 표면 조도를 제곱 평균값으로서 20 ㎚ 이하로 제어하면 좋다.

(유기층 20)

유기층 (20) 은, 공지의 유기 전계발광 소자에 있어서 공지의 층 구성 및 공지의 재료의 층을 채택하는 것으로 충분하기 때문에, 공지의 제조방법에 의해 제조될 수 있다.

즉, 유기층 (20) 은 적어도 이하의 기능을 수행하는 것으로 충분하다. 또한 층을 적층구조로 만들고, 각각의 층이 이하 기능의 하나를 실현하면 되고, 또는 단일층에 의해 이하 기능을 실현해도 된다.

·전자 주입 기능

전극(캐소드) 으로부터 전자가 주입되는 기능. 전자 주입성.

·정공 주입 기능

전극(애노드) 로부터 정공이 주입되는 기능. 정공 주입성.

·캐리어 수송 기능

전자 또는 정공의 적어도 한편을 수송하는 기능. 캐리어 수송성.

전자를 수송하는 기능은 전자 수송 기능(전자 수송성)이라 하고, 정공을 수송하는 기능은 정공 수송 기능(전공 수송성) 이라 한다.

·발광기능

주입되고 수송된 전자 및 캐리어를 재결합시켜 여기자를 발생시켜 (여기 상태가 되어), 기저 상태로 돌아갈 때 발광하는 기능

따라서, 유기층 (20)에서, 애노드의 전극 영역 (13) 과 접하는 면과 캐소드의 전극 영역 (33) 과 접하는 면 사이에 협지된 영역 (발광 영역) 이 전술한 기능에 의해 발광한다.

유기층 (20) 은, 예를 들어, 애노드 측으로부터 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층의 순서로 층을 형성하여 구성해도 된다.

정공 수송층은, 애노드로부터 발광층으로 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송층을 형성하는 재료로서, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌, 테트라 (t-부틸) 구리 프탈로시아닌 등의 금속 프탈로시아닌 및 무금속 프탈로시아닌, 퀴나크리돈 화합물, 1, 1-비스(4-디-p-톨릴 아미노 페닐), 시클로헥산, N, N'-디페닐-N, N'-비스(3-메틸 페닐)-1, 1'-비페닐-4, 4' -디아민, N, N'-디(1-나프틸)-N, N'-디페닐-1, 1'-비페닐-4, 4'-디아민 등의 방향족 아민 등의 저분자 재료나 폴리티오펜, 폴리아닐린 등의 고분자재료, 폴리 피오펜 올리고머 재료, 및 다른 기존의 정공 수송 재료 중에서 선택하는 것이 가능하다.

발광층은 애노드측에서 수송된 정공과 캐소드측에서 수송된 전자를 재결합시켜 여기상태로 되어, 여기상태로부터 기저상태로 되돌아갈 때에 발광하는 층이다. 발광층의 재료로서는, 형광재료나 인광재료를 채용할 수 있다. 또한, 호스트 재료 중에 도펀트(형광재료 또는 인광재료) 가 함유될 수도 있다.

발광층을 형성하는 재료로서, 예를 들어, 9, 10-디아릴안트라센유도체, 피렌유도체, 콜로넨 유도체, 페릴렌 유도체, 루부렌 유도체, 1, 1, 4, 4-테트라-페닐부타디엔, 트리스 (8-퀴놀레이트) 알루미늄 복합체, 트리스 (4-메틸-8-퀴놀레이트) 알루미늄 복합체, 비스(8-퀴놀레이트) 아연복합체, 트리스(4-메틸-5-트리플루오로 메틸-8-퀴놀레이트)알루미늄 복합체, 트리스(4-메틸-5-시아노-8-퀴놀레이트)알루미늄 복합체, 비스(2-메틸-5-트리플루오로 메틸-8-퀴놀레이트)[4- (4-시아노페닐)페놀레이트]알루미늄 복합체, 비스(2-메틸-5-시아노-8-퀴놀레이트) [4-(4-시아노페닐)페놀레이트]알루미늄 복합체, 트리스(8-퀴놀레이트)스칸듐 복합체, 비스〔8-(파라-토실)아미노 퀴놀린〕아연 복합체 또는 카드뮴 복합체, 1, 2, 3, 4-테트라 페닐 시클로펜타디엔, 펜타페닐 시클로펜타디엔, 폴리-2, 5-디헵틸옥시-파라-페닐렌 비닐렌, 쿠마린계 형광체, 페릴렌계 형광체, 피란계 형광체, 안스론계 형광체, 포피린계 형광체, 퀴나크리돈계 형광체, N, N'-디알킬치환-퀴나크리돈계 형광체, 나프탈이미드계 형광체, 및 N, N'-디아릴-치환 피롤로피롤계 형광체 등의 저분자재료나, 폴리플루오렌, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리티오펜 등의 고분자재료, 기타 기존의 발광재료 중에서 하나을 사용하는 것이 가능하다. 호스트/게스트형의 구성을 채용하는 경우에는, 이것들의 재료로부터 적절히 호스트 및 게스트(도펀트)를 선택하는 것이 필요하다.

전자 수송층은, 캐소드로부터 발광층으로 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송층 형성용의 재료로, 예를 들어, 2-(4-비페닐린)-5-(4-t-부틸 페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸, 2, 5-비스(1-나프틸)-1, 3, 4-옥사디아졸, 옥사디아졸유도체, 비스(10-히드록시벤조 [h] 퀴놀레이트) 베릴륨 복합체, 트리아졸 화합물 등을 포함한다.

유기층 (20) 에는 버퍼층, 정공 블록층, 전자 주입층, 및 정공 주입층등의 공지의 유기 전계발광층으로서 채용될 수 있는 층을 형성하는 것도 또한 가능하다. 또한, 이것들의 층을 공지의 재료를 사용하여 공지의 제법에 의해서 형성하는 것도 가능하다.

(캐소드 30)

도 1 내지 도 3 에 도시한 바와 같이, 캐소드 (30) 는 캐소드의 단자부 (31), 캐소드의 도통부 (32) 및 캐소드의 전극영역 (33) 을 갖고, 이것들의 구성요소는 일체로 형성된다.

캐소드의 단자부 (31) 는, 캐소드의 전극영역 (33) 의 외주에 따른 위치에 형성되고, 도시하지 않은 외부구동회로에 연결된다. 캐소드의 단자부 (31) 전역에 걸쳐 외부구동회로와 접속하는 필요는 없지만, 단자부의 일부만이 외부구동회로와 접속하도록 해도 된다. 도 3 에 도시된 바와 같이, 캐소드의 단자부 (31) 는 기판 (2) 상에 또한 형성해도 된다.

캐소드의 도통부 (32) 는, 캐소드의 단자부 (31) 와 캐소드의 전극영역(33) 을 전기적으로 연결하는 도통 경로이다.

캐소드의 전극영역 (33) 은, 애노드의 전극영역 (13) 과 접촉하는 면의 반대측의 유기층 (20) 의 면 상에 적층된다. 소자가 발광되는 경우, 캐소드의 도통부 (32) 를 통해 캐소드의 단자부 (31) 에 접속된 외부구동회로로부터 전자가 수송되고, 이 전자는 유기층 (20) 에 주입된다.

캐소드 (30) 는, 애노드 (10) 보다도 부피저항율이 작기 때문, 도통부 (32) 와 캐소드의 전극영역 (33) 과의 접속위치는 특히 한정되지 않는다. 또한, 캐소드의 도통부 (32) 를 형성하지 않고, 캐소드의 단자부 (31) 와 캐소드의 전극영역 (33) 을 직접 접속해도 된다.

캐소드 (30) 는, 유기층 (20) (상술한 층 구성에서는, 전자 수송층) 에 전자를 주입하는 전극이다. 전자 주입 효율을 높게 하기 위해서 일함수가 예를 들어 4.5 eV 미만, 일반적으로는 4.0 eV 이하, 또는 전형적으로는 3.7 eV 이하의 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 이것들의 혼합물이 전극물질로서 채용될 수 있다.

전술한 전극물질로서는, 예를 들어, 리튬, 나트륨, 마그네슘, 금, 은, 구리, 알루미늄, 인듐, 칼슘, 주석, 루테늄, 티타늄, 망간, 크롬, 이트륨, 알루미늄-칼슘 합금, 알루미늄-리튬합금, 알루미늄-마그네슘 합금, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 리튬-인듐 합금, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘/구리 혼합물, 알루미늄/산화 알루미늄 혼합물 등이다. 또한, 애노드에 사용되는 재료로서 채용할 수 있는 재료를 사용하는 것도 가능하다.

캐소드 (30) 가, 발광층보다도 광 출력측에 형성되는 경우에는, 일반적으로, 출력되는 광에 대한 투과율이 10% 보다 커지도록 설정된다. 예를 들어, 초박막 마그네슘-은 합금에 투명한 도전성 산화물을 적층하여 형성된 전극 등이 채택된다. 또한, 캐소드에 있어서, 도전성산화물을 스퍼터링할 때 발광층 등이 플라즈마에 의해 손상하는 것을 막기 위해서, 구리 프탈로시아닌 등을 첨가한 버퍼층을 캐소드 (30) 와 유기층 (20) 과의 사이에 형성하는 것이 좋다.

캐소드 (30) 가 반사성 전극으로서 사용되는 경우, 전술한 재료 중에서, 외부로 출력되는 광을 반사하는 성능을 구비한 재료가 적절히 선택되고, 일반적으로 금속, 합금 또는 금속 화합물이 선택된다.

캐소드 (30) 는, 전술한 재료 단독으로 형성될 수도 있고 또는 복수의 재료에 의해서 형성될 수도 있다. 예를 들어, 마그네슘에 은 및 구리를 5%∼10% 첨가하는 경우, 캐소드 (30) 의 산화를 방지할 수 있고, 또한 캐소드 (30) 의 유기층 (20) 과의 접착성을 또한 향상시키는 것도 가능하다.

또한, 캐소드 (30) 는, 동일조성 또는 이종조성의 둘 이상의 층으로 구성된 복층구조를 또한 가질 수도 있다. 예를 들어, 이하 같은 구조도 채택될 수 있다.

·캐소드 (30) 의 산화를 방지하기 위해, 캐소드 (30) 의 유기층 (20) 과 접촉하지 않는 부분에, 내식성 금속으로 형성된 보호층이 형성된다.

이 보호층을 형성하는 재료로서, 은, 알루미늄 등이 사용되는 것이 바람직하다.

캐소드 (30) 의 일 함수를 작게 만들기 위해, 작은 일 함수를 가지고 있는 산화물, 불화물, 금속 화합물 등이 캐소드 (30) 와 유기층 (20) 사이의 경계 부분에 삽입된다.

예를 들어, 캐소드 (30) 의 재료를 알루미늄으로 만들고, 경계부분에 불화리튬 또는 산화리튬을 삽입하는 것도 또한 사용 가능한 구조이다.

캐소드 (30) 는, 진공증착법, 스퍼터링법, 이온화 진공 증착법, 이온 플레이팅법 또는 전자빔 증착법 등의 공지의 박막 형성법에 의해서 형성될 수 있다.

(기판 2)

기판 (2) 은, 유기 EL 소자 (1)를 지지하는 주요 판상의 부재이다. 유기 EL 소자 (1) 는, 유기 EL 소자 (1)를 구성하는 각 층이 대단히 얇기 때문에, 기판 (2) 에 의해서 지지되는 유기 EL 소자로서 제작된다.

기판 (2) 은, 유기 EL 소자 (1) 가 적층되는 부재이기 때문에, 평면 평활성을 갖는 바람직하다.

또한, 기판 (2) 는 유기층 (20) 보다도 광 출력측에 있는 경우, 기판 (2) 은 출력되는 광에 대하여 투명하도록 형성된다.

전술한 성능을 가지고 있는 한, 공지의 물체가 기판 (2) 로서 사용될 수 있다. 일반적으로, 유리 기판, 실리콘 기판, 석영 기판 등의 세라믹 보드 또는 플라스틱 기판이 선택된다. 또한, 금속기판 또는 지지체에 형성된 금속 박으로서 형성된 기판이 또한 사용된다. 또한, 동종 또는 이종의 둘 이상의 기판을 조합하여 형성된 복합 시트를 포함하는 기판을 사용하는 것도 또한 가능하다.

<제조 예>

제 1 유기 EL 소자 (1) 는, 전술한 제조방법 등의 공지의 유기 EL 소자 제조방법을 적절히 조합하고 제작되며, 예를 들어 도 4 에 도시한 바와 같이, 또한 제조될 수 있다.

(제조 예 1)

기판 (2) 의 하나의 면 상에, 애노드 (10) 를 형성하는 재료로서 ITO 층(40) 이 형성된다. 이 경우, 도 4(a) 에 도시된 바와 같이, 적어도 애노드의 단자부 (11), 애노드의 도통부 (12) 및 전극 영역 (13) 이 배치되는 범위를 포함하도록 ITO 층 (40) 이 형성된다. 기판 (2) 상에 ITO층 (40) 을 형성하는 방법으로는, 전술한 바와 같이 공지된 방법 중에서 하나의 방법을 채택하는 것이 가능하다. 예를 들어, 스퍼터링법, 진공증착법, 졸-겔법, 클러스터 빔증착법, PLD 법 등을 채택할 수 있다.

다음으로 도 4(b) 에 도시되는 바와 같이, ITO층 (40) 이 형성된 기판 (2) 상으로부터, 애노드의 단자부 (11), 애노드의 도통부 (12), 및 전극영역 (13) 이외의 부분인 ITO층 (40) 의 부분이 제거된다. 제거방법으로서는, 연마하는 등 물리적으로 제거하는 방법이나, 제거되지 않은 부분에 마스크를 하여 제거하는 부분을 건식 에칭이나 습식 에칭에 의해 제거하는 방법이다.

전술한 바와 같이 제작된 전극영역 (13) 상에 유기층 (20) 이 적층된다. 이 적층방법으로 필요한 것은, 전술한 바와 같은 공지의 박막형성법의 하나를 사용하여, 채택되는 층 구조에 적당한 재료를 적층하는 것이다.

도 4 (c) 에 나타내는 바와 같이, 유기층 (20) 상에 캐소드의 전극영역 (33) 을 형성하고, 기판 상에 캐소드의 단자부 (31) 를 형성하여, 캐소드의 전극영역 (33) 과 캐소드의 단자부 (31) 를 캐소드의 도통부 (32) 로 접속하도록 형성한다. 캐소드 (30)를 형성하기 위해 필요한 것은, 전술한 공지의 캐소드제조방법을 적절히 채용하는 것이다.

또한, 제 1 유기 EL 소자 (1) 를 다음과 같이 제작할 수도 있다.

(제조예 2)

먼저, 애노드가 기판 (2) 의 하나의 면 상에 형성되지 않은 부분이 마스킹된다. 다음으로 기판의 이 면 상에 ITO 층 (40) 이 형성되고, 그 결과 마스크가 제거된다. 다음으로, 애노드 (10)를 형성한 후에, 유기층 (20) 및 캐소스 (30) 가 전술한 바와 유사하게 형성된다.

다음으로, 제 1 유기 EL 소자 (1) 의 작용을 설명한다.

<작용>

외부 구동 회로가 제 1 유기 EL 소자 (1) 의 애노드의 단자부 (11) 및 캐소드의 단자부 (31) 에 연결되는 경우, 정공은 애노드의 도통부 (12)를 통해 애노드의 단자부 (11) 로부터 애노드의 전극 영역 (13) 으로 수송된다. 반면에, 전자는 캐소드의 도통부 (32)를 통해 캐소드의 단자부 (31) 로부터 캐소드의 전극 영역 (33) 으로 수송된다.

정공은 애노드의 전극 영역 (13) 으로부터 유기층 (20) 으로 주입되고, 전자는 캐소드의 전극 영역 (33) 으로부터 그것으로 주입된다. 그 후, 정공 또는 전자의 적어도 하나는 수송되고, 양자는 재결합되며, 여기 상태가 발생하고, 발광 물질이 여기 상태가 된다. 발광 물질이 기저 상태로 돌라오면 발광한다.

다음으로, 제 1 유기 EL 소자 (1) 의 효과를 설명한다.

<효과>

제 1 유기 EL 소자 (1) 는 유기층에서의 발광 영역의 각 위치에 흐르는 전류 사이의 크기의 차이를 작게 만들 수 있다. 따라서, 유기 EL 소자 (1) 에 무수히 존재하는 각 전류 경로의 저항 사이의 최대 차이를 줄이는 것이 가능하다.

이러한 효과가 고려되는 경우, 부피 저항율이 작은 캐소드 (30)를 무시하는 것은 가능하기 때문에, 단지 기판 (2) 및 애노드 (10)를 도시하는 도 5(a)를 이용하여 전술한 효과를 상술한다.

도 5 (a) 는 제 1 유기 EL 소자 (1) 의 애노드 (10)를 도시하고, 도 5(b) 는 종래 유기 EL 소자의 애노드 (100)를 도시한다. 종래의 유기 EL 소자에 있어서, 애노드의 단자부 (110) 및 애노드의 전극 영역 (130) 은 직접 전기적으로 연결된다. 도 5(a) 에 도시된 애노드의 전극 영역 (13) 및 도 5(b) 에 도시된 애노드의 전극 영역 (130) 은 부피 저항율이 같은 재료로 형성되며, 같은 막 두께 및 같은 치수 (면 면적)를 가진다.

도 5(a) 에 도시된 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1)에서 저항이 가장 큰 경로는 애노드의 제 2 접속부 (12a) 로부터 애노드의 전극 영역 (13) 의 에지에서의 점 (13t1) 에 도달하는 경로이다. 점 (13t1) 은 제 2 접속부 (12a) 로부터 가장 떨어진 점이다.

반면에, 제 1 유기 EL 소자 (1)에서 저항이 가장 작은 경로는 도 5(a) 에 도시된 경로이며, 애노드의 제 2 접속부 (12a) 로부터 제 2 접속부 (12a) 근처의 점(13t2) 에 도달한다.

제 2 접속부 (12a) 로부터 점(13t1 및 13t2) 까지의 거리 사이의 차이가 커질수록, 양 경로의 저항 사이의 차이는 커진다. 여기서, 제 2 접속부 (12a) 로부터 접속부 (13t2) 사이의 거리가 거의 0 이기 때문에, 후자의 저항은 거의 0 이라고 생각할 수 있다.

즉, 제 1 유기 EL 소자 (1) 에 있어서 저항의 최대 차이는 제 2 접속부 (12a) 와 점 (13t1) 을 연결하는 직선(P-1) 의 길이로서 결정된다.

도 5 (b) 에 도시한 바와 같이, 종래 유기 EL 소자에 있어서 저항이 가장 큰 경로는, 애노드의 단자부 (110) 와 애노드의 전극 영역 (130) 의 접점 (130t1) 으로부터, 접점 (130t1) 으로부터 가장 먼 위치의 점 (130t2) 에 도달하는 경로이다. 또한, 종래 유기 EL 소자에 있어서 저항이 가장 작은 경로는 도 5(b) 에 도시되어 있고, 접점 (130t1) 으로부터 접점 (130t1) 근처 점 (130t3) 에 도달하는 경로이다.

접점 (130t1) 으로부터 점 (130t2 및 130t3) 까지의 거리의 차이가 커질수록, 양자의 경로의 저항 사이의 차이는 커진다. 여기서, 접점 (130t1) 으로부터 접점 (130t3) 까지의 거리는 거의 0 이기 때문에, 후자의 저항은 거의 0 이라 생각할 수 있다.

즉, 종래 유기 EL 소자에 있어서 저항의 최대 차이는 접점 (130t1) 과 접점 (130t2)을 연결하는 직선 (P-2) 의 길이로서 결정된다.

상술한 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1) 에서의 애노드의 전극 영역 (13) 및 종래 유기 EL 소자에 있어서 애노드의 전극 영역 (130) 은 전술한 바와 같이 동일 조건에서 생산되며, 직선 (P-1) 및 직선 (P-2) 의 거리 사이의 차이가 클수록, 양자 저항의 최대 차이 사이의 차이가 커진다.

여기서, 직선 (P-2) 은, 직사각형의 애노드의 전극영역 (130) 의 대각선이다. 따라서, 직선 (P-2) 보다도 직선 (P-1) 이 짧다고 말할 수 있다.

전술한 설명으로부터 분명하게, 제 1 유기 EL 소자 (1) 에 있어서의 저항의 최대 차이는, 종래의 유기 EL 소자에 있어서 저항의 최대 차이보다 작아질 수 있다.

또한, 제 1 유기 EL 소자 (1) 에 있어서, 도통부 (12) 가 애노드의 전극영역 (13) 과 접촉하는 위치를 적절히 설정하는 경우, 저항의 최대 차이를 보다 작게 만드는 것도 또한 가능하다.

제 1 유기 EL 소자 (1) 는, 이상의 효과를 나타내기 때문에, 이하의 효과를 얻는 것도 또한 가능하다.

(효과 a) 휘도편차의 억제

전술한 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1) 에서, 전류경로의 저항 차이가 종래보다도 작게 만들어 질 수 있다. 따라서, 유기층 (20) 에 있어서, 많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳 사이의 전류 값의 차이가 종래보다 작아지도록 만드는 것이 가능하다. 따라서, 소자 전체에서 위도 편차를 작게 하는 것이 가능하다.

도통부 (12) 의 폭은 단자부 (11) 의 폭보다 작다. 이것과 비교하여, 종래 기술의 단자부는 단자부를 대향하는 전극 영역의 외주에 있는 전체 부분에 연결된다. 즉, 종래 기술과 달리, 본 실시형태에서 단자부 (11) 에서 전극 영역 (13) 까지의 전류 경로에 있어서 단자부 (11) 에 가까운 전극 영역 (13) 의 부분 또는 단자부 (11) 로부터 전류를 먼저 수신하는 전극 영역 (13) 의 부분은 제 2 접합부 (12a) 에 연결되는 전극 영역 (13) 의 부분으로 제한된다.

(효과 b) 소자의 장 수명의 달성

전술한 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1) 는, 유기층 (20)에 있어서, 많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳 사이의 전류 값의 차이가 종래보다 작아지도록 만드는 것이 가능하다. 따라서, 소자의 수명이 긴 곳과 소자의 수명이 짧은 곳 사이의 수명 차이를 줄이는 것이 또한 가능하며, 수명 차이는 전류의 양에 의해 기인한다.

(효과 c) 소자의 열화방지

전술한 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1) 는, 유기층 (20) 에 있어서, 많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳 사이의 전류 값의 차이가 종래보다 작아지도록 만드는 것이 가능하다. 따라서, 소자가 쉽게 열화하는 곳과 소자가 어렵게 열화하는 곳 사이의 열화 차이를 줄이는 것 또한 가능하며, 열화의 차이는 전류의 양에 기인한다.

(효과 d) 색도얼룩의 억제

예를 들어, 적색을 발광하는 층 (적색발광층), 청색을 발광하는 층(청색발광층) 및 녹색을 발광하는 층 (녹색발광층) 을 적층하여 백색을 표현하는 유기층에 복수의 발광재료를 함유시켜, 복수의 파장의 빛을 발광하는 유기 EL 소자에 있어서의 색도얼룩을 억제할 수 있다. 이러한 유기 EL 소자로서는, 유기층으로 흐르는 전류의 크기가 변하는 경우, 발광재료마다 휘도가 변한다. 따라서, 소자로서의 발광색 (색도) 이 변한다(S-S 어니힐레이션 현상, T-T 어니힐레이션 현상).

그러나, 전술한 바와 같이, 제 1 유기 EL 소자 (1) 는, 유기층 (20) 에 있어서, 많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳 사이의 전류 값의 차이가 종래보다 작아지도록 만들 수 있다. 따라서, 상술한 현상을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 색도 얼룩을 억제하는 것이 가능하다.

<변형예>

또한, 제 1 유기 EL 소자 (1) 는 아래와 같이 변형될 수 있다. 또한, 서로 모순되지 않는 한계 내에서 각 변형예의 조합을 실현하는 것이 가능하다.

(변형예 1)

도 1 등에 도시한 바와 같이 애노드의 도통부 (12) 는 애노드의 전극 영역 (13) 의 하나의 변을 따라 배치되지 않아도 되며, 복수의 변을 따라 배치될 수도 있다.

예를 들어, 도 6(a) 에 도시된 바와 같이, 3 변을 따라서 배치될 수도 있다.

또한, 애노드의 전극 영역 (13) 의 외변을 따라서 애노드의 도통부 (12)를 형성하는 것이 필요하지는 않다. 예를 들어, 도 6(b) 에 도시된 바와 같이, 애노드의 도통부 (12) 가 애노드의 전극 영역 (13)을 따라 배치되지 않을 지라도, 전술한 작용 및 효과를 얻는 것은 가능하다.

즉, 제 1 유기 EL 소자 (1) 에 있어서 애노드의 도통부 (12) 에 관하여, 필요한 것은 하나 이상의 애노드의 전극 영역 (13) 에 연결된 접속부 (12a) 및 애노드의 단자 영역 (11) 에 연결된 접속부 (12a) 이다.

(변형예2)

애노드의 도통부 (12) 의 접속부의 수는 2 개에 한정되지 않는다.

예를 들어, 도 7(a) 에 도시된 바와 같이, 애노드의 전극영역 (13) 과 접속하는 2 개의 접속부(제 2 접속부 12a 및 하나 이상의 제 2 접속부 12a')를 형성해도 된다. 또한, 도 7(b) 에 도시한 바와 같이, 애노드의 단자부 (11) 와 연결되는 2 개의 접속부(제 1 접속부 12b 및 하나 이상의 제 1 접속부 12b')를 형성해도 된다. 당연히, 3개 이상의 접속부를 형성해도 된다.

(변형예3)

애노드의 도통부 (12) 를 둘 이상 형성해도 좋다. 예를 들어, 도 8에 도시하는 바와 같이, 애노드의 도통부를 둘(도통부 12 및 도통부 12') 형성해도 된다. 즉, 애노드의 도통부 (12) 를, 애노드의 단자부 (11) 의 수를 초과하게 형성해도 된다.

변형예 2 또는 변형예 3 에 있어서, 애노드의 전극영역 (13) 과 연결되는 둘 이상의 제 1 접속부 (12b) 를 형성하는 경우, 적어도 하나가, 애노드의 전극영역 (13) 과 애노드의 단자부 (11) 가 대향하는 부분의 일부에 형성되고 있어도 된다.

예를 들어, 도 9 에 도시하는 바와 같이, 애노드의 도통부 (12) 를 두개 형성해도 된다. 이 구성에 있어서, 전술한 바와 같아. -쪽의 도통부 (12) (제1의 도통부) 는 제 1 도통부 (12) 는 제 1 도통부 (12) 가 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에 있어서의 애노드의 단자부 (11) 와 대향하는 부분이외의 부분에서 전극영역 (13) 과 연결되어 있다. 제 2 도통부 (12') 는 제 2 도통부 (12) 가 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에 있어서의 애노드의 단자부 (11) 와 대향하는 부분의 일 부분에서 전극영역 (13) 과 연결되어 있다.

이상의 구성을 채용하면, 유기층 (20) 에 있어서의 애노드의 단자부 (11) 에 가까운 위치에 흐르는 전류량도 증가한다.

(변형예 4)

애노드의 도통부 (12) 가 애노드의 전극영역 (13) 과 연결되는 위치를 이하의 조건 (i) 을 만족하도록 설정하면 상기한 효과가 얻어져, 전술한 효과가 더 좋게 얻어진다. 이하의 조건 (ii) 을 만족하도록 설정하면 상기 효과가 더욱 얻어진다.

(i) 애노드의 전극영역 (13) 의 외주의 어느 위치. 그리고, 상기 위치와 전극영역의 외주상의 각 점과의 사이의 저항의 최대값과 최소값과의 차이가, 전극영역과 단자부를 최단 거리로 직접 전기적으로 연결한 경우에 있어서의, 해당 연결되는 부분의 각 점과 전극영역의 외주상의 각 점과의 사이의 저항의 최대값과 최소값과의 차이보다 작은 위치.

즉, 애노드의 전극영역 (13) 을 균일한 막두께, 균일한 밀도 등으로 제작한 경우에는, 도 5 (a) 에 도시된 직선 (P-1) 이 도 5 (b) 에 도시된 직선 (P-2) 보다 짧을 수 있도록, 전술한 연결점을 설정하는 것이 좋다.

(ii) 애노드의 전극영역 (13) 의 외주의 어느 위치. 애노드의 전극 영역 (13) 의 내부를 통하여 흐르고 해당 위치와 애노드의 전극 영역 (13) 의 주위를 연결하는 전류 경로의 저항 사이의 최대 차이가 최소가 되는 위치. 또는 그 위치의 근처.

즉, 애노드의 전극 영역 (13) 이 균일한 막 두께, 균일한 밀도 등으로 제작되는 경우, 도 5(a) 에 도시한 바와 같이, 애노드의 도통부 (12) 의 제 2 접속부 (12a) 와, 애노드의 전극영역 (13) 의 주위를 연결하는 직선의 길이가 가장 짧은 위치를 계산하여, 이 위치 또는 이 위치의 근방을 양자의 접속위치로 하면 좋다.

상기 변형예 2 나 변형예 3 가 애노드의 도통부 (12) 가 애노드의 전극영역 (13) 과 복수의 위치로 접속하도록 설계되는 경우에는, 모든 접속점을 실제로 접속하여, 하나의 접속점과 애노드의 전극영역 (13) 과의 사이의 저항의 최대값과 최소값의 차이가 작게 바람직하게는 최소가 되도록 설계하는 것이 좋다. 이 점 또는 이 점의 주변이 각 제 2 접속부 (12a) 가 되면, 전술한 효과가 많이 얻어진다.

또한, 애노드의 도통부 (12) 의 위치와 애노드의 전극 영역 (13) 의 위치를 연결하는 것에 관하여, 예를 들어, 이 위치를 적당히 변경함으로써 휘도 편차가 최소가 되는 위치를 발견하고 결정하는 것이 좋다.

(변형예 5)

도 10 에 도시하는 바와 같이, 애노드의 전극영역 (13) 과 애노드의 도통부 (12) 와의 사이의 영역에, 애노드의 전극 영역 (13) 보다도 부피 저항율이 큰 물질로 형성된 고 저항부 (14)를 형성하는 것이 좋다.

이런 식으로, 고 저항부 (14)를 형성함으로써, 애노드의 도통부 (12) 로부터 애노드의 전극영역 (13) 으로 애노드의 도통부 (12) 의 제 2 접속부 (12a) 이외의 위치로 애노드의 전극영역 (13) 에 전류가 흐르는 확률을 매우 작게 만드는 것이 가능하다. 따라서, 전술한 효과를 보다 얻는 것이 가능할 수 있다.

고 저항부 (14) 는 애노드의 전극영역 (13) 과 애노드의 도통부 (12) 와의 사이의 영역 전부에 형성하지 않아도 되며, 그것을 일부에만 형성해도 된다.

또한, 고 저항부 (14) 는, 애노드의 전극영역 (13) 의 외주를 따라 형성하지 않고, 외주에 대하여 비스듬히 형성하거나 또는 곡선을 갖도록 형성해도 좋다. 즉, 전술한 효과가 얻어질 수 있도록 고 저항부를 형성하기만 하면 된다.

전술한 바와 같이, 고 저항부 (14) 에 있어서, 애노드의 전극영역 (13) 보다도 부피 저항율이 큰 물질이면 어떠한 부재를 배치해도 되고, 이 부재를 어떻게 배치해도 된다. 고 저항부 (14) 의 구체적인 예로서는, 예를 들어 이하 같은 것을 들 수 있다.

·전술한 제조예와 같이, 전극재료를 도포한 후에, 애노드의 전극영역 (13) 과 애노드의 단자부 (11) 사이의 재료를 제거함으로써, 고 저항부 (14) 를 제작할 수 있다. 즉, 고 저항부 (14) 를 형성하는 영역에, 애노드의 단자부 (11), 애노드의 도통부 (12) 및/또는 애노드의 전극영역 (13)을 형성하는 재료를 도포한 후, 연마 및 화학 에칭법 등의 공지의 제거법을 사용하여 재료를 제거하여 고 저항부 (14) 를 제작해도 된다.

이렇게 하여 제작된 고 저항부 (14) 는 도랑(공동, 공기가 배치된 부위) 가 되기 때문에, 애노드의 도통부 (12) 보다도 부피 저항율이 큰 영역이 된다.

유기층 (20) 등의 열화 등을 방지하기 위해서, 이와 같이 제작한 도랑에, 유기층 (20) 등에 있어서의 불활성인 가스나 재료를 배치해도 된다. 그러나, 이 가스나 재료는 애노드의 전극영역 (13) 보다도 부피저항이 큰 물질일 필요가 있다. 또한, 이 가스 또는 재료는, 유기 EL 소자를 열화시키지 않거나 또는 유기 EL 소자를 열화시키는 것이 어려운 것이 바람직하다. 일반적으로, 변형예 (11) 에서 나중에 나타내는 바와 같이(도 17 내지 도 19 참조), 유기 EL 소자에 사용되는 공지된 절연 재료를 채택하는 것이 가능하다. 또한, 변형예 (11) 에 있어서의 절연층 (4) 이 전술한 도랑에 들어 가도록 유기 EL 소자를 제조해도 된다.

·고 저항부 (14) 를 배치하는 위치에 전극재료를 도포한 후에, 이 위치의 전극재료를 산화시켜, 애노드의 전극영역 (13) 보다도 부피 저항율을 높게 해도 된다. 예를 들어, 이 영역을 플라즈마 산화시켜 고 저항부 (14) 를 제작해도 된다. 이 경우, 적어도 애노드의 단자부 (11) 와 대향하는 고 저항부 (14) 의 면과, 애노드의 전극영역 (13) 과 대향하는 면을 산화하는 것이 필요하다.

·고 저항부 (14) 를 배치하는 위치에, 미리 애노드의 전극영역 (13) 보다도 부피 저항율이 큰 재료에 의한 고 저항부 (14) 를 배치하여, 그 후에 애노드 (10) 을 형성해도 된다.

(변형예 6)

도 11 에 도시하는 바와 같이, 애노드의 단자부 (11) 와 애노드의 전극영역 (13) 과의 사이의 영역에, 애노드의 도통부 (12) 보다도 부피 저항율이 큰 물질에 의해 형성된 고 저항부 (제 2 고 저항부) (15) 를 형성하면 좋다.

이러한 고 저항부 (15)를 형성함으로써, 애노드의 단자부 (11) 로부터 애노드의 전극영역 (13) 으로 직접 전류가 흐를 가능성을 매우 작게 할 수 있고, 전술한 바와 같은 효과를 보다 얻는 것이 가능하게 된다.

고 저항부 (15) 의 제작방법으로서는, 변형예 5 에 나타낸 고 저항부 (14) 의 제작방법과 유사한 방법을 채택할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 고 저항부 (15) 를 형성하는 위치에, 애노드의 도통부 (12) 또는 애노드의 전극영역 (13) 과 동일의 전극재료를 형성한 후, 이 전극 재료를 제거하여 고 저항부 (15) 를 제작할 수도 있다.

(변형예 7)

애노드의 단자부 (11) 의 수는 하나로 한정되지 않고, 둘 이상이 될 수도 있다.

예를 들어, 도 12 (a) 에 도시하는 바와 같이, 애노드의 전극영역 (13) 의 하나의 변의 외측에, 애노드의 단자부를 두 개(단자부 11 및 단자부 11') 형성해도 되고, 도 13 에 도시하는 바와 같이, 애노드의 전극영역 (13) 가 대향하는 변의 외측에 각각 애노드의 단자부 (11 및 11') 를 형성해도 된다. 이와 같이 복수의 애노드의 단자부 (11 및 11') 를 형성하는 경우, 각 애노드의 단자부 (11 및 11') 에 애노드의 도통부 (12 및 12') 를 형성하여, 각 애노드의 도통부 (12 및 12') 는 각각 다른 위치로 애노드의 전극영역 (13) 과 연결해도 된다.

도 12 (a) 에서 도시한 바와 같이, 즉, 하기조건을 구비하도록 애노드(10) 을 형성하면, 애노드의 단자를 애노드의 전극영역 (13) 의 하나의 변측에 정리하여 배치할 수 있다. 따라서, 외부 구동회로와의 연결·배선을 행하는 것이 용이하다. 따라서, 유기 EL 소자를 사용한 기기(예를 들어, 휴대단말기 등) 을 작게 하거나, 이 기기에 있어서의 유기 EL 소자가 차지하는 면적 및 부피를 작게 하는 것도 또한 가능하다.

·애노드 (10) 은, 적어도 유기층과 접속하는 하나의 애노드의 전극영역 (13), 외부구동회로가 접속되는 두개의 애노드의 단자부 (11 및 11') 및 두개의 애노드의 도통부 (12 및 12') 를 갖고 있다.

·각 단자부 (11 및 11')는, 각각 애노드의 도통부 (12 및 12') 를 통해 전기적으로 애노드의 전극영역 (13) 에 전기적으로 연결된다.

·애노드의 전극영역 (13) 은 실질적으로 직사각형이다.

·도 12 (a) 에 도시하는 바와 같이, 각 애노드의 단자부 (11 및 11') 는, 애노드의 전극영역 (13) 의 외주의 하나의 짧은 변 (13-1) 의 양 단에 배치되어 있다.

·도 12 (a) 에 도시하는 바와 같이, 각 애노드의 도통부 (12 및 12') 는, 각각 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에 있어서의 다른 장변 애노드의 전극영역 (13) 과 연결된다. 즉, 애노드의 도통부 (12) 가 장변 (13-2) 에 전기적으로 접속되고, 애노드의 도통부 (12) '가 장변 (13-4) 에 전기적으로 연결된다.

또한, 도 12 (b) 에 도시하는 바와 같이, 각 도통부 (12 및 12') 의 재료, 두께 및 막두께를 각각 대략 같게 할 경우에, 애노드의 도통부 (12) 와 애노드의 전극영역 (13) 이 연결되는 제 2 접속부 (12a) 의 위치와, 애노드의 전극 영역 (13) 의 장변 (13-2 및 13-4) 에 있어서, 도통부 (12') 와 애노드의 전극영역 (13) 이 연결되는 제 2 접속부 (l2a') 의 위치가 실질적으로 같으면 좋다. 즉, 단변(13-1) 로부터 제 2 접속부 (12a) 까지의 거리 L 과, 단변 (13-1) 로부터 제 2 접속부 (12a') 까지의 거리 L' 이 실질적으로 같으면 좋다. 이것에 의해, 전술한 효과를 보다 얻는 수 있어, 휘도편차 등의 문제가 생길 가능성을 매우 낮게 할 수 있다.

각 도통부 (12 및 12') 의 재료,두께, 및 막 두께의 적어도 하나가 다르도록 설계된 경우, 전술한 거리 L 과 거리 L' 은 다른 것이 좋다. 도 12(c) 에 도시한 바와 같이, 재료 및 막 두께가 같고, 도통부 (12') 가 도통부 (12) 보다 두꺼운 경우, 거리 L 보다 거리 L' 이 더 길도록 만드는 것이 좋다.

도 12 (a) 내지 도 12(c)에서 도시하는 바와 같이, 애노드의 단자부 (11 및 11') 를 애노드의 전극영역 (13) 의 외주의 하나의 단편(13-1) 의 양 단의 근처에 배치하는 경우에는, 도 17 및 도 19 에 도시하는 바와 같이, 캐소드의 단자부 (31) 를 애노드의 단자부 (11 및 11') 의 사이에 배치하면 좋다. 이것에 의해, 모든 단자를 애노드의 전극영역 (13) 의 하나의 변 근처(바람직하게는 단변 13-1 근처) 에 형성할 수 있기 때문에, 외부구동회로와의 배선이 용이하게 된다. 또한, 전극영역에 대하여 하나의 변 근처에만 단자가 존재하기 때문에 , 복수의 변 근처에 단자가 존재하는 종래의 유기 EL 소자보다도 소형화가 가능하다. 휴대용 단말기와 같이 유기 EL 소자를 배치할 수 있는 크기가 한정되어 있는 것 같은 경우에는, 종래의 유기 EL 소자보다도 전극영역 (13), 즉 발광영역의 크기를 크게 하는 것도 가능하게 된다.

당연히, 각 애노드의 도통부 (12 및 12') 가 애노드의 전극영역 (13) 과 연결되는 접속부 (12a 및 12b) 를, 변형예 4에서 설명한 바와 같이 적당히 설정하는 경우, 전술한 효과를 보다 얻는 것도 가능하게 된다.

(변형예 8 )

애노드의 전극영역 (13) 의 형상은 직사각형에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 14 (a) 에 도시하는 바와 같이 모서리가 잘려진 (챔퍼) 형상도 가능하며, 도 14(b) 에 도시한 바와 같이, 모서리가 둥근 형상도 가능하다. 각 변이 엄격한 직선일 필요는 없으나, 예를 들어, 형상이 부분적으로 곡선부를 가지거나 또는 하나의 변이 전체적으로 커브이거나 할지라도 형상이 실질적으로 직사각형과 동등한 형상이면 그 형상은 채택될 수 있다. 따라서, 그러한 형상을 가지는 애노드의 전극 영역 (13) 은 본 발명에 있어서 애노드의 "실질적으로 직사각형" 전극 영역 (13) 에 또한 포함된다.

애노드의 전극영역 (13) 의 모서리가 잘려지거나 둥글게 되는 경우, 모서리 상에서 전력이 집중되는 현상이 완화될 수 있기 때문에, 전술한 효과를 얻는 것이 가능하다.

또한, 애노드의 전극영역 (13) 의 단변에 대향하는 위치에 형성된 애노드의 단자부 (11) 가 전술한 각각의 예에 도시되었지만, 도 15 에 도시하는 바와 같이 장변에 대향하는 위치에 애노드의 단자부 (11) 를 형성해도 된다.

(변형예 9)

당연하게도 보조전극을 형성하는 것도 가능하다. 보조전극은, 애노드의 단자부 (11), 애노드의 도통부 (12) 및 애노드의 전극영역 (13) 의 적어도 하나에 형성할 수 있다. 이것에 의해, 애노드 (10) 의 부피저항율을 내리는 것이 가능하다.

(변형예 10)

도 16 에 도시하는 바와 같이, 애노드 (10) 에, 애노드의 단자부 (11),애노드의 도통부 (12) 및 애노드의 전극영역 (13) 이외의 부분 (16) 을 형성해도 된다. 이 부분 (16) 에 보조전극을 형성하여, 애노드의 도통부 (12)와 애노드의 전극영역 (13) 과의 접속부에 있어서의 전위와 이 부분 (16) 과 애노드의 전극 영역 (13) 에서의 각각의 접속부에서의 전위와의 차이를 작게 하는 경우, 전술한 효과를 보다 얻는 것도 가능하게 된다. 즉, 애노드의 도통부 (12) 와 애노드의 전극영역 (13) 사이의 제 2 접속부 (12a) 의 수를 매우 많게 한 것과 실질적으로 동등의 효과를 얻는 것이 가능하게 된다.

(변형예 11)

애노드 (10) 과 캐소드 (30) 가 단락하지 않도록 하기 위해, 유기층 (20) 의 외연에, 특히 애노드의 도통부 (12) 와 캐소드 (30) 사이에 절연부를 제공하면 좋다. 따라서, 도 17 내지 도 19 에 도시한 바와 같이, 기판 (2) 상에 애노드 (10) 와 캐소드의 단자부 (31)를 제공하여, 애노드의 도통부 (12 및 12') 상에 절연층 (4)을 형성하고, 애노드의 전극 영역 (13) 상에 유기층 (20)을 형성하고, 유기층 (20) 에 캐소드의 전극 영역 (33)을 형성하는 것이 좋다.

절연부를 형성하는 재료로서, 공지의 유기 EL 소자에 채택되는 절연부를 형성하기 위한 재료를 적당히 채택하는 것이 가능하다. 예를 들어, SiO₂, SiON, A1₂O₃, Si₃N₄, SiAlON, Y₂O₃, BaTiO ₃, Sm₂O₃, BaTa₂R₆, Ta₂O₅, ATO, Al₂O₃-TiO₂, SrTiO₃ 및 PbTiO₃ 등을 열거할 수 있다. 공지의 형성 방법을 형성 방법으로 채용하는 것이 가능하고, 예를 들어 스퍼터링법, 전자 빔 진공 증착법, CVD 등의 방법을 채택할 수 있다.

(변형예 12)

유기층 (20) 등을 외부 공기로부터 보호하기 위하여, 제 1 유기 EL 소자 (1) 를 패시베이션막이나 밀봉관에 의해서 보호해도 된다. 이 경우에, 애노드의 단자부 (11) 및 캐소드의 단자부 (31) 는 소자의 외부에 노출하도록 보호할 필요가 있다.

패시베이션막은 제 1 유기 EL 소자 (1) 가 산소 및 수분과 접촉하는 것을 방지하기 위하여 기판의 맞은 편에 형성하는 보호막(봉합층) 이다. 패시베이션 막으로 사용되는 재료로서, 예를 들어, 유기 중합 물질, 비유기 물질 및 포토리지스트를 열거할 수 있다. 보호층으로 사용되는 재료는 독립적으로 사용될 수도 있고 복수의 재료가 함께 사용될 수도 있다. 보호층은 또한 단층 구조일수도 있고 또한 적층 구조일 수도 있다.

유기 중합 물질의 예로서 열거되는 것은, 클로로트리플로에틸렌 중합체, 디클로로디플로플로에틸렌 중합체와 같은 불소계 수지 및 클로로트리플로에틸렌 중합체와 디클로로디플루오로에틸렌 중합체와 같은 공중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트와 같은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 에폭시 실리콘 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴라아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미도이미드 수지, 폴리파라실렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리페닐렌 산화 수지이다.

무기 물질로서 열거되는 것은 폴리실라잔, 다이아몬드 박막, 무정형 실리카, 전기 절연 유리, 금속산화물, 금속 질화물, 금속 탄소화물, 금속황화물이다.

일반적으로, 밀봉관은 외부로부터 수분 및 산소를 차단하기 위하여, 기판 (2) 과 반대쪽에 형성되는 밀봉판 또는 밀봉 용기 등의 밀봉 부재에 의해 구성되는 부재이다. 밀봉관은, 배면측의 전극측(기판 2 와 반대) 에만 설치될 수 있거나, 전체 유기 EL 소자를 덮을 수 있다. 밀봉 부재의 두께에 관하여, 그것이 유기 EL 소자 (1)를 밀봉하고, 외부 공기를 차단할 수만 있다면, 밀봉 부재의 형상, 크기 및 두께는 특별히 제한되지 않는다. 밀봉 부재로서 사용되는 재료는 유리, 스테인리스 강철, 금속 (알루미늄 등), 플라스틱 (폴리클로로트리플루오에틸렌, 폴리에스테르, 폴리카본 등), 세라믹 등이다.

밀봉부재를 유기 EL 소자 (1) 에 설치하는 경우, 적절히 밀봉제(접착제) 를 사용해도 된다. 유기 EL 소자 (1) 전체를 밀봉부재로 덮는 경우는, 밀봉제를 사용하지 않고서 밀봉부재를 열융착해도 된다. 밀봉제로서는 자외선 경화 수지, 열경화수지, 2-액형 경화 수지 등이 사용 가능하다.

패시베이션막 또는 밀봉관, 유기 EL 소자 (1) 사이의 공간에 수분흡수제를 삽입해도 된다. 수분흡수제는 특히 한정되지 않고, 구체예로서는 산화바륨, 산화나트륨, 산화칼륨, 산화칼슘, 황산나트륨, 황산칼슘, 황산마그네슘, 5산화인, 염화칼슘, 염화마그네슘, 염화구리, 불화세슘, 불화 니오븀, 브롬화칼슘, 브롬화바륨, 분자성 체, 제오라이트, 산화마그네슘 등을 들 수있다.

또한, 패시베이션 막 또는 밀봉관으로 불활성 가스를 봉입해도 된다. 불활성 가스는 유기 EL 소자 (1) 와 반응하지 않은 가스를 말하고, 예를 들어 헬륨, 아르곤 등의 희소성 가스 또는 질소가스를 채택할 수 있다.

(변형예 13)

애노드 (10) 가 일체적으로 제작되는 예가 전술한 각 예에 도시되어 있다 할지라도, 애노드 (10) 의 각 구성요소를 각각 개별적으로 제작하고 그것들을 조합하여 애노드 (10)를 형성해도 된다.

예를 들어, 기판 (2) 상에 애노드의 단자부 (11) 와 애노드의 전극영역 (13) 을 ITO 에 의해 형성한 후, 양자를 동선 등으로 연결해도 된다. 이 구성에 있어서, 동선이 애노드의 도통부 (12) 가 된다.

(변형예 14)

전체 유기 EL 소자로부터 발광하는 구성이 아니라, 복수의 소자를 매트릭스상에 배치해도 된다. 이 경우, 패시브 매트릭스 제어법 또는 액티브 매트릭스 제어법 등을 사용하여, 유기 EL 소자를 사용하여 화상을 표시할 수 있도록 하더라도 좋다.

(변형예 15)

애노드가 캐소드보다도 부피저항율이 큰 재료에 의해 구성되어 있는 예가 전술한 예에 도시되어 있지만, 캐소드의 부피 저항율이 애노드보다도 큰 경우에는, 캐소드에 전술한 처리를 행하는 것만으로 충분하다.

기판측의 전극이 다른쪽의 전극보다도 부피저항율이 큰 재료에 의해 구성되어 있는 예가 전술한 예에 도시되어 있지만, 다른쪽의 전극쪽이 기판측의 전극보다도 부피저항율이 큰 경우에는, 다른쪽의 전극에 전술한 처리를 하는 것 만으로도 충분하다.

(변형예 16)

전술한 위치 이외로 고 저항부(제 3 고 저항부) 를 형성할 수도 있다.

예를 들어, 도 20 에 도시하는 바와 같이, 제 3 고 저항부 (17 및 17') 를 고 저항부 (14) 나 제 2 고 저항부 (15) 와는 다른 위치에 형성해도 된다. 또한, 이것에 의해서 애노드의 도통부 (12) 와 애노드의 전극영역 (13) 사이의 복수의 제 2 접속부 (접속부12a, 접속부 12a' 및 접속부 12a") 를 실질적으로 형성하는 것이 가능해져, 전술한 효과가 보다 얻어질 가능성이 있다.

이하, 본 실시형태에 관한 제 2 유기 EL 소자를 설명한다. 도 21 및 도 22 는 제 2 유기 EL 소자의 구성을 설명하기 위한, 애노드 (10) 의 구성을 나타낸다. 제 2 유기 EL 소자는 이하의 구성을 채용한다.

·한 쌍의 전극에 유기층이 협지되고, 한편의 전극 (애노드) 이, 다른쪽의 전극(캐소드) 보다도 부피저항율이 큰 물질로 형성되어 있다.

·애노드는, 적어도, 유기층과 접하는 애노드의 전극영역, 외부구동회로가 연결되는 애노드의 단자부 및 애노드의 도통부를 갖고 있다.

·애노드의 전극영역은 실질적으로 직사각형이다.

·애노드의 단자부는 애노드의 전극영역의 외주에 따른 위치에 배치되어, 애노드의 도통부를 통해 애노드의 전극영역과 전기적으로 접속되어 있다.

·애노드의 도통부는, 애노드의 단자부와 연결되는 접속부, 애노드의 전극영역과 연결되는 접속부, 양 접속부를 전기적으로 접속하고 전극영역과 단자부를 전기적으로 연결하지 않는 도통부 본체를 포함한다.

·애노드의 전극영역과 연결되는 접속부는, 애노드의 전극영역의 외주에 있어서의 애노드의 단자부와 대향하는 부분의 일부에서 애노드의 전극영역과 접속되어 있다.

즉, 도 21 및 도 22 에 도시된 바와 같이, 제 2 유기 EL 소자에서, 애노드의 전극영역 (13) 과 연결되는 애노드의 도통부 (12) 의 제 2 접속부 (12a) 의 위치가, 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에 있어서의 단자부 (11) 와 대향하는 부분 (13X) 의 일부에 형성되고 있다.

제 2 유기 EL 소자도 전술한 구성과 모순되지 않는 범위 내에서, 제 1유기 EL 소자와 같이 변형할 수 있다. 특히, 전술한 변형예 4 와같이, 애노드의 전극영역 (13) 과 연결되는 애노드의 도통부 (12) 의 제 2 접속부 (12a) 의 위치를 결정하면 좋다.

예를 들어, 도 21 또는 도 22 에 도시하는 바와 같이, 제 2 접속부 (12a) 의 위치는, 전극영역 (13) 의 외주에 있어서의 단자부와 대향하는 부분 (13X) 에서, 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에의 직선거리가 짧은 위치, 또는 이 위치근방에 설정하면 좋다. 이와 같이 설정하면, 제 1 유기 EL 소자와 같은 이유(작용) 에 의해, 전술한 동등의 효과를 얻을 수 있다.

또한, 당연히, 제 2 유기 EL 소자와 제 1 유기 EL 소자를 조합하는 것도 가능하다.

예를 들어, 도 23 (a) 에 도시하는 바와 같이, 애노드의 2 개의 도통부 (12 및 12') 을 형성하여, 도통부 (12) 를 제 2 유기 EL 소자에 의한 구조로 형성하고, 즉 제 2 도통부로 하고, 도통부 (12') 를 제 1 유기 EL 소자에 의한 구조로 형성하고, 즉 제 1 도통부로 해도 된다. 구체적으로, 이것들은 이하와 같이 실행된다.

·도통부 (12) 는 애노드의 전극영역 (13) 과 그 외주에 있어서의 단자부 (11) 와 대향하는 부분 (13X) 의 일부에서 연결되어 있다.

·도통부 (12') 는 애노드의 전극영역 (13) 과 그 외주에 있어서의 단자부 (11) 와 대향하는 부분 (13X) 이외의 부분에 있어서 연결되어 있다.

또한, 당연히, 복수의 각 접속부를 매우 형성하는, 즉 그것들을 퍼로레이션 (perforation) 형태로 형성하는 것도 가능하다.

이들 경우에, 접속부와 전극영역과의 접하는 부분의 길이를 조정하여, 유기층의 각 위치를 통하여 흐르는 전류량 사이의 차이가 작도록 설계하는 것이 바람직하다.

또한, 도 23 (b) 에 도시하는 바와 같이, 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에 있어서의 복수의 단자부, 즉 외부구동회로와 전기적으로 접속되는 개소를 형성하는 것도 또한 가능하다. 즉, 다음 요건을 만족하도록 구성해도 된다.

·소자가 애노드의 전극영역 (13), 두개의 단자부 (11 및 11'), 각각 서로 다른 단자부에 접속된 두 개의 제 1 도통부 (12'-1 및 12'-2) 및 각각 서로 다른 단자부에 접속된 두 개의 제 2 도통부 (12-1 및 12-2)를 갖는다.

·각 단자부 (11) 는, 도통부 (12'-1 및 12'-2)를 통해 애노드의 전극영역 (13) 에 전기적으로 접속되어 있다. 단자부 (11') 는 도통부 (12'-2 및 12-2) 를 통하여 애노드의 전극 영역 (13) 과 전기적으로 연결된다.

·애노드의 전극영역 (13) 은 실질적으로 직사각형으로 형성된다.

·도면에 도시된 바와 같이, 각 단자부 (11 및 11') 은 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에 있어서 단변의 양단의 근처에 배치되어 있다.

·도통부 (12'-1 및 12'-2) 은, 각각 애노드의 전극영역 (13) 에 있어서의 다른 장변에서 전극영역 (13) 과 접속되어 있다. 이 예로서는, 각각 3 개소씩의 제 2 접속부(12a1 내지 12a6) 가 형성된다.

·도통부 (12-1 및 12-2) 은, 각각, 애노드의 전극영역 (13) 에 있어서의 단자부와 대향하는 부분 (13X 및 13 X') 의 일부에서 전극영역 (13) 과 접속되어 있다. 이 예서는, 각각 1 개소씩의 제 2 접속부 (12a1 및 12a2) 가 형성된다.

이 경우에, 유기층 (20) 의 각 위치를 통해 흐르는 전류량을 실질적으로 균일하게 설계하는 것이 매우 용이해진다.

이하, 본 발명에 관한 제 3 유기 EL 소자를 설명한다. 제 3 유기 EL 소자는, 한 쌍의 전극에 의해 유기층이 협지되고, 어느쪽의 전극도 실질적으로 동일한 부피저항율의 물질로 형성되어 있고, 적어도 한편의 전극이 제 1 유기 EL 소자 및 제 2 유기 EL 소자에 있어서의 애노드의 구성, 또는 애노드를 변형한 구성을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다. 이 구성을 채택하고 있기 때문에, 전술한 바와 같은 동일한 이유에 의해, 전술한 효과를 동등하게 얻을 수 있다.

바람직하게는, 양쪽의 전극이 제 1 유기 EL 소자 및 제 2 유기 EL 소자의 구성을 구비하고 있는 경우, 보다 효과적이다. 이 경우, 애노드와 캐소드를 예를 들어 아래와 같이 구성해도 된다.

애노드: 캐소드

제 1 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성 : 제 1 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성

제 1 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성: 제 2 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성

제 2 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성: 제 1 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성

제 2 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성: 제 2 유기 EL 소자에 있어서의 애노드와 등가의 구성

[실시예]

이하, 본 발명에 관한 유기 EL 소자를 실시예에 의해 보다 상세히 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정하고 해석되는 것이 아닌 것은 당연하다.

<<실시예 1>>

도 24 에 도시하는 바와 같이, 옆의 길이 40 mm, 세로의 길이 50 mm인 투명한 유리제의 기판 (2) 상에, 옆의 길이 A 가 30 mm, 세로의 길이 B 가 40 mm, 막두께 220 ㎚ 의 ITO 층이 형성된 기판을 준비하였다. 이 기판으로부터 ITO 를 레이저 리페어 장치에 의해 일부 제거하여, 애노드의 단자부 (11), 애노드의 도통부 (12) 및 애노드의 전극영역 (13) 을 형성하였다. 도 24 에 있어서의 각 부분의 치수는 이하와 같다.

길이 C= 10mm,

길이 D= 3 mm

폭 E= 10㎛ 내지 20㎛

거리 F= 3 mm

간격 H= 10㎛ 내지 20㎛

(이하, 노치 G 는 0 이라 한다)

이상과 같이 애노드 (10) 가 형성된 기판 (2) 의 기판 세정을 하였다. 기판세정은 알칼리세정, 순수한 물세정을 순차 실시하여, 건조시킨 후에 자외선오존세정을 하였다.

기판 세정 후, 적어도 애노드의 도통부 (12) 를 포함하는 애노드의 전극영역 (13) 의 외주에, RF 스퍼터링법에 의해서 SiO₂으로 구성된 절연층 (4) 을 형성하였다.

절연층을 형성한 후, 애노드의 전극 영역 (13) 상에 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 절연층이 형성되었다.

먼저, 애노드의 전극 영역 (13) 상에 진공 증착계(탄소 도가니, 증착 레이트 : 0.1㎚/s, 진공 정도 : 약 5.0×10^-5 Pa) 에 의해 30㎚ 두께의 TPTE 층이 제조되고, 이 층은 정공 수송층으로 되었다.

정공 수송층상에, 진공 증착계에 의해 동시증착 30-㎚-두께 DPVBi(93.0% 의 무게, 주 물질) 와 BCzVBi (7.0% 의 무게, 게스트 물질) 가 형성된 층이 제조되고, 이 층은 발광층으로 되었다.

발광층 상에, 20-㎚-두께 2, 5-비스(6'-(2',2''-비피리딜))-1, 1-디메틸-3, 4-디페닐실롤레의 층이 진공 증착 계(탄소 도가니, 증착 레이트 : 0.1㎚/s, 진공 정도 : 약 5.0×10^-5 Pa)에 의해 제조되고 이 층은 전자 수송층이 되었다.

전자 수송층상에, 텅스텐 보드상에 (증착 레이트 : 1㎚/s, 진공 정도 : 약 5.0×10^-5 Pa) 150-㎚-두께 알루미늄이 형성되며, 이 층은 캐소드의 전자 영역 (33) 이 된다. 또한, 캐소드의 단자부 (31) 은 상기 기판 (2) 상에 동일한 방법으로 형성되었고, 캐소드의 도통부 (32) 가 캐소드의 단자부 (31) 와 캐소드의 전자 영역 (33) 사이에 동일한 방법으로 형성되어, 캐소드 (30)를 형성하고, 유기 EL 소자를 제작하였다.

기판 (2) 의 반대측에, 애노드의 단자부 (11) 과 캐소드의 단자부 (31) 이 외부로 노출하게 하려고, SiO₂ 에 의한 패시베이션막이 있는 유기 EL 소자를 제작하기 위해 막밀봉하였다.

그 후, 애노드의 단자부 (11), 캐소드의 단자부 (31) 및 외부 전극을 연결하고, 150-㎃ 의 정전압이 흐르고, 전류가 흐른지 5 분 후에, 막 밀봉된 유기 EL 소자의 휘도를 측정하였다.

도 25(a) 에 도시한 바와 같이, 유기 EL 소자 (1) 의 발광 영역의 각 변을 10 으로 동일하게 나누고 1:4:4:1 의 비율의 각각의 변으로 나누어진 직선을 그려 얻어진 교점을 휘도의 측정점으로 결정하였다. 각각의 교점은 위의 왼쪽으로부터 a, b, 및 c 라 하고, 중간 왼쪽부터 d, e, 및 f 라 하고, 아래 왼쪽으로부터 g, h, 및 i 라고 한다. (TOPCON 에 의해 만들어진 상표명 : BM7) 발광측정 기구를 사용하여 휘도의 측정을 실시하였다. 측정값은 도 1 에 도시된다. 표 1 은 휘도비를 나타내며, 각각의 측정점에서 측정된 휘도를 휘도가 가장 작은 점의 휘도로 나누어 휘도비 각각을 구하였다.

<<실시예 2>>

실시예 2 에 관한 유기 EL 소자는 도 25(b) 에 도시된 형상의 애노드 (10)을 채택하였다. 10-㎜ 길이의 노치 G 가 형성된 점을 제외하고는, 실시예 1 과 유사하게 유기 EL 소자를 제작하여, 실시예 1 과 유사하게 휘도를 측정하였다. 그 측정값을 표 1 에 나타내었다. 표 1 은 휘도비를 나타내며, 실시예 2 의 각각의 측정점에서 측정된 휘도를 휘도가 가장 작은 점의 휘도로 나누어 휘도비 각각을 구하였다.

<<실시예 3>>

20-㎜ 길이의 노치 G 가 형성된 점을 제외하고는, 실시예 2 과 유사하게 실시예 3 에 관한 유기 EL 소자를 제작하여, 실시예 2 과 유사하게 휘도를 측정하였다. 그 측정값을 표 1 에 나타내었다. 표 1 은 휘도비를 나타내며, 실시예 3 의 각각의 측정점에서 측정된 휘도를 휘도가 가장 작은 점의 휘도로 나누어 휘도비 각각을 구하였다.

<<비교예>>

도 25 (c) 에 도시된 비교예에서, 애노드의 도통부 (12)를 생략하고 애노드의 단자부 (11) 와 애노드의 전극 영역 (13)을 직접 연결하는 점만을 제외하고 유기 EL 소자를 실시예 1 과 유사하게 제작하여, 실시예 1 과 유사하게 휘도를 측정하였다. 그 측정값을 표 1 에 나타내었다. 표 1 은 휘도비를 나타내며, 비교예의 각각의 측정점에서 측정된 휘도를 휘도가 가장 작은 점의 휘도로 나누어 휘도비 각각을 구하였다.

<<평가>>

가장 작은 휘도를 갖는 측정점에 대한 가장 큰 휘도를 갖는 측정점의 휘도비는 비교예에서 2.68 이었다. 반면에, 애노드의 단자부 (11) 과 애노드의 전극 영역 (13) 이 (간격 3㎜) 로 분리되어 있는 실시예 1 의 유기 EL 소자에서, 전술한 휘도비는 2.16 이었다.

또한, 10-㎜ 길이의 노치 G 가 형성된 실시예 2 에서는, 전술한 휘도비가 1.58 있으며, 20-㎜ 길이의 노치 G 가 형성된 실시예 3 에서는, 전술한 휘도비가 1.60 이었다.

따라서, 실시예 1 내지 실시예 3 에서의 유기 EL 소자는 가장 작은 휘도를 가지는 측정점에 대한 가장 큰 휘도를 가지는 측정점의 각각의 휘도비를 갖으며, 이는 비교예에 있어서 유기 EL 소자보다 작다.

또한, 비교예에서, 평균 휘도에 대해 휘도가 가장 작은 측정점에서의 휘도는 54% 였으며, 휘도가 가장 큰 측정점에서의 휘도는 141% 였다. 반면에, 실시예 1 에서는 평균 휘도에 대해 휘도가 가장 작은 측정점에서의 휘도는 59% 였으며, 휘도가 가장 큰 측정점에서의 휘도는 127% 였다. 실시예 2 에서는 평균 휘도에 대해 휘도가 가장 작은 측정점에서의 휘도는 85% 였으며, 휘도가 가장 큰 측정점에서의 휘도는 118% 였다. 실시예 3 에서는 평균 휘도에 대해 휘도가 가장 작은 측정점에서의 휘도는 87% 였으며, 휘도가 가장 큰 측정점에서의 휘도는 139% 였다.

즉, 실시예 1 내지 실시예 3 에서의 유기 EL 소자는 평균 휘도에 대해 가장 큰 휘도를 가지는 각각의 측정점의 휘도비를 가졌으며, 이는 비교예서의 유기 EL 소자에서의 평균 휘도에 대해 가장 큰 휘도를 가지는 각각의 측정점의 휘도비보다 작았다.

또한, 실시예 1 내지 실시예 3 에서의 유기 EL 소자는 평균 휘도에 대해 가장 작은 휘도를 가지는 각각의 측정점의 휘도비를 가졌으며, 이는 비교예서의 유기 EL 소자에서의 평균 휘도에 대해 가장 작은 휘도를 가지는 각각의 측정점의 휘도비보다 컸다.

이상의 평가로부터도 분명한 것과 같이, 본 실시예 1 내지 실시예 3 에서의 유기 EL 소자는, 비교예의 유기 EL 소자보다 휘도편차가 적은 것을 알 수 있었다. 또한, 이 사실로부터, 본 발명에 관한 유기 EL 소자는 비교예의 유기 EL 소자보다 표시영역에서의 각 점을 통해 흐르는 전류값의 차이가 작은 것을 알 수 있었다.

본 실시예와 실시형태는 예시적이며 한정하는 것이 아닌 것으로 간주되고, 본 발명은 여기에 주어진 상세한 설명에 한정되어서는 안 되며, 첨부된 청구항의 범위 및 균등물 내에서 변형될 수 있다.

본 발명은, 유기 EL 소자에서 전류경로의 저항 차이가 종래보다도 작게 만들어 유기층에 있어서, 많은 전류가 흐르는 곳과 적은 전류가 흐르는 곳 사이의 전류 값의 차이가 종래보다 작아지도록 만드는 것이 가능하다.

따라서, 소자 전체에서 위도 편차를 작게 하는 것이 가능하며, 소자의 수명이 긴 곳과 소자의 수명이 짧은 곳 사이의 수명 차이를 줄이는 것이 가능하다

또한, 소자가 쉽게 열화하는 곳과 소자가 어렵게 열화하는 곳 사이의 열화 차이를 줄이는 것 또한 가능하고, 유기층에 복수의 발광재료를 함유시켜, 복수의 파장의 빛을 발광하는 유기 EL 소자에 있어서의 색도얼룩을 억제할 수 있다.

도 1 은 본 발명을 구현하는 제 1 유기 전계발광 소자의 평면도.

도 2 는 도 1 에서 A-A' 선의 단면도.

도 3 은 도 1 에서 B-B' 선의 단면도.

도 4(a) 내지 도 4(c) 는 도 1 에 도시된 유기 전계발광 소자의 제조 방법을 도시하는 평면도.

도 5(a) 는 도 1 에 도시된 유기 전계발광 소자의 애노드의 평면도.

도 5(b) 는 종래의 유기 전계발광 소자의 애노드의 평면도.

도 6(a) 및 도 6(b) 각각은 도통부가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 7(a) 및 도 7(b) 각각은 도통부가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 8 은 도통부가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 9 는 다른 변형예의 애노드의 평면도.

도 10 은 고 저항부를 가지는 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 11 은 고 저항부를 가지는 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 12(a) 내지 도 12(c) 각각은 도통부가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 13 은 단자부의 위치가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 14(a) 및 도 14(b) 각각은 애노드의 전극 영역의 변형예의 평면도.

도 15 는 단자부의 위치가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 16 은 다른 변형예의 애노드의 평면도.

도 17 은 절연부를 가지는 유기 전계발광 소자의 개략 분해 사시도.

도 18 은 절연부를 가지는 유기 전계발광 소자의 개략 단면도.

도 19 는 기판 상에서의 애노드의 전극 영역, 단자부 등의 배치를 도시하는 개략 평면도.

도 20 은 본 발명을 구현하는 제 2 유기 전계발광 소자의 애노드의 개략 평면도.

도 21 은 단자부의 위치가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 22 는 단자부의 위치가 다른 변형예의 애노드의 개략 평면도.

도 23 (a) 및 23(b) 각각은 제 1 유기 전계발광 소자와 제 2 유기 전계발광 소자를 조합하여 형성된 애노드의 평면도.

도 24 는 애노드의 전극 영역, 단자부 등의 치수를 도시하는 개략 평면도.

도 25(a) 는 실시예 1 의 휘도 측정점을 도시하는 개략도.

도 25(b) 는 실시예 2 의 휘도 측정점을 도시하는 개략도.

도 25(c) 는 비교예의 위도 측정점을 도시하는 개략도.

도 26 은 유기 전계발광 소자에 있어서, 전류가 흐르는 각 경로 사이의 저항 차이를 설명하는 개략도.

도 27 은 도 26 에 도시된 유기 전계발광 소자에 있어서, 전류가 흐르는 각 경로 사이의 저항 차이를 설명하는 개략도.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※

1 : 유기 EL 소자 10 : 애노드

11, 31, 110 : 단자부 12, 32 : 도통부

12a : 제 2 접속부 12b : 제 1접속부

12c : 도통부 본체 13, 33, 130 : 전극영역

13-1 : 단변 13-2, 13-4 : 장변

Claims

제 1 전극;

상기 제 1 전극의 부피 저항율 이상의 부피 저항율을 갖는 물질로 형성된 제 2 전극; 및

상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 유기층을 포함하고,

상기 제 2 전극은,

상기 유기층을 접촉하는 실질적으로 직사각형인 전극영역;

상기 전극 영역의 외주를 따라서 소정의 위치에 위치하고, 외부 구동 회로가 연결된 단자부(terminal section); 및

상기 단자부를 상기 전극 영역에 전기적으로 연결하는 도통부(conductive section) 를 포함하며,

상기 도통부는,

상기 단자부와 연결된 제 1 접속부;

상기 전극 영역의 외주에 연결된 제 2 접속부; 및

상기 제 1 접속부와 상기 제 2 접속부 사이에서 연장하여 상기 제 1 접속부를 상기 제 2 접속부로 전기적으로 연결하는 도통부 본체를 포함하는, 유기 EL 소자.
제 1 항에 있어서,

상기 도통부 본체는 상기 전극 영역 및 상기 단자부에 전기적으로 연결되지 않고, 상기 제 1 접속부와 상기 제 2 접속부 사이에서 연장하는, 유기 EL 소자.
제 1 항에 있어서,

상기 전극 영역의 외주는 상기 단자부에 대향하는 대향부분 및 상기 단자부에 대향하지 않는 비대향부분을 포함하며,

상기 제 2 접속부는 상기 비대향부분에서 상기 전극 영역에 연결된, 유기 EL 소자.
제 1 항에 있어서,

상기 전극 영역의 외주는 상기 단자부에 대향하는 대향부분 및 상기 단자부에 대향하지 않는 비대향부분을 포함하며,

상기 제 2 접속부는 상기 대향부분의 일부에서 상기 전극 영역에 연결된, 유기 EL 소자.
제 1 항에 있어서,

상기 도통부는 복수의 도통부 중의 하나이고, 상기 전극 영역의 외주는 상기 단자부에 대향하는 대향부분 및 상기 단자부에 대향하지 않는 비대향부분을 포함하며,

상기 도통부 중의 적어도 하나의 제 2 접속부는 상기 비대향부분에서 상기 전극 영역에 연결되고,

다른 도통부의 제 2 접속부는 상기 대향부분의 일부에서 상기 전극영역에 연결된, 유기 EL 소자.
제 1 항에 있어서,

상기 전극 영역의 외주는 한 쌍의 단변 (short side) 및 한 쌍의 장변을 가지며,

상기 단자부는 한쌍의 단자부 중의 하나이고, 상기 단자부들은 상기 단변 중의 하나의 단 (end) 의 근처에 배열되며,

상기 도통부는 상기 단자부 중의 하나에 각각 대응하는 한쌍의 도통부 중의 하나이고, 각각의 도통부는 상기 전극 영역의 상기 장변 중의 다른 하나에서 상기 대응하는 단자부를 상기 전극 영역에 전기적으로 연결하는, 유기 EL 소자.
제 6 항에 있어서,

상기 제 1 전극은,

상기 제 2 전극의 상기 단자부들 사이에 위치하고, 외부 구동 회로가 연결된 단자부; 및

상기 유기층을 접촉하는 전극 영역을 포함하는, 유기 EL 소자.
제 1 항에 있어서,

상기 전극 영역의 외주는 한 쌍의 단변 및 한 쌍의 장변을 가지며,

상기 단자부는 한쌍의 단자부 중의 하나이고, 상기 단자부들은 상기 단변 중의 하나의 단 (end) 의 근처에 배열되며,

상기 도통부는 상기 단자부 중의 하나에 각각 대응하는 한쌍의 제 1 도통부 중의 하나이고, 한 쌍의 제 2 도통부 각각은 상기 단자부 중의 하나에 대응하고,

각각의 제 1 도통부는 상기 전극 영역의 상기 장변 중의 다른 하나에서 상기 대응하는 단자부를 상기 전극 영역에 전기적으로 연결하고,

각각의 제 2 도통부는 상기 전극 영역의 상기 단변 중의 하나의 부분의 일부에서 상기 대응하는 단자부를 상기 전극 영역에 전기적으로 연결하고, 상기 부분은 상기 대응하는 단자부에 대향하는, 유기 EL 소자.
제 8 항에 있어서,

상기 제 1 전극은,

상기 제 2 전극의 상기 단자부 사이에 위치하고, 외부 구동 회로가 연결된 단자부; 및

상기 유기층을 접촉하는 전극 영역을 포함하는, 유기 EL 소자.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2 접속부는 복수의 제 2 접속부 중의 하나이고,

상기 제 2 접속부는 서로 다른 위치들에서 상기 전극 영역의 외주에 연결된, 유기 EL 소자.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 도통부는 상기 전극 영역의 외주를 따라서 연장하는, 유기 EL 소자.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제 2 접속부는 상기 전극 영역의 외주의 위치 또는 그 위치의 근처에 위치하고,

상기 위치와 상기 전극 영역의 외주 상의 각 점 사이 저항의 최대값과 최소값 간의 차이가, 그 부분에서 상기 단자부가 상기 전극 영역에 최소 거리로 전기적으로 직접 연결되는 경우에 상기 단자부의 부분의 각 점들과 상기 전극 영역의 외주 상의 각 점들 사이 저항의 최대값과 최소값 간의 차이보다 작은, 유기 EL 소자.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 전극 영역과 상기 도통부 사이에, 고 저항부가 형성되고,

상기 고 저항부가 상기 전극 영역의 부피 저항율보다 큰 부피 저항율을 갖는 재료로 형성되는, 유기 EL 소자.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 단자부와 상기 전극 영역 사이에 고 저항부가 형성되고,

상기 고 저항부가 상기 도통부의 부피 저항율보다 큰 부피 저항율을 갖는 재료로 형성되는, 유기 EL 소자.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 도통부의 폭은 상기 단자부의 폭보다 작은, 유기 EL 소자.
제 1 항에 있어서,

상기 도통부의 폭은 상기 단자부의 폭보다 작고, 상기 전극 영역의 외주는 한쌍의 단변 및 한쌍의 장변을 가지며,

상기 단자부는 한 쌍의 단자부 중의 하나이며, 단자부는 상기 단변 중의 하나의 단의 근처에 배치되고,

상기 도통부는 2 개의 도통부 중의 하나이고, 각각의 도통부는 상기 단자부 중의 하나에 대응하며,

각각의 도통부는 상기 단변의 대응하는 단에서 상기 대응하는 단자부를 상기 전극 영역에 전기적으로 연결하는, 유기 EL 소자.