WO2020121381A1 - 発光素子、発光デバイス - Google Patents
発光素子、発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- WO2020121381A1 WO2020121381A1 PCT/JP2018/045361 JP2018045361W WO2020121381A1 WO 2020121381 A1 WO2020121381 A1 WO 2020121381A1 JP 2018045361 W JP2018045361 W JP 2018045361W WO 2020121381 A1 WO2020121381 A1 WO 2020121381A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- type semiconductor
- emitting device
- hole transport
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 142
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 104
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- -1 Ta 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
Abstract
発光素子（２）は、アノード（４）と、ｐ型半導体層である正孔輸送層（６）と、１３族元素を含むｎ型半導体層（７）と、量子ドット（１６）を含む発光層（８）と、電子輸送層（１０）と、カソード（１２）とを、この順に備える。
Description
本開示は、発光層に量子ドットを含む発光素子、および当該発光素子を備えた発光デバイスに関する。
特許文献１には、半導体ナノクリスタルを含む発光素子を備えた発光デバイスが開示されている。
特許文献１においては、正孔輸送層にＮｉＯを使用している。しかしながら、正孔輸送層としてＮｉＯ等の従来の材料を備えた、発光層に量子ドットを含む発光素子は、十分な電子ブロック性と発光層への正孔注入効率とを両立することが困難である。
上記課題を解決するために、本開示の発光素子は、アノードと、ｐ型半導体層である正孔輸送層と、１３族元素を含むｎ型半導体層と、量子ドットを含む発光層と、電子輸送層と、カソードとを、この順に備える。
上記構成により、電子ブロック性を担保しつつ、発光層への正孔注入効率を改善した発光素子を提供できる。
〔実施形態１〕
本明細書においては、元素の族をローマ数字にて指定している場合には、旧ＣＡＳ方式の命名法に基づいた族の指定を行っているものとする。また、元素の族をアラビア数字にて指定している場合には、現行のＩＵＰＡＣ方式の元素の命名法に基づいた族の指定を行っているものとする。
本明細書においては、元素の族をローマ数字にて指定している場合には、旧ＣＡＳ方式の命名法に基づいた族の指定を行っているものとする。また、元素の族をアラビア数字にて指定している場合には、現行のＩＵＰＡＣ方式の元素の命名法に基づいた族の指定を行っているものとする。
図１は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る発光デバイス１は、発光素子２とアレイ基板３とを備える。発光デバイス１は、図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたアレイ基板３上に、発光素子２の各層が積層された構造を備える。なお、本明細書においては、発光デバイス１の発光素子２からアレイ基板３への方向を「下方向」、発光素子２のアレイ基板３から発光素子２への方向を「上方向」として記載する。
発光素子２は、アノード４上に、正孔輸送層６と、ｎ型半導体層７と、発光層８と、電子輸送層１０と、カソード１２とを、下層からこの順に備える。アレイ基板３の上層に形成された発光素子２のアノード４は、アレイ基板３のＴＦＴと電気的に接続されている。他の実施形態に係る発光素子においては、アレイ基板の上層にカソードを備え、カソード上に、電子輸送層と、発光層と、ｎ型半導体層と、正孔輸送層と、アノードとを、この順に備える発光素子であってもよい。
アノード４およびカソード１２は導電性材料を含み、それぞれ、正孔輸送層６および電子輸送層１０と電気的に接続されている。
アノード４とカソード１２との何れか一方は、透明電極である。透明電極としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯ、またはＢＺＯ等が用いられ、スパッタ法等によって成膜されてもよい。また、アノード４またはカソード１２のいずれか一方は金属材料を含んでいてもよく、金属材料としては、可視光の反射率の高いＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、またはＡｇ等が好ましい。
発光層８は、複数の量子ドット（半導体ナノ粒子）１６を含む層である。発光層８は、数層の発光層が積層したものであってもよい。ここで、発光層８における量子ドット１６は、図１に示すように、規則正しく配置されている必要はなく、量子ドット１６は無秩序に発光層８に含まれていてもよい。発光層８は、ヘキサンまたはトルエン等の溶媒に量子ドット１６を分散させた分散液から、スピンコート法、またはインクジェット法等によって製膜することができる。分散液にはチオール、アミン等分散材料を混合してもよい。発光層８の膜厚は、５～５０ｎｍが好ましい。
量子ドット１６は、価電子帯準位と伝導帯準位とを有し、価電子帯準位の正孔と伝導帯準位の電子との再結合によって発光する発光材料である。量子ドット１６からの発光は、量子閉じ込め効果により狭いスペクトルを有するため、比較的深い色度の発光を得ることが可能である。
本実施形態において、量子ドット１６は、コア１８と、当該コア１８の外殻であるシェル２０とを有する、コア／シェル構造を備えている。コア１８は、シェル２０のバンドギャップの範囲内にバンドギャップが含まれる半導体材料粒子である。コア１８は、II－IＶ族型半導体材料、あるいは、III－Ｖ族型半導体材料を含んでいてもよい。シェル２０は、II－IＶ族型半導体材料を含んでいる。
量子ドット１６は、例えば、コアにＣｄＳｅ、シェルにＺｎＳを備えていてもよい。この他、量子ドット１６は、当該分野において利用される材料から適宜選択されてもよく、例えば、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＺｎＳｅ／ＺｎＳまたはＣＩＧＳ／ＺｎＳ等をコア／シェル構造として有していてもよい。
量子ドット１６の粒径は３～１５ｎｍ程度である。量子ドット１６からの発光の波長は、コア１８の粒径によって制御することができる。このため、コア１８の粒径を制御することにより、発光デバイス１が発する光の波長を制御できる。なお、発光層８は、さらに、量子ドット１６のシェル２０と配位結合するリガンドを備えていてもよい。
正孔輸送層６は、アノード４からの正孔を発光層８へと輸送する層である。本実施形態において、正孔輸送層６はｐ型半導体層である。また、正孔輸送層６は、IIＡ族、ＶIＢ族、およびＶIIIＢ族の内の何れかの元素の酸化物を含む。すなわち、正孔輸送層６は、６族、８～１０族、および１２族の内の何れかの元素の酸化物を含む。例えば、正孔輸送層６は、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３、または、ＮｉＯの内、少なくとも何れかを含むｐ型半導体層である。正孔輸送層６の各層は、スパッタ法によって製膜されてもよい。正孔輸送層６の膜厚は、５～４０ｎｍが好ましい。
本実施形態においては、正孔輸送層６は、発光層８からアノード４へ向かって輸送される電子をブロックする機能を備えている。このため、正孔輸送層６の電子親和力は、発光層８のシェル２０の電子親和力よりも小さいことが好ましい。
電子輸送層１０は、カソード１２からの電子を発光層８へと輸送する層である。電子輸送層１０は、正孔の輸送を阻害する機能を有していてもよい。電子輸送層１０は、例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ３、またはＳｒＴｉＯ３等を含んでいてもよく、スパッタ法によって製膜されてもよい。電子輸送層１０の膜厚は、従来公知の膜厚を採用でき、１０～１００ｎｍが好ましい。
本実施形態における発光素子２は、正孔輸送層６と発光層８との間に、ｎ型半導体層７を備える。ｎ型半導体層７は、II－IＶ族型半導体材料である第１半導体材料を含む。第１半導体材料は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、またはＣｄＳを含んでいてもよい。
ここで、シェル２０が含むII－IＶ族型半導体材料を第２半導体材料とする。この場合、第１半導体材料は、第２半導体材料と同一である。あるいは、第１半導体材料は、第２半導体材料に含まれるII族元素よりも、周期表において下位の周期に属するII族元素を有する。例えば、シェル２０がＺｎを含む場合、ｎ型半導体７は、ＺｎまたはＣｄを含んでいてもよい。
また、ｎ型半導体層７は１３族元素をドーパントとして備えている。ｎ型半導体層７が含む１３族元素は、例えば、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの少なくとも１種を含む。ｎ型半導体層７における１３族元素の濃度は、１０１６ｃｍ－３～１０２２ｃｍ－３である。すなわち、本実施形態において、ｎ型半導体層７は、ｎ＋型半導体層である。なお、半導体層７においては、１３族元素の濃度が、発光層８側から正孔輸送層６側に向かって高くなっていてもよい。
ｎ型半導体層７は、例えば、予めｎ型不純物をドープした材料をターゲットとしたスパッタ法により、発光層８上または正孔輸送層６上に成膜することにより形成される。また、ｎ型半導体層７は、例えば、ナノ粒子化したｎ型半導体材料を塗布することにより形成してもよい。なお、ｎ型半導体層７は、上述のスパッタ法を、ｎ型不純物をドープしつつ実行することにより形成してもよい。
次に、本実施形態に係る発光素子２の各層におけるエネルギーバンドについて、図２を参照して説明する。
図２の（ａ）は、本実施形態に係る発光素子２の各層を積層しない場合におけるフェルミ準位、またはバンドギャップの例を示すエネルギーバンド図である。
なお、本明細書のエネルギーバンド図においては、各層の、真空準位を基準としたエネルギー準位を示している。また、本明細書のエネルギーバンド図においては、付した部材番号と対応する部材のフェルミ準位、またはバンドギャップを示す。アノード４およびカソード１２についてはフェルミ準位を、正孔輸送層６、ｎ型半導体層７、発光層８、および電子輸送層１０については、電子親和力からイオン化ポテンシャルまでのバンドギャップをそれぞれ示す。ここで、発光層８については、コア１８とシェル２０とに分けて、それぞれのバンドギャップを示す。
本実施形態において、例えば、正孔輸送層６がＮｉＯを含む場合、正孔輸送層６のイオン化ポテンシャルは５．６ｅＶであり、正孔輸送層６の電子親和力は２．１ｅＶである。また、本実施形態において、例えば、電子輸送層１０がＺｎＯを含む場合、電子輸送層１０のイオン化ポテンシャルは７．０ｅＶであり、電子輸送層１０の電子親和力は３．８ｅＶである。また、本実施形態において、例えば、シェル２０がＺｎＳを含む場合、シェル２０におけるイオン化ポテンシャルは５．２ｅＶであり、電子親和力は３．２ｅＶである。
ここで、本実施形態における、各層の材料の組み合わせの例を、表１の実施例１から実施例１０に示す。なお、表１における「イオン化ポテンシャル」、および「電子親和力」の欄は、それぞれの準位を、全て真空準位を基準とし、ｅＶを単位として示す。また、表１においては、各層を積層しない状態における数値を記載している。
図２の（ｂ）は、本実施形態に係る発光素子２の各層を積層した場合におけるフェルミ準位、またはバンドギャップの例を示すエネルギーバンド図である。
本実施形態においては、各層を積層した発光素子２において、アノード４、発光層８、電子輸送層１０、およびカソード１２のフェルミ準位、またはバンドギャップは、単体の状態の各準位とほとんど変化しない。しかしながら、各層を積層した発光素子２においては、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とがｐｎ接合するために、図２の（ｂ）に示すように、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのそれぞれの電子親和力とイオン化ポテンシャルとが変化する。
具体的には、上述のｐｎ接合により、正孔輸送層６のバンド構造が、ｎ型半導体層７側にバンドシフトする。すなわち、正孔輸送層６の電子親和力とイオン化ポテンシャルとは、ｎ型半導体層７側からアノード４側に向かって小さくなる。同様に、ｎ型半導体層７の電子親和力とイオン化ポテンシャルとは、正孔輸送層６側から発光層８側に向かって小さくなる。
正孔輸送層６とｎ型半導体層７とがｐｎ接合した際、電荷中性条件を満足するために、正孔輸送層６に向かってｎ型半導体層７のキャリアが多量に流入する。このため、正孔輸送層６におけるキャリアの濃度は、正孔輸送層６全体の体積に対して、１０１６ｃｍ－３～１０２２ｃｍ－３となる。すなわち、本実施形態において、正孔輸送層６が、ｎ型半導体層７と積層することにより、ｐ－型半導体層である正孔輸送層６側に、広く空乏層が広がる。
ｎ型半導体層７単体のキャリア密度は、正孔輸送層６単体のキャリア密度と比較して非常に大きい。このため、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのｐｎ接合に起因する、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのそれぞれの電子親和力とイオン化ポテンシャルとは、正孔輸送層６の方が大きく変化する。
具体的には、正孔輸送層６の電子親和力とイオン化ポテンシャルとは、正孔輸送層６とｎ型半導体層７との界面から正孔輸送層６とアノード４との界面に渡って、大きく変化している。対して、ｎ型半導体層７の電子親和力とイオン化ポテンシャルとは、正孔輸送層６とｎ型半導体層７との界面付近においてのみ、小さく変化する。
正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのｐｎ接合による、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのそれぞれの電子親和力とイオン化ポテンシャルとの変化量は、ｐｎ接合をする前の正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのそれぞれのフェルミ準位の差に相当する。
正孔輸送層６単体のキャリア密度は非常に低いため、図２の（ａ）に点線にて示す、正孔輸送層６単体のフェルミ準位６ｆは、おおよそバンドギャップの中心とみなせる。また、ｎ型半導体層７単体のキャリア密度は非常に大きいため、図２の（ａ）に点線にて示す、ｎ型半導体層７単体のフェルミ準位７ｆは、非常に電子親和力に近く、おおよそ電子親和力と同値であるとみなせる。正孔輸送層６とｎ型半導体層７とがｐｎ接合すると、ｎ型半導体層７のキャリアが正孔輸送層６側に流れ込むことにより、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのそれぞれのフェルミ準位が平均化される。
したがって、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのそれぞれの電子親和力とイオン化ポテンシャルとの変化量は、正孔輸送層６のバンドギャップの中心の準位と、ｎ型半導体層７の電子親和力との差であることが推定できる。
本実施形態に係る発光素子２の効果について、図３に示す、比較形態に係る発光素子のエネルギーバンド図と、本実施形態に係る発光素子２のエネルギーバンド図とを比較して説明する。
図３の（ａ）は、比較形態に係る発光素子の各層のエネルギーバンド図である。比較形態に係る発光素子は、ｎ型半導体層７を備えていない点においてのみ、本実施形態に係る発光素子２と構成が異なる。したがって、比較形態に係る発光素子の各層の準位は、本実施形態に係る発光素子２の各層を積層する前の、単体の準位とそれぞれ同一であると見なせる。
比較形態に係る発光素子のアノード４とカソード１２との間に電位差が生じると、アノード４側から正孔輸送層６へ正孔が、カソード１２側から電子輸送層１０へ電子が注入される。その後、正孔輸送層６に注入された正孔と電子輸送層１０に注入された電子とは、発光層８の量子ドット１６のシェル２０を介して、コア１８まで到達する。コア１８において、正孔と電子とが再結合することにより、励起子が生成される。
ここで、正孔輸送層６の電子親和力は、シェル２０の電子親和力よりも大きい場合、図３の（ａ）の矢印Ｅ１に示すように、さらにシェル２０を介して正孔輸送層６に輸送される電子がブロックされる。これにより、発光層８にとどまる電子の濃度が高くなり、発光効率が改善する。
しかしながら、比較形態においては、アノード４のフェルミ準位と、正孔輸送層６のイオン化ポテンシャルとの差が比較的大きい。このため、図３の（ａ）において、矢印Ｈ１にて示す、アノード４から正孔輸送層６への正孔注入の障壁が比較的大きくなる。
さらに、比較形態においては、正孔輸送層６のイオン化ポテンシャルが、シェル２０のイオン化ポテンシャルよりも大きい。このために、正孔輸送層６における正孔の濃度が比較的低くなっている。このため、比較形態に係る発光素子においては、図３の（ａ）において、矢印Ｈ２にて示す、正孔輸送層６からシェル２０への正孔注入、すなわち、図３の（ａ）において、矢印Ｅ２にて示す、シェル２０から正孔輸送層６への電子の引き抜きが発生しにくい。
したがって、比較形態に係る発光素子においては、上述した正孔注入の障壁のために、発光層８への正孔の注入効率が低減する。ゆえに、発光層８におけるキャリアバランスが悪くなり、発光層８における非発光過程が増大するために、発光素子全体の外部量子効率が悪化する。
正孔注入の効率を改善するのみであれば、正孔輸送層６の材料に、バンドギャップのより小さい材料を採用すればよい。しかしながら、正孔輸送層６のバンドギャップを単純に小さくするのみでは、発光層８からアノード４への電子輸送を、正孔輸送層６がブロックしにくくなるため、発光素子の外部量子効率の改善につながらない場合がある。
図３の（ｂ）は、本実施形態に係る発光素子２の各層のエネルギーバンド図である。本実施形態に係る発光素子２においても、比較形態に係る発光素子と同様に、正孔と電子との輸送が生じ、発光層８における励起子の生成が発生する。ただし、正孔輸送層６からシェル２０への正孔注入は、ｎ型半導体層７において生じるトンネル効果によって、正孔がｎ型半導体層７をトンネルすることにより生じる。
本実施形態においては、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのｐｎ接合により、正孔輸送層６の電子親和力が増大している。このため、図３の（ａ）の矢印Ｅ１にて示す、発光層８からアノード４への電子輸送をブロックする機能を、正孔輸送層６が維持する。
本実施形態においては、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのｐｎ接合により、正孔輸送層６のアノード４側のイオン化ポテンシャルが大きく低減している。このため、図３の（ｂ）において、矢印Ｈ１にて示す、アノード４から正孔輸送層６への正孔注入の障壁が小さくなる。
さらに、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのｐｎ接合により、正孔輸送層６のｎ型半導体層７側のイオン化ポテンシャルについても低減している。このため、正孔輸送層６における正孔の濃度が増加する。したがって、図３の（ｂ）において、矢印Ｈ２にて示す、正孔輸送層６からシェル２０への正孔注入、すなわち、図３の（ｂ）において、矢印Ｅ２にて示す、シェル２０から正孔輸送層６への電子の引き抜きが発生しやすくなる。
したがって、本実施形態に係る発光素子２においては、上述したように、アノード４から発光層８への正孔の輸送効率が改善する。ゆえに、発光層８におけるキャリアバランスが改善し、発光層８における発光過程が増大するために、発光素子２全体の外部量子効率が改善する。
表２は、本実施形態に係る発光素子２における、正孔輸送層６とシェル２０とのイオン化ポテンシャルの差と、正孔輸送層６とシェル２０との電子親和力の差とを、発光素子２の積層前と積層後とにおいて比較した表である。なお、表２における数値の単位は何れもｅＶであり、表２における各実施例は、表１の各実施例に対応する。
「電子親和力の差」の欄は、積層前と積層後とのそれぞれにおける、シェル２０の電子親和力から正孔輸送層６の電子親和力を引いた値を示す。すなわち、「電子親和力の差」の欄の数値は、発光層８からアノード４への電子輸送をブロックするための、電子輸送の障壁に相当する。「電子親和力の差」の欄の数値が負であることは、正孔輸送層６の電子親和力が、シェル２０との電子親和力よりも大きいことを示す。
「準位変化量」の欄は、積層後の正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのそれぞれの電子親和力とイオン化ポテンシャルとの変化量を示す。なお、上述したように、上述した電子親和力とイオン化ポテンシャルとの変化量は、正孔輸送層６のバンドギャップの中心の準位と、ｎ型半導体層７の電子親和力との差に相当すると推定し、「準位変化量」の欄の数値を算出している。
表２に示すように、何れの実施例においても、積層前と比較して、積層後における、「イオン化ポテンシャル」の欄の数値は減少し、「電子親和力」の欄の数値は増加している。これは、積層前と比較して、積層後においては、正孔輸送層６における正孔の濃度が増大し、発光層８からアノード４への電子輸送をブロックするための、電子輸送の障壁が高くなったことを示している。
本実施形態においては、何れの実施例においても、ｎ型半導体層７の材料は、シェル２０の材料と同一の材料である。しかしながら、ｎ型半導体層７の材料は、シェル２０の材料に含まれるII族元素よりも、周期表において下位の周期に属するII族元素を有する、II－IＶ族型半導体材料であることが好ましい。当該構成によれば、ｎ型半導体層７であるII－IＶ族型半導体は、シェル２０の材料よりイオン半径が大きい元素を含む。したがって、ｎ型半導体層７においては、価電子軌道の結合が相対的に弱く、価電子帯頂上のエネルギー、すなわちイオン化ポテンシャルが小さくなり、より正孔輸送層６からシェル２０への正孔注入の障壁が低減される。
本実施形態において、ｎ型半導体層７は、ｎ＋型半導体層である。特に、ｎ型半導体層７のドーパントである１３族元素の濃度は、１０１６ｃｍ－３以上である。このため、ｎ型半導体層７におけるドーパントの濃度が十分に高いため、上述した正孔輸送層６のイオン化ポテンシャルおよび電子親和力の変化が十分に生じる。また、ｎ型半導体層７に含まれるII－IＶ型半導体の結晶組成の変化を防止する観点から、ｎ型半導体層７のドーパントである１３族元素の濃度は、１０２２ｃｍ－３以下であることが好ましい。
本実施形態において、ｎ型半導体層７をより確実に成膜し、ｎ型半導体層７におけるキャリアトラップを低減する観点から、ｎ型半導体層７の膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。また、本実施形態において、ｎ型半導体層７における正孔のトンネル効果が十分に得られるように、ｎ型半導体層７の膜厚は５ｎｍ以下であることが好ましい。
〔実施形態２〕
図４は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略断面図である。本実施形態に係る発光デバイス１は、前実施形態に係る発光デバイス１と比較して、ｎ型半導体層７と発光層８との間に、不導体層２２を備えた点を除いて、同一の構成を有する。
図４は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略断面図である。本実施形態に係る発光デバイス１は、前実施形態に係る発光デバイス１と比較して、ｎ型半導体層７と発光層８との間に、不導体層２２を備えた点を除いて、同一の構成を有する。
不導体層２２は、キャリアをほとんど有さず、電気伝導性が著しく乏しい物体を指す不導体を含む。不導体は、一般に、絶縁体または誘電体とも呼称される。具体的には、例えば、不導体層２２は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、およびＣｒ２Ｏ３から構成された群の内、少なくとも１種を含む。不導体層２２は、ｎ型半導体層７と発光層８との双方と接触している。
本実施形態に係る発光素子２においても、前実施形態に係る発光素子２と同様に、正孔と電子との輸送が生じ、発光層８における励起子の生成が発生する。ただし、ｎ型半導体層７からシェル２０への正孔注入は、不導体層２２において生じるトンネル効果によって、正孔が不導体層２２をトンネルすることにより生じる。
本実施形態に係る発光素子２の効果について、図５に示す、前実施形態に係る発光素子２のエネルギーバンド図と、本実施形態に係る発光素子２のエネルギーバンド図とを比較して説明する。図５の（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、前実施形態および本実施形態に係る発光素子２のエネルギーバンド図を、正孔輸送層６からシェル２０までの、イオン化ポテンシャル付近のみを抜き出して図示した拡大図である。
前実施形態においては、ｎ型半導体層７と発光層８とが直接接している。ここで、ｎ型半導体層７と発光層８と接触は、半導体同士の接触である。また、本実施形態に係る発光素子２においては、一般的な無機半導体発光素子のように、エピタキシャル成長を用いて積層構造を作製しない。したがって、本実施形態においては、発光素子２の各層の表面および界面における準位の発生を避けることが困難である。このため、ｎ型半導体層７とシェル２０との界面においては、界面準位が形成される。
したがって、ｎ型半導体層７とシェル２０との界面においては、図５の（ａ）に示すように、キャリアトラップＣＴが形成される。キャリアトラップＣＴに、アノード４から輸送されてきた正孔がトラップされると、発光層８に輸送される正孔の濃度が低減し、発光層８におけるキャリアバランスが悪化する場合がある。
一方、実施形態においては、図５の（ｂ）に示すように、ｎ型半導体層７と発光層８との間に、不導体層２２が形成されている。ｎ型半導体層７と不導体層２２との接触、および不導体層２２と発光層８との接触は、いずれも半導体と不導体との接触となる。
このため、本実施形態においては、ｎ型半導体層７と不導体層２２との界面、および不導体層２２と発光層８と界面において、界面順位を不活性化し、ひいては、キャリアトラップＣＴが生じることを低減できる。したがって、アノード４から輸送されてきた正孔が、キャリアトラップＣＴにトラップされることが低減されるため、発光層８におけるキャリアバランスがさらに改善する。
本実施形態において、不導体層２２をより確実に成膜し、不導体層２２におけるキャリアトラップを低減する観点から、不導体層２２の膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましい。また、本実施形態において、不導体層２２における正孔のトンネル効果が十分に得られるように、不導体層２２の膜厚は５ｎｍ以下であることが好ましい。
〔実施形態３〕
図６は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略断面図である。本実施形態に係る発光デバイス１は、前述した各実施形態に係る発光デバイス１と比較して、正孔輸送層６とｎ型半導体層７との間に、不導体層２２を備えた点を除いて、同一の構成を有する。不導体層２２は、前実施形態に係る発光デバイス１の不導体層２２と同一の構成を有していてもよい。
図６は、本実施形態に係る発光デバイス１の概略断面図である。本実施形態に係る発光デバイス１は、前述した各実施形態に係る発光デバイス１と比較して、正孔輸送層６とｎ型半導体層７との間に、不導体層２２を備えた点を除いて、同一の構成を有する。不導体層２２は、前実施形態に係る発光デバイス１の不導体層２２と同一の構成を有していてもよい。
本実施形態に係る発光素子２においても、前述した各実施形態に係る発光素子２と同様に、正孔と電子との輸送が生じ、発光層８における励起子の生成が発生する。ただし、正孔輸送層６からｎ型半導体層７への正孔注入は、不導体層２２において生じるトンネル効果によって、正孔が不導体層２２をトンネルすることにより生じる。
本実施形態に係る発光素子２の効果について、図７に示す、実施形態１に係る発光素子２のエネルギーバンド図と、本実施形態に係る発光素子２のエネルギーバンド図とを比較して説明する。図７の（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、実施形態１および本実施形態に係る発光素子２のエネルギーバンド図を、正孔輸送層６からｎ型半導体層７までの、イオン化ポテンシャル付近のみを抜き出して図示した拡大図である。
実施形態１に係る発光素子２においては、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とのｐｎ接合により、正孔輸送層６のみならず、ｎ型半導体層７においても、イオン化ポテンシャルの変化が生じている。ここで、正孔輸送層６と比較して、ｎ型半導体層７のキャリアの密度は高いため、上述のｐｎ接合ｎ型半導体層７におけるイオン化ポテンシャルの変化は、小さく、かつ、正孔輸送層６との接触界面の近傍においてのみ発生する。
このため、正孔輸送層６とｎ型半導体層７との界面のｎ型半導体層７側において、図７の（ａ）に示す、周囲よりもイオン化ポテンシャルが小さい領域である、ポテンシャル井戸Ｗ１が形成される。ポテンシャル井戸Ｗ１には、アノード４から輸送された正孔がトラップされる場合がある。ゆえに、実施形態１に係る発光素子２においては、発光層８に輸送される正孔の濃度が低減し、発光層８におけるキャリアバランスが悪化する場合がある。
一方、本実施形態に係る発光素子２においては、正孔輸送層６とｎ型半導体層７との間に、不導体層２２を備えている。このため、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とは直接接触せず、ｎ型半導体層７から正孔輸送層６へのキャリアの移動が、不導体層２２を介して実現する。
したがって、正孔輸送層６とｎ型半導体層７とが直接ｐｎ接合している場合と比較して、当該ｐｎ接合による、ｎ型半導体層７におけるイオン化ポテンシャルの変化が小さくなる。具体的には、ｎ型半導体層７におけるイオン化ポテンシャルの変化は、実施形態１に係る発光素子２のｎ型半導体層７と比較して、より小さく、かつ、より正孔輸送層６との接触界面の近接する位置においてのみ発生する。
このため、正孔輸送層６とｎ型半導体層７との界面に生じるポテンシャル井戸は、図７の（ｂ）に示すポテンシャル井戸Ｗ２となる。上記理由から、ポテンシャル井戸Ｗ２はポテンシャル井戸Ｗ１よりも、形成される領域が小さく、かつ、井戸の深さが浅い。このため、実施形態１と比較して、本実施形態においては、アノード４から輸送された正孔が、ポテンシャル井戸Ｗ２にトラップされる可能性を低減できる。ゆえに、発光層８におけるキャリアバランスがさらに改善する。
本実施形態に係る発光素子２は、前実施形態に係る発光素子２と同様に、さらに、ｎ型半導体層７と発光層８との間においても、不導体層２２を備えていてもよい。当該構成により、ｎ型半導体層７と発光層８との間における、正孔のトラップについても低減することができ、発光層８のキャリアバランスがより改善される。
本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１ 発光デバイス
２ 発光素子
４ アノード
６ 正孔輸送層
７ ｎ型半導体層
８ 発光層
１０ 電子輸送層
１２ カソード
１６ 量子ドット
２０ シェル
２２ 不導体層
２ 発光素子
４ アノード
６ 正孔輸送層
７ ｎ型半導体層
８ 発光層
１０ 電子輸送層
１２ カソード
１６ 量子ドット
２０ シェル
２２ 不導体層
Claims (15)
- アノードと、ｐ型半導体層である正孔輸送層と、１３族元素を含むｎ型半導体層と、量子ドットを含む発光層と、電子輸送層と、カソードとを、この順に備えた発光素子。
- 前記ｎ型半導体層が、II－IＶ族型半導体材料である第１半導体材料を含む請求項１に記載の発光素子。
- 前記量子ドットが、コア／シェル構造を有し、前記量子ドットのシェルが、II－IＶ族型半導体材料である第２半導体材料を含む請求項２に記載の発光素子。
- 前記第１半導体材料が、前記第２半導体材料と同一、あるいは、前記第２半導体材料に含まれるII族元素よりも、周期表において下位の周期に属するII族元素を有する、II－IＶ族型半導体材料である請求項３に記載の発光素子。
- 前記ｎ型半導体が、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎから選択される少なくとも１種の１３族元素を含む請求項１から４の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記ｎ型半導体における前記１３族元素の濃度が、１０１６ｃｍ－３～１０２２ｃｍ－３である請求項１から５の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記ｎ型半導体の膜厚が、１ｎｍ以上５ｎｍ以下である請求項１から６の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記ｎ型半導体と前記発光層との間に、不導体を含む不導体層をさらに備えた請求項１から７の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記ｎ型半導体と前記正孔輸送層との間に、不導体を含む不導体層をさらに備えた請求項１から７の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記不導体層の膜厚が、１ｎｍ以上５ｎｍ以下である請求項８または９に記載の発光素子。
- 前記不導体が、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、およびＣｒ２Ｏ３から構成された群の内、少なくとも１種を含む請求項８から１０の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記正孔輸送層が、IIＡ族の酸化物、ＶIＢ族の酸化物、ＶIIIＢ族の酸化物のいずれかを含む請求項１から１１の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記正孔輸送層が、ＭｇＯ、Ｃｒ２Ｏ３、または、ＮｉＯの内、少なくとも何れかを含む請求項１から１２の何れか１項に記載の発光素子。
- 前記正孔輸送層におけるキャリアの濃度が、１０１６ｃｍ－３～１０２２ｃｍ－３である請求項１から１３の何れか１項に記載の発光素子。
- 請求項１から１４の何れか１項に記載の発光素子を備えた発光デバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/311,861 US20220020898A1 (en) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | Light-emitting element and light-emitting device |
| CN201880100165.2A CN113196880A (zh) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | 发光元件、发光设备 |
| PCT/JP2018/045361 WO2020121381A1 (ja) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | 発光素子、発光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/045361 WO2020121381A1 (ja) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | 発光素子、発光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020121381A1 true WO2020121381A1 (ja) | 2020-06-18 |
Family
ID=71076832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/045361 WO2020121381A1 (ja) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | 発光素子、発光デバイス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220020898A1 (ja) |
| CN (1) | CN113196880A (ja) |
| WO (1) | WO2020121381A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116632134B (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-10 | 江西乾照光电有限公司 | 一种电子阻挡层及其制备方法、外延片及发光二极管 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110080090A1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-04-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
| JP2012023388A (ja) * | 2005-02-16 | 2012-02-02 | Massachusetts Inst Of Technol <Mit> | 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス |
| US20130015424A1 (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optoelectronic devices |
| JP2016058172A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 一般財団法人電力中央研究所 | 発光素子および電子機器 |
| CN106450018A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-02-22 | Tcl集团股份有限公司 | Qled及其制备方法 |
| US20170271605A1 (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays |
| US20180331312A1 (en) * | 2015-11-04 | 2018-11-15 | Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. | Electroluminescent device, preparation method thereof, and ink formulation |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070001581A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Stasiak James W | Nanostructure based light emitting devices and associated methods |
| JP2010225563A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| KR101924080B1 (ko) * | 2009-11-11 | 2018-11-30 | 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 | 양자점을 포함하는 디바이스 |
| KR20130065320A (ko) * | 2011-12-09 | 2013-06-19 | 삼성전자주식회사 | 이종의 양자점층을 구비하는 양자점 소자 |
| WO2014088667A2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-06-12 | Qd Vision, Inc. | Light emitting device including tandem structure |
| JP6123438B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2017-05-10 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 |
| CN104638138A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-20 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
| KR101772437B1 (ko) * | 2014-12-03 | 2017-08-30 | 경희대학교 산학협력단 | 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR20160081388A (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전자장치 |
| KR102415248B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2022-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 및 이를 이용한 발광 소자 |
| CN105552184A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-04 | Tcl集团股份有限公司 | 一种全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN105470387A (zh) * | 2016-01-25 | 2016-04-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置 |
| US10700236B2 (en) * | 2016-03-17 | 2020-06-30 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot LED displays |
| KR102374223B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2022-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다중 발광 양자점과 이를 포함하는 양자점 필름, 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 표시장치 |
| KR102355917B1 (ko) * | 2017-10-26 | 2022-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 및 전계발광 표시장치 |
| KR102593358B1 (ko) * | 2018-08-14 | 2023-10-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
| KR20200049980A (ko) * | 2018-10-30 | 2020-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자점 필름, 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 표시장치 |
-
2018
- 2018-12-10 US US17/311,861 patent/US20220020898A1/en active Pending
- 2018-12-10 WO PCT/JP2018/045361 patent/WO2020121381A1/ja active Application Filing
- 2018-12-10 CN CN201880100165.2A patent/CN113196880A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023388A (ja) * | 2005-02-16 | 2012-02-02 | Massachusetts Inst Of Technol <Mit> | 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス |
| US20110080090A1 (en) * | 2009-05-07 | 2011-04-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
| US20130015424A1 (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optoelectronic devices |
| JP2016058172A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | 一般財団法人電力中央研究所 | 発光素子および電子機器 |
| US20180331312A1 (en) * | 2015-11-04 | 2018-11-15 | Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. | Electroluminescent device, preparation method thereof, and ink formulation |
| US20170271605A1 (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Apple Inc. | Quantum dot spacing for high efficiency quantum dot led displays |
| CN106450018A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-02-22 | Tcl集团股份有限公司 | Qled及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220020898A1 (en) | 2022-01-20 |
| CN113196880A (zh) | 2021-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10147844B2 (en) | Quantum dot and light emitting diode including the same | |
| CN109148704B (zh) | 量子点电致发光器件及其制备方法 | |
| US11342524B2 (en) | Light emitting element, light emitting device, and apparatus for producing light emitting element | |
| KR20130000218A (ko) | 자성체 물질을 함유한 전극 및 상기 전극을 갖는 유기발광소자 | |
| US20170271552A1 (en) | Light emitting element and display device including the same | |
| CN103489973A (zh) | 半导体发光结构 | |
| WO2020134147A1 (zh) | 一种量子点发光二极管 | |
| KR101973207B1 (ko) | 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자 | |
| CN106856205B (zh) | 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置 | |
| WO2020134161A1 (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| WO2020121381A1 (ja) | 発光素子、発光デバイス | |
| WO2020245924A1 (ja) | 発光素子、発光デバイス | |
| CN209912898U (zh) | 量子点发光二极管 | |
| US20210351320A1 (en) | Light-Emitting Element | |
| WO2021084598A1 (ja) | 発光素子 | |
| US20230329078A1 (en) | Method for manufacturing display device, and display device | |
| JP7316385B2 (ja) | 発光素子、発光デバイス | |
| US20220310962A1 (en) | Light-emitting element and display device | |
| KR20140083190A (ko) | 그래핀 산화물을 이용한 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN110544746B (zh) | 发光二极管及其制备方法 | |
| CN112349853A (zh) | 电致发光器件及其制备方法和显示装置 | |
| US20220149309A1 (en) | Light-emitting element and light-emitting device | |
| WO2022137475A1 (ja) | 発光素子 | |
| US20240057369A1 (en) | Light-emitting element | |
| CN114695721A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 18942913 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 18942913 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |