KR20130065320A - 이종의 양자점층을 구비하는 양자점 소자 - Google Patents

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KR20130065320A
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김태호
정대영
조경상
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Abstract

양자점 소자가 개시된다. 개시된 양자점 소자는 캐소드층; 애노드층; 상기 캐소드층과 애노드층 사이에 마련되고, 양자점층으로 이루어진 활성층; 상기 활성층에 인접하여 배치된 것으로, 상기 활성층을 이루는 양자점층과 다른 에너지 준위를 형성하는 이종 양자점층으로 이루어진 전자 이동 제어층;을 포함한다.

Description

이종의 양자점층을 구비하는 양자점 소자{Quantum dot device having different kinds of quantum dot layers}
본 개시는 이종의 양자점층을 구비하는 양자점 소자에 관한 것이다.
최근 양자점(quantum dot: QD)을 이용한 다양한 전자 소자에 대한 관심이 높아지고 있다.
양자점은 대략 10nm 이하의 직경을 갖는 반도체 물질의 나노 결정으로 양자 가둠(quantum confinement) 효과를 나타내는 물질이다. 양자점은 수십만개 이상의 전자로 이루어져 있지만, 대부분의 전자들은 원자핵에 견고하게 속박되어 있어 속박되지 않은 자유 전자의 수는 1 내지 100개 정도로 제한된다. 이 경우, 전자들이 가지는 에너지 준위가 불연속적으로 제한되어 연속적인 밴드를 형성하는 벌크(bulk) 상태의 반도체와는 다른 전기적 및 광학적 특성을 나타낸다. 양자점은 그 크기에 따라 에너지 준위가 달라지기 때문에 단순히 크기를 바꾸어 줌으로써 밴드갭을 조절할 수 있으며, 예를 들어, 발광 소자로 적용되는 경우, 크기 조절로 발광 파장을 조절할 수 있다.
양자점은 이러한 성질에 따라 발광소자, 태양전지, 트랜지스터, 디스플레이 소자 등에 다양하게 적용될 수 있다.
본 개시는 전자 이동의 제어가 가능하고 효율이 높은 양자점 소자를 제공하고자 한다.
일 유형에 따르는 양자점 소자는 캐소드층; 애노드층; 상기 캐소드층과 애노드층 사이에 마련되고, 양자점층으로 이루어진 활성층; 상기 활성층에 인접하여 배치된 것으로, 상기 활성층을 이루는 양자점층과 다른 에너지 준위를 형성하는 이종 양자점층으로 이루어진 전자 이동 제어층;을 포함한다.
상기 전자 이동 제어층을 이루는 양자점들의 크기는 상기 활성층을 이루는 양자점들의 크기와 다르게 형성될 수 있다.
또는, 상기 전자 이동 제어층은 상기 활성층과 다른 재질로 이루어질 수 있다.
상기 전자 이동 제어층은 상기 활성층과 상기 캐소드층 사이에 배치될 수 있으며, 또는, 상기 활성층과 상기 애노드층 사이에 배치될 수 있고, 또는, 상기 활성층 내부에 임베드 될 수 있다.
상기 전자 이동 제어층은 단층 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 이동 제어층은 복수층 구조를 가질 수 있으며, 이 경우, 상기 복수층은 서로 인접 배치되거나, 또는, 상기 활성층을 사이에 두고 이격 배치될 수 있고, 또는, 상기 복수층 중 적어도 어느 한 층은 상기 활성층 내에 임베드될 수 있다.
상기 전자 이동 제어층을 이루는 상기 이종 양자점층은 상기 활성층과 다른 에너지 준위를 형성하는 제1 이종 양자점층; 상기 활성층 및 상기 제1 이종 양자점층과 다른 에너지 준위를 형성하는 제2 이종 양자점층;을 포함할 수 있다.
상기 제1 이종 양자점층을 이루는 양자점들의 크기 또는 상기 제2 이종 양자점층을 이루는 양자점들의 크기는 상기 활성층을 이루는 양자점들의 크기와 다를 수 있다.
상기 제1 이종 양자점층 또는 상기 제2 이종 양자점층은 상기 활성층과 다른 재질로 이루어질 수 있다.
상기 제1 이종 양자점층과 상기 제2 이종 양자점층은 서로 인접 배치될 수 있고, 또는, 상기 활성층을 사이에 두고 이격 배치될 수 있으며, 또는, 상기 제1 이종 양자점층과 상기 제2 이종 양자점층 중 적어도 어느 한 층이 상기 활성층 내에 임베드될 수 있다.
상기 캐소드층과 상기 활성층 사이에 전자 수송층이 더 마련되고, 상기 애노드층과 상기 활성층 사이에 정공 수송층이 더 마련될 수 있다.
또한, 상기 캐소드층과 상기 전자 수송층 사이에 전자 주입층이 더 마련되고, 상기 애노드층과 상기 정공 수송층 사이에 정공 주입층이 더 마련될 수 있다.
상술한 양자점 소자는 활성층을 이루는 양자점 층과 에너지 준위가 다른 이종의 양자점 층을 도입하여, 전자의 이동도 등 전기적 특성이 조절되고 있으며, 높은 효율을 갖는다.
또한, 상기 이종의 양자점 층을 이루는 양자점의 재질, 크기, 배치등을 조절함에 따라 전자 이동 속도나 소자 내의 전자 분포등을 제어할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 양자점 소자의 개략적인 구조를 보인 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 양자점 소자의 개략적인 구조를 보인 단면도이다.
도 3은 또 다른 실시예에 따른 양자점 소자의 개략적인 구조를 보인 단면도이다.
도 4a는 전산모사에 사용된 예의 양자점층 구조를 보이며, 도 4b는 도 4a의 양자점층에서 일부 층의 양자점 크기를 변화시키며 전류 밀도 변화를 전산 모사한 그래프이다.
도 5 내지 도 13은 다양한 실시예들에 따른 양자점 소자의 개략적인 구조를 보인 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 양자점 소자(1)의 개략적인 구조를 보인 단면도이다.
도면을 참조하면, 양자점 소자(1)는 양자점을 활성층(150)에 도입한 구조의 발광 소자로서, 양자점층으로 이루어진 활성층(150)과 활성층(150)에 전자, 정공 주입을 위한 전압이 인가되는 캐소드층(190)과 애노드층(110)을 포함한다. 또한, 양자점 소자(1)는 활성층(150)에 인접하여 배치된 전자 이동 제어층(130)을 더 포함한다. 전자 이동 제어층(130)은 양자점 소자(1) 내의 전자 이동 속도나 전자 분포 등을 조절, 제어하기 위해 마련되는 것으로, 활성층(150)을 이루는 양자점층과 다른 에너지 준위를 형성하는 이종의 양자점층으로 이루어질 수 있다.
보다 구체적인 구성과 재질을 알아보면 다음과 같다.
활성층(150)을 이루는 양자점은 Si계 나노결정, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함할 수 있다. II-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. III-V족계 화합물 반도체 나노결정은 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나일 수 있다. IV-VI족계 화합물 반도체 나노결정은 SbTe일 수 있다.
활성층(150)을 이루는 양자점들은 유기용매 혹은 고분자 수지과 같은 분산매질(미도시)에 자연스럽게 배위된 형태로 분산된 상태로 밀봉부재(미도시)에 봉입된 형태로 배치될 수 있다. 이러한 분산매질로는 양자점들의 발광 파장 대역에 영향을 미치지 않으면서 광에 의해 변질되거나 광을 반사시키지 않으며, 광흡수를 일으키지 않도록 하는 투명한 매질이라면 어느 것이든 사용할 수 있다. 예를 들어, 유기용매는 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform), 및 에탄올(ethanol) 중 적어도 한가지를 포함할 수 있으며, 고분자 수지는 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 폴리스틸렌(polysthylene), 및 아크릴레이트(acrylate) 중 적어도 한가지를 포함할 수 있다. 분산 매질로 고분자 수지가 사용되는 경우는, 양자점이 분산된 고분자 수지가 밀봉부재에 주입된 이후 경화시킬 수 있다.
양자점층으로 이루어진 활성층(150)의 발광은 전도대에서 가전자대로 들뜬 상태의 전자가 전이하면서 발생되는데 동일한 물질의 경우에도 입자 크기에 따라 파장이 달라지는 특성을 나타낸다. 양자점의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 발광하기 양자점의 크기를 조절하여 원하는 파장 영역의 빛을 얻을 수 있다. 양자점의 크기는 나노결정의 성장조건을 적절하게 변경함으로써 조절 가능하다.
전자 이동 제어층(130)은 활성층(150)을 이루는 양자점층의 에너지 준위와 다른 에너지 준위를 형성하도록 다른 종류의 양자점층으로 이루어진다. 전자 이동 제어층(130)의 활성층(150)과의 에너지 준위 차이는 예를 들어, 활성층(150)의 발광 파장 대역이 유지되는 범위 내에서, 양자점 소자(1)내의 전자 이동도 성질을 조절할 수 있는 정도로 정할 수 있다. 전자 이동 제어층(130)을 이루는 양자점들의 크기는 활성층(150)을 이루는 양자점들의 크기와 다른 크기를 갖는 양자점들로 이루어질 수 있고, 또는, 활성층(150)을 이루는 양자점들과 다른 재질로 이루어질 수 있다.
캐소드층(190), 애노드층(110)은 전극 소재로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 투명 전극 소재로서, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어질 수 있다. 또는, 활성층(150)에서 생성된 광을 일 방향, 예를 들어, 양자점 소자(1)의 위 또는 아래로만 방출시키기 위해 캐소드층(190), 애노드층(110) 중 어느 하나를 반사 금속 재질로 형성할 수도 있다. 반사 금속 재질로는 예를 들어, Al, Cu 등이 사용될 수 있다.
도면에서는 전자 이동 제어층(130)이 활성층(150)과 애노드층(110) 사이에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이고 이에 한정되지는 않는다.
도 2는 다른 실시예에 따른 양자점 소자(2)의 개략적인 구조를 보인 단면도이다.
본 실시예는 전자 이동 제어층(130)이 캐소드층(110)과 활성층(150) 사이에 배치된 점에서 도 1의 양자점 소자(1)와 차이가 있다.
도 3은 또 다른 실시예에 따른 양자점 소자(3)의 개략적인 구조를 보인 단면도이다.
본 실시예는 전자 이동 제어층(130)이 활성층(150) 내에 임베드된 점에서 도 1의 양자점 소자(1)와 차이가 있다.
상술한 실시예들은 기존의 양자점을 이용한 디바이스에서 전자와 정공의 이동도를 제어하고 향상시키기 위해 반도체 폴리머, 유기 고분자, 세라믹 등의 물질을 사용하는 것과 달리, 활성층(150)과는 다른 에너지 준위를 갖는 양자점을 이용하고 있다. 양자점의 크기나 양자점을 이루는 물질의 조절은 비교적 용이하게 행해질 수 있기 때문에, 다양한 범위에서 전자 이동도의 제어가 가능하며, 이에 따라 양자점 소자의 효율 향상이 가능하다.
도 4a는 전산모사에 사용된 예의 양자점층 구조를 보이며, 도 4b는 도 4a의 양자점층에서 일부 층의 양자점 크기를 변화시키며 전류 밀도 변화를 전산 모사한 그래프이다.
도 4a는 7층 구조의 양자점층으로 전산 모사의 편의상 각 층에는 하나의 양자점이 존재하는 것으로 가정한 것이다. 도 4b의 그래프는 도 4a에 표시된 양자점(0~6)들 중 어느 하나의 크기를 소정 범위내에서 변화시키며 전류 밀도를 전산 모사한 것으로, 양자점의 크기를 변화시킬 층의 선택이나, 크기의 변화 정도에 따라 전류 밀도를 최대 85% 까지 증가시킬 수 있음을 확인하고 있다. 이를 참고할 때, 활성층에 인접하여 배치되는 전자 이동 제어층의 위치, 층수, 크기의 변화 정도에 따라 양자점 소자의 전자 이동 특성을 다양하게 조절할 수 있을 것으로 예상된다.
또한, 발명자는 도 1과 같은 구조, 즉, 활성층(150)과 애노드층(110) 사이에 전자 이동 제어층(130)이 구비된 구조에서 전자 이동 제어층(130)을 이루는 양자점 구성 여하에 따라 전자이동도가 변하는 것을 실험적으로 확인하였다. 구체적으로, 활성층(150)이 110nm 두께의 녹색 발광 양자점으로 구성되고, 전자 이동 제어층(130)이 활성층(150)을 이루는 양자점과 같은 크기, 재질의 단층 양자점으로 구성된 경우, 전자이동도가 1.53 × 10-4 cm2/Vs 로 측정된 것에 비해, 전자 이동 제어층(130)이 활성층(150)을 이루는 양자점보다 크기가 큰 단층의 적색 발광 양자점으로 구성된 경우, 전자이동도가 약 두 배 정도로 증가된 3.0 × 10-4 cm2/Vs로 측정되었다. 즉, 전자 이동 제어층(130)의 구성 여하에 따라 전자이동도를 향상시킬 수 있음이 실험적으로 확인되었다.
이하, 도 5 내지 도 13을 참조하여 다양한 실시예들에 따른 양자점 소자의 구성을 살펴보기로 한다.
도 5의 양자점 소자(4)는 전자 이동 제어층(132)이 두 층의 양자점층으로 이루어져 있다. 전자 이동 제어층(132)은 애노드층(110)과 활성층(150) 사이에 배치되어 있다. 전자 이동 제어층(132)을 이루는 양자점층은 활성층(150)을 이루는 양자점들보다 크기가 큰 양자점들로 이루어진 것으로 도시되어 있으나 이는 예시적인 것이며, 이보다 작은 크기의 양자점들로 이루어질 수도 있다. 또는, 활성층(150)을 이루는 양자점들과 다른 재질로, 동일한 크기의 양자점들로 이루어지는 것도 가능하다.
도 6의 양자점 소자(5)는 전자 이동 제어층(132)이 활성층(150)과 캐소드층(190) 사이에 배치된 점에서 도 5의 양자점 소자(4)와 차이가 있다.
도 7의 양자점 소자(6)는 전자 이동 제어층(132)이 활성층(150) 내부에 임베드된 구조이며, 도 8의 양자점 소자(7)는 전자 이동 제어층(132)을 이루는 양자점층 중 한 층이 활성층(150) 내부에 임베드되어 잇다.
도 9의 양자점 소자(8)는 전자 이동 제어층(140)이 활성층(150)과 다른 에너지 준위를 형성하는 제1 이종 양자점층(141)과, 활성층(150) 및 제1 이종 양자점층(141)과 다른 에너지 준위를 형성하는 제2 이종 양자점층(142)으로 이루어져 있다.
제1 이종양자점층(141)을 이루는 양자점들의 크기는 활성층(150)을 이루는 양자점들과 다르며, 도면에서는 제1 이종양자점층(141)을 이루는 양자점들의 크기가 활성층(150)을 이루는 양자점들보다 크게 도시되어 있으나, 이보다 작을 수도 있다. 또한, 제2 이종양자점층(142)을 이루는 양자점은 제1 이종양자점층(141)을 이루는 양자점과 다른 재질로 이루어질 수 있으며, 도시된 바와 같이, 제1 이종양자점층(141)을 이루는 양자점과 같은 크기를 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 제2 이종양자점층(142)은 제1 이종양자점층(141)과 같은 재질, 다른 크기를 가질 수 있고, 또는 다른 재질, 다른 크기로 형성될 수도 있다.
제1 이종 양자점층(141)과 제2 이종 양자점층(142)은 서로 인접 배치되고, 도시된 바와 같이 애노드층(110) 위에 배치될 수 있다.
도 10의 양자점 소자(9)는 전자 이동 제어층(140)이 활성층(150)과 캐소드층(190) 사이에 배치된 점에서 도 9의 양자점 소자(8)와 차이가 있다.
도 11의 양자점 소자(10)는 전자 이동 제어층(140)을 이루는 양자점 층 중 어느 한 층이 활성층(150) 내에 임베드된 점에서 도 10의 양자점 소자(9)와 차이가 있다. 제2 이종양자점층(142)이 활성층(150) 내부에 임베드되고, 제1 이종양자점층(141)이 캐소드층(190)과 활성층(150) 사이에 배치되어 있다. 제1 이종양자점층(141)은 애노드층(110)과 활성층(150) 사이에 배치될 수도 있다.
도 12의 양자점 소자(11)는 캐소드층(190)과 활성층(150) 사이에 전자 수송층(188)이 더 마련되고, 애노드층(110)과 활성층(150) 사이에 정공 수송층이 더 마련된 점에서 도 1의 양자점 소자(1)와 차이가 있다.
전자수송층(electron transport layer)(188)은 활성층(150)에 전자를 전달할 수 있는 다양한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, TiO2, ZrO2, HfO2 등의 금속 산화물들 또는 Si3N4을 포함하는 무기물이 사용될 수 있다. 또는, n형 반도체 재질, 예를 들어, n-AlxGayInzN (x+y+z=1) 등이 사용될 수 있다. 전자수송층(188)은 단층으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이고, 다층막 구성을 가질 수도 있다.
정공수송층(hole transport layer)(128)은 활성층(150)에 정공을 전달할 수 있는 다양한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, PEDOT, PSS, PPV, PVK 등의 전도성 고분자 재질이 사용될 수 있으며, 또는, p형 반도체 재질, 예를 들어, p-AlxGayInzN (x+y+z=1)이 사용될 수 있다. 정공수송층(128)은 단층으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 다층막 구성일 수도 있다.
본 실시예는 도 1의 양자점 소자(1)에 추가적으로 전자수송층(188), 정공수송층(128)이 더 구비된 것을 예시하였으나, 도 2, 도 3 도 5 내지 도 11의 양자점 소자(2~10)에 전자수송층(188), 정공수송층(128)이 더 구비되는 구조도 가능하다.
도 13의 양자점 소자(12)는 캐소드층(190)과 상기 전자수송층(188) 사이에 전자주입층(electron injection layer)(183)이 더 마련되고, 애노드층(190)과 상기 정공수송층(128) 사이에 정공주입층(hole injection layer)(123)이 더 마련된 점에서 도 12의 양자점 소자(11)와 차이가 있다. 도시된 양자점 소자(12)는 도 1의 양자점 소자(1)의 전자 이동 제어층(130)의 구조를 채용한 것으로 예시하고 있으나, 도 2, 3, 5 내지 11의 양자점 소자(2~10)의 전자 이동 제어층 구조가 채용될 수 있다.
상술한 실시예들은 활성층의 양자점과 다른 에너지 준위를 갖도록 형성된 양자점들로 이루어진 전자 이동 제어층이 발광소자로 적용된 양자점 소자에 채용된 것을 예시하였으나, 기타, 이러한 전자 이동 제어층은 양자점을 이용한 태양전지, 트랜지스터, 디스플레이 소자 등에 다양하게 채용될 수 있다.
이러한 본원 발명인 양자점 소자는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12...양자점 소자
110...애노드층 123...정공주입층
128...정공수송층 130, 132, 140 ...전자 이동 제어층
150...활성층 188...전자수송층
183...전자주입층 190...캐소드층

Claims (19)

  1. 캐소드층;
    애노드층;
    상기 캐소드층과 애노드층 사이에 마련되고, 양자점층으로 이루어진 활성층;
    상기 활성층에 인접하여 배치된 것으로, 상기 활성층을 이루는 양자점층과 다른 에너지 준위를 형성하는 이종 양자점층으로 이루어진 전자 이동 제어층;을 포함하는 양자점 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층을 이루는 양자점들의 크기는 상기 활성층을 이루는 양자점들의 크기와 다른 양자점 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층은 상기 활성층과 다른 재질로 이루어진 양자점 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층은
    상기 활성층과 캐소드층 사이에 배치된 양자점 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층은
    상기 활성층과 애노드층 사이에 배치된 양자점 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층은
    상기 활성층 내부에 임베드된 양자점 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층은 단층 구조를 갖는 양자점 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층은 복수층 구조를 갖는 양자점 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 복수층은 서로 인접 배치된 양자점 소자.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 복수층은 상기 활성층을 사이에 두고 이격 배치된 양자점 소자.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 복수층 중 적어도 어느 한 층은 상기 활성층 내에 임베드된 양자점 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 전자 이동 제어층을 이루는 상기 이종 양자점층은
    상기 활성층과 다른 에너지 준위를 형성하는 제1 이종 양자점층;
    상기 활성층 및 상기 제1 이종 양자점층과 다른 에너지 준위를 형성하는 제2 이종 양자점층;을 포함하는 양자점 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 이종 양자점층을 이루는 양자점들의 크기 또는 상기 제2 이종 양자점층을 이루는 양자점들의 크기는 상기 활성층을 이루는 양자점들의 크기와 다른 양자점 소자.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 이종 양자점층 또는 상기 제2 이종 양자점층은 상기 활성층과 다른 재질로 이루어진 양자점 소자.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 이종 양자점층과 상기 제2 이종 양자점층은 서로 인접 배치된 양자점 소자.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 이종 양자점층과 상기 제2 이종 양자점층은 상기 활성층을 사이에 두고 이격 배치된 양자점 소자.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 제1 이종 양자점층과 상기 제2 이종 양자점층 중 적어도 어느 한 층이 상기 활성층 내에 임베드된 양자점 소자.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐소드층과 상기 활성층 사이에 전자 수송층이 더 마련되고,
    상기 애노드층과 상기 활성층 사이에 정공 수송층이 더 마련된 양자점 소자.
  19. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐소드층과 상기 전자 수송층 사이에 전자 주입층이 더 마련되고,
    상기 애노드층과 상기 정공 수송층 사이에 정공 주입층이 더 마련된 양자점 소자.
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