TW202044608A - 包含電洞傳遞層之量子點發光二極體 - Google Patents

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Abstract

本發明大體上提供與量子點發光二極體相關之製品及方法。量子點發光二極體可包含第一電極、安置於該第一電極上之電洞注入層、安置於該電洞注入層上之包含ZnS的電洞傳遞層、安置於該電洞傳遞層上之量子點發光層及安置於該量子點發光層上之第二電極。方法可包含組裝包含ZnS之電洞傳遞層與電洞注入層、量子點發光層、第一電極及第二電極。

Description

包含電洞傳遞層之量子點發光二極體
本揭示係關於電洞傳遞層，且更特定言之包含硫化鋅之電洞傳遞層。
此章節中之陳述僅提供與本揭示相關之背景技術資訊且未必描述先前技術。
量子點發光二極體能夠在施加電壓於其上後產生光。通常，量子點發出光且包夾於電子傳遞層與電洞傳遞層之間。所施加電壓可使得電子及電洞流入量子點層中，在量子點層可捕獲電子及電洞並將其重組生成光子。當前用於此等裝置中之電洞傳遞層有缺陷，諸如將電洞傳導至比常用電子傳遞層更低之水平。此可不合需要地導致電荷在量子點上積聚，引起非輻射及歐傑復合(Auger recombination)過程。因此，需要經改良之電洞傳遞層。
大體上描述電洞傳遞層、相關組件及相關方法。
在一些實施例中，提供量子點發光二極體。量子點發光二極體包含第一電極、安置於該第一電極上之電洞注入層、安置於該電洞注入層上之包含ZnS的電洞傳遞層、安置於該電洞傳遞層上之量子點發光層及安置於該量子點發光層上之第二電極。
在一些實施例中，提供一種製造量子點發光二極體之方法。該方法包含組裝包含ZnS之電洞傳遞層與電洞注入層、量子點發光層、第一電極及第二電極。
自當結合隨附圖式考慮時本發明之各種非限制性實施例之以下詳細描述，本發明之其他優勢及新穎特徵將變得顯而易見。在本說明書及以引用的方式併入之文獻包括衝突及/或不一致的揭示內容之情況下，應以本說明書為準。若兩個或多於兩個以引用的方式併入之文獻相對於彼此包括衝突及/或不一致的揭示內容，則應以具有更遲有效日期之文獻為準。
本揭示大體上係關於量子點發光二極體之電洞傳遞層及相關製品及方法。電洞傳遞層可經組態以使得在其一側(諸如與量子點層發光層相對側)上所提供之電洞通過其轉移至諸如量子點發光層及/或量子點發光層中之至少一部分量子點。當本文所描述之一些電洞傳遞層安置於量子點發光二極體中時，其有利地提高量子點發光二極體之效能。舉例而言，本文所描述之一些電洞傳遞層可提供相比於其他電洞傳遞層增強的電荷傳遞，其可有利地引起相比於其他量子點發光二極體電荷傳遞至量子點層之不平衡減小及/或可引起平衡電荷傳遞至量子點層。平衡電荷傳遞可合乎需要地減少量子點充電並減少非輻射歐傑復合過程，其可提昇量子點發光二極體之電致發光有效性。
當用於量子點發光二極體中時，本文所描述之電洞傳遞層可促進平衡電荷傳遞，因為其具有帶有有利能量之最高佔用分子軌域(HOMO)。電洞傳遞層之HOMO之能量可接近及/或高於發光層中量子點之價帶的能量，促進電洞自電洞傳遞層轉移至量子點(例如其可大於或等於4.7 eV)。在一些實施例中，電洞傳遞層可具有相對高之電洞遷移率(例如超過0.001 cm2 /(V*s))，促進通過其之電洞傳遞。電洞傳遞層可包含諸如ZnS之材料，該材料本身具有相對高的電洞遷移率及/或帶有一定能量之HOMO，該能量接近量子點發光層中量子點之價帶的能量。在一些實施例中，電洞傳遞層摻雜有一種類型之摻雜物及/或具有一定量的進一步提高電洞傳遞層之電洞遷移率及/或使得電洞傳遞層之HOMO之能量接近量子點發光層之價帶的能量之摻雜物。
本文所描述之量子點發光二極體可適合用於廣泛多種應用中，諸如平板TV螢幕、數位攝影機、行動電話、AR/VR顯示器、Li-Fi通訊、採光及手持型比賽主控台。
圖1為根據一個實施例之量子點發光二極體的示意圖。圖1中，量子點發光二極體包含基板10、安置於基板上之陽極20、安置於陽極上之電洞注入層30、安置於電洞注入層上之電洞傳遞層40、安置於電洞傳遞層上之量子點發光層50、安置於量子點發光層上之電子傳遞層60及安置於電子傳遞層上之陰極70。如本文所用，當層被稱為「安置於另一層上」時，其可直接安置於層上或亦可存在中間層。「直接安置於另一層上」之層意謂不存在中間層。因此，應理解一些量子點發光二極體可包括圖1中未展示及/或圖1中所展示之安置於兩層之間的其他層。藉助於實例，在一些實施例中，量子點發光二極體包含兩個電洞注入層及/或兩個電洞傳遞層。在例如量子點發光二極體包含兩個電洞注入層之情況下，可將第二電洞注入層安置於第一電洞注入層與電洞傳遞層之間。相似地，包含兩個電洞傳遞層之量子點發光二極體可包含安置於第一電洞傳遞層與量子點發光層之間的第二電洞傳遞層。
應理解，當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個同一類型之層(例如兩個或多於兩個電洞注入層、兩個或多於兩個電洞傳遞層)時，同一類型之兩層可為相同的或可以一或多種方式不同。舉例而言，量子點發光二極體可包含兩個或多於兩個同一類型之層，該等層在化學組成、摻雜水平、帶隙、形態、厚度方面及/或以另一方式不同。
當在兩個電極之間施加電壓時，陽極20可將電洞注入電洞注入層30。隨後可將電洞經由電洞傳遞層40傳遞。施加電壓亦可使得陰極70將電子注入電子傳遞層60，經由電子傳遞層可傳遞電子。所注入電洞及所注入電子可在量子點發光層50中(例如在其中之一或多個量子點處)組合以形成激子。激子可經重組以發光。
一些實施例係關於形成量子點發光二極體之方法，諸如圖1中所展示之量子點發光二極體、包含圖1中所展示之一或多個層的量子點發光二極體及/或包含圖1中未展示之其他層的量子點發光二極體。在一些實施例中，方法包含將一或多個層組裝在一起以形成量子點發光二極體。可藉由將一個層沈積於另一層上將該等層組裝在一起以形成量子點發光二極體。該等層可按圖1中所展示之次序沈積(亦即可將陽極沈積於基板上、可將電洞注入層沈積於陽極上、可將電洞傳遞層沈積於電洞注入層上、可將量子點發光層沈積於電洞傳遞層上、可將電子傳遞層沈積於量子點發光層上及可將陰極沈積於電子傳遞層上)，按相反次序沈積(亦即可將電子傳遞層沈積於陰極上、可將量子點發光層沈積於電子傳遞層上、可將電洞傳遞層沈積於量子點發光層上、可將電洞注入層沈積於電洞傳遞層上、可將陽極沈積於電洞注入層上及可將基板沈積於陽極上)，按圖1中所展示之次序或相反次序但省去形成其中所展示的層中之一者沈積及/或按另一適合次序沈積。可採用沈積之多種適合形式，諸如旋塗、真空沈積、列印、噴塗、捲塗、浸塗、衝壓及類似形式。
可採用多種適合基板。在一些實施例中，其可有利於基板具有光學透明度、包括一或多個光滑的表面、能夠易於處置及/或具有極好的防水性。在一些實施例中，基板包含玻璃及/或聚合物。適合聚合基板之非限制性實例包括聚對苯二甲酸伸乙酯基板及聚碳酸酯基板。
可採用多種適合陽極。在一些實施例中，陽極包含金屬及/或陶瓷。適合金屬之非限制性實例包括鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)及銥(Ir)。適合陶瓷之非限制性實例包括氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)。
在一些實施例中，電洞注入層包括聚合物及/或陶瓷。適合類型之聚合物之非限制性實例包括聚(3,4-伸乙二氧基噻吩):聚苯乙烯對磺酸鹽(PEDOT:PSS)衍生物、PVK、聚(甲基丙烯酸甲酯) (PMMA)及/或聚苯乙烯。適合陶瓷之非限制性實例包括氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、鹵鹽、檸檬酸鹽、亞硝酸鹽、磷酸鹽、硫氰酸鹽、碳酸氫鹽及硫化物鹽。適合氧化物之非限制性實例包括MoO3 、Al2 O3 、WO3 、V2 O5 、NiO、MgO、HfO2 、Ga2 O3 、Gd2 O3 、La2 O3 、SiO2 、ZrO2 、Y2 O3 、Ta2 O3 、TiO2 及BaO。適合氮化物之一個實例為Si3 N4 。適合碳化物之一個實例為SiC。適合硫化物之一個實例為ZnS。鹵鹽之適合陰離子之非限制性實例包括碘陰離子、溴陰離子、氯陰離子及氟陰離子。鹵鹽之適合陽離子之非限制性實例包括銅陽離子(例如鹵鹽可為CuI、CuBr、CuI及/或CuCl)、鹼金屬陽離子(例如鹵鹽可包含鋰陽離子及/或可包含LiF及/或LiCl)及鹼土金屬陽離子(例如鹵鹽可包含鎂陽離子及/或可包含MgF2 )。適合陶瓷之其他非限制性實例包括硫氰酸銅(I) (CuSCN)、氧化銅鎵(CuGaO2 )及氧化銅鋁(CuAlO2 )。當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個電洞注入層時，每個電洞注入層可獨立包含一或多個上文所描述之材料。
電洞傳遞層可包括多種陶瓷。在一些實施例中，電洞傳遞層包含視情況摻雜之半導體。舉例而言，電洞傳遞層可包含視情況摻雜之第II-VI族化合物，諸如經摻雜或未經摻雜之ZnS。在一些實施例中，ZnS摻雜有Mg、P、As或Sb中之一或多者。適合類型之經摻雜ZnS之非限制性實例包括Cu摻雜之ZnS (Cux Zn1-x S)、Ag摻雜之ZnS (Agx Zn1-x S)及Au摻雜之ZnS (Aux Zn1-x S)。適合類型之經摻雜ZnS之非限制性實例包括Cu摻雜之ZnS (Cux Zn1-x S)、Mg摻雜之ZnS (Mgx Zn1-x S)、Ag摻雜之ZnS (Agx Zn1-x S)及Au摻雜之ZnS (Aux Zn1-x S)。電洞傳遞層可包括聚合物及/或有機分子(例如以相對低之量，諸如低於20 wt%、低於10 wt%、低於5 wt%、低於2 wt%或低於1 wt%)，或可不含聚合物及/或不含有機分子。可包括於電洞傳遞層中之適合聚合物之非限制性實例包括聚[(9,9-二辛基茀基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-第二丁基苯基))二苯胺)] (TFB)、聚(9-乙烯基咔唑) (PVK)、聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺) (聚TPD)、聚-N-乙烯基咔唑、聚苯乙烯、聚對苯、聚甲基丙烯酸酯衍生物、聚(9,9-辛基茀)、聚(螺-茀)、參(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺(間MTDATA)、聚[2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-伸苯基伸乙烯基] (MEH-PPV)及聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-伸苯基伸乙烯基] (MDMO-PPV)。有機分子之非限制性實例包括TPD (N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基聯苯胺)及NPB (N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-聯二苯)-4,4'-二胺)。當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個電洞傳遞層時，每個電洞傳遞層可獨立包含上文所描述的材料中之一或多者。
當電洞傳遞層包含摻雜物時，其可包含多種適合量之摻雜物。在一些實施例中，電洞傳遞層包含經摻雜之ZnS，且摻雜物與Zn之莫耳比大於或等於0.01、大於或等於0.0125、大於或等於0.015、大於或等於0.02、大於或等於0.025、大於或等於0.03、大於或等於0.04、大於或等於0.05、大於或等於0.075、大於或等於0.1、大於或等於0.125、大於或等於0.15、大於或等於0.2、大於或等於0.25、大於或等於0.3或大於或等於0.4。在一些實施例中，電洞傳遞層包含經摻雜之ZnS，且摻雜物與Zn之莫耳比小於或等於0.5、小於或等於0.4、小於或等於0.3、小於或等於0.25、小於或等於0.2、小於或等於0.15、小於或等於0.125、小於或等於0.1、小於或等於0.075、小於或等於0.05、小於或等於0.04、小於或等於0.03、小於或等於0.025、小於或等於0.02、小於或等於0.015或小於或等於0.0125。上文提及之範圍的組合亦為可能的(例如大於或等於0.01且小於或等於0.5)。其他範圍亦為可能的。當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個電洞傳遞層時，每個電洞傳遞層可獨立包含在上文所描述之範圍中之一或多者中的一定量之摻雜物。
電洞傳遞層可具有多種適合形態。在一些實施例中，電洞傳遞層包含一或多種奈米粒子。此等奈米粒子可為結晶、非結晶、或部分結晶及部分非結晶。舉例而言，在一些實施例中，電洞傳遞層包含奈米晶體。當電洞傳遞層包含奈米粒子時，其可進一步包含一或多種圍繞及/或鈍化該等奈米粒子之配體。適合配體之非限制性實例包括油酸、1-十六烷硫醇、1-辛硫醇、1-十二硫醇、1-己硫醇、乙硫醇、丁硫醇、1-戊硫醇、1-丙硫醇、1,2-乙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇及1,10-癸二硫醇。當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個包含奈米粒子之電洞傳遞層時，每個電洞傳遞層可獨立包含上文所描述的配體中之一或多者。
當電洞傳遞層包含奈米粒子時，該等奈米粒子可具有多種適合直徑。在一些實施例中，電洞傳遞層包含平均直徑小於或等於200 nm、小於或等於150 nm、小於或等於100 nm、小於或等於75 nm、小於或等於50 nm、小於或等於25 nm、小於或等於10 nm、小於或等於5 nm或小於或等於2 nm之奈米粒子。電洞傳遞層可包含平均直徑大於或等於1 nm、大於或等於2 nm、大於或等於5 nm、大於或等於10 nm、大於或等於25 nm、大於或等於50 nm、大於或等於75 nm、大於或等於100 nm或大於或等於150 nm之奈米粒子。上文提及之範圍的組合亦為可能的(例如小於或等於200 nm且大於或等於1 nm)。其他範圍亦為可能的。奈米粒子之數目平均直徑可藉由電子顯微法測定。當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個包含奈米粒子之電洞傳遞層時，每個電洞傳遞層可獨立包含平均直徑在上文所描述的範圍中之一或多者中的奈米粒子。
在一些實施例中，合乎需要的是電洞傳遞層具有大於自量子點發光層發出之光的能量帶隙之帶隙。不希望受任何特定理論束縛，咸信此可防止吸收由量子點發光二極體藉由電洞傳遞層發出的光。
在一些實施例中，合乎需要的是電洞傳遞層相對薄。不希望受任何特定理論束縛，咸信較厚層相比於較薄層可展現增加之載體吸收損失。無載體吸收損失可能不合需要地使得由量子點發光層發出之光在電洞傳遞層中再吸收而非自量子點發光二極體發出。電洞傳遞層之厚度可為小於或等於1微米、小於或等於750 nm、小於或等於500 nm、小於或等於250 nm、小於或等於100 nm、小於或等於75 nm、小於或等於50 nm、小於或等於25 nm、小於或等於10 nm、小於或等於5 nm或小於或等於2 nm。在一些實施例中，電洞傳遞層之厚度為大於或等於1 nm、大於或等於2 nm、大於或等於5 nm、大於或等於10 nm、大於或等於25 nm、大於或等於50 nm、大於或等於75 nm、大於或等於100 nm、大於或等於250 nm、大於或等於500 nm或大於或等於750 nm。上文提及之範圍的組合亦為可能的(例如小於或等於1微米且大於或等於1 nm)。其他範圍亦為可能的。電洞傳遞層之厚度可藉由電子顯微法量測。當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個電洞傳遞層時，每個電洞傳遞層可獨立具有上文所描述的範圍中之一或多者之厚度。
電洞傳遞層可藉由多種適合方法製造。在一些實施例中，電洞傳遞層藉由包含奈米晶體之溶液合成之方法製造。可藉由例如旋塗、浸漬及/或噴塗至基板及/或量子點發光二極體之其他層上來將奈米晶體形成至層中。當量子點發光二極體包含兩個或多於兩個電洞傳遞層時，每個電洞傳遞層可獨立地由上文所描述的方法中之一或多者製造。
量子點發光層可包含多種適合類型之量子點。量子點可為奈米結晶，可為非結晶或可為部分結晶及部分非結晶。在一些實施例中，量子點發光層包含第II-VI族化合物半導體量子點，諸如第II-VI族化合物半導體奈米晶體量子點。適合第II-VI族化合物半導體奈米晶體量子點之非限制性實例包括包含CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、HgS、HgSe及/或HgTe之彼等在一些實施例中，量子點發光層包含第III-V族化合物半導體量子點，諸如第III-V族化合物半導體奈米晶體量子點。適合第III-V族化合物半導體奈米晶體量子點之非限制性實例包括包含GaN、InN、AlN、GaP、GaAs、InP、GaSb、InSb、InAs及/或其合金之彼等。適合第III-V族化合物半導體奈米晶體量子點之非限制性實例包括包含GaP、GaAs、InP及/或InAs之彼等。在一些實施例中，量子點發光層包含第IV-VI族化合物半導體量子點，諸如第IV-VI族化合物半導體奈米晶體量子點。適合第IV-VI族化合物半導體奈米晶體量子點之非限制性實例包括包含PbS、PbSe及/或PbTe之彼等。
量子點可具有均勻組成或可具有空間上變化之組成。舉例而言，在一些實施例中，量子點發光層包含核殼量子點(例如CdSe/ZnS核/殼、CdS/ZnSe核/殼、InP/ZnS核/殼及類似者)。核殼量子點可包含具有第一組成之核及具有第二不同組成的圍繞核之殼。在一些此等實施例中，形成核之材料具有相對較小帶隙(例如CdSe、CdS等)且形成殼之材料具有相對較大帶隙(例如ZnS、ZnSe等)。藉助於實例，核殼量子點可具有包含CdSe及/或CdS之核及包含ZnS及/或ZnSe之殼。適合核殼量子點之其他實例描述於US 9,887,318中，該案出於所有目的以全文引用之方式併入本文中。
本文所描述之量子點發光層中所採用的量子點可具有在數奈米至數百奈米範圍內之直徑。舉例而言，量子點發光層可包含平均直徑小於或等於200 nm、小於或等於150 nm、小於或等於100 nm、小於或等於75 nm、小於或等於50 nm、小於或等於25 nm、小於或等於10 nm、小於或等於5 nm或小於或等於2 nm之量子點。量子點發光層可包含平均直徑大於或等於1 nm、大於或等於2 nm、大於或等於5 nm、大於或等於10 nm、大於或等於25 nm、大於或等於50 nm、大於或等於75 nm、大於或等於100 nm或大於或等於150 nm之量子點。上文提及之範圍的組合亦為可能的(例如小於或等於200 nm且大於或等於1 nm)。其他範圍亦為可能的。量子點發光層中量子點之數目平均直徑可藉由電子顯微法測定。
本文所描述之量子點發光層中所採用的量子點可在多種適合波長下發光。舉例而言，量子點發光層可包含發出紫外光、可見光及/或紅外光之量子點。若光為可見光，則其可為多種適合顏色。藉助於實例，在一些實施例中，量子點發光層包含發出紅光、橙光、黃光、綠光、藍光、靛藍光或紫光之量子點。在一些實施例中，量子點發光層包含在大於或等於100 nm、大於或等於150 nm、大於或等於200 nm、大於或等於250 nm、大於或等於300 nm、大於或等於350 nm、大於或等於400 nm、大於或等於450 nm、大於或等於500 nm、大於或等於550 nm、大於或等於600 nm、大於或等於650 nm、大於或等於700 nm、大於或等於750 nm、大於或等於800 nm、大於或等於850 nm、大於或等於900 nm、大於或等於950 nm、大於或等於1微米、大於或等於1.5微米、大於或等於2微米、大於或等於2.5微米、大於或等於3微米、大於或等於3.5微米、大於或等於4微米或大於或等於4.5微米之波長下發光之量子點。在一些實施例中，量子點發光層包含在小於或等於5微米、小於或等於4.5微米、小於或等於4微米、小於或等於3.5微米、小於或等於3微米、小於或等於2.5微米、小於或等於2微米、小於或等於1.5微米、小於或等於1微米、小於或等於950 nm、小於或等於900 nm、小於或等於850 nm、小於或等於800 nm、小於或等於750 nm、小於或等於700 nm、小於或等於650 nm、小於或等於600 nm、小於或等於550 nm、小於或等於500 nm、小於或等於450 nm、小於或等於400 nm、小於或等於350 nm、小於或等於300 nm、小於或等於250 nm、小於或等於200 nm或小於或等於150 nm之波長下發光之量子點。上文提及之範圍之組合亦為可能的(例如大於或等於100 nm且小於或等於5微米)。其他範圍亦為可能的。由量子點發光層發出之波長可藉由使用UV-vis-IR光譜法測定。
本文所描述之電子傳輸層中可採用多種適合材料。在一些實施例中，電子傳遞層包含氧化物，諸如TiO2 、ZnO、SiO2 、Ga2 O3 、Al2 O3 、MgO、HfO2 、ZrO2 及/或Ta2 O3 。在一些實施例中，電子傳遞層包含氮化物，諸如Si3 N4 、GaN、AlN及/或TaN。在一些實施例中，電子傳遞層包含碳化物，諸如SiC。在一些實施例中，電子傳遞層包含半導體，諸如CdS、ZnSe及/或ZnS。
電子傳遞層可具有多種適合形態。在一些實施例中，電子傳遞層包含一或多種奈米粒子。此等奈米粒子可為結晶、非結晶、或部分結晶及部分非結晶。當電子傳遞層包含奈米粒子時，該等奈米粒子可具有多種適合直徑。在一些實施例中，電子傳遞層包含平均直徑小於或等於200 nm、小於或等於150 nm、小於或等於100 nm、小於或等於75 nm、小於或等於50 nm、小於或等於25 nm、小於或等於10 nm、小於或等於5 nm或小於或等於2 nm之奈米粒子。電子傳遞層可包含平均直徑大於或等於1 nm、大於或等於2 nm、大於或等於5 nm、大於或等於10 nm、大於或等於25 nm、大於或等於50 nm、大於或等於75 nm、大於或等於100 nm或大於或等於150 nm之奈米粒子。上文提及之範圍的組合亦為可能的(例如小於或等於200 nm且大於或等於1 nm)。其他範圍亦為可能的。奈米粒子之數目平均直徑可藉由電子顯微法測定。
本文所描述之陰極中可採用多種適合材料。在一些實施例中，其有利於陰極具有相對低的功函數，可有助於將電子注入電子傳遞層。陰極之功函數可為例如小於或等於4.8 eV、小於或等於4.6 eV、小於或等於4.4 eV、小於或等於4.2 eV、小於或等於3.9 eV、小於或等於3.7 eV、小於或等於3.5 eV、小於或等於3.2 eV、小於或等於3 eV、小於或等於2.8 eV、小於或等於2.6 eV、小於或等於2.4 eV、小於或等於2.2 eV、小於或等於2 eV或小於或等於1.8 eV。陰極之功函數可大於或等於1.5 eV、大於或等於1.8 eV、大於或等於2 eV、大於或等於2.2 eV、大於或等於2.4 eV、大於或等於2.6 eV、大於或等於2.8 eV、大於或等於3 eV、大於或等於3.2 eV、大於或等於3.5 eV、大於或等於3.7 eV、大於或等於3.9 eV、大於或等於4.2 eV、大於或等於4.4 eV或大於或等於4.6 eV。上文提及之範圍之組合亦為可能的(例如小於或等於4.8 eV且大於或等於1.5 eV，或小於或等於3.9 eV且大於或等於1.5 eV)。其他範圍亦為可能的。
在一些實施例中，陰極包含具有低功函數之金屬及/或金屬合金，諸如Ca、Cs、Ba、Al、Mg、Ag及/或其合金。在一些實施例中，陰極包含具有低功函數之氧化物，諸如ITO。陰極中可包括之材料類型之其他實例包括鹼金屬鹽、鹵鹽及鹼金屬鹵鹽(例如LiF)。陰極可包含兩種或多於兩種材料之組合，其中至少一種具有低功函數，諸如Ca與Al之組合、LiF與Ca之組合及/或LiF與Al之組合。
本文所描述之量子點發光二極體可包封於樹脂中。舉例而言，本文所描述之一些量子點發光二極體可包封於可UV固化樹脂中。在一些實施例中，樹脂包含不飽和羧酸(例如丙烯酸、甲基丙烯酸、苯甲酸、3-丁烯酸、巴豆酸)及/或促進經包封QD-LED之正向老化的另一適合物種。適合樹脂之非限制性實例包括美國專利第9,780,256號(出於所有目的將其以全文引用的方式併入本文中)中所描述的彼等樹脂。
在一些實施例中，本文所描述之一或多個層，諸如電子傳遞層、量子點發光層、電洞傳遞層或其他層，可藉由溶液塗佈方法沈積。適合溶液塗佈方法之非限制性實例包括溶膠-凝膠塗佈、旋塗、列印、鑄造、衝壓、浸塗、捲塗及/或噴塗。在一些實施例中，溶液塗佈方法可為所期望的，因為其可能比形成薄膜之其他方法成本更低及/或可在比形成薄膜之其他方法更低溫度下執行。溶液塗佈方法期間所採用的液體可為包含如上文所描述之前驅物材料及分散溶劑之分散液。分散溶劑可包含水性溶劑(諸如水)及/或有機溶劑(諸如乙醇)。適合醇之非限制性實例包括異丙醇、乙醇、甲醇、丁醇、戊醇、鯨蠟醇及/或2-甲氧基乙醇。
在沈積之後，可使膜在70℃至200℃下在氮氣、氬氣、氦氣、空氣及/或氧氣中退火。
熱退火可包含將所沈積前驅物加熱至大於或等於50℃、大於或等於75℃、大於或等於100℃、大於或等於125℃、大於或等於150℃或大於或等於175℃之溫度。熱分解可包含將所沈積前驅物加熱至小於或等於200℃、小於或等於175℃、小於或等於150℃、小於或等於125℃、小於或等於100℃或小於或等於75℃之溫度。上文提及之範圍的組合亦為可能的(例如大於或等於50℃且小於或等於200℃)。其他範圍亦為可能的。
熱退火可包含將所沈積前驅物加熱至上文提及之範圍中之一或多者中的溫度持續大於或等於1 min、大於或等於2 min、大於或等於5 min、大於或等於10 min、大於或等於20 min、大於或等於30 min、大於或等於1小時、大於或等於2小時、大於或等於5小時、大於或等於10小時、大於或等於20小時或大於或等於50小時之時間段。熱分解可包含將所沈積前驅物加熱至上文提及之範圍中之一或多者中的溫度持續小於或等於100小時、小於或等於50小時、小於或等於20小時、小於或等於10小時、小於或等於5小時、小於或等於2小時、小於或等於1小時、小於或等於30 min、小於或等於20 min、小於或等於10 min、小於或等於5 min或小於或等於2 min之時間段。上文提及之範圍的組合亦為可能的(例如小於或等於1 min且大於或等於1小時)。其他範圍亦為可能的。
如本文所描述之熱退火可在氮氣、氬氣、氦氣、空氣及/或氧氣存在下進行。
在一些實施例中，本文所描述之量子點發光二極體具有一或多種有利性質。舉例而言，如上文所描述，一些量子點發光二極體相比於其他量子點發光二極體展現減少之量子點充電及/或減少之非輻射歐傑復合。換言之，其可具有比其他量子點發光二極體更高的輻射有效性。 實例
現將參考以下實例更詳細描述一些實施例之其他態樣。然而，本文所描述之實例僅出於解釋之目的且並不意欲以任何方式限制本發明教示之範疇。 製備實例1
用於電洞傳遞層之Cu摻雜ZnS奈米晶體藉由下文描述之程序製備，在整個程序中採用標準施蘭克(Schlenk)技術。55 mg乙酸鋅及0.189 mL油酸與0.189 mL油酸一起溶解於20 mL三辛胺(TOA)中。所得溶液中Cu與Zn之莫耳比為0.25。隨後將此溶液加熱至60℃並脫氣。然後，添加0.486 mL之1-十六烷硫醇並脫氣。在完全脫氣之後，在劇烈攪拌下將燒瓶加熱至240℃。在上升期間，當溶液顏色變化時，藉助於壓縮空氣之流動使溫度快速降至室溫。藉由添加過量丙酮、離心及用丙酮洗滌若干次來分離奈米晶體。將所製備奈米晶體再分散於庚烷中。將含有奈米晶體之溶液經由針筒過濾器(0.2 μm)過濾。 比較實例1
將PEDOT:PSS溶液經由針筒過濾器(0.45 μm)過濾且隨後以3000 rpm旋塗至經ITO塗佈之玻璃基板上60 s。其後，將所得基板在145℃下焙烤15 min。隨後將經PEDOT:PSS塗佈之基板轉移至氮氣填充球狀盒子中。隨後，以3000 rpm將TFB旋塗至經PEDOT:PSS塗佈之基板上30 s，隨後將基板在150℃下焙烤30 min。藉由以2000 rpm分別旋塗60 s及30 s將量子點及ZnO奈米晶體依序沈積至TFB上。量子點為綠色的基於Cd之核/殼膠態奈米晶體。使用熱蒸發經由蔽蔭遮罩將Al電極(100 nm)沈積至ZnO奈米晶體上。最終，將裝置包封於紫外可固化樹脂中且隨後由玻璃載片覆蓋。 實例1
將PEDOT:PSS溶液經由針筒過濾器(0.45 μm)過濾且隨後以3000 rpm旋塗至經ITO塗佈之玻璃基板上60 s。其後，將所得基板在145℃下焙烤15 min。隨後將經PEDOT:PSS塗佈之基板轉移至氮氣填充球狀盒子中。隨後，以3000 rpm將TFB旋塗至經PEDOT:PSS塗佈之基板上30 s，隨後將基板在150℃下焙烤30 min。以4000 rpm將包含濃度為於庚烷中5 mg/mL之製備實例1中所描述的Cu摻雜ZnS奈米晶體之液體旋塗至TFB上30 s，且隨後將所得結構在150℃下焙烤30 min。藉由以2000 rpm分別旋塗60 s及30 s將量子點及ZnO奈米晶體依序沈積至CuZnS奈米晶體上。量子點為綠色的基於Cd之核/殼膠態奈米晶體。使用熱蒸發經由蔽蔭遮罩將Al電極(100 nm)沈積至ZnO奈米晶體上。最終，將裝置包封於紫外可固化樹脂中且隨後由玻璃載片覆蓋。裝置結構描繪於圖1中。
圖2展示在裝置製造之後52天時比較實例1及實例1中所描述之量子點LED之電流-電壓特性。實線及虛線分別展示來自實例1及比較實例1之資料。在高施加電壓下，兩個裝置具有相似總電阻。然而，含Cux Zn1-x S之裝置的洩漏電流低於不含Cux Zn1-x S之裝置的洩漏電流。此意謂具有Cux Zn1-x S之量子點發光二極體具有低缺陷密度。圖3展示外部量子效率(EQE)隨所施加電壓而變。含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體之接通電壓低於不含Cux Zn1-x S的量子點發光二極體之接通電壓。另外，含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的峰值外部量子效率高於不含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的峰值外部量子效率，如圖4中所展示。因為Cux Zn1-x S之功函數(約6.25 eV)大於TFB (約5.3 eV)，具有Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的有效性下降之開始(外部有效性之最高值對比亮度)更高。 製備實例2
用於電洞傳遞層之Cu摻雜ZnS奈米晶體藉由下文描述之程序製備，在整個程序中採用標準施蘭克技術。將55 mg乙酸鋅及21.8 mg乙酸銅與0.189 mL油酸一起溶解於20 mL TOA中。所得溶液中Cu與Zn之莫耳比為0.40。隨後將此溶液加熱至120℃且脫氣。然後，添加0.278 mL 1-辛硫醇並將溶液再次脫氣。在完全脫氣之後，在劇烈攪拌下將燒瓶加熱至220℃。在上升期間，當溶液顏色變化時，藉助於壓縮空氣之流動使溫度快速降至室溫。為了另外的配體交換，將溶液再加熱至120℃之溫度，其後再注入1 mL 1-辛硫醇。在60 min之後，藉由與周圍室溫環境交換熱量使溶液冷卻至室溫。隨後藉由添加過量丙酮、離心及用丙酮洗滌若干次來分離奈米晶體。將所製備奈米晶體再分散於庚烷中。將含有奈米晶體之溶液經由針筒過濾器(0.2 μm)過濾。 比較實例2
使用熱蒸發將25 nm厚的MoO3 沈積至經ITO塗佈之玻璃基板上。將經MoO3 塗佈之基板轉移至氮氣填充球狀盒子中。隨後，以3000 rpm將TFB旋塗至經MoO3 塗佈之基板上30 s，隨後將基板在150℃下焙烤30 min。藉由以2000 rpm分別旋塗60 s及30 s依序沈積量子點及ZnO奈米晶體。量子點為綠色的基於Cd之核/殼膠態奈米晶體。使用熱蒸發經由蔽蔭遮罩將Al電極(100 nm)沈積至ZnO奈米晶體上。最終，將裝置包封於紫外可固化樹脂中且由玻璃載片覆蓋，其後自手套箱將其移除。 實例2
使用熱蒸發將25 nm厚的MoO3 沈積至經ITO塗佈之玻璃基板上。將經MoO3 塗佈之基板轉移至氮氣填充球狀盒子中。隨後以3000 rpm將TFB旋塗至MoO3 上30 s，其後將經塗佈之基板在150℃下焙烤30 min。以2000 rpm將包含濃度為於庚烷中10 mg/mL之製備實例2中所描述的Cu摻雜ZnS奈米晶體之液體旋塗至TFB上30 s，且隨後將所得結構在150℃下焙烤30 min。藉由以2000 rpm分別旋塗60 s及30 s將量子點及ZnO奈米晶體依序沈積至Cu摻雜ZnS奈米晶體上。量子點為綠色的基於Cd之核/殼膠態奈米晶體。使用熱蒸發經由蔽蔭遮罩將Al電極(100 nm)沈積至ZnO上。最終，將裝置包封於紫外可固化樹脂中且由玻璃載片覆蓋，其後自手套箱將其移除。
圖5展示裝置製造之後第一天時比較實例2及實例2中所描述的量子點LED之外部量子效率隨施加電壓而變。實線及虛線分別展示來自實例2及比較實例2之資料。含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的最高外部量子效率高於不含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的最高外部量子效率。另外，含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的峰值外部量子效率與不含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的峰值外部量子效率相同，如圖6中所展示。另外，在同一亮度下含Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的外部量子效率之最高值高於缺少Cux Zn1-x S之量子點發光二極體的外部量子效率之最高值。不希望受任何特定理論束縛，咸信經由1-辛硫醇比經由其他較長配體更易於傳遞電荷載流子，因為較短配體經受較少定位於長配體上之狀態下的鍵彎曲及較少電子捕獲。 製備實例3
用於電洞傳遞層之Cu摻雜ZnS奈米晶體藉由下文描述之程序製備，在整個程序中採用標準施蘭克技術。將55 mg乙酸鋅及15.7 mg乙醯丙酮銅與0.189 mL油酸一起溶解於20 mL三辛胺(TOA)中。所得溶液中Cu與Zn之莫耳比為0.10。隨後將此溶液加熱至80℃並脫氣。然後，添加0.278 mL 1-十二硫醇並脫氣。在完全脫氣之後，在劇烈攪拌下將燒瓶加熱至300℃。在150 min之後，藉助於經壓縮空氣之流動使溫度快速降至室溫。藉由添加過量丙酮、離心及用丙酮洗滌若干次來分離奈米晶體。將所製備奈米晶體再分散於三氯甲烷中。將含有奈米晶體之溶液經由針筒過濾器(0.2 μm)過濾。 實例3
將PEDOT:PSS溶液經由針筒過濾器(0.45 μm)過濾且隨後以3000 rpm旋塗至經ITO塗佈之玻璃基板上60 s。其後，將所得基板在145℃下焙烤15 min。隨後將經PEDOT:PSS塗佈之基板轉移至氮氣填充球狀盒子中。隨後，以2000 rpm將包含濃度為於三氯甲烷中8 mg/mL的製備實例3中所描述的Cu摻雜ZnS奈米晶體且包含TFB之液體旋塗至經PEDOT:PSS塗佈之基板上30 s，隨後將基板在150℃下焙烤30 min。藉由以2000 rpm分別旋塗60 s及30 s將量子點及經摻雜ZnO奈米晶體依序沈積至先前所沈積之層上。量子點為綠色的基於Cd之核/殼膠態奈米晶體。使用熱蒸發經由蔽蔭遮罩將Al電極(100 nm)沈積至ZnO奈米晶體上。最終，將裝置包封於紫外可固化樹脂中且隨後由玻璃載片覆蓋。
圖7展示裝置製造之後第7天時實例3中所描述的量子點LED之外部量子效率隨施加電壓而變。圖8展示在6392 Cd/m2 之亮度下產生之EQE的最高值。 製備實例4
用於電洞傳遞層之Ag摻雜ZnS奈米晶體藉由下文描述之程序製備，在整個程序中採用標準施蘭克技術。將55 mg乙酸鋅及20.4 mg硝酸銀與0.189 mL油酸一起溶解於20 mL三辛胺(TOA)中。所得溶液中Ag與Zn之莫耳比為0.40。將此溶液加熱至120℃並脫氣。然後，添加0.278 mL 1-辛硫醇並脫氣。在完全脫氣之後，在劇烈攪拌下將燒瓶加熱至300℃。當溫度達到300℃時，隨後藉助於經壓縮空氣之流動使其快速降至室溫。為了另外的配體交換，將溶液再加熱至120℃之溫度，其後再注入1 mL 1-辛硫醇。在60 min之後，藉由與周圍室溫環境交換熱量使溶液冷卻至室溫。藉由添加過量丙酮、離心及用丙酮洗滌若干次來分離奈米晶體。將所製備奈米晶體再分散於庚烷中。將含有奈米晶體之溶液經由針筒過濾器(0.2 μm)過濾。 實例4
將PEDOT:PSS溶液經由針筒過濾器(0.45 μm)過濾且隨後以3000 rpm旋塗至經ITO塗佈之玻璃基板上60 s。其後，將所得基板在145℃下焙烤15 min。隨後將經PEDOT:PSS塗佈之基板轉移至氮氣填充球狀盒子中。隨後，以3000 rpm將TFB旋塗至經PEDOT:PSS塗佈之基板上30 s，隨後將基板在150℃下焙烤30 min。以4000 rpm將包含濃度為於庚烷中2 mg/mL之製備實例4中所描述的Ag摻雜ZnS奈米晶體之液體旋塗至TFB上30 s，且隨後將所得結構在150℃下焙烤30 min。藉由以2000 rpm分別旋塗60 s及30 s將量子點及ZnO奈米晶體依序沈積至CuZnS奈米晶體上。量子點為綠色的基於Cd之核/殼膠態奈米晶體。使用熱蒸發經由蔽蔭遮罩將Al電極(100 nm)沈積至ZnO奈米晶體上。最終，將裝置包封於紫外可固化樹脂中且由玻璃載片覆蓋，其後自手套箱將其移除。裝置結構描繪於圖1中。
圖9展示裝置製造之後一天實例4中的EQE隨亮度而變。
儘管在本文中已描述及說明了本發明之若干實施例，但一般熟習此項技術者將容易地設想多種其他方法及/或結構來執行功能及/或獲得結果及/或一或多種本文所描述之優勢，且此等變化及/或修改各自可視為在本發明之範疇內。更一般而言，熟習此項技術者將容易地瞭解，本文所描述之所有參數、尺寸、材料及組態均欲為例示性的且實際參數、尺寸、材料及/或組態將視使用本發明教示之特定應用而定。熟習此項技術者將認識到或能夠僅使用常規實驗即可確定本文所描述之本發明特定實施例的許多等效物。因此應理解，前述實施例僅藉由實例呈現且在隨附申請專利範圍及其等效物之範疇內，本發明可以不同於特定描述及主張之其他方式來實施。本發明係關於本文所描述之各個別特徵、系統、製品、材料、套組及/或方法。另外，若此等特徵、系統、製品、材料、套組及/或方法相互間無不一致，則兩種或多於兩種此等特徵、系統、製品、材料、套組及/或方法之任何組合均包括於本發明之範疇內。
如本文中所定義及使用之所有定義應理解為控制在辭典定義、以引用之方式併入的文獻中的定義及/或所定義術語之普通含義內。
除非截然相反地指示，否則如在本說明書及申請專利範圍中所使用之不定冠詞「一(a/an)」應理解為意謂「至少一個」。
如本文在說明書及申請專利範圍中使用之片語「及/或」應理解為意謂如此結合之要素的「任一者或兩者」，亦即，在一些情況下結合地存在且在其他情況下未結合地存在的要素。使用「及/或」列出之多個要素應以相同方式解釋，亦即，如此結合之「一或多個」要素。可視情況存在除了藉由「及/或」條項所具體識別之要素以外的其他要素，無論與具體識別之彼等要素相關或不相關。因此，作為非限制性實例，提及「A及/或B」在結合諸如「包含」等開放式措辭使用時，在一個實施例中，可僅指A (視情況包括除B以外之要素)；在另一實施例中，可僅指B (視情況包括除A以外之要素)；在又一實施例中，可指A及B兩者(視情況包括其他要素)；等。
如在本說明書及申請專利範圍中所用，「或」應理解為具有與上文所定義之「及/或」相同的含義。舉例而言，當分離清單中之項目時，「或」或「及/或」應解釋為包括性的，亦即，包括要素之數目或清單及(視情況)額外未列出項目的至少一個以及多於一個。僅截然相反地指示的術語，諸如「…中之僅一者」或「…中之恰好一者」或當用於申請專利範圍中時，「由…組成」將指包括要素的數目或清單中之恰好一個要素。一般而言，如本文所用，術語「或」當前面具有排他性術語(諸如「任一」、「…中之一者」、「…中之僅一者」或「…中之恰好一者」)時，應僅解釋為指示排他性替代物(亦即，「一者或另一者，但非兩者」)。當用於申請專利範圍中時，「主要由…組成」應具有如其在專利法律領域中所使用之普通含義。
如本說明書及申請專利範圍中所用，關於一或多個要素之清單的片語「至少一個」應理解為意謂由要素之清單中要素之任何一或多個中選出的至少一個要素，但未必包括要素之清單內具體列出的每一及每個要素中之至少一者，且未必排除要素之清單中之要素的任何組合。此定義亦允許可視情況存在除片語「至少一個」所指的要素之清單內具體識別的要素以外的要素，而無論與具體識別的彼等要素相關抑或不相關。因此，作為非限制性實例，「A及B中之至少一者」 (或等效地「A或B中之至少一者」或等效地「A及/或B中之至少一者」)在一個實施例中可指至少一個(視情況包括多於一個) A而不存在B (且視情況包括除B以外的要素)；在另一實施例中，指至少一個(視情況包括多於一個) B而不存在A (且視情況包括除A以外的要素)；在又一實施例中，指至少一個(視情況包括多於一個) A及至少一個(視情況包括多於一個) B (且視情況包括其他要素)；等。
亦應理解，除非截然相反地指示，否則在本文所主張之包括超過一個步驟或操作之任何方法中，該方法之步驟或操作之次序無需侷限於敍述該方法之步驟或操作之順序。
在申請專利範圍中以及在上述說明書中，諸如「包含」、「包括」、「攜載」、「具有」、「含有」、「涉及」、「持有」、「由…組成」及其類似者之全部過渡性片語應理解為開放的，亦即，意謂包括(但不限於)。僅過渡片語「由…組成」及「主要由…組成」應分別為封閉或半封閉過渡片語，如美國專利局專利審查程序手冊(United States Patent Office Manual of Patent Examining Procedures)第2111.03節中所闡述。
10:基板 20:陽極 30:電洞注入層 40:電洞傳遞層 50:量子點發光層 60:電子傳遞層 70:陰極
本文所描述之圖式僅出於說明的目的，且不意欲以任何方式限制本發明教示之範疇。
圖1為根據一個實施例之包含電洞傳遞層的量子點發光二極體之橫截面示意圖；
圖2為展示實例1中所描述之量子點發光二極體之電流密度隨施加電壓而變的圖式；
圖3為描繪實例1中所描述之量子點發光二極體的外部量子效率隨電壓而變之圖式；
圖4為展示實例1中所描述之量子點發光二極體之外部量子效率隨亮度而變的圖式；
圖5為展示實例2中所描述之量子點發光二極體之外部量子效率隨施加電壓而變的圖式；
圖6為描繪實例2中所描述之量子點發光二極體之外部量子效率隨亮度而變的圖式；
圖7為描繪實例3中所描述之量子點發光二極體的外部量子效率隨電壓而變之圖式；
圖8為展示實例3中所描述之量子點發光二極體之外部量子效率隨亮度而變的圖式；及
圖9為展示實例4中所描述之量子點發光二極體之外部量子效率隨亮度而變的圖式。
10:基板
20:陽極
30:電洞注入層
40:電洞傳遞層
50:量子點發光層
60:電子傳遞層
70:陰極

Claims (36)

  1. 一種量子點發光二極體，其包含： 第一電極； 安置於該第一電極上之電洞注入層； 安置於該電洞注入層上之包含ZnS的電洞傳遞層； 安置於該電洞傳遞層上之量子點發光層；及 安置於該量子點發光層上之第二電極。
  2. 如請求項1之量子點發光二極體，其中該量子點發光二極體包含位於該量子點發光層與該第二電極之間的電子傳遞層。
  3. 如任一前述請求項之量子點發光二極體，其中該ZnS經摻雜。
  4. 如請求項3之量子點發光二極體，其中該經摻雜之ZnS摻雜有Cu。
  5. 如請求項4之量子點發光二極體，其中該電洞傳遞層中Cu與Zn之莫耳比係大於或等於0.01且小於或等於0.5。
  6. 如請求項3至5中任一項之量子點發光二極體，其中該經摻雜之ZnS摻雜有Ag。
  7. 如請求項6之量子點發光二極體，其中Ag與Zn之莫耳比係大於或等於0.01且小於或等於0.5。
  8. 如請求項3至7中任一項之量子點發光二極體，其中該經摻雜之ZnS摻雜有Au。
  9. 如請求項8之量子點發光二極體，其中該電洞傳遞層中Au與Zn之莫耳比係大於或等於0.01且小於或等於0.5。
  10. 如任一前述請求項之量子點發光二極體，其中該電洞傳遞層包含奈米粒子。
  11. 如請求項10之量子點發光二極體，其中該等奈米粒子為結晶的。
  12. 如請求項10至11中任一項之量子點發光二極體，其中該等奈米粒子之平均直徑小於或等於200 nm。
  13. 如請求項10至12中任一項之量子點發光二極體，其中奈米晶體係藉由溶液合成製備。
  14. 一種製造量子點發光二極體之方法，其包含： 組裝包含ZnS之電洞傳遞層與電洞注入層、量子點發光層、第一電極及第二電極。
  15. 如請求項14之方法，其中組裝該電洞傳遞層與該電洞注入層包含將該電洞傳遞層沈積至該電洞注入層上。
  16. 如請求項15之方法，其中將該電洞傳遞層沈積至該電洞注入層上包含將該電洞傳遞層旋塗至該電洞注入層上。
  17. 如請求項14至16中任一項之方法，其中組裝該電洞傳遞層與該量子點發光層包含將該量子點發光層沈積至該電洞傳遞層上。
  18. 如請求項17之方法，其中將該量子點發光層沈積至該電洞傳遞層上包含將該量子點發光層旋塗至該電洞傳遞層上。
  19. 如請求項14至18中任一項之方法，其中組裝該量子點發光層與該第二電極包含將該第二電極沈積至該量子點發光層上。
  20. 如請求項19之方法，其中將該第二電極沈積至該量子點發光層上包含將該第二電極熱蒸發至該量子點發光層上。
  21. 如請求項14至20中任一項之方法，其中組裝該第一電極與該電洞注入層包含將該電洞注入層沈積至該第一電極上。
  22. 如請求項21之方法，其中將該電洞注入層沈積至該第一電極上包含將該電洞注入層旋塗至該第一電極上。
  23. 如請求項14至22中任一項之方法，其進一步包含組裝電子傳遞層與該電洞傳遞層、該電洞注入層、該量子點發光層、該第一電極及該第二電極。
  24. 如請求項23之方法，其中組裝該電子傳遞層包含將該電子傳遞層沈積至該量子點發光層上。
  25. 如請求項24之方法，其中將該電子傳遞層沈積至該量子點發光層上包含將該電子傳遞層旋塗至該量子點發光層上。
  26. 如請求項14至25中任一項之方法，其中該ZnS經摻雜。
  27. 如請求項26之方法，其中該經摻雜之ZnS摻雜有Cu。
  28. 如請求項27之方法，其中該電洞傳遞層中Cu與Zn之莫耳比係大於或等於0.01且小於或等於0.5。
  29. 如請求項26至28中任一項之方法，其中該經摻雜之ZnS摻雜有Ag。
  30. 如請求項29之方法，其中Ag與Zn之莫耳比係大於或等於0.01且小於或等於0.5。
  31. 如請求項26至30中任一項之方法，其中該經摻雜之ZnS摻雜有Au。
  32. 如請求項31之方法，其中該電洞傳遞層中Au與Zn之莫耳比係大於或等於0.01且小於或等於0.5。
  33. 如請求項14至32中任一項之方法，其中該電洞傳遞層包含奈米粒子。
  34. 如請求項33之方法，其中該等奈米粒子為結晶的。
  35. 如請求項33至34中任一項之方法，其中該等奈米粒子之平均直徑小於或等於200 nm。
  36. 一種藉由如請求項14至35中任一項之方法製得的量子點發光二極體。
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