KR101725486B1 - 양자점 발광장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 양극; 상기 양극 위에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되어 정공의 배리어를 낮추는 역할을 하는 유기막층; 상기 유기막층 상에 형성된 양자점 발광층; 상기 양자점 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 위에 형성된 음극을 포함하여 이루어진 양자점 발광장치에 관한 것으로서,
본 발명은 정공 주입층 상에 자가 조립 단분자층(SAM)과 같은 유기막층을 형성함으로써, 정공 수송층의 표면 에너지가 감소하고 에너지 밴드 벤딩(Energy Band Bending)에 의해 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨(level)이 쉬프트(shift)하여 정공(Hole)의 배리어(Barrier)가 낮아지게 되어, 정공의 주입이 보다 용이하게 되고, 그에 따라 정공과 전자의 전하 밸랜스(charge balance)가 맞춰져서 발광 효율이 향상된다.

Description

양자점 발광장치{Quantum dot light emitting device}
본 발명은 양자점 발광장치에 관한 것으로서, 특히 정공(Hole)의 배리어(barrier)를 낮춤으로써 발광 효율이 개선될 수 있는 양자점 발광장치에 관한 것이다.
양자점(Quantum dot: QD)은 수십 나노미터 이하의 결정 구조를 가진 반도체 물질로서 발광하는 특성을 가지고 있기 때문에, 상기 양자점을 디스플레이 장치 또는 조명 장치와 같은 발광 장치에 적용하기 위한 연구가 진행되고 있다.
특히, 양자점은 그 크기에 따라 에너지 준위가 달라지기 때문에 단순히 크기를 변경함으로써 밴드갭을 조절할 수 있다. 즉, 양자점은 크기 조절을 통해서 발광 파장을 조절할 수 있어 다양한 색상을 발광할 수 있는 이점이 있다.
이하, 도면을 참조로 종래의 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)에 대해서 설명하기로 한다.
도 1a는 종래의 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도이고, 도 1b는 종래의 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 에너지 밴드갭 구조이다.
도 1a에서 알 수 있듯이, 종래의 양자점 발광장치는, 양극(Anode)(10), 상기 양극(Anode)(10) 상에 형성된 정공 수송층(Hole Transporting Layer: HTL)(20), 상기 정공 수송층(Hole Transporting Layer: HTL)(20) 상에 형성된 양자점(QD) 발광층(30), 상기 양자점(QD) 발광층(30) 상에 형성된 전자 수송층(Electron Transporting Layer: ETL)(40), 및 상기 전자 수송층(Electron Transporting Layer: ETL) 상에 형성된 음극(Cathode)(50)을 포함하여 이루어진다.
이와 같은 종래의 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)는 정공(Hole)과 전자(Electron) 사이의 전하 밸런스(charge balance)가 맞지 않아서 발광 효율이 떨어지는 단점이 있다.
즉, 도 1b에서 알 수 있듯이, 전자 수송층(ETL)(40)에 비하여 정공 수송층(HTL)(20)의 배리어(barrier)가 높아서 전자(Electron)에 비하여 정공(Hole)의 주입 및 수송이 어렵게 되고, 그에 따라 정공과 전자 사이의 전하 밸런스가 맞지 않게 되어 발광 효율이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 정공의 배리어를 낮춤으로써 정공과 전자 사이의 전하 밸런스를 맞춰 발광 효율이 개선된 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 양극; 상기 양극 위에 형성된 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되어 정공의 배리어를 낮추는 역할을 하는 유기막층; 상기 유기막층 상에 형성된 양자점 발광층; 상기 양자점 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 및 상기 전자 수송층 위에 형성된 음극을 포함하여 이루어진 양자점 발광장치를 제공한다.
상기 유기막층은 자가 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer: SAM)으로 이루어질 수 있고, 이 경우, 상기 자가 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer: SAM)은 S 또는 CN을 작용기(Functional group)로 함유하는 물질을 포함할 수 있고, 구체적으로는 펜타플루오로벤젠티올(Pentafluorobenzenthiol: PFBT), 테트라시아노퀴노디메탄(Tetracyanoquinodimethane: TCNQ), 및 퍼플루오로데칸티올(Perfluorodecanethiol: PFDT)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송층은 금속 산화물을 포함하여 이루어질 수 있고, 이 경우, 금속 산화물은 NiO 또는 CuO로 이루어질 수 있다.
상기 양극과 상기 정공 수송층 사이에 정공 주입층이 추가로 형성될 수 있다.
상기 음극과 상기 전자 수송층 사이에 전자 주입층이 추가로 형성될 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 정공 주입층 상에 자가 조립 단분자층(SAM)과 같은 유기막층을 형성함으로써, 정공 수송층의 표면 에너지가 감소하고 에너지 밴드 벤딩(Energy Band Bending)에 의해 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨(level)이 쉬프트(shift)하여 정공(Hole)의 배리어(Barrier)가 낮아지게 되는 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 정공의 배리어가 낮아짐에 따라 정공의 주입이 보다 용이하게 되고, 그에 따라 정공과 전자의 전하 밸랜스(charge balance)가 맞춰져서 발광 효율이 향상되게 된다.
도 1a는 종래의 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도이고, 도 1b는 종래의 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 에너지 밴드갭 구조이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)는, 양극(Anode)(100), 정공 수송층(HTL)(200), 유기막층(300), 양자점(QD) 발광층(400), 전자 수송층(ETL)(500), 및 음극(Cathod)(600)을 포함하여 이루어진다.
상기 양극(100)은 정공(Hole)의 주입이 가능하도록 높은 일 함수(work function)를 갖는 물질로 이루어진 것이 바람직하며, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide: IZO)과 같은 투명한 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
상기 양극(100)은 도시하지는 않았지만, 유리와 같은 투명한 기판 상에 스퍼터링(Sputtering) 법을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 정공 수송층(200)은 상기 양극(100) 위에 형성된다.
상기 정공 수송층(200)은 일반적인 유기 발광소자(Organic Light Emitting Device: OLED)에서 주로 이용되는 트리페닐아민(triphenyl amine) 또는 디페닐아민(diphenylamine) 유도체와 같은 재료를 이용하는 것보다는 금속 산화물을 이용하는 것이 바람직하다.
구체적으로 설명하면, 상기 정공 수송층(200)은 정공(Hole)을 수송하는 역할을 하므로, 상기 정공 수송층(200의 재료는 기본적으로 정공(Hole)을 수송할 수 있는 물질이어야 하고, 또한 본 발명은 상기 정공 수송층(200) 상에 유기막층(300)이 형성되므로 상기 유기막층(300)과의 결합력 등을 고려하여 상기 정공 수송층(200)의 최적의 재료를 선택해야 한다. 따라서, 정공 수송 능력과 유기막층(300)과의 결합력 모두를 고려할 때, 상기 정공 수송층(200)의 재료로는 금속 산화물을 이용하는 것이 바람직하다.
특히, 후술하는 바와 같이, 상기 유기막층(300)으로서 S 또는 CN을 작용기(Functional group)로 함유하는 자가 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer: SAM)을 이용할 경우에는, 상기 정공 수송층(200)의 재료로 상기 S 또는 CN과 결합력이 우수한 금속, 예를 들어 Ni, 또는 Cu를 함유하는 것이 바람직하며, 결국 NiO 또는 CuO와 같은 금속 산화물을 상기 정공 수송층(200)의 재료로 이용하는 것이 바람직하다.
다만, 본 발명에 따른 정공 수송층(200)이 반드시 NiO 또는 CuO와 같은 금속 산화물로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 정공 수송층(200)의 재료로 이용되는 금속 산화물은 그 물질의 특성에 따라 용액 코팅(Solution coating) 공정 또는 열 증착(thermal evaporation) 공정을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 유기막층(300)은 상기 정공 수송층(200) 상에 형성되어 정공(Hole)의 배리어(barrier)를 낮추는 역할을 한다.
이와 같이 정공(Hole)의 배리어를 낮추는 역할을 하는 유기막층(300)으로는 자가 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer: SAM)을 이용할 수 있다.
상기 자가 조립 단분자층(SAM)은 분자 스스로 단일층을 이루면서 소정의 기재 상에 부착되는 특성을 가진 물질로 이루어진 것으로서, 이와 같은 자가 조립 단분자층(SAM)을 상기 유기막층(300)으로 이용하게 되면, 상기 정공 수송층(200)의 표면 에너지가 감소하고 에너지 밴드 벤딩(Energy Band Bending)에 의해 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 레벨(level)이 쉬프트(shift)하여 정공(Hole)의 배리어(Barrier)가 낮아지게 되는 효과를 얻을 수 있다.
결국, 정공의 배리어가 낮아짐에 따라 정공의 주입이 보다 용이하게 되고, 그에 따라 정공과 전자의 전하 밸랜스(charge balance)가 맞춰져서 발광 효율이 향상되게 된다.
상기 자가 조립 단분자층(SAM)을 구성할 수 있는 재료는 다양하게 존재하는데, 본 발명은 상기 유기막층(300)과 정공 수송층(200) 사이의 부착 특성을 고려하여 상기 자가 조립 단분자층(SAM)의 재료를 선택할 필요가 있고, 그에 따라 S 또는 CN을 작용기(Functional group)로 함유하는 물질을 상기 자가 조립 단분자층(SAM)의 재료로 이용하는 것이 바람직하다.
상기 자가 조립 단분자층(SAM)의 구체적인 예로는, 펜타플루오로벤젠티올(Pentafluorobenzenthiol: PFBT), 테트라시아노퀴노디메탄(Tetracyanoquinodimethane: TCNQ), 및 퍼플루오로데칸티올(Perfluorodecanethiol: PFDT)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 들 수 있다.
다만, 본 발명에 따른 자가 조립 단분자층(SAM)이 반드시 상기와 같은 물질로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 자가 조립 단분자층(SAM)은 소정의 용액을 이용한 스핀 코팅(spin coating) 또는 딥 코팅(dip coating) 공정을 통해 형성할 수 있다.
상기 양자점 발광층(400)은 상기 유기막층(300) 상에 형성되어, 소정 색상의 광을 방출하는 역할을 한다.
상기 양자점 발광층(400)은 II-VI족, III-V족, IV-VI족, IV족 반도체 화합물 및 이들의 혼합물을 이용할 수 있으며, 구체적으로는, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, InSb 또는 이들의 혼합물을 이용할 수 있다.
상기 양자점 발광층(400)은 다수의 양자점을 적층하여 형성할 수 있고, 양자점을 단층(monolayer)으로 형성할 수도 있다. 다만, 다수의 양자점을 적층하여 형성할 경우에는 양자점들의 전도도가 좋지 않아 전자-정공 결합이 발생하지 않는 등 효율이 저하될 수 있기 때문에, 발광 효율 측면에서는 상기 양자점을 단층(monolayer)으로 형성하는 것이 유리할 수 있다. 다만, 상기 양자점을 단층으로 형성하기 위해서는 정밀한 공정 제어가 요구된다.
상기 양자점 발광층(400)을 구성하는 양자점은 습식화학공정(wet chemical process)에 의해 합성될 수 있다. 상기 습식화학공정은 유기 용매에 전구체 물질을 혼합하여 성장시키는 방법으로, 구체적으로는, 결정이 성장할 때 유기 용매가 양자점 결정의 표면에 배위되어 분산제의 역할을 하게 됨으로써 결정의 성장을 조절하게 되고, 그에 따라 다른 공정에 비하여 용이하게 나노 입자의 성장을 제어할 수 있다.
상기 양자점 발광층(400)을 구성하는 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조로 이루어질 수도 있고, 또는 코어-쉘(Core-Shell)의 이중 구조로 이루어질 수 있다.
상기 코어-셀의 이중 구조로 이루어진 경우에는 코어와 셀을 서로 상이한 반도체로 구성할 수 있고, 그에 따라 발광 효율을 보다 개선할 수 있다.
상기 양자점 발광층(400)은 스핀 코팅(spin coating), 스크린 프린팅(screen printing), 드롭 캐스팅(drop casting), 스프레이 코팅(spray coating) 등을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 전자 수송층(500)은 상기 양자점 발광층(400) 상에 형성된다.
상기 전자 수송층(500)은 TiO2, ZnO, SiO2, SnO2, WO3, Ta2O3, BaTiO3, BaZrO3, Al2O3, Y2O3, ZrSiO4, ZrO2, HfO2 등과 같은 금속 산화물로 이루어질 수도 있고, Si3N4와 같은 질화물(nitride)로 이루어질 수도 있다.
다만, 본 발명에 따른 전자 수송층(500)이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층(500)은 그 적용되는 재료에 따라서 스퍼터링법(sputtering), 스핀 코팅법(spin coating), 딥 코팅법(dip coating) 등을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 음극(600)은 상기 전자 수송층(500) 상에 형성된다.
상기 음극(600)은 상기 전자 수송층(500)으로 전자(electron)의 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
예를 들어, 상기 음극(600)의 재료로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 및 이들의 합금을 이용할 수도 있다. 경우에 따라서, 상기 음극(600)은 LiF/Al, LiO2/Al, BaF2/Ca 등와 같은 2층 구조물로 형성될 수도 있다.
상기 음극(600)은 열증착법, 스퍼터링법 또는 인쇄법을 이용하여 형성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도로서, 이는 양극(100)과 정공 수송층(200) 사이에 정공 주입층(Hole Injecting Layer: HIL)(150)이 추가로 형성된 것을 제외하고, 전술한 도 2에 도시한 양자점 발광장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 양극(100)과 정공 수송층(200) 사이에 정공 주입층(150)이 추가로 형성되어 있기 때문에, 상기 정공 수송층(200)으로 정공(hole)의 전달이 보다 용이하게 된다.
상기 정공 주입층(150)의 재료로는 계면 특성이 우수하고 상기 정공 수송층(200)으로 정공의 전달을 용이하게 할 수 있는 물질이면 어느 것이나 가능하며, 구체적으로 PEDOT[poly(3,4-ethylenedioxythiophene)]을 이용할 수 있다. 다만, 상기 정공 주입층(150)이 반드시 PEDOT만으로 한정되는 것은 아니다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)의 개략적인 단면도로서, 이는 음극(600)과 전자 수송층(500) 사이에 전자 주입층(Electron Injecting Layer: EIL)(550)이 추가로 형성된 것을 제외하고, 전술한 도 2에 도시한 양자점 발광장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 음극(600)과 전자 수송층(500) 사이에 전자 주입층(550)이 추가로 형성되어 있기 때문에, 상기 전자 수송층(500)으로 전자(electron)의 전달이 보다 용이하게 된다.
상기 전자 주입층(550)의 재료로는 LiF를 이용할 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도시하지는 않았지만, 상기 양극(100)과 정공 수송층(200) 사이에 정공 주입층(150)이 추가로 형성됨과 더불어 상기 음극(600)과 전자 수송층(500) 사이에 전자 주입층(550)이 추가로 형성되어, 본 발명에 따른 양자점 발광장치(Quantum dot light emitting device)가 구성될 수도 있다.
100: 양극 150: 정공 주입층
200: 정공 수송층 300: 유기막층
400: 양자점 발광층 500: 전자 수송층
550: 전자 주입층 600: 음극

Claims (8)

  1. 양극;
    상기 양극 위에 형성된 정공 수송층;
    상기 정공 수송층 상에 형성되어 정공의 배리어를 낮추는 역할을 하는 유기막층;
    상기 유기막층 상에 형성된 양자점 발광층;
    상기 양자점 발광층 상에 형성된 전자 수송층; 및
    상기 전자 수송층 위에 형성된 음극을 포함하며,
    상기 유기막층은 S 또는 CN을 작용기(Functional group)로 함유하는 물질을 포함하는 자가 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer: SAM)으로 이루어진 양자점 발광장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 자가 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer: SAM)은 펜타플루오로벤젠티올(Pentafluorobenzenthiol: PFBT), 테트라시아노퀴노디메탄(Tetracyanoquinodimethane: TCNQ), 및 퍼플루오로데칸티올(Perfluorodecanethiol: PFDT)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 양자점 발광장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 정공 수송층은 금속 산화물을 포함하는 양자점 발광장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 NiO 또는 CuO로 이루어진 양자점 발광장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 양극과 상기 정공 수송층 사이에 정공 주입층이 추가로 배치된 양자점 발광장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 음극과 상기 전자 수송층 사이에 전자 주입층이 추가로 배치된 양자점 발광장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11038112B2 (en) 2017-12-19 2021-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, and display device comprising the same
US11637259B2 (en) 2019-08-29 2023-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, and display device comprising the same
US11659725B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot light emitting device with electron auxiliary layer and display device including the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102227981B1 (ko) 2013-06-20 2021-03-16 삼성전자주식회사 단일 광자 소자, 단일 광자 방출 전달 장치, 단일 광자 소자의 제조 및 동작 방법
KR102607451B1 (ko) 2016-03-15 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN105655495B (zh) 2016-03-25 2018-05-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置
WO2021210096A1 (ja) * 2020-04-15 2021-10-21 シャープ株式会社 発光素子
CN112071998A (zh) * 2020-09-18 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件、显示装置
WO2023062840A1 (ja) * 2021-10-15 2023-04-20 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光素子

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100764847B1 (ko) * 2006-03-29 2007-10-09 한국화학연구원 저 ｈｏｍｏ 에너지 준위 유기반도체재료를 이용한 양자점발광소자
KR20100093858A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 삼성전자주식회사 양자점층 제조 방법 및 이를 적용하여 제조된 양자점 발광소자
KR101652789B1 (ko) * 2009-02-23 2016-09-01 삼성전자주식회사 다중 양자점층을 가지는 양자점 발광소자

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11038112B2 (en) 2017-12-19 2021-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Electroluminescent device, and display device comprising the same
US11659725B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot light emitting device with electron auxiliary layer and display device including the same
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