KR20120016342A - 양자점 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 높은 정공 배리어(hole barrier)를 낮추어, 양자점으로 정공의 주입을 원활하게 하여 소자의 효율을 높이는 양자점 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 발광 소자는, 서로 대향되어 형성된 양극 및 음극; 상기 양극 및 음극 사이에 형성된 양자 발광층; 상기 양극과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 정공 수송층; 상기 양자 발광층과 상기 음극 사이에 형성된 전자 수송층; 및 상기 양극과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 무기막을 포함하여 이루어진다.

Description

양자점 발광 소자{QUANTUM-DOT LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 양자점 발광 소자에 관한 것으로, 특히, 높은 정공 배리어(hole barrier)를 낮추어, 양자점으로 정공의 주입을 원활하게 하여 소자의 효율을 높이는 고효율 양자점 발광 소자에 관한 것이다.
정보화 사회에서 디스플레이(Display)는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 더한층 강조되고 있으며, 향후 주요한 위치를 점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다.
이러한 디스플레이 중 발광 재료를 이용하여 표시가 가능하며, 슬림화 가능하며, 색순도가 높고 또한, 장시간 구동이 가능한 양자점 발광 소자가 근래 연구되고 있다.
양자점(QD:Quantum Dot)은 반도체 나노입자이다. 직경이 나노미터 크기의 양자점은 불안정한 상태의 전자가 전도대에서 가전자대로 내려오면서 발광하는데, 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생한다. 이는 기존의 반도체 물질과 다른 독특한 전기적이며 광학적인 특성이다. 따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선을 표현하고, 여러 크기의 양자점과 양자점 성분을 달리하여 다양한 색을 동시에 구현할 수 있다.
일반적인 유기 발광 표시 소자는 발광층의 재료로 유기 발광 재료를 사용하며, 유기 발광 재료를 사용하는 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 소자의 종류에 따라 백색, 적색, 청색 등 단일색을 구현하는데, 많은 빛을 화려하게 표현하기에는 한계가 있다.
이에 반해, 양자점 발광 소자는 발광층의 재료로 양자점을 사용하는 표시 소자이며, 양자점의 크기를 제어하여 원하는 천연색을 구현할 수 있으며, 색재현율이 좋고 휘도 또한 발광다이오드에 뒤쳐지지 않아 차세대 광원으로 주목받는 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)의 단점을 보완할 수 있는 소재로 각광받고 있다.
이하, 일반적인 양자점 발광 소자의 구조를 설명한다.
도 1a는 일반적인 양자점 발광 소자의 단면도이며, 도 1b는 도 1a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
도 1a를 참조하면, 양자점 발광 소자는, 기판(100) 상에 서로 대향된 양극(10) 및 음극(50)과, 상기 양극(10)과 음극(50) 사이에 형성된 양자 발광층(30)과, 상기 양극(10)과 양자 발광층(30) 사이에 위치한 정공 수송층(20)과, 상기 양자 발광층(30)과 음극(50) 사이에 위치한 전자 수송층(40)을 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 양자 발광층(30)은 직경이 나노 크기인 복수개의 양자점(31)들이 채워져 이루어지는데, 예를 들어, 용매에 상기 양자점(31)을 분산시킨 후, 용액 공정(Solution Process)으로 상기 정공 수송층(20) 상에 도포한 후 용매를 휘발시켜 이루어진다.
상기 정공 수송층(20)은 상기 양극(10)으로부터 정공 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자 발광층(30)으로의 정공을 전달하는 역할을 하며, 상기 전자 수송층(40)은 상기 음극(50)으로부터의 전자 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자 발광층(30)으로 전자를 전달하는 역할을 한다.
그런데, 상기 양극(10)으로부터 정공이 상기 정공 수송층(20)을 거쳐 상기 양자 발광층(30)의 양자점(31)으로 주입될 때, 도 1b와 같이, 정공의 에너지 배리어가 높아, 전자에 비해 정공이 상대적으로 상기 양자점(31)으로 주입되기 어렵다.
따라서, 상기 양자점(31)으로 주입되는 전자와 정공의 전하 밸런스(Charge Balance)가 맞지 않아 양자점 발광 소자의 효율이 떨어지는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 양극과 양자 발광층 사이에 정공의 에너지 배리어를 낮추는 무기막을 형성하여, 상기 무기막을 통해 정공이 양자점으로 원활하게 주입되어 양자점 발광 소자의 효율을 증가시키는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자점 발광 소자는, 서로 대향되어 형성된 양극 및 음극; 상기 양극 및 음극 사이에 형성된 양자 발광층; 상기 양극과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 정공 수송층; 상기 양자 발광층과 상기 음극 사이에 형성된 전자 수송층; 및 상기 양극과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 무기막을 포함하여 이루어진다.
상기 무기막은 상기 양극과 상기 정공 수송층 사이에 형성된다.
상기 무기막은 상기 정공 수송층과 상기 양자 발광층 사이에 형성된다.
상기 무기막의 두께는 1Å 내지 100Å이다.
상기 무기막은 금속막이다.
상기 금속막은 Pt 또는 Mg이다.
상기 무기막은 산화막이다.
상기 산화막은 MoO3, WO3, Cs2O, NiO, CuO, TiO2, SiO2, SiOxNy, V2O5 중 어느 하나이다.
상기 무기막은 용액 공정 또는 열 증착으로 형성된다.
상기와 같은 본 발명의 양자점 발광 소자는, 양극과 양자 발광층 사이에 정공의 에너지 배리어를 낮추는 무기막을 형성하여 정공이 양자점으로 원활하게 주입된다.
이로써, 양자점으로 주입되는 전자와 정공의 전하 밸런스(Charge Valance)가 조절되어 양자점 발광 소자의 효율이 증가된다.
도 1a은 일반적인 양자점 발광 소자의 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
도 3a은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이다.
도 3b는 도 3a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
본 발명의 양자점 발광 소자는, 양극과 양자 발광층 사이에 정공의 에너지 배리어를 낮추는 무기막을 형성하여, 상기 무기막을 통해 정공이 양자점으로 원활하게 주입된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 양자점 발광 소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.
* 제 1 실시예 *
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이며, 도 2b는 도 2a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자는 기판(200), 상기 기판(200) 상에 형성된 양극(110), 상기 양극(110) 상에 형성된 정공 수송층(120), 상기 정공 수송층(120) 상에 형성된 무기막(125), 상기 무기막(125) 상에 형성된 양자 발광층(130), 상기 양자 발광층(130) 상에 형성된 전자 수송층(140), 및 상기 전자 수송층(140) 상에 형성된 음극(150)을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 정공 수송층(120)과 양극(110) 사이에 정공 주입층이 더 형성될 수 있으며, 상기 전자 수송층(140)과 음극(150) 사이에 전자 주입층이 더 형성될 수 있다.
상기 기판(200)의 종류는 특별히 한정되지 않고 다양하게 가능하며, 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 실리콘 기판 등이 가능하다.
그리고, 상기 양극(110)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide), 아연 산화물(Zinc Oxide), 인듐 산화물(Indium Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 인듐 아연 산화물(Indium Tin Oxide)로부터 선택되는 투명 전극으로 이루어지며, 상기 음극(150)은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 바륨(Ba) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어진다.
상기 양자 발광층(130)은, 1㎚ 내지 100㎚의 직경을 갖는 나노 크기의 양자점(131)들로 이루어진 층으로, H2O 또는 헥세인(Hexane), 클로로포름(Chloroform) 및 톨루엔(Toluene)과 같은 다양한 유기 용매에 양자점(131)이 분산된 혼합물을, 잉크젯(Inkjet) 방식, 스핀 코팅(Spin Coating) 방식, 노즐 코팅(Nozzle Coating) 방식, 스프레이 코팅(Spray Coating) 방식 및 슬릿 코팅(Slit Coating) 등의 공정으로 정공 수송층(120) 상에 도포한 후, 용매를 휘발시켜 형성된다.
한편, 도시하지는 않았지만, 상기 양자점(131)은 코어(Core), 쉘(Shell) 및 리간드(Ligand)로 이루어진다.
빛을 내는 역할을 하는 코어를 감싸며 코어의 표면에 형성되는 쉘은 코어를 보호하는 기능을 하며, 쉘을 감싸도록 쉘의 표면에는 리간드가 형성되어, 상기 양자 발광층(130) 형성시 상기 양자점(131)이 용매에 잘 분산될 수 있도록 도와주는 기능을 한다.
예를 들어, 상기 양자점(131)은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTe), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 머큐리텔레라이드(HgTe)와 같은 2-6족 반도체 화합물 또는, 인듐 아세나이드(InAs), 인듐 포스파이드(InP)와 같은 3-5족 반도체 화합물 등으로부터 선택될 수 있다.
또한, 상기 양극(110)으로부터 정공 주입을 용이하게 하며 상기 양자점(131)으로 정공을 수송하는 상기 정공 수송층(120)은, 폴리페닐렌 비닐렌(polyphenylenevinylene), 폴리비닐카르바졸(polyvinylcabazole), 폴리에틸렌 디옥시티오펜(PEDOT) 등의 고분자 화합물 층인 P형 폴리머층 또는 니켈 옥사이드(NiO), 티오시안산구리(CuSCN) 등의 P형 무기물층으로 이루어진다.
상기 음극(150)으로부터 전자 주입을 용이하게 하며 상기 양자점(131)으로 전자를 수송하는 상기 전자 수송층(140)은, 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 지르코늄 옥사이드(ZrO2) 등의 무기 화합물 또는 TAZ, BCP, TPBI, Alq3 등과 같은 유기물로 이루어진다.
그런데, 상기 양자점(131)이 낮은 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) Level을 가져, 정공이 정공 수송층(120)으로부터 양자점(131)으로 주입될 때, 상기 양자점(131)이 정공의 높은 에너지 배리어로 작용하므로, 전자에 비해 정공이 상대적으로 양자점(131)으로 주입되기 어렵다.
따라서, 정공의 높은 에너지 배리어를 낮추기 위해 상기 정공 수송층(120)과 양자 발광층(130) 사이에 무기막(125)을 형성하는데, 상기 무기막(125)은 Pt(백금) 또는 Mg(마그네슘) 등과 같은 금속막 또는 MoO3(산화몰리브덴), WO3(산화텅스텐), Cs2O(산화세슘), NiO(산화니켈), CuO(산화구리), TiO2(산화티타늄), SiO2(산화규소), SiOxNy(실리콘산화질화물), V2O5(산화바나듐) 등과 같은 물질로 구성된다.
상기 무기막(125)은 용액 공정(Solution Process) 또는 열 증착(Thermal evaporation)으로 형성되며, 무기막(125)의 두께는 1Å 내지 100Å이 바람직하다.
상기와 같이 상기 무기막(125)을 얇게 형성하는 이유는, 상기 정공 수송층(120)으로부터 정공이 상기 무기막(125)을 효과적으로 터널링(Tunneling)하여 상기 양자점(131)으로 주입되도록 하기 위한 것이다.
따라서, 도 2b와 같이, 상기 무기막(125)을 상기 정공 수송층(120)과 양자 발광층(130) 사이에 형성하면, 상기 무기막(125)이 상기 정공 수송층(120)의 표면 에너지를 감소시키고, 밴드 밴딩(Band Bending)에 의해 상기 양자점(131)의 낮은 HOMO Level이 쉬프트(Shift)되어 상기 양자점(131)의 높은 정공 에너지 배리어가 낮아져 정공이 원활하게 상기 양자점(131)으로 주입된다.
이로써, 상기 양자점(131)으로 주입되는 전자와 정공의 전하 밸런스(Charge Valance)가 조절되어 소자의 구동전압이 감소하고, 수명 특성이 개선되며, 양자점 발광 소자의 효율이 증가된다.
* 제 2 실시예 *
도 3a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이며, 도 3b는 도 3a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
도 3a를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자는 기판(300), 상기 기판(300) 상에 형성된 양극(210), 상기 양극(210) 상에 형성된 무기막(225), 상기 무기막(225) 상에 형성된 정공 수송층(220), 상기 정공 수송층(220) 상에 형성된 양자 발광층(230), 상기 양자 발광층(230) 상에 형성된 전자 수송층(240), 및 상기 전자 수송층(240) 상에 형성된 음극(250)을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 정공 수송층(120)과 양극(110) 사이에 정공 주입층이 형성될 수 있으며, 상기 전자 수송층(140)과 음극(150) 사이에 전자 주입층이 형성될 수 있다.
즉, 제 2 실시예는 양극(210)과 정공 수송층(220) 사이에 무기막(225)이 형성된다.
상기 정공 수송층(220)이 낮은 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) Level을 가져, 상기 양극(210)으로부터 정공 수송층(220)으로 정공이 주입될 때, 상기 정공 수송층(220)이 정공의 높은 에너지 배리어로 작용하므로, 전자에 비해 정공이 상대적으로 상기 양자점(231)으로 주입되기 어렵다.
따라서, 정공의 높은 에너지 배리어를 낮추기 위해 상기 양극(220)과 정공 수송층(220) 사이에 무기막(225)을 형성한다. 상기 무기막(125)은 Pt(백금) 또는 Mg(마그네슘) 등과 같은 금속막 또는 MoO3(산화몰리브덴), WO3(산화텅스텐), Cs2O(산화세슘), NiO(산화니켈), CuO(산화구리), TiO2(산화티타늄), SiO2(산화규소), SiOxNy(실리콘산화질화물), V2O5(산화바나듐) 등과 같은 물질로 구성된다.
상기 무기막(125)은 용액 공정 또는 열 증착으로 형성되며, 양극(210)으로부터 정공이 무기막(225)을 효과적으로 터널링하여 정공 수송층(220)으로 주입되도록 하기 위해 얇게 형성하며, 무기막(225)의 두께는 1Å 내지 100Å가 바람직하다.
따라서, 도 3b와 같이, 상기 무기막(225)을 상기 양극(210)과 정공 수송층(220) 사이에 형성하여 정공 에너지 배리어가 낮아져 정공이 원활하게 정공 상기 수송층(220)으로 주입된다.
이상과 같이, 본 발명의 양자점 발광 소자는 양극과 양자 발광층 사이에 정공의 에너지 배리어를 낮추는 무기막을 형성하여, 상기 무기막을 통해 정공이 양자점으로 원활하게 주입되어 양자점 발광 소자의 효율이 증가된다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
200: 기판 110: 양극
120: 정공 수송층 125: 무기막
130: 양자 발광층 131: 양자점
140: 전자 수송층 150: 음극

Claims (9)

  1. 서로 대향되어 형성된 양극 및 음극;
    상기 양극 및 음극 사이에 형성된 양자 발광층;
    상기 양극과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 정공 수송층;
    상기 양자 발광층과 상기 음극 사이에 형성된 전자 수송층; 및
    상기 양극과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 무기막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기막은 상기 양극과 상기 정공 수송층 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기막은 상기 정공 수송층과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기막의 두께는 1Å 내지 100Å인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기막은 금속막인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 금속막은 Pt 또는 Mg인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기막은 산화막인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 산화막은 MoO3, WO3, Cs2O, NiO, CuO, TiO2, SiO2, SiOxNy, V2O5 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기막은 용액 공정 또는 열 증착으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101437271B1 (ko) * 2013-02-26 2014-09-02 경희대학교 산학협력단 세슘카보네이트가 블랜딩된 산화아연 전자주입·수송층이 구비된 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법
US9293645B2 (en) 2013-05-22 2016-03-22 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method thereof and method for forming quantum-dot layer using the same
KR20190015672A (ko) * 2017-08-04 2019-02-14 서울대학교산학협력단 발광 다이오드
WO2021152791A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05 シャープ株式会社 発光素子および表示装置
US11171299B2 (en) 2018-03-09 2021-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101437271B1 (ko) * 2013-02-26 2014-09-02 경희대학교 산학협력단 세슘카보네이트가 블랜딩된 산화아연 전자주입·수송층이 구비된 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조방법
US9293645B2 (en) 2013-05-22 2016-03-22 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method thereof and method for forming quantum-dot layer using the same
US9673410B2 (en) 2013-05-22 2017-06-06 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method thereof and method for forming quantum-dot layer using the same
KR20190015672A (ko) * 2017-08-04 2019-02-14 서울대학교산학협력단 발광 다이오드
US11171299B2 (en) 2018-03-09 2021-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
US11812627B2 (en) 2018-03-09 2023-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
WO2021152791A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05 シャープ株式会社 発光素子および表示装置

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