KR101777136B1 - 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

양자 발광 소자 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101777136B1
KR101777136B1 KR1020110069566A KR20110069566A KR101777136B1 KR 101777136 B1 KR101777136 B1 KR 101777136B1 KR 1020110069566 A KR1020110069566 A KR 1020110069566A KR 20110069566 A KR20110069566 A KR 20110069566A KR 101777136 B1 KR101777136 B1 KR 101777136B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
emitting layer
electrode
blue
Prior art date
Application number
KR1020110069566A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130008892A (ko
Inventor
도의두
김영미
허준영
박한선
이연경
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110069566A priority Critical patent/KR101777136B1/ko
Publication of KR20130008892A publication Critical patent/KR20130008892A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101777136B1 publication Critical patent/KR101777136B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Abstract

본 발명은 청색 양자 발광층을 고효율의 인광 또는 형광 물질을 이용하여 청색 발광 효율이 향상된 고효율의 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양자 발광 소자는, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극; 상기 제 1 전극을 노출시키는 뱅크 절연막; 노출된 상기 제 1 전극 상에 차례로 형성된 정공 주입층과 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되며, 각각 적색 양자점과 녹색 양자점으로 형성된 적색 발광층과 녹색 발광층; 상기 적색 발광층과 녹색 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 하이브리드 연결층; 상기 하이브리드 연결층 전면에 형성되며, 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 형성된 청색 발광층; 및 상기 청색 발광층 상에 차례로 형성된 전자 수송층과 제 2 전극을 포함한다.

Description

양자 발광 소자 및 이의 제조 방법{QUANTUM-DOT LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 양자 발광 소자에 관한 것으로, 청색 발광 특성이 향상된 고효율의 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회에서 디스플레이(Display)는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 한층 강조되고 있으며, 향후 주요한 위치를 점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다. 이러한 디스플레이 중 발광 재료를 이용하여 표시가 가능하며, 슬림화가 가능하며, 색순도가 높고 또한, 장시간 구동이 가능한 양자 발광 소자가 근래 연구되고 있다.
양자점(Quantum Dot; QD)은 반도체 나노 입자이다. 직경이 나노미터 크기의 양자점은 불안정한 상태의 전자가 전도대에서 가전자대로 내려오면서 발광하는데, 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛이 발생한다. 이는 기존의 반도체 물질과 다른 독특한 전기적이며 광학적인 특성이다. 따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선을 표현하고, 여러 크기의 양자점과 양자점 성분을 달리하여 다양한 색을 동시에 구현할 수 있다.
일반적인 유기 발광 표시 소자는 발광층의 재료로 유기 발광 재료를 사용하며, 유기 발광 재료를 사용하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)는 소자의 종류에 따라 백색, 적색, 청색 등 단일색을 구현하는데, 많은 빛을 화려하게 표현하기에는 한계가 있다.
이에 반해, 양자 발광 소자는 발광층의 재료로 양자점을 사용하는 표시 소자로, 양자점의 크기를 제어하여 원하는 천연색을 구현할 수 있으며, 색재현율이 좋고 휘도 또한 발광 다이오드에 뒤쳐지지 않아 차세대 광원으로 주목 받는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)의 단점을 보완할 수 있는 소재로 각광받고 있다.
이하, 일반적인 양자 발광 소자의 구조를 설명한다.
도 1a는 일반적인 양자 발광 소자의 단면도이며, 도 1b는 일반적인 양자 발광 소자의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다. 그리고, 도 2는 적색, 녹색 및 청색 양자점의 밴드갭 에너지를 나타낸 다이어그램도이다.
도 1a를 참조하면, 일반적인 양자 발광 소자는 기판(100), 기판(100) 상에 형성되며 서로 대향된 제 1 전극(10) 및 제 2 전극(50), 제 1 전극(10)과 제 2 전극(50) 사이에 형성된 양자 발광층(30), 제 1 전극(10)과 양자 발광층(30) 사이에 형성된 정공 수송층(20), 그리고, 양자 발광층(30)과 제 2 전극(50) 사이에 형성된 전자 수송층(40)을 포함하여 이루어진다.
양자 발광층(30)은 직경이 나노미터 크기인 복수개의 양자점(60)으로 구성되며, 용매에 복수개의 양자점(60)을 분산시켜 용액 공정(Solution Process)으로 복수개의 양자점(60)이 분산된 용매를 정공 수송층(20) 상에 도포하고 용매를 휘발시켜 형성된다.
양자점(60)은 코어(Core)(60a), 쉘(Shell)(60b) 및 리간드(Ligand)(60c)로 이루어진다. 빛을 내는 역할을 하는 코어(60a)를 감싸며 코어(60a)의 표면에 형성되는 쉘(60b)은 코어(60a)를 보호하는 역할을 한다. 그리고, 쉘(60b)을 감싸도록 쉘(60b)의 표면에는 리간드(60c)가 형성되며, 리간드(60c)는 양자 발광층(30) 형성시 양자점(60)이 용매에 잘 분산될 수 있도록 도와주는 역할을 한다.
그런데, 도 1b와 같이, 양자점(60)은 내부에서 외부로 갈수록 밴드갭이 커짐을 알 수 있다. 즉, 쉘(60b)은 코어(60a)보다 밴드갭이 크고, 리간드(60c)는 쉘(60b)보다 밴드갭이 크다. 따라서, 정공 수송층(20)이 제 1 전극(10)에서 양자점(60)으로 정공을 수송 및 주입하고, 전자 수송층(40)이 제 2 전극(50)에서 양자점(60)으로 전자를 수송 및 주입할 때, 낮은 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)준위를 갖는 리간드(60c)는 정공과 전자의 높은 에너지 장벽으로 작용하여, 정공과 전자가 양자점(60)으로 원활하게 주입되지 못하게 하여 양자 발광 소자의 효율이 떨어지게 된다.
더욱이, 도 2와 같이, 적색 양자점(60R), 녹색 양자점(60G) 및 청색 양자점(60B)은 모두 밴드갭 에너지가 상이하며, 특히 청색 양자점(60B)의 밴드갭 에너지가 적색 양자점(60R)과 녹색 양자점(60G)에 비해 커 발광 효율이 낮다. 또한, 청색 양자점(60B)은 매우 작은 크기의 입자를 합성해야 하는데, 현재까지 합성법의 개발이 어려워 양자 발광 소자의 풀 컬러(Full Color)를 구현하는 데는 한계가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 청색 인광 물질 또는 청색 형광 물질을 이용하여 청색 발광층을 형성함으로써, 청색 발광 효율이 향상된 고효율의 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자 발광 소자는, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극; 상기 제 1 전극을 노출시키는 뱅크 절연막; 노출된 상기 제 1 전극 상에 차례로 형성된 정공 주입층과 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성되며, 각각 적색 양자점과 녹색 양자점으로 형성된 적색 발광층과 녹색 발광층; 상기 적색 발광층과 녹색 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 하이브리드 연결층; 상기 하이브리드 연결층 전면에 형성되며, 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 형성된 청색 발광층; 및 상기 청색 발광층 상에 차례로 형성된 전자 수송층과 제 2 전극을 포함한다.
상기 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질은 진공 증착이 가능한 물질이다.
상기 제 1 전극은 투명 도전성 물질로 형성되며, 상기 제 2 전극은 불투명 도전성 물질로 형성된다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자 발광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키는 뱅크 절연막을 형성하는 단계; 노출된 상기 제 1 전극 상에 정공 주입층과 정공 수송층을 차례로 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 각각 적색 양자점과 녹색 양자점으로 적색 발광층과 녹색 발광층을 형성하는 단계; 상기 적색 발광층과 녹색 발광층 전면에 하이브리드 연결층을 형성하고, 상기 하이브리드 연결층 전면에 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 청색 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 청색 발광층 상에 차례로 전자 수송층과 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 적색 발광층과 녹색 발광층은 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing)과 같은 용액 공정 방법으로 형성한다.
상기 하이브리드 연결층과 청색 발광층은 진공 증착 방법으로 형성한다.
상기와 같은 본 발명의 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법은 효율 및 색재현율이 좋지 못한 청색 양자점 대신 기판 전면에 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질을 증착하여 청색 발광층을 형성함으로써, 양자 발광 소자의 수명, 효율 및 색재현율을 향상시킬 수 있다.
도 1a는 일반적인 양자 발광 소자의 단면도.
도 1b는 일반적인 양자 발광 소자의 밴드갭 에너지 다이어그램도.
도 2는 적색, 녹색 및 청색 양자점의 밴드갭 에너지를 나타낸 다이어그램도.
도 3은 본 발명의 양자 발광 소자의 단면도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 양자 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 양자 발광 소자의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 양자 발광 소자는 기판(200) 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극과 접속된 제 1 전극(220), 제 1 전극(220)을 노출시키는 뱅크 절연막(230), 제 1 전극(220) 상에 형성된 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B), 및 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B) 상에 형성된 제 2 전극(280)을 포함한다.
기판(200)의 종류는 특별히 한정되지 않고 다양하게 가능하며, 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 실리콘 기판 등이 가능하다. 기판(200) 상에는 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 그리고, 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한 기판(200) 상에 보호막(210)이 형성되며, 보호막(210)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극을 노출시키는 화소 콘택홀을 포함한다. 따라서, 보호막(210) 상에 형성된 제 1 전극(220)은 화소 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극과 전기적으로 접속된다.
제 1 전극(220)은 양극으로, 틴 옥사이드(Tin Oxide; TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성된다. 따라서, 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에서 발생된 광이 투명한 제 1 전극(220)을 통과하여 기판(200)을 통해 하부로 방출된다.
제 1 전극(220) 상에는 제 1 전극(220)으로부터 주입된 정공을 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에 전달하기 위한 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)이 차례로 형성된다. 이 때, 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)을 하나의 층으로 형성할 수도 있으며, 이 경우에는 재료비를 절감하고, 생산성과 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)을 하나의 층으로 형성함으로써 전하가 이동하는 계면(Interface)을 감소시켜 구동 전압을 낮출 수 있어 양자 발광 소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
정공 수송층(240b) 상에 형성된 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)은 뱅크 절연막(230)으로 구분된다. 뱅크 절연막(230)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 형성되어 제 1 전극(220)의 일부를 노출시킨다.
적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)은 1nm~100nm의 직경을 갖는 나노 크기의 양자점들로 이루어지며, 양자점은 2-6족 또는 3-5족의 나노 반도체 화합물을 포함한다. 예를 들어, 양자점을 이루는 나노 반도체 화합물은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTe), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 머큐리텔레라이드(HgTe), 인듐 아세나이드(InAs), Cd1-xZnxSe1-ySy', CdSe/ZnS, 인듐 포스포러스(InP) 및 갈륨 아세나이드(GaAs) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한, 양자점은 빛을 내는 역할을 하는 코어(Core), 코어를 감싸며 코어의 표면에 형성되어 코어를 보호하는 쉘(Shell) 및 쉘을 감싸며 쉘의 표면에 형성된 리간드(Ligand)로 이루어진다. 리간드는 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)을 형성할 때, 양자점이 용매에 잘 분산될 수 있도록 도와주는 역할을 한다. 이 때, 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)을 구성하는 적색 양자점과 청색 양자점은 그 크기가 달라 각각 다른 색을 방출한다.
그런데, 상술한 바와 같이 청색 양자점의 밴드갭 에너지가 적색 양자점과 녹색 양자점에 비해 커 청색 발광 효율이 낮고, 청색 양자점의 합성법 개발이 미흡하여 일반적인 양자 발광 소자는 풀 컬러(Full Color)를 구현하기 어렵다.
따라서, 본 발명의 양자 발광 소자는, 청색 양자점 대신 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 청색 발광층(250B)을 형성한다. 청색 형광 물질은 DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenyl vinyl) -1,1'-biphenyl), 스피로-DPVBi, 스피로-6P(Spiro-sexyphenyl), 디스틸벤젠(Distyrylbenzene; DSB), 디스티릴아릴렌(Distyrylarylene; DSA) 등과 같은 저분자 물질 또는 폴리플루오렌 (Polyfluorene; PFO)계 고분자 또는 폴리파라페닐비닐렌(Poly(p-phenylene vinylene; PPV)계 고분자 등과 같은 물질이다. 그리고, 청색 인광 물질은 FIrpic(Iridium(Ⅲ)bis[2-(2',4'- difluorophenyl)-pyridinato-N,C2']picolinate) 등과 같은 물질이다.
청색 형광 물질과 청색 인광 물질은 진공 증착이 가능한 물질로, 청색 발광층(250B)은 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)을 포함한 기판(200) 전면에 형성된다. 그리고, 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)과 청색 발광층(250B) 사이에 하이브리드 연결층(Hybrid Connecting Layer; HCL)(260)을 형성한다. 하이브리드 연결층(260)은 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)과 청색 발광층(250B) 사이의 전하 균형(Charge Balance)을 조절한다.
구체적으로, 하이브리드 연결층(260)은 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G) 상에 형성되어 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)으로 전자를 주입 또는 수송하는 전자 주입층 또는 전자 수송층 역할을 하며, 청색 발광층(250B)으로 정공을 주입 또는 수송하는 정공 주입층 또는 정공 수송층 역할을 하여 전하 균형을 조절한다.
또한, 청색 발광층(250B)이 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)과 중첩 형성되어 있으므로, 청색 발광층(250B)으로부터 출사된 청색광이 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(240G)으로부터 출사되는 광에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 하이브리드 연결층(260)은 청색 발광층(250B)으로부터 출사되는 청색광이 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)에서 출사되는 광에 영향을 주지 않을 수 있도록 전하 균형을 조절하는 기능을 수행한다.
그리고, 청색 발광층(250B) 상에는 제 2 전극(280)으로부터 주입된 전자를 발광층(250R, 250G, 250B)에 전달하기 위한 전자 수송층(270)과 전자 주입층이 차례로 형성되며, 도면에서는 전자 수송층(270)만을 도시하였다. 전자 수송층(270)은 알루미늄 퀴놀레이트(AlQ3)과 같이 전자 수송 능력이 뛰어난 물질로 형성되며, 전자 주입층은 리튬 플로라이드(LiF)와 같은 금속화합물을 사용할 수 있다. 또한, 전자 수송층(270)과 전자 주입층 역시 선택적으로 정공 주입층, 정공 수송층(240a, 240b)과 같이 하나의 층으로 형성할 수도 있다.
전자 수송층(270) 상에 형성된 제 2 전극(280)은 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에 전자를 공급하는 음극으로, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 등과 같은 불투명 도전성 물질 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 특히, 제 2 전극(280)은 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에서 방출된 광이 반사되어 기판(200)을 통해 하부로 발광하도록 반사율이 높은 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 양자 발광 소자는 제 1 전극(220)과 제 2 전극(280) 사이에 전압을 인가하면 제 1 전극(220)으로부터 정공이, 제 2 전극(280)으로부터 전자가 주입되어 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에서 재결합하여 엑시톤(exciton)이 생성된다. 그리고, 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 하부(Bottom)로 방출하게 된다.
이하, 본 발명의 양자 발광 소자의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 양자 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 기판(200) 상에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 도시하지는 않았으나, 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한 기판(200) 상에 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 보호막(210)을 형성한다. 보호막(210)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극을 노출시키는 화소 콘택홀을 포함하며, 화소 콘택홀을 포함한 보호막(210) 상에 제 1 전극(220)을 형성한다.
제 1 전극(220)은 양극으로, 스퍼터링 방법 등의 증착 방법으로 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성하며, 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극과 전기적으로 접속된다.
그리고, 도 4b와 같이, 제 1 전극(220)이 형성된 기판(200) 상에 제 1 전극(220)의 일부 영역을 노출시키는 뱅크 절연막(230)을 형성한다. 뱅크 절연막(230)은 후술할 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)을 서로 격리시키기 위한 것이다.
도 4c와 같이, 뱅크 절연막(230)을 통해 노출된 제 1 전극(220) 상에 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)을 차례로 형성한다. 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)은 제 1 전극(220)으로부터 주입된 정공을 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에 전달하기 위한 것이다. 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)은 각각 정공 주입 물질과 정공 수송 물질을 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing) 등과 같은 용액 공정(Soluble Process) 방법으로 형성한다.
또한, 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)을 하나의 층으로 형성할 수도 있다. 이 경우에는 하나의 층이 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)의 기능을 수행하여 재료비를 절감하고, 생산성과 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 정공 주입층(240a)과 정공 수송층(240b)을 하나의 층으로 형성하여 전하가 이동하는 계면(Interface)을 감소시켜 구동 전압을 낮출 수 있어 양자 발광 소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
도 4d와 같이, 정공 수송층(240B) 상에 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)을 형성한다. 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)은 각각 용매에 적색 양자점과 녹색 양자점을 분산시켜 정공 주입층과 정공 수송층과 같이 용액 공정으로 형성된다. 이 때, 적색 양자점과 녹색 양자점의 리간드는 양자점을 용매에 잘 분산시키기 위한 것이며 용매는 휘발된다.
이어, 도 4e와 같이, 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)이 형성된 기판(200) 전면에 진공 증착 방법으로 하이브리드 연결층(260)과 청색 발광층(250B)을 차례로 형성한다. 청색 발광층(250B)은 청색 양자점 대신 진공 증착이 가능한 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 형성된다. 이는, 청색 양자점의 밴드갭 에너지가 적색 양자점과 녹색 양자점에 비해 커 청색 발광 효율이 낮고, 청색 양자점의 개발이 어려워 풀 컬러(Full Color)를 구현하기 어렵기 때문이다.
하이브리드 연결층(260)은 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G) 상에 형성되어 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)으로 전자를 주입 또는 수송하는 전자 주입층 또는 전자 수송층 역할을 한다. 동시에 하이브리드 연결층(260)은 청색 발광층(250B)으로 정공을 주입 또는 수송하는 정공 주입층 또는 정공 수송층 역할을 하여 전하 균형을 조절한다.
또한, 청색 발광층(250B)이 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)과 중첩 형성되어 있으므로 청색 발광층(250B)으로부터 출사된 청색광이 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)으로부터 출사되는 광에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 하이브리드 연결층(260)은 청색 발광층(250B)으로부터 출사되는 청색광이 적색 발광층(250R) 및 녹색 발광층(250G)으로 출사되는 광에 영향을 주지 않을 수 있도록 전하 균형을 조절한다.
이어, 도 4f와 같이, 청색 발광층(250B) 상에 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에 전자를 전달하기 위한 전자 수송층(270)과 전자 주입층을 차례로 형성하며, 도면에서는 전자 수송층(270)만을 도시하였다. 전자 수송층(270)은 알루미늄 퀴놀레이트(AlQ3)과 같이 전자 수송 능력이 뛰어난 물질로 형성되며, 전자 주입층은 리튬 플로라이드(LiF)와 같은 금속화합물을 사용할 수 있다. 또한, 전자 수송층(270)과 전자 주입층 역시 선택적으로 정공 주입층, 정공 수송층(240a, 240b)과 같이 하나의 층으로 형성할 수도 있다.
그리고, 전자 수송층(270) 상에 형성된 제 2 전극(280)은 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에 전자를 공급하는 음극으로, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 특히, 제 2 전극(280)은 적색, 녹색, 청색 발광층(250R, 250G, 250B)에서 방출된 광이 반사되어 기판(200)을 통해 하부로 발광하도록 반사율이 높은 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 본 발명의 양자 발광 소자는 적색 발광층(250R), 녹색 발광층(250G)은 용액 공정을 통해 형성하며, 하이브리드 연결층(260), 청색 발광층(250B)은 진공 증착 방법을 통해 형성한다. 즉, 적색 발광층(250R)과 녹색 발광층(250G)은 용액 공정으로 형성하여 양자 발광 소자의 제조 비용을 절감하고, 발광 효율이 좋지 못한 청색 발광층(250B)은 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질을 이용한 진공 증착 방법으로 형성한다.
특히, 청색 발광층(250B)은 청색 양자점을 이용한 용액 공정으로 형성할 경우 스카이 블루(Sky Blue)가 표시될 수 있으나, 효율, 수명, 구동 전압의 특성이 좋은 진공 증착용 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질을 이용하여 딥 블루(deep blue)가 표시될 수 있도록 한다.
즉, 청색 발광층(250B)이 딥 블루를 구현해야 색재현율 및 시감이 향상되는데 용액 공정으로 청색 발광층(250B)을 형성할 경우에 스카이 블루를 표시하게 되며 수명 및 효율에 좋지 않으며, 구동 전압이 높아지는 문제가 발생된다. 그러나, 본 발명의 청색 발광층(250B)은 진공 증착용 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 형성하여 딥 블루를 표시하며, 수명 및 효율을 향상시킬 수 있으며, 구동 전압을 낮출 수 있다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
200: 기판 210: 보호막
220: 제 1 전극 230: 뱅크 절연막
240a: 정공 주입층 240b: 정공 수송층
250R: 적색 발광층 250G: 녹색 발광층
250B: 청색 발광층 260: 하이브리드 연결층
270: 전자 수송층 280: 제 2 전극

Claims (6)

  1. 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극;
    상기 제 1 전극을 노출시키며 서브 화소들을 구획하는 뱅크 절연막;
    노출된 상기 제 1 전극 상에 차례로 형성된 정공 주입층과 정공 수송층;
    상기 정공 수송층 상에 형성되며, 각각 적색 양자점과 녹색 양자점으로 형성된 적색 발광층과 녹색 발광층;
    상기 적색 발광층과 녹색 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 하이브리드 연결층;
    상기 하이브리드 연결층 전면에 형성되며, 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 형성된 청색 발광층; 및
    상기 청색 발광층 상에 차례로 형성된 전자 수송층과 제 2 전극을 포함하며,
    상기 적색 발광층 및 상기 녹색 발광층과 비중첩되는 상기 서브 화소의 상기 정공 수송층은 상기 하이브리드 연결층과 접하는 양자 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질은 진공 증착이 가능한 물질인 양자 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 투명 도전성 물질로 형성되며, 상기 제 2 전극은 불투명 도전성 물질로 형성되는 양자 발광 소자.
  4. 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터와 접속된 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키며 서브 화소들을 구획하는 뱅크 절연막을 형성하는 단계;
    노출된 상기 제 1 전극 상에 정공 주입층과 정공 수송층을 차례로 형성하는 단계;
    상기 정공 수송층 상에 각각 적색 양자점과 녹색 양자점으로 적색 발광층과 녹색 발광층을 형성하는 단계;
    상기 적색 발광층과 녹색 발광층 전면에 하이브리드 연결층을 형성하고, 상기 하이브리드 연결층 전면에 청색 형광 물질 또는 청색 인광 물질로 청색 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 청색 발광층 상에 차례로 전자 수송층과 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 적색 발광층 및 상기 녹색 발광층과 비중첩되는 상기 서브 화소의 상기 정공 수송층은 상기 하이브리드 연결층과 접하는 양자 발광 소자의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 적색 발광층과 녹색 발광층은 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing)과 같은 용액 공정 방법으로 형성하는 양자 발광 소자의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 하이브리드 연결층과 청색 발광층은 진공 증착 방법으로 형성하는 양자 발광 소자의 제조 방법.
KR1020110069566A 2011-07-13 2011-07-13 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법 KR101777136B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110069566A KR101777136B1 (ko) 2011-07-13 2011-07-13 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110069566A KR101777136B1 (ko) 2011-07-13 2011-07-13 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130008892A KR20130008892A (ko) 2013-01-23
KR101777136B1 true KR101777136B1 (ko) 2017-09-12

Family

ID=47838765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110069566A KR101777136B1 (ko) 2011-07-13 2011-07-13 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101777136B1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102362620B1 (ko) 2014-12-09 2022-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR102555434B1 (ko) * 2014-12-19 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102282030B1 (ko) * 2015-01-26 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2017116136A1 (ko) * 2015-12-31 2017-07-06 서울반도체주식회사 디스플레이 장치
US10943781B2 (en) * 2016-08-26 2021-03-09 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
KR102401398B1 (ko) 2017-05-15 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기전계 발광 표시장치
WO2020059143A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 シャープ株式会社 発光素子、発光デバイス、及び発光素子の製造方法
KR102550520B1 (ko) * 2018-10-08 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111725411A (zh) * 2020-06-11 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件及显示面板、显示装置
KR20220022231A (ko) 2020-08-18 2022-02-25 세메스 주식회사 컬러 필터 및 컬러 필터의 제조 방법
KR102364411B1 (ko) * 2020-08-21 2022-02-17 서울대학교산학협력단 양자점 발광 소자, 그 제조 방법 및 양자점 발광 소자를 포함하는 디스플레이 소자
KR102594687B1 (ko) * 2021-04-29 2023-10-25 서울대학교산학협력단 고휘도 양자점 발광 소자 및 그 제조 방법
CN113984216A (zh) * 2021-10-26 2022-01-28 北京理工大学 红外-多色上转化成像焦平面器件及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560789B1 (ko) 2003-11-25 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR100754396B1 (ko) 2006-02-16 2007-08-31 삼성전자주식회사 양자점 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560789B1 (ko) 2003-11-25 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR100754396B1 (ko) 2006-02-16 2007-08-31 삼성전자주식회사 양자점 발광소자 및 그 제조방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Nanotechnology, 15, 1217-1220, 2004*

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130008892A (ko) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101777136B1 (ko) 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101686104B1 (ko) 양자점 발광 소자
US8552416B2 (en) Quantum dot light emitting diode device and display device therewith
KR101686107B1 (ko) 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101649237B1 (ko) 양자점 발광 소자 및 이를 이용한 조명 장치
US9660209B2 (en) Method for manufacturing OLED device and OLED device manufactured therewith
KR102156760B1 (ko) 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101794645B1 (ko) 양자 발광 소자
KR102410499B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR101726630B1 (ko) 양자 발광 소자
KR20180076857A (ko) 유기발광다이오드 표시장치
WO2021100104A1 (ja) 発光素子、発光デバイス
KR102081101B1 (ko) 양자 발광 소자
KR102595367B1 (ko) 백색 유기 발광 소자
CN112133839B (zh) 量子点发光二极管及其制造方法和量子点发光显示装置
CN114678398A (zh) 有机发光二极管及包括其的显示设备
CN111628094B (zh) 有机发光显示装置及有机发光堆叠结构
KR20120016342A (ko) 양자점 발광 소자
US20230371334A1 (en) Novel light emitting device architectures
EP4176470B1 (en) Improved light emitting devices
KR20220103844A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20170112452A (ko) 유기발광소자
KR20230034484A (ko) 다층 전극, 이를 포함하는 발광다이오드 및 표시 장치
KR20210031675A (ko) 백색 유기 발광 소자
KR20220030239A (ko) 백색 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant