KR102156760B1 - 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-bis(3-methylphenyl)-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 claims description 3
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 claims description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 HgSe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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Abstract
본 발명은 전자, 정공 수송 능력을 갖는 리간드를 포함하는 양자점을 이용하여 양자 발광층을 형성함으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양자 발광 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 차례로 적층된 제 1 전극과 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 양자 발광층; 및 상기 양자 발광층 상에 차례로 적층된 전자 수송층과 제 2 전극을 포함하며, 상기 양자 발광층은 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 적어도 한번 이상 교대로 적층된 구조이다.
Description
본 발명은 양자 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로, 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 표시 장치가 근래에 각광받고 있다.
일반적인 유기 발광 표시 장치는 발광층의 재료로 유기 발광 재료를 사용하며, 유기 발광 재료를 사용하는 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 소자의 종류에 따라 백색, 적색, 청색 등 단일색을 구현하는데, 많은 빛을 화려하게 표현하기에는 한계가 있다.
따라서, 최근에는 반도체 나노 입자인 양자점(Quantum Dot; QD)을 이용하는 양자 발광 표시 장치(QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE)가 개발되었다. 직경이 나노미터 크기의 양자점은 불안정한 상태의 전자가 전도대에서 가전자대로 내려오면서 발광하는데, 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛이 발생한다. 이는 기존의 반도체 물질과 다른 독특한 전기적이며 광학적인 특성이다.
따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선을 표현하고, 여러 크기의 양자점과 양자점 성분을 달리하여 다양한 색을 동시에 구현할 수 있다. 또한, 색재현율이 좋고 휘도 또한 발광다이오드에 뒤쳐지지 않아 차세대 광원으로 주목 받는 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)의 단점을 보완할 수 있는 소재로 각광받고 있다.
이하, 일반적인 양자 발광 표시 장치의 구조를 설명한다.
도 1은 일반적인 양자 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 1과 같이, 일반적인 양자 발광 표시 장치는 기판(100), 기판(100) 상에 서로 대향된 양극(10) 및 음극(50), 양극(10)과 음극(50) 사이에 형성된 양자 발광층(30), 양극(10)과 양자 발광층(30) 사이에 형성된 정공 수송층(20), 그리고, 양자 발광층(30)과 음극(50) 사이에 형성된 전자 수송층(40)을 포함하여 이루어진다.
양자 발광층(30)은 복수개의 양자점(30a)으로 이루어지며, 도시하지는 않았으나, 양자점(30a)은 코어(Core), 쉘(Shell) 및 리간드(Ligand)를 포함한다. 빛을 내는 역할을 하는 코어를 감싸며 코어의 표면에 형성되는 쉘은 코어를 보호하는 역할을 한다. 그리고, 쉘을 감싸도록 쉘의 표면에는 리간드가 형성되어, 양자 발광층(30) 형성시 양자점(30a)이 용매에 잘 분산될 수 있도록 도와주는 역할을 한다.
상기와 같은 양자 발광 표시 장치는 정공 수송층(20)이 양극(10)에서 양자 발광층(30)의 양자점(30a)으로 정공을 수송 및 주입하고, 음극(50)을 통해 주입된 전자는 전자 수송층(40)을 통해 양자 발광층(30)으로 주입된다. 그리고, 양자 발광층(30)으로 주입된 정공과 전자는 리간드와 쉘을 차례로 통화한 후, 코어에서 만나 발광한다. 그런데, 일반적으로 리간드는 전도성이 없는 유기 물질로 형성되므로, 정공과 전자가 코어에서 결합할 수 있는 확률이 낮아져, 양자 발광 표시 장치의 발광 효율이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 전자, 정공 수송 능력을 갖는 리간드를 포함하는 양자점을 이용하여 양자 발광층을 형성함으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자 발광 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 차례로 적층된 제 1 전극과 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상에 형성된 양자 발광층; 및 상기 양자 발광층 상에 차례로 적층된 전자 수송층과 제 2 전극을 포함하며, 상기 양자 발광층은 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 적어도 한번 이상 교대로 적층된 구조이다.
상기 양자 발광층의 최하위층은 제 1 양자 발광층이며, 상기 양자 발광층의 최상위층은 제 2 양자 발광층이다.
상기 정공 수송 리간드는 아릴 아민을 포함한다.
상기 아릴 아민은 트리 아릴 아민이다.
상기 전자 수송 리간드는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
상기 헤테로고리 화합물은 산소, 황, 질소, 규소 중 선택된 헤테로원자를 포함한다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 차례로 제 1 전극과 정공 수송층을 형성하는 단계; 상기 정공 수송층 상에 양자 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 양자 발광층 상에 차례로 전자 수송층과 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 양자 발광층을 형성하는 단계는 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점으로 이루어진 제 2 양자 발광층을 적어도 한번 이상 교대로 적층하여 형성한다.
상기 양자 발광층을 형성하는 단계는 최하위층에 제 1 양자 발광층을 형성하고, 상기 양자 발광층의 최상위층에 제 2 양자 발광층을 형성한다.
상기 양자 발광층을 형성하는 단계는 상기 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점을 용매에 분산시킨 혼합물을 상기 정공 수송층 상에 도포하고, 상기 용매를 휘발시켜 상기 제 1 양자 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점을 용매에 분산시킨 혼합물을 상기 제 1 양자 발광층 상에 도포하고, 상기 용매를 휘발시켜 상기 제 2 양자 발광층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 정공 수송 리간드는 아릴 아민을 포함한다.
상기 아릴 아민은 트리 아릴 아민이다.
상기 전자 수송 리간드는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
상기 헤테로고리 화합물은 산소, 황, 질소, 규소 중 선택된 헤테로원자를 포함한다.
상기와 같은 본 발명의 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법은 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 적어도 한번 이상 교대로 적층된 구조의 양자 발광층을 형성하여, 양자 발광층으로 정공과 전자가 원활하게 주입되어, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
특히, 양자 발광층의 최하위층에 제 1 양자 발광층을 형성하고, 양자 발광층의 최상위층에 제 2 양자 발광층을 형성하여, 양자 발광층 하부의 정공 수송층으로부터 정공의 주입을 원활하게 하고, 양자 발광층 상부의 전자 수송층으로부터 전자의 주입을 원활하게 할 수 있다.
도 1은 일반적인 양자 발광 표시 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 단면도.
도 3a는 도 2의 제 1 양자점의 구체적인 단면도.
도 3b는 도 2의 제 2 양자점의 구체적인 단면도.
도 4는 복수층의 제 1 양자 발광층과 제 2 양자 발광층을 포함하는 양자 발광층을 갖는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
도 2는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 단면도.
도 3a는 도 2의 제 1 양자점의 구체적인 단면도.
도 3b는 도 2의 제 2 양자점의 구체적인 단면도.
도 4는 복수층의 제 1 양자 발광층과 제 2 양자 발광층을 포함하는 양자 발광층을 갖는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 단면도이며, 도 3a는 도 2의 제 1 양자점의 구체적인 단면도, 도 3b는 도 2의 제 2 양자점의 구체적인 단면도이다. 그리고, 도 4는 복수층의 제 1 양자 발광층과 제 2 양자 발광층을 포함하는 양자 발광층을 갖는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 2와 같이, 본 발명의 양자 발광 표시 장치는 기판(200), 기판(200) 상에 차례로 형성된 제 1 전극(110)과 정공 수송층(120), 정공 수송층(120) 상에 형성되며, 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점(170)으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점(180)으로 이루어진 제 2 양자 발광층을 포함하는 양자 발광층(130) 및 양자 발광층(130) 상에 차례로 형성된 전자 수송층(140)과 제 2 전극(150)을 포함한다.
구체적으로, 기판(200)의 종류는 특별히 한정되지 않고 다양하게 가능하며, 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 실리콘 기판 등이 가능하다. 도시하지는 않았으나, 기판(200) 상에는 박막 트랜지스터가 형성되고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 제 1 전극(110)이 전기적으로 접속된다.
제 1 전극(110)은 양극(Anode)으로 틴 옥사이드(Tin Oxide; TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성되어, 양자 발광층(130)에서 발생된 광이 제 1 전극(110)을 통해 배면 발광을 할 수 있다.
제 1 전극(110) 상에 형성된 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL)(120)은 양자 발광층(130)으로 정공의 주입을 원활하게 하기 위한 것으로, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(110)과 정공 수송층(120) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL)이 더 형성될 수 있다.
양자 발광층(130)은 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점(170)으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점(180)으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 차례로 적층된 구조이다.
상술한 바와 같이, 일반적인 양자점은 전도성이 없는 유기 물질로 형성된 리간드를 가진다. 따라서, 일반적인 양자 발광 표시 장치는 정공과 전자가 코어에서 결합할 수 있는 확률이 낮아져, 발광 효율이 저하된다.
따라서, 본 발명의 양자 발광 표시 장치는 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점(170)으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점(180)으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 차례로 적층된 구조의 양자 발광층(130)을 형성하여, 정공과 전자가 원활하게 코어로 주입되도록하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
구체적으로, 제 1 양자점(170)은 도 3a와 같이, 코어(170a), 코어(170a)를 감싸는 쉘(170b) 및 쉘(170b)을 감싸는 정공 수송 리간드(170c)를 포함한다. 코어(170a)는 빛을 방출하며, 코어(170a)를 감싸며 코어(170a)의 표면에 형성되는 쉘(170b)은 코어(100a)를 보호하는 역할을 한다.
코어(170a)와 쉘(170b)은 주기율 표의 Ⅱ-Ⅵ족, Ⅲ-V족, Ⅲ-Ⅵ족, Ⅵ-Ⅳ족, Ⅳ족 화합물 반도체로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, Ⅱ-Ⅵ족 화합물은 CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 등으로부터 선택되는 화합물이며, Ⅲ-V족은 InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 등으로부터 선택되는 화합물이다. 그리고, Ⅵ-Ⅳ족은 PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Ti2SnTe5 등으로부터 선택되는 화합물이다.
그리고, 쉘(170b)을 감싸도록 쉘(170b)의 표면에 형성된 정공 수송 리간드(170c)는, 제 1 양자점(170)을 용매에 잘 분산시킴과 동시에, 정공 수송층(120)으로부터 전달되는 정공을 코어(170a)로 잘 주입시키기 위한 것이다. 구체적으로, 정공 수송 리간드(170c)는 정공 수송 능력이 뛰어난 아릴 아민(Aryl Amine)을 포함하며, 바람직하게는 트리 아릴 아민(Tri Aryl Amine) 계열의 물질로 형성될 수 있다. 이 때, 트리 아릴 아민(Tri Aryl Amine) 계열은 α-NPD, β-NPD, TPD, CBP, BMA-nT, TBA, o-TTA, p-TTA, m-TTA, spiro-TPD, TPTE 등과 같은 물질이다.
제 2 양자점(180) 역시 도 3b와 같이, 코어(180a)와, 코어(180a)를 감싸는 쉘(180b)을 포함하며, 쉘(180b)을 감싸는 전자 수송 리간드(180c)를 포함한다. 구체적으로, 전자 수송 리간드(18c)는 전자 수송 능력이 뛰어난 헤테로고리 화합물(Heterocyclic Compound)을 포함한다. 헤테로고리 화합물은 고리 모양의 구조를 가진 유기화합물 중, 고리를 구성하는 원자가 탄소 이외의 헤테로 원자를 함유하는 화합물로, 헤테로원자는 산소(O), 황(S), 질소(N), 규소(Si) 등과 같은 물질을 포함한다.
한편, 양자 발광층(130)은 도 4와 같이, 정공 수송 리간드(170c)를 갖는 제 1 양자점(170)으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드(180c)를 갖는 제 2 양자점(180)으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 복수 번 교대로 적층된 구조일 수 있다.
특히, 이 경우, 양자 발광층(130)의 최하위층에 제 1 양자 발광층이 형성되고, 양자 발광층(130)의 최상위층에 제 2 양자 발광층이 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 양자 발광층(130) 하부의 정공 수송층(120)으로부터 정공의 주입을 원활하게 하고, 양자 발광층(130) 상부의 전자 수송층(140)으로부터 전자의 주입을 원활하게 하기 위함이다.
다시 도 2를 참조하여, 양자 발광층(130) 상에 형성된 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(140)은 양자 발광층(130)으로 전자의 주입을 원활하게 하기 위한 것으로, 도시하지는 않았으나, 전자 수송층(140)과 제 2 전극(150) 사이에 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)이 더 형성될 수 있다. 그리고, 제 2 전극(150)은 음극(Cathode)으로, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 특히, 제 2 전극(150)은 양자 발광층(130)에서 방출된 광이 반사되어 기판(200)을 통해 하부로 발광하도록 반사율이 높은 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 본 발명의 양자 발광 표시 장치는, 정공 수송 리간드(170c)를 갖는 제 1 양자점(170)으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드(180c)를 갖는 제 2 양자점(180)으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 적어도 한번 이상 교대로 적층된 구조의 양자 발광층(130)을 형성하여, 제 1, 제 2 양자점(170, 180)의 코어로 정공과 전자가 원활하게 주입되어, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 양자 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 5a와 같이, 기판(200) 상에 제 1 전극(110)과 정공 수송층(120)을 차례로 형성한다. 도시하지는 않았으나, 기판(200) 상에 액티브층과 오믹접촉층을 포함하는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하고, 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 제 1 전극(110)을 형성한다.
제 1 전극(110)은 양극(Anode)으로, 스퍼터링 방법 등의 증착 방법으로 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성한다. 그리고, 제 1 전극(110) 상에 정공 수송층(120)을 형성하고, 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(110)과 정공 수송층(120) 사이에 정공 주입층이 더 형성될 수도 있다.
정공 수송층(120)과 정공 주입층은 각각 정공 수송 물질과 정공 주입 물질을 잉크 젯(Ink Jet), 노즐 코팅(Nozzle Coating), 스프레이 코팅(Spray Coating), 롤 프린팅(Roll Printing) 등과 같은 용액 공정(Soluble Process) 방법으로 형성한다.
이어, 도 4b, 도 4c와 같이, 정공 수송층(120) 상에 상기와 같은 용액 공정 방법으로 양자 발광층(130)을 형성한다. 구체적으로, 양자 발광층(130)은 정공 수송 리간드(170c)를 갖는 제 1 양자점(170)으로 이루어진 제 1 양자 발광층 상에 전자 수송 리간드(180c)를 갖는 제 2 양자점(180)으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 차례로 적층된 구조이다.
구체적으로, 도 4b와 같이, 정공 수송 리간드(170c)를 갖는 제 1 양자점(170)을 헥세인(Hezane), 톨루엔(Toluene), 클로로포름(Chloroform) 등과 같은 용매에 분산시킨 혼합물을 정공 수송층(120) 상에 도포하고, 용매를 휘발시켜 제 1 양자 발광층을 형성한다.
그리고, 전자 수송 리간드(180c)를 갖는 제 2 양자점(180)을 상기와 같은 용매에 분산시킨 혼합물을 제 1 양자 발광층 상에 도포하고, 용매를 휘발시켜 제 2 양자 발광층을 형성한다. 제 1, 제 2 양자 발광층은 적어도 한번 이상 교대로 적층된 구조로 형성될 수 있으며, 이 경우, 양자 발광층(130)의 최하위층에 제 1 양자 발광층이 형성되고, 양자 발광층(130)의 최상위층에 제 2 양자 발광층이 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 양자 발광층(130) 하부의 정공 수송층(120)으로부터 정공의 주입을 원활하게 하고, 양자 발광층(130) 상부의 전자 수송층으로부터 전자의 주입을 원활하게 하기 위함이다.
이어, 도 4d와 같이, 양자 발광층(130) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법으로 전자 수송층(140)과 제 2 전극(150)을 차례로 형성한다. 도시하지는 않았으나, 전자 수송층(140)과 제 2 전극(150) 사이에 전자 주입층이 더 형성되어 음극(Cathode)인 제 2 전극(150)으로부터 양자 발광층(130)으로 전자가 잘 주입되도록 한다.
상기와 같은 본 발명의 양자 발광 표시 장치는, 정공 수송 리간드(170c)를 갖는 제 1 양자점(170)으로 이루어진 제 1 양자 발광층과 전자 수송 리간드(180c)를 갖는 제 2 양자점(180)으로 이루어진 제 2 양자 발광층이 적어도 한번 이상 교대로 적층된 구조의 양자 발광층(130)을 형성하여, 양자 발광층(130)으로 정공과 전자가 원활하게 주입되어, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
110: 제 1 전극 120: 정공 수송층
130: 양자 발광층 140: 전자 수송층
150: 제 2 전극 170: 제 1 양자점
170a, 180a: 코어 170b, 180b: 쉘
170c: 정공 수송 리간드 180c: 전자 수송 리간드
200: 기판
130: 양자 발광층 140: 전자 수송층
150: 제 2 전극 170: 제 1 양자점
170a, 180a: 코어 170b, 180b: 쉘
170c: 정공 수송 리간드 180c: 전자 수송 리간드
200: 기판
Claims (13)
- 기판 상에 위치하는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공 수송층;
상기 정공 수송층 상에 위치하고, 적어도 한 번 이상 교대로 적층되는 제 1 양자 발광층 및 제 2 양자 발광층을 포함하는 양자 발광층;
상기 양자 발광층 상에 위치하는 전자 수송층; 및
상기 전자 수송층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며,
상기 제 1 양자 발광층은 제 1 코어, 상기 제 1 코어를 감싸는 제 1 쉘 및 상기 제 1 쉘을 완전히 감싸는 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점으로 이루어지고,
상기 제 2 양자 발광층은 제 2 코어, 상기 제 2 코어를 감싸는 제 2 쉘 및 상기 제 2 쉘을 완전히 감싸는 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점으로 이루어지되,
상기 정공 수송층과 동일한 전하를 가지는 상기 정공 수송 리간드는 아릴 아민(Aryl Amine)을 포함하고, 상기 전자 수송층과 동일한 전하를 가지는 상기 전자 수송 리간드는 헤테로고리 화합물(Heterocyclic Compound)을 포함하고,
상기 정공 수송층과 접촉하는 상기 양자 발광층의 최하위층은 제 1 양자 발광층이며, 상기 전자 수송층과 접촉하는 상기 양자 발광층의 최상위층은 제 2 양자 발광층이며,
상기 정공 수송층은 용액 공정(soluble process) 방법으로 형성되고,
상기 양자 발광층은 상기 정공 수송층과 동일한 용액 공정 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층 및 상기 전자 수송층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전자 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 아릴 아민은 트리 아릴 아민인 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 트리 아릴 아민은 α-NPD, ß-NPD, TPD, CBP, BMA-nT, TBA, o-TTA, p-TTA, m-TTA, spiro-TPD 및 TPTE 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 헤테로고리 화합물은 산소, 황, 질소, 규소 중 선택된 헤테로원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치. - 기판 상에 차례로 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 용액 공정(soluble process) 방법으로 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층 상에 제 1 양자 발광층과 제 2 양자 발광층을 적어도 한번 이상 교대로 적층하여 양자 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 양자 발광층 상에 차례로 전자 수송층과 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제 1 양자 발광층은 제 1 코어, 상기 제 1 코어를 감싸는 제 1 쉘 및 상기 제 1 쉘을 완전히 감싸는 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점으로 이루어지고,
상기 제 2 양자 발광층은 제 2 코어, 상기 제 2 코어를 감싸는 제 2 쉘 및 상기 제 2 쉘을 완전히 감싸는 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점으로 이루어지되,
상기 정공 수송층과 동일한 전하를 가지는 상기 정공 수송 리간드는 아릴 아민을 포함하고, 상기 전자 수송층과 동일한 전하를 가지는 상기 전자 수송 리간드는 헤테로고리 화합물을 포함하고,
상기 양자 발광층을 형성하는 단계는 상기 정공 수송층과 접촉하는 상기 양자 발광층의 최하위층에 제 1 양자 발광층을 형성하는 단계 및 상기 전자 수송층과 접촉하는 상기 양자 발광층의 최상위층에 제 2 양자 발광층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 양자 발광층은 상기 정공 수송층과 동일한 용액 공정 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치의 제조 방법. - 삭제
- 제 7 항에 있어서,
상기 양자 발광층을 형성하는 단계는 상기 제 1 코어, 상기 제 1 쉘 및 상기 정공 수송 리간드를 갖는 제 1 양자점을 용매에 분산시킨 혼합물을 상기 정공 수송층 상에 도포하고, 상기 용매를 휘발시켜 상기 제 1 양자 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 코어, 상기 제 2 쉘 및 상기 전자 수송 리간드를 갖는 제 2 양자점을 용매에 분산시킨 혼합물을 상기 제 1 양자 발광층 상에 도포하고, 상기 용매를 휘발시켜 상기 제 2 양자 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 정공 수송층 사이에 정공 주입층을 형성하는 단계 및 상기 전자 수송층과 상기 제 2 전극 사이에 전자 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 아릴 아민은 트리 아릴 아민인 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 트리 아릴 아민은 α-NPD, ß-NPD, TPD, CBP, BMA-nT, TBA, o-TTA, p-TTA, m-TTA, spiro-TPD 및 TPTE 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 헤테로고리 화합물은 산소, 황, 질소, 규소 중 선택된 헤테로원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110112783A KR102156760B1 (ko) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110112783A KR102156760B1 (ko) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130047943A KR20130047943A (ko) | 2013-05-09 |
| KR102156760B1 true KR102156760B1 (ko) | 2020-09-17 |
Family
ID=48659192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110112783A KR102156760B1 (ko) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 양자 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102156760B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3544074A3 (en) * | 2018-03-19 | 2019-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
| US11737301B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
| KR102673644B1 (ko) * | 2018-03-19 | 2024-06-10 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| EP3613826B1 (en) | 2018-08-24 | 2022-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
| US10851298B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic device including quantum dots |
| US11038136B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-06-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
| EP3620497B1 (en) | 2018-09-07 | 2021-10-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroluminescent device, and display device comprising thereof |
| KR102581900B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2023-09-21 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치 |
| KR20210018567A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 조성물, 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20220043997A (ko) | 2020-09-28 | 2022-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 조성물 및 이를 이용한 발광 소자의 제조 방법 |
| WO2022137319A1 (ja) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | シャープ株式会社 | 発光素子、および発光装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7615800B2 (en) * | 2005-09-14 | 2009-11-10 | Eastman Kodak Company | Quantum dot light emitting layer |
| EP2057701A2 (en) * | 2006-08-24 | 2009-05-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic devices |
| KR20080062907A (ko) | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자의 제조방법 |
| US8945724B2 (en) * | 2007-12-27 | 2015-02-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent device using the same |
| KR101140309B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2012-05-02 | 서울대학교산학협력단 | 양자점 다층 박막을 포함한 전기발광소자 |
| KR101652789B1 (ko) * | 2009-02-23 | 2016-09-01 | 삼성전자주식회사 | 다중 양자점층을 가지는 양자점 발광소자 |
| KR20110109326A (ko) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
-
2011
- 2011-11-01 KR KR1020110112783A patent/KR102156760B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130047943A (ko) | 2013-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2019101001149; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20190404 Effective date: 20200228 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant |