KR101686107B1 - 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 양자 발광층 상에 양자점과 전자 수송 물질을 혼합한 전자 수송층을 형성하여, 상기 전자 수송층의 양자점에서도 전자와 정공이 만나 발광하여 소자의 효율을 증가시킬 수 있는 양자점 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된 양자 발광층; 및 상기 양자 발광층 상부 또는 하부에 형성되며, 양자점과 전자 수송 물질이 혼합된 제 1 전자 수송층과 전자 수송 물질만으로 구성된 제 2 전자 수송층을 포함하여 이루어진다.

Description

양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법{QUANTUM-DOT LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATION THE SAME}
본 발명은 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 전자 수송층에서도 전자와 정공이 만나 발광하여 소자의 효율을 높이는 고효율 양자점 발광 소자에 관한 것이다.
정보화 사회에서 디스플레이(Display)는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 한층 강조되고 있으며, 향후 주요한 위치를 점하기 위해서는 저소비전력화, 박형화, 경량화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다.
이러한 디스플레이 중 발광 재료를 이용하여 표시가 가능하며, 슬림화가 가능하며, 색순도가 높고 또한, 장시간 구동이 가능한 양자점 발광 소자가 근래 연구되고 있다.
양자점(QD:Quantum Dot)은 반도체 나노입자이다. 직경이 나노미터 크기의 양자점은 불안정한 상태의 전자가 전도대에서 가전자대로 내려오면서 발광하는데, 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛이 발생한다. 이는 기존의 반도체 물질과 다른 독특한 전기적이며 광학적인 특성이다. 따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장의 가시광선을 표현하고, 여러 크기의 양자점과 양자점 성분을 달리하여 다양한 색을 동시에 구현할 수 있다.
일반적인 유기 발광 표시 소자는 발광층의 재료로 유기 발광 재료를 사용하며, 유기 발광 재료를 사용하는 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 소자의 종류에 따라 백색, 적색, 청색 등 단일색을 구현하는데, 많은 빛을 화려하게 표현하기에는 한계가 있다.
이에 반해, 양자점 발광 소자는 발광층의 재료로 양자점을 사용하는 표시 소자이며, 양자점의 크기를 제어하여 원하는 천연색을 구현할 수 있으며, 색재현율이 좋고 휘도 또한 발광다이오드에 뒤쳐지지 않아 차세대 광원으로 주목 받는 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)의 단점을 보완할 수 있는 소재로 각광받고 있다.
이하, 일반적인 양자점 발광 소자의 구조를 설명한다.
도 1a는 일반적인 양자점 발광 소자의 단면도이며, 도 1b는 도 1a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
도 1a를 참조하면, 일반적인 양자점 발광 소자는, 기판(100) 상에 서로 대향된 양극(10) 및 음극(50)과, 상기 양극(10)과 음극(50) 사이에 형성된 양자 발광층(30)과, 상기 양극(10)과 양자 발광층(30) 사이에 형성된 정공 수송층(20)과, 상기 양자 발광층(30)과 음극(50) 사이에 형성된 전자 수송층(40)을 포함하여 이루어진다.
여기서, 상기 양자 발광층(30)은 직경이 나노미터 크기인 복수개의 양자점(30a)이 채워져 이루어지는데, 예를 들어, 용매에 상기 양자점(30a)을 분산시킨 후, 용액 공정(Solution Process)으로 상기 정공 수송층(20) 상에 도포한 후, 상기 용매를 휘발시켜 이루어진다.
그리고, 상기 정공 수송층(20)은 상기 양극(10)으로부터 정공 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자 발광층(30)으로 정공을 전달하는 역할을 한다. 상기 전자 수송층(40)은 상기 음극(50)으로부터의 전자 주입을 용이하게 해주고, 상기 양자 발광층(30)으로 전자를 전달하는 역할을 한다.
그런데, 도 1b와 같이, 양자점(30a)으로 주입된 정공 중 일부만 전자 수송층(40)으로부터 주입된 전자와 만나 발광하며, 이때의 발광 효율은 약 2% 수준이며, 발광에 참여하지 못한 정공은 전자 수송층(40)으로 이동해버린다.
따라서, 양자점 발광 소자의 효율을 향상시키기 위한 새로운 방안이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 양자 발광층 상에 양자점과 전자 수송 물질을 혼합한 전자 수송층을 형성하여, 상기 전자 수송층의 양자점에서도 전자와 정공이 만나 발광하여 양자점 발광 소자의 효율을 증가시키는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자점 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성된 양자 발광층; 및 상기 양자 발광층 상부 또는 하부에 형성되며, 양자점과 전자 수송 물질이 혼합된 제 1 전자 수송층과 전자 수송 물질만으로 구성된 제 2 전자 수송층을 포함하여 이루어진다.
상기 제 1 전극이 양극이고 상기 제 2 전극이 음극이거나, 상기 제 1 전극이 음극이고 상기 제 2 전극이 양극이다.
상기 제 1 전극이 양극이면,
상기 제 1 전극과 상기 양자 발광층 사이에 형성된 정공 수송층을 더 포함하고, 상기 양자 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 제 1 전자 수송층과 제 2 전자 수송층이 차례로 형성된다.
상기 제 1 전극이 음극이면,
상기 제 1 전극과 상기 양자 발광층 사이에 제 2 전자 수송층과 제 1 전자 수송층이 차례로 형성되고, 상기 양자 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 형성된 정공 수송층을 더 포함한다.
상기 제 1 전자 수송층의 두께는 100㎚ 이하이다.
상기 전자 수송 물질과 양자점의 혼합 비율은 1:1 이다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양자점 발광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 양자 발광층을 형성하는 단계; 상기 양자 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 양자 발광층과 제 1 전극 사이 또는 상기 양자 발광층과 제 2 전극 사이에 양자점과 전자 수송 물질이 혼합된 제 1 전자 수송층과 전자 수송 물질만으로 구성된 제 2 전자 수송층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기 제 1 전극이 양극이고 상기 제 2 전극이 음극이거나, 상기 제 1 전극이 음극이고 상기 제 2 전극이 양극이다.
상기 제 1 전극이 양극이면,
상기 제 1 전극과 상기 양자 발광층 사이에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 양자 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 제 1 전자 수송층과 제 2 전자 수송층이 차례로 형성된다.
상기 제 1 전극이 음극이면,
상기 제 1 전극과 상기 양자 발광층 사이에 제 2 전자 수송층과 제 1 전자 수송층이 차례로 형성되고, 상기 양자 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 제 1 전자 수송층은 상기 양자점과 전자 수송 물질을 용매에 분산시켜 액상으로 코팅하는 용액 공정(Solution process)으로 형성된다.
상기 용액 공정은 잉크젯(Inkjet) 방식, 스핀 코팅(Spin Coating) 방식, 노즐 코팅(Nozzle Coating) 방식, 스프레이 코팅(Spray Coating) 방식 및 슬릿 코팅(Slit Coating) 방식 중 어느 하나이다.
상기와 같은 본 발명의 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법은, 양자 발광층 상에 양자점과 전자 수송 물질을 혼합한 전자 수송층을 형성하여, 양자 발광층의 양자점 및 전자 수송층의 양자점에서 정공 및 전자가 만나 발광하므로, 일반적인 양자점 발광 소자와 같이 양자 발광층의 양자점에서만 정공 및 전자가 만나 발광하는 것보다 소자의 효율이 향상된다.
도 1a는 일반적인 양자점 발광 소자의 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 밴드갭 에너지 다이어그램도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이다.
일반적으로 양자 발광층의 양자점으로 주입된 정공 중 일부만 전자와 만나 발광하고 발광에 참여하지 못한 정공은 전자 수송층으로 이동하므로, 실제로 양자 발광층의 정 중앙에서 정공과 전자가 만나 발광하는 것이 아니라 양자 발광층과 전자 수송층 사이의 양자점에서 가장 많은 전자와 정공이 만나 발광한다.
따라서, 본 발명은 양자 발광층 상에 전자 수송 물질과 양자점을 혼합한 제 1 전자 수송층을 형성하여, 상기 제 1 전자 수송층의 양자점에서도 정공과 전자가 만나 발광하여 소자의 효율이 향상된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 양자점 발광 소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.
*제 1 실시예*
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자는, 기판(200)과, 상기 기판(200) 상에 형성된 양극(110)과, 상기 양극(110) 상에 형성된 정공 수송층(120)과, 상기 정공 수송층(120) 상에 형성된 양자 발광층(130)과, 상기 양자 발광층(130) 상에 형성되며, 양자점(130a)과 전자 수송 물질(140a)이 혼합된 제 1 전자 수송층(135)과, 상기 제 1 전자 수송층(135) 상에 형성된 제 2 전자 수송층(140), 그리고 상기 제 2 전자 수송층(140) 상에 형성된 음극(150)을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 양자 발광층(130)과 양극(110) 사이에 정공 주입층이 더 형성될 수 있으며, 상기 양자 발광층(130)과 음극(150) 사이에 전자 주입층이 더 형성될 수 있다.
상기 기판(200)의 종류는 특별히 한정되지 않고 다양하게 가능하며, 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 실리콘 기판 등이 가능하다.
그리고, 상기 양극(110)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide), 아연 산화물(Zinc Oxide), 인듐 산화물(Indium Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide), 인듐 아연 산화물(Indium Tin Oxide)로부터 선택되는 투명 전극으로 이루어지며, 상기 음극(150)은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 바륨(Ba) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어진다.
상기 양극(110) 상에 형성되는 정공 수송층(120)은 정공 수송 물질(120a)로 구성되며, 상기 정공 수송 물질(120a)은 NPB(N,N`-bis(1-naphtalenyl)-N-N`-bis(phenyl-benzidine)), DMFL-NPB(N,N0-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N0-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluorene), DPFL-NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-9,9'-diphenyl-fluorene), Spiro-NPB(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-spiro), TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine), Poly-TPD(poly(N,N0-bis(4-butylphenyl)-N,N0-bis(phenyl)benzidine), CBP(4, 4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), α-NPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1=naphtyl)-1,1'-biphenyl-4,4''-diamine), TATC(4,4',4''-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine), DNTPD(N,N'-di(4-(N,N'-diphenyl-amino)phenyl)-N.N'-diphenylbenzidine), TBADN : 3-Tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene, mHOST5(2,7-Di(N,N'-carbarzolyl)-9,9-bis[4-(2-ethylhexyloxy)-phenyl]fluorine) 중 선택되어 이루어지거나, NiO, MoO3, WO3과 같은 산화물로 이루어질 수 있다.
상기 정공 수송층(120)은 상기 양극(110)으로부터 정공 주입을 용이하게 해주고 상기 양자 발광층(130)으로 정공을 전달하는 역할을 한다.
상기 정공 수송층(120) 상에 형성된 양자 발광층(130)은 1㎚ 내지 100㎚의 직경을 갖는 나노 크기의 양자점(130a)들로 구성되며, 도시하지는 않았지만, 상기 양자점(130a)은 코어(Core), 쉘(Shell) 및 리간드(Ligand) 또는 코어와 쉘로만 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 양자점(130a)은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴텔레라이드(CdTe), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레라이드(ZnTe), 징크설파이드(ZnS), 머큐리텔레라이드(HgTe)와 같은 2-6족 반도체 화합물 또는, 인듐 아세나이드(InAs), 인듐 포스파이드(InP)와 같은 3-5족 반도체 화합물 등으로부터 선택된다.
그런데, 일반적으로 양자 발광층의 양자점에서 전자와 만나 발광하지 못한 정공은 양자 발광층 상에 형성되는 전자 수송층으로 이동한다.
따라서, 본 발명은 전자 수송층으로 이동하는 정공 또한 발광에 참여하도록, 양자 발광층(130) 상에 양자점(130a)과 전자 수송 물질(140a)이 혼합된 제 1 전자 수송층(135)을 형성한다.
이때, 상기 전자 수송 물질(140a)과 양자점(130a)의 혼합 비율은 1:1이며, 특히, 양자점(130a)의 비율이 커지면 저항이 커지므로 상기 전자 수송 물질(140a)과 양자점(130a)의 혼합 비율이 1:1 이거나, 상기 양자점(130a)을 전자 수송 물질(140a) 보다 더 낮은 비율로 혼합하는 것이 바람직하다.
상기 전자 수송 물질(140a)은 TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene), TAZ(3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-t-butylphenyl-1,2,4-triazole), PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhro-line), BAlq(Bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphe nolato)aluminium), OXD7(1,3-bis(N,N-t-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole) 중 선택되어 이루어지거나, TiO2 또는 ZnO과 같은 산화물로 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 양자 발광층(130)의 양자점(130a)에서 전자와 만나 발광하지 못한 정공이 상기 제 1 전자 수송층(135)으로 이동하여도, 상기 정공이 제 1 전자 수송층(135)의 양자점(130a)에서 전자와 만나 발광하므로 양자점 발광 소자의 효율이 증가한다.
그리고, 상기 제 1 전자 수송층(135) 상에 형성된 제 2 전자 수송층(140)은 상기 전자 수송 물질(140a)로만 구성되며, 상기 제 1 전자 수송층(135)의 전자 수송 물질(140a)과 제 2 전자 수송층(140)의 전자 수송 물질(140a)은 동일한 물질이거나 상이한 물질일 수 있다.
또한, 상기 양자점(130a)과 음극(150)이 맞닿아 있으면, 전자와 정공이 만나 형성된 엑시톤이 방출하는 에너지가 발광하는데 사용되는 것이 아니라 상기 음극(150)의 자유 전자(Free Electron)로 전달되어 소자의 발광 효율이 저하되는데, 상기 제 1 전자 수송층(135)과 음극(150) 사이에 형성된 제 2 전자 수송층(140)은 이를 방지하는 기능도 한다.
그리고, 본 발명의 제 1 전자 수송층(135)과 제 2 전자 수송층(140) 모두의 두께는 200㎚ 내지 600㎚이며, 이는 일반적인 양자점 발광 소자의 전자 수송층의 두께와 유사하다. 특히, 상기 제 1 전자 수송층(135)의 두께가 두꺼워지면 저항이 커져 소자의 전류 효율이 나빠지므로 상기 제 1 전자 수송층(135)의 두께는 100㎚ 이하인 것이 바람직하다.
예를 들어, 일반적인 양자점 발광 소자의 양자 발광층과 음극 사이에 형성된 전자 수송층의 두께가 400㎚이면, 본 발명의 제 1 전자 수송층(135)의 두께는 100㎚이며, 제 2 전자 수송층(140)의 두께는 300㎚이다.
이상과 같이, 본 발명의 양자점 발광 소자는, 상기 양자 발광층(130)과 제 1 전자 수송층(135)의 양자점(130a)에서 전자와 정공이 만나 발광하므로 양자점 발광 소자의 효율이 증가한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 3a와 같이, 기판(200) 상에 양극(110)을 형성하고, 정공 수송 물질(120a)을 제 1 용매(미도시)에 분산시킨 제 1 혼합물(미도시)을 용액 공정(Solution process)으로 상기 양극(110) 상에 코팅하고, 상기 제 1 용매(미도시)가 휘발되어 정공 수송층(120)이 형성된다.
상기 용액 공정은 잉크젯(Inkjet) 방식, 스핀 코팅(Spin Coating) 방식, 노즐 코팅(Nozzle Coating) 방식, 스프레이 코팅(Spray Coating) 방식 및 슬릿 코팅(Slit Coating) 방식 중 선택된 하나이다.
그리고, 상기 정공 수송층(120)과 양극(110) 사이에 정공 주입층이 더 형성될 수 있다.
이어, 도 3b와 같이, 양자점(130a)을 제 2 용매(미도시)에 분산시킨 제 2 혼합물(미도시)을 용액 공정으로 상기 정공 수송층(120) 상에 코팅하고, 상기 제 2 용매(미도시)가 휘발되어 양자 발광층(130)이 형성된다.
특히, 상기 양자 발광층(130) 상에 용액 공정으로 제 1 전자 수송층(미도시) 형성할 때 상기 양자 발광층(130)이 손상받지 않도록, 상기 양자 발광층(130)은 가교결합 구조(cross linkable structure)를 갖는 것이 바람직하다.
도 3c와 같이, 양자점(130a)과 전자 수송 물질(140a)을 제 3 용매(미도시)에 분산시킨 제 3 혼합물(미도시)을 용액 공정으로 형성하고, 상기 제 3 용매(미도시)가 휘발되어 제 1 전자 수송층(135)이 형성된다.
상기 제 1 전자 수송층(135) 역시 가교결합 구조(cross linkable structure)를 가져, 용액 공정으로 제 2 전자 수송층(미도시)을 형성할 때, 상기 제 1 전자 수송층(135)이 손상 받는 것을 방지할 수 있다.
이어, 도 3d와 같이, 전자 수송 물질을 제 4 용매(미도시)에 분산시킨 제 4 혼합물(미도시)을 용액 공정으로 형성하고, 상기 제 4 용매(미도시)가 휘발되어 제 2 전자 수송층(135)이 형성된다.
그리고, 상기 제 2 전자 수송층(135) 상에 음극(110)을 형성하고, 이때, 상기 제 1 전자 수송층(135)과 음극(110) 사이에 전자 주입층이 더 형성될 수 있다.
이때, 상기 제 1, 제 3, 제 4 용매(미도시)는 헥세인(Hexane), 클로로포름(Chloroform) 및 톨루엔(Toluene)과 같은 다양한 유기 용매 중 하나이며, 상기 제 2 용매(미도시)는 헥세인 또는 H2O이다.
특히, 적층하는 서로 다른 층을 손상 없이 형성하기 위해, 각각 서로 다른 층에 다른 용매를 사용하는 것이 바람직하다.
*제 2 실시예*
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자는, 기판(300)과, 상기 기판(300) 상에 형성된 음극(250)과, 상기 음극(250) 상에 형성된 제 2 전자 수송층(240)과, 상기 제 2 전자 수송층(240) 상에 형성되며, 양자점(230a)과 전자 수송 물질(240a)이 혼합된 제 1 전자 수송층(235)과, 상기 제 1 전자 수송층(235) 상에 형성된 양자 발광층(130)과, 상기 양자 발광층(130) 상에 형성된 정공 수송층(220), 그리고 상기 정공 수송층(220) 상에 형성된 양극(210)을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 양자 발광층(230)과 양극(210) 사이에 정공 주입층이 더 형성될 수 있으며, 상기 양자 발광층(230)과 음극(250) 사이에 전자 주입층이 더 형성될 수 있다.
즉, 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자는, 상기 기판(300) 상에 음극(250)이 먼저 형성되고, 제 2, 제 1 전자 수송층(240, 235), 양자 발광층(230), 정공 수송층(220) 및 양극(210)이 차례로 적층된 구조이다.
또한, 도시하지는 않았으나, 제 2 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 제조 방법은 상기 제 1 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 제조 방법과 공정 순서만 상이할 뿐 동일하다.
이상과 같이, 본 발명의 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법은, 양자 발광층 상에 양자점과 전자 수송 물질을 혼합한 전자 수송층을 형성하여, 양자 발광층의 양자점 및 전자 수송층의 양자점에서 정공 및 전자가 만나 발광하므로, 일반적인 양자점 발광 소자와 같이 양자 발광층의 양자점에서만 정공 및 전자가 만나 발광하는 것보다 소자의 효율이 향상된다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
200: 기판 110: 양극
120: 정공 수송층 120a: 정공 수송 물질
130: 양자 발광층 130a: 양자점
140: 전자 수송 140a: 전자 수송 물질
150: 음극

Claims (12)

  1. 제 1 전극 상에 위치하는 제 2 전극;
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 양자 발광층;
    상기 양자 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하고, 양자점과 전자 수송 물질이 혼합된 제 1 전자 수송층; 및
    상기 제 1 전자 수송층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하고, 전자 수송 물질만으로 구성된 제 2 전자 수송층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극이 양극이고 상기 제 2 전극이 음극인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 양자 발광층 사이에 위치하는 정공 수송층을 더 포함하는 양자점 발광 소자.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전자 수송층의 두께는 100㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 수송 물질과 양자점의 혼합 비율은 1:1 인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자.
  7. 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극 상에 양자 발광층을 형성하는 단계;
    상기 양자 발광층 상에 양자점과 전자 수송 물질이 혼합된 제 1 전자 수송층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전자 수송층 상에 전자 수송 물질만으로 구성된 제 2 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 전자 수송층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 상기 제 2 전극보다 높은 일함수를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 양자 발광층 사이에 정공 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전자 수송층은 상기 양자점 및 상기 전자 수송 물질을 용매에 분산시켜 액상으로 코팅하는 용액 공정(Solution process)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 용액 공정은 잉크젯(Inkjet) 방식, 스핀 코팅(Spin Coating) 방식, 노즐 코팅(Nozzle Coating) 방식, 스프레이 코팅(Spray Coating) 방식 및 슬릿 코팅(Slit Coating) 방식 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 발광 소자의 제조 방법.
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