KR20200043581A - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색을 나타내는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소, 상기 제1 화소에 위치하는 제1 색필터, 상기 제2 화소에 위치하는 제2 색필터, 상기 제3 화소에 위치하는 제3 색필터, 상기 제1 색필터와 중첩하는 제1 광변환층, 상기 제2 색필터와 중첩하는 제2 광변환층, 그리고 상기 제3 색필터와 중첩하는 제3 광변환층을 포함하고, 상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고, 상기 제1 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많다.
Description
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극(field generating electrode)이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
또한, 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다. 이러한 발광을 이용하여 발광 표시 장치가 소정의 영상을 표시한다.
이러한 표시 장치는 화소에 얼룩이 발생하거나 설계 대비 색차가 발생할 수 있다.
실시예들은 화소의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색을 나타내는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소, 상기 제1 화소에 위치하는 제1 색필터, 상기 제2 화소에 위치하는 제2 색필터, 상기 제3 화소에 위치하는 제3 색필터, 상기 제1 색필터와 중첩하는 제1 광변환층, 상기 제2 색필터와 중첩하는 제2 광변환층, 그리고 상기 제3 색필터와 중첩하는 제3 광변환층을 포함하고, 상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고, 상기 제1 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많다.
상기 제1 광변환층의 두께는 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 동일할 수 있다.
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께는 동일할 수 있다.
상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극, 그리고 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층을 포함할 수 있다.
상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결된 발광 다이오드, 그리고 상기 발광 다이오드를 보호하는 봉지막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 다른 색을 나타내는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소, 상기 제1 화소에 위치하는 제1 색필터, 상기 제2 화소에 위치하는 제2 색필터, 상기 제3 화소에 위치하는 제3 색필터, 상기 제1 색필터와 중첩하는 제1 광변환층, 상기 제2 색필터와 중첩하는 제2 광변환층, 그리고 상기 제3 색필터와 중첩하는 제3 광변환층을 포함하고, 상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고, 상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많다.
상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층의 두께는 상기 제3 광변환층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 동일할 수 있다.
상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층의 두께는 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되는 화소 전극을 포함하는 제1 표시판, 제2 기판, 상기 제2 기판의 일면에 위치하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터, 상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터의 일면에 위치하는 제1 광변환층, 제2 광변환층 및 제3 광변환층을 포함하는 제2 표시판, 그리고 상기 제1 표시판 및 상기 제2 표시판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 제1 광변환층은 상기 제1 색필터와 중첩하고, 상기 제2 광변환층은 상기 제2 색필터와 중첩하고, 상기 제3 광변환층은 상기 제3 색필터와 중첩하고, 상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고, 상기 제1 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드 위에 위치하는 봉지막, 그리고 상기 봉지막 위에 위치하는 색변환 표시판을 포함하고, 상기 색변환 표시판은 제2 기판, 상기 제2 기판의 일면에 위치하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터, 그리고 상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터의 일면에 위치하는 제1 광변환층, 제2 광변환층 및 제3 광변환층을 포함하고, 상기 제1 광변환층은 상기 제1 색필터와 중첩하고, 상기 제2 광변환층은 상기 제2 색필터와 중첩하고, 상기 제3 광변환층은 상기 제3 색필터와 중첩하고, 상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고, 상기 제1 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많다.
실시예들에 따르면, 화소의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화할 수 있다.
도 1 내지 도 8은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
도 1 내지 도 8은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면의 일 예를 간략하게 도시한 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)를 포함한다. 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 각각 다른 색을 표시한다. 예컨대, 제1 화소(PX1)는 적색을 나타내고, 제2 화소(PX2)는 녹색을 나타내고, 제3 화소(PX3)는 청색을 나타낼 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시판(100), 제2 표시판(200) 및 액정층(300)을 포함한다. 액정층(300)은 제1 표시판(100) 및 제2 표시판(200) 사이에 위치한다.
제1 표시판(100)은 제1 기판(110), 트랜지스터(Tr), 절연막(120) 및 화소 전극(130)을 포함한다.
제1 기판(110)은 유리 또는 플라스틱을 포함한다. 트랜지스터(Tr)는 제1 기판(110) 위에 위치하고, 절연막(120)은 트랜지스터(Tr) 및 제1 기판(110) 위에 위치한다. 화소 전극(130)은 절연막(120) 위에 위치하며, 트랜지스터(Tr)에 연결된다.
제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 각각 트랜지스터(Tr), 화소 전극(130) 및 액정층(300)을 포함한다.
제2 표시판(200)은 제2 기판(210), 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B), 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B), 베리어층(250) 및 공통 전극(270)을 포함한다. 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B), 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B), 베리어층(250) 및 공통 전극(270)은 제2 기판(210)과 제1 표시판(100) 사이에 위치한다. 공통 전극(270)은 액정층(300)의 사이에 두고 화소 전극(130)과 마주한다.
제1 화소(PX1)는 적색 색필터(230R) 및 적색 광변환층(240R)을 포함하고, 제2 화소(PX2)는 녹색 색필터(230G) 및 녹색 광변환층(240G)을 포함하고, 제3 화소(PX3)는 청색 색필터(230B) 및 청색 광변환층(240B)을 포함할 수 있다.
또한, 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 베리어층(250) 및 공통 전극(270)을 포함한다.
제2 기판(210)은 유리 또는 플라스틱을 포함한다.
적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G) 및 청색 색필터(230B)은 제2 기판(210)의 일면에 위치한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)은 각각 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G) 및 청색 색필터(230B)의 일면에 위치한다. 즉, 적색 광변환층(240R)은 적색 색필터(230R)와 중첩하고, 녹색 광변환층(240G)은 녹색 색필터(230G)와 중첩하고, 청색 광변환층(240B)은 청색 색필터(230B)과 중첩한다.
적색 광변환층(240R)은 광원(도시하지 않음)으로부터 공급받은 광을 적색광으로 변환하여 방출하고, 녹색 광변환층(240G)은 광원으로부터 공급받은 광을 녹색광으로 변환하여 방출한다. 청색 광변환층(240B)은 광원으로부터 공급받은 광을 청색광으로 변환하여 방출한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)은 복수의 양자점(quantum dot)(245)을 포함한다. 양자점(245)은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점(245)은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다.
또한, 양자점(245)의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께는 동일하고, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양은 다를 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시한 바와 같이, 적색 광변환층(240R)에 포함된 양자점(245)의 양은 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 때, 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양은 동일할 수 있다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R)에 의해 적색 색필터(230R)의 불량에 따른 제1 화소(PX1)의 불량을 최소화 할 수 있다. 즉, 적색 광변환층(240R)에 의해 제1 화소(PX1)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 적색 광변환층(240R)에 포함된 양자점(245)의 양이 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많은 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
또한, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)은 각각 산란체를 더 포함할 수 있다. 산란체는 입사되는 광을 고르게 산란시키기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
베리어층(250)은 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 일면에 위치한다. 베리어층(250)은 제2 표시판(200)의 제조 과정에서 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)을 보호하는 역할을 한다. 베리어층(250)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
공통 전극(270)은 베리어층(250)의 일면에 위치한다.
도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 따른 표시 장치와 비교할 때, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 구조만 다를 뿐 나머지 구조는 동일하다. 이에, 동일한 구조의 설명은 생략한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께는 동일하고, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양은 다를 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시한 바와 같이, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양은 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 때, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양은 동일할 수 있다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R)에 의해 적색 색필터(230R)의 불량에 따른 제1 화소(PX1)의 불량을 최소화하고, 녹색 광변환층(240G)에 의해 녹색 색필터(230G)의 불량에 따른 제2 화소(PX2)의 불량을 최소화할 수 있다. 즉, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 의해 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많은 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양이 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제1 화소 (PX1) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
도 3을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 따른 표시 장치와 비교할 때, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B) 및 베리어층(250)의 구조만 다를 뿐 나머지 구조는 동일하다. 이에, 동일한 구조의 설명은 생략한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 다를 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시한 바와 같이, 녹색 광변환층(240G)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 때, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께는 동일할 수 있다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 대응하는 베리어층(250)은 두께는 녹색 광변환층(240G)에 대응하는 베리어층(250)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
녹색 광변환층(240G)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼움에 따라 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많게 된다. 이에 따라, 녹색 광변환층(240G)에 의해 녹색 색필터(230G)의 불량에 따른 제2 화소(PX2)의 불량을 최소화 할 수 있다. 즉, 녹색 광변환층(240G)에 의해 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 녹색 광변환층(240G)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼운 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 적색 광변환층(240R)의 두께가 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제1 화소(PX1)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 청색 광변환층(240B)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
도 4을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 따른 표시 장치와 비교할 때, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B) 및 베리어층(250)의 구조만 다를 뿐 나머지 구조는 동일하다. 이에, 동일한 구조의 설명은 생략한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 다를 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시한 바와 같이, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께가 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 때, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께는 동일할 수 있다. 이에 따라, 청색 광변환층(240B)에 대응하는 베리어층(250)은 두께는 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 대응하는 베리어층(250)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께가 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼움에 따라 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많게 된다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R)에 의해 적색 색필터(230R)의 불량에 따른 제1 화소(PX1)의 불량을 최소화하고, 녹색 광변환층(240G)에 의해 녹색 색필터(230G)의 불량에 따른 제2 화소(PX2)의 불량을 최소화할 수 있다. 즉, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 의해 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께가 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼운 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 적색 광변환층(240R)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 녹색 광변환층(240G)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제1 화소 (PX1) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 발광 표시 장치는 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)를 포함한다. 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 각각 다른 색을 표시한다. 예컨대, 제1 화소(PX1)는 적색을 나타내고, 제2 화소(PX2)는 녹색을 나타내고, 제3 화소(PX3)는 청색을 나타낼 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(110), 트랜지스터(Tr), 절연막(120), 발광 다이오드(LD), 화소 정의막(165), 봉지막(170) 및 색변환 표시판(400)을 포함한다.
제1 기판(110)은 유리 또는 플라스틱을 포함한다. 트랜지스터(Tr)는 제1 기판(110) 위에 위치하고, 절연막(120)은 트랜지스터(Tr) 및 제1 기판(110) 위에 위치한다. 발광 다이오드(LD)는 절연막(120) 위에 위치하며, 트랜지스터(Tr)에 연결된다.
발광 다이오드(LD)는 트랜지스터(Tr)에 연결되는 제1 전극(140), 제1 전극(140) 위에 위치하는 발광 부재(150) 및 발광 부재(150) 위에 위치하는 제2 전극(160)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(140)은 발광 다이오드(LD)의 애노드(anode)일 수 있고, 제2 전극(160)은 발광 다이오드(LD)의 캐소드(cathode)일 수 있다. 제1 전극(140)은 광이 반사되는 도전 물질을 포함하고, 제2 전극(160)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명한 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에, 발광 부재(150)에서 발광된 광은 제2 전극(160) 방향으로 방출한다.
화소 정의막(165)은 절연막(120) 및 제1 전극(140) 위에 위치하고, 제1 전극(140)과 중첩하는 개구를 가진다. 화소 정의막(165)의 개구에는 제1 전극(140) 위로 발광 부재(150)가 위치하고, 발광 부재(150) 위에 제2 전극(160)이 위치한다.
봉지막(170)은 제2 전극(160) 위에 위치하며, 발광 다이오드(LD)를 보호한다. 봉지막(170)은 제2 전극(160) 위에 위치하는 제1 무기막(171), 제1 무기막(171) 위에 위치하는 유기막(172), 그리고 유기막(172) 위에 위치하는 제2 무기막(173)을 포함한다. 또한, 이에 한정되지 않고, 봉지막(170)은 무기막과 유기막이 반복적으로 적층된 4층 이상의 다중층 구조일 수 있다.
제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 각각 트랜지스터(Tr), 발광 다이오드(LD), 화소 정의막(165) 및 봉지막(170)을 포함한다.
색변환 표시판(400)은 봉지막(170) 위에 위치한다. 색변환 표시판(400)은 제2 기판(210), 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B), 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B), 베리어층(250)을 포함한다. 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B), 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B), 베리어층(250)은 제2 기판(210)과 봉지층(170) 사이에 위치한다. 베리어층(250)은 봉지층(170) 위에 위치하며, 접착층에 의해 베리어층(250)과 봉지층(170)이 접착될 수 있다.
제1 화소(PX1)는 적색 색필터(230R) 및 적색 광변환층(240R)을 포함하고, 제2 화소(PX2)는 녹색 색필터(230G) 및 녹색 광변환층(240G)을 포함하고, 제3 화소(PX3)는 청색 색필터(230B) 및 청색 광변환층(240B)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 베리어층(250)을 포함한다.
본 실시예에 따른 색변환 표시판(400)의 구조는 도 1에 따른 액정 표시 장치의 제2 표시판(200)에서 공통 전극(270)이 제외된 구조와 동일하다. 즉, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)은 각각 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G) 및 청색 색필터(230B)의 일면에 위치한다. 즉, 적색 광변환층(240R)은 적색 색필터(230R)와 중첩하고, 녹색 광변환층(240G)은 녹색 색필터(230G)와 중첩하고, 청색 광변환층(240B)은 청색 색필터(230B)과 중첩한다.
적색 광변환층(240R)은 발광 다이오드(LD)로부터 공급받은 광을 적색광으로 변환하여 방출하고, 녹색 광변환층(240G)은 발광 다이오드(LD)로부터 공급받은 광을 녹색광으로 변환하여 방출한다. 청색 광변환층(240B)은 발광 다이오드(LD)로부터 공급받은 광을 청색광으로 변환하여 방출한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)은 복수의 양자점(quantum dot)(245)을 포함한다. 양자점(245)은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께는 동일하고, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양은 다를 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시한 바와 같이, 적색 광변환층(240R)에 포함된 양자점(245)의 양은 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 때, 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양은 동일할 수 있다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R)에 의해 적색 색필터(230R)의 불량에 따른 제1 화소(PX1)의 불량을 최소화 할 수 있다. 즉, 적색 광변환층(240R)에 의해 제1 화소(PX1)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 적색 광변환층(240R)에 포함된 양자점(245)의 양이 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많은 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
도 6을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 5에 따른 표시 장치와 비교할 때, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 구조만 다를 뿐 나머지 구조는 동일하다. 이에, 동일한 구조의 설명은 생략한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께는 동일하고, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양은 다를 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시한 바와 같이, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양은 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 때, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양은 동일할 수 있다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R)에 의해 적색 색필터(230R)의 불량에 따른 제1 화소(PX1)의 불량을 최소화하고, 녹색 광변환층(240G)에 의해 녹색 색필터(230G)의 불량에 따른 제2 화소(PX2)의 불량을 최소화할 수 있다. 즉, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 의해 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많은 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양이 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많을 수 있다. 이 경우, 제1 화소 (PX1) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 5에 따른 표시 장치와 비교할 때, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B) 및 베리어층(250)의 구조만 다를 뿐 나머지 구조는 동일하다. 이에, 동일한 구조의 설명은 생략한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 다를 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시한 바와 같이, 녹색 광변환층(240G)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 때, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께는 동일할 수 있다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 대응하는 베리어층(250)은 두께는 녹색 광변환층(240G)에 대응하는 베리어층(250)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
녹색 광변환층(240G)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼움에 따라 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많게 된다. 이에 따라, 녹색 광변환층(240G)에 의해 녹색 색필터(230G)의 불량에 따른 제2 화소(PX2)의 불량을 최소화 할 수 있다. 즉, 녹색 광변환층(240G)에 의해 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 녹색 광변환층(240G)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼운 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 적색 광변환층(240R)의 두께가 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제1 화소(PX1)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 청색 광변환층(240B)의 두께가 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
도 8을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 5에 따른 표시 장치와 비교할 때, 적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G), 청색 광변환층(240B) 및 베리어층(250)의 구조만 다를 뿐 나머지 구조는 동일하다. 이에, 동일한 구조의 설명은 생략한다.
적색 광변환층(240R), 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 다를 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시한 바와 같이, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께가 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 때, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께는 동일할 수 있다. 이에 따라, 청색 광변환층(240B)에 대응하는 베리어층(250)은 두께는 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 대응하는 베리어층(250)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께가 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼움에 따라 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 포함된 양자점(245)의 양이 청색 광변환층(240B)에 포함된 양자점(245)의 양보다 많게 된다. 이에 따라, 적색 광변환층(240R)에 의해 적색 색필터(230R)의 불량에 따른 제1 화소(PX1)의 불량을 최소화하고, 녹색 광변환층(240G)에 의해 녹색 색필터(230G)의 불량에 따른 제2 화소(PX2)의 불량을 최소화할 수 있다. 즉, 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)에 의해 제1 화소(PX1) 및 제2 화소(PX2)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 적색 광변환층(240R) 및 녹색 광변환층(240G)의 두께가 청색 광변환층(240B)의 두께보다 두꺼운 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 녹색 광변환층(240G) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 적색 광변환층(240R)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다. 또한, 적색 광변환층(240R) 및 청색 광변환층(240B)의 두께가 녹색 광변환층(240G)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이 경우, 제1 화소 (PX1) 및 제3 화소(PX3)의 얼룩을 방지하거나 설계 대비한 색차를 최소화 할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 제1 표시판
130: 화소 전극
140: 제1 전극 150: 발광 부재
160; 제2 전극 170: 봉지막
200: 제2 표시판 230R: 적색 색필터
230G: 녹색 색필터 230B: 청색 색필터
240R: 적색 광변환층 240G: 녹색 광변환층
240B: 청색 광변환층 245: 양자점
250: 베리어층 270: 공통 전극
300: 액정층 400: 색변환 표시판
LD: 발광 다이오드
140: 제1 전극 150: 발광 부재
160; 제2 전극 170: 봉지막
200: 제2 표시판 230R: 적색 색필터
230G: 녹색 색필터 230B: 청색 색필터
240R: 적색 광변환층 240G: 녹색 광변환층
240B: 청색 광변환층 245: 양자점
250: 베리어층 270: 공통 전극
300: 액정층 400: 색변환 표시판
LD: 발광 다이오드
Claims (20)
- 서로 다른 색을 나타내는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소,
상기 제1 화소에 위치하는 제1 색필터,
상기 제2 화소에 위치하는 제2 색필터,
상기 제3 화소에 위치하는 제3 색필터,
상기 제1 색필터와 중첩하는 제1 광변환층,
상기 제2 색필터와 중첩하는 제2 광변환층, 그리고
상기 제3 색필터와 중첩하는 제3 광변환층을 포함하고,
상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고,
상기 제1 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많은 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 광변환층의 두께는 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께보다 두꺼운 표시 장치. - 제2항에서,
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 동일한 표시 장치. - 제3항에서,
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께는 동일한 표시 장치. - 제4항에서,
상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각
트랜지스터,
상기 트랜지스터에 연결된 화소 전극,
상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극, 그리고
상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 표시 장치. - 제4항에서,
상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각
트랜지스터,
상기 트랜지스터에 연결된 발광 다이오드, 그리고
상기 발광 다이오드를 보호하는 봉지막을 포함하는 표시 장치. - 서로 다른 색을 나타내는 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소,
상기 제1 화소에 위치하는 제1 색필터,
상기 제2 화소에 위치하는 제2 색필터,
상기 제3 화소에 위치하는 제3 색필터,
상기 제1 색필터와 중첩하는 제1 광변환층,
상기 제2 색필터와 중첩하는 제2 광변환층, 그리고
상기 제3 색필터와 중첩하는 제3 광변환층을 포함하고,
상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고,
상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많은 표시 장치. - 제7항에서,
상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층의 두께는 상기 제3 광변환층의 두께보다 두꺼운 표시 장치. - 제8항에서,
상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 동일한 표시 장치. - 제9항에서,
상기 제1 광변환층 및 상기 제2 광변환층의 두께는 동일한 표시 장치. - 제10항에서,
상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각
트랜지스터,
상기 트랜지스터에 연결된 화소 전극,
상기 화소 전극과 마주하는 공통 전극, 그리고
상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층을 포함하는 표시 장치. - 제10항에서,
상기 제1 화소, 상기 제2 화소 및 상기 제3 화소는 각각
트랜지스터,
상기 트랜지스터에 연결된 발광 다이오드, 그리고
상기 발광 다이오드를 보호하는 봉지막을 포함하는 표시 장치. - 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되는 화소 전극을 포함하는 제1 표시판,
제2 기판, 상기 제2 기판의 일면에 위치하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터, 상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터의 일면에 위치하는 제1 광변환층, 제2 광변환층 및 제3 광변환층을 포함하는 제2 표시판, 그리고
상기 제1 표시판 및 상기 제2 표시판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고,
상기 제1 광변환층은 상기 제1 색필터와 중첩하고,
상기 제2 광변환층은 상기 제2 색필터와 중첩하고,
상기 제3 광변환층은 상기 제3 색필터와 중첩하고,
상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고,
상기 제1 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많은 표시 장치. - 제13항에서,
상기 제1 광변환층의 두께는 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께보다 두꺼운 표시 장치. - 제14항에서,
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 동일한 표시 장치. - 제15항에서,
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께는 동일한 표시 장치. - 제1 기판,
상기 제1 기판 위에 위치하는 트랜지스터,
상기 트랜지스터에 연결되는 발광 다이오드,
상기 발광 다이오드 위에 위치하는 봉지막, 그리고
상기 봉지막 위에 위치하는 색변환 표시판을 포함하고,
상기 색변환 표시판은
제2 기판,
상기 제2 기판의 일면에 위치하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터, 그리고
상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터의 일면에 위치하는 제1 광변환층, 제2 광변환층 및 제3 광변환층을 포함하고,
상기 제1 광변환층은 상기 제1 색필터와 중첩하고,
상기 제2 광변환층은 상기 제2 색필터와 중첩하고,
상기 제3 광변환층은 상기 제3 색필터와 중첩하고,
상기 제1 광변환층, 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층은 각각 복수의 양자점을 포함하고,
상기 제1 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양보다 많은 표시 장치. - 제17항에서,
상기 제1 광변환층의 두께는 상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께보다 두꺼운 표시 장치. - 제18항에서,
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층에 포함된 상기 양자점의 양은 동일한 표시 장치. - 제19항에서,
상기 제2 광변환층 및 상기 제3 광변환층의 두께는 동일한 표시 장치.
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