CN111061083B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111061083B
CN111061083B CN201910981554.7A CN201910981554A CN111061083B CN 111061083 B CN111061083 B CN 111061083B CN 201910981554 A CN201910981554 A CN 201910981554A CN 111061083 B CN111061083 B CN 111061083B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conversion layer
light conversion
pixel
thickness
quantum dots
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910981554.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111061083A (zh
Inventor
金保成
姜德焕
李时雄
林孝泽
崔在镇
太兴植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN111061083A publication Critical patent/CN111061083A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111061083B publication Critical patent/CN111061083B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133617—Illumination with ultraviolet light; Luminescent elements or materials associated to the cell
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/36—Micro- or nanomaterials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一像素、第二像素和第三像素，从第一像素、第二像素和第三像素分别发射不同颜色的光；第一光转换层，位于第一像素中，并且与第一滤色器叠置；第二光转换层，位于第二像素中，并且与第二滤色器叠置；以及第三光转换层，位于第三像素中，并且与第三滤色器叠置。第一光转换层、第二光转换层和第三光转换层分别包括量子点，并且包括在第一光转换层中的量子点的量大于分别包括在第二光转换层和第三光转换层中的量子点的量中的每者。

Description

显示装置
本申请要求于2018年10月17日提交的第10-2018-0123909号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
液晶显示器是现在被广泛使用的平板显示器中的一种。液晶显示器包括两个显示面板以及置于所述两个显示面板之间的液晶层，诸如像素电极和共电极的场产生电极形成在所述两个显示面板中。在液晶显示器中，将电压施加到场产生电极以在液晶层中产生确定液晶层的液晶分子的方向的电场，并且通过控制入射光的偏振来显示图像。
发射显示装置包括置于两个电极之间的发光层，一个电极用于将电子注入到发光层，而另一个电极用于将空穴注入到发光层。注入的电子和空穴在发光层处结合，从而形成激子。形成的激子在释放能量的同时发射光。发射显示装置通过使用光的这种发射来显示预定的图像。
这样的显示装置会导致与显示装置的设计或结构相关的像素污点或色差。
发明内容
示例性实施例提供了一种使像素污点或色差最小化或者有效地防止像素污点或色差的显示装置。
一种显示装置包括：第一像素、第二像素和第三像素，从第一像素、第二像素和第三像素分别发射不同颜色的光；第一光转换层，位于第一像素中，并且与第一滤色器叠置；第二光转换层，位于第二像素中，并且与第二滤色器叠置；以及第三光转换层，位于第三像素中，并且与第三滤色器叠置。第一光转换层、第二光转换层和第三光转换层分别包括设置为多个的量子点，并且包括在第一光转换层中的量子点的量大于包括在第二光转换层中的量子点的量和包括在第三光转换层中的量子点的量中的至少一者。
包括在第一光转换层中的量子点的量大于分别包括在第二光转换层和第三光转换层中的量子点的量中的每者。
第一光转换层的厚度可以大于第二光转换层的厚度和第三光转换层的厚度中的每者。
包括在第二光转换层中的量子点的量和包括在第三光转换层中的量子点的量可以是相同的。
第二光转换层的厚度和第三光转换层的厚度可以是相同的。
第一像素、第二像素和第三像素中的每个像素可以包括：晶体管；像素电极，连接到晶体管；共电极，面对像素电极；以及液晶层，设置在像素电极与共电极之间。
第一像素、第二像素和第三像素中的每个像素可以包括：晶体管；发光二极管(“LED”)，连接到晶体管；以及封装层，位于发光二极管(“LED”)上。
一种显示装置包括：第一像素、第二像素和第三像素，从第一像素、第二像素和第三像素分别发射不同颜色的光；第一光转换层，位于第一像素中，并且与第一滤色器叠置；第二光转换层，位于第二像素中，并且与第二滤色器叠置；以及第三光转换层，位于第三像素中，并且与第三滤色器叠置。第一光转换层、第二光转换层和第三光转换层分别包括设置为多个的量子点，并且包括在第一光转换层中的量子点的量和包括在第二光转换层中的量子点的量均大于包括在第三光转换层中的量子点的量。
第一光转换层的厚度和第二光转换层的厚度可以两者都大于第三光转换层的厚度。
包括在第一光转换层中的量子点的量和包括在第二光转换层中的量子点的量可以是相同的。
第一光转换层的厚度和第二光转换层的厚度可以是相同的。
第一像素、第二像素和第三像素中的每个像素可以包括：晶体管；像素电极，连接到晶体管；共电极，面对像素电极；以及液晶层，设置在像素电极与共电极之间。
第一像素、第二像素和第三像素中的每个像素可以包括：晶体管；发光二极管，连接到晶体管；以及封装层，位于发光二极管上。
一种显示装置包括：第一显示面板，包括晶体管和连接到晶体管的电极；第二显示面板，包括与第一光转换层叠置的第一滤色器、与第二光转换层叠置的第二滤色器和与第三光转换层叠置的第三滤色器。第一光转换层、第二光转换层和第三光转换层分别包括设置为多个的量子点，并且包括在第一光转换层中的量子点的量大于包括在第二光转换层中的量子点的量或包括在第三光转换层中的量子点的量。
包括在第一光转换层中的量子点的量可以大于包括在第二光转换层中的量子点的量和包括在第三光转换层中的量子点的量中的每者。
第一光转换层的厚度可以大于第二光转换层的厚度和第三光转换层的厚度中的每者。
包括在第二光转换层中的量子点的量和包括在第三光转换层中的量子点的量可以是相同的。第二光转换层的厚度和第三光转换层的厚度可以是相同的。
包括在第一光转换层中的量子点的量和包括在第二光转换层中的量子点的量可以两者都大于包括在第三光转换层中的量子点的量。
第一光转换层的厚度和第二光转换层的厚度可以两者都大于第三光转换层的厚度。
包括在第一光转换层中的量子点的量和包括在第二光转换层中的量子点的量可以是相同的。第一光转换层的厚度和第二光转换层的厚度可以是相同的。
所述显示装置还可以包括：液晶层，设置在第一显示面板与第二显示面板之间。
所述显示装置还可以包括：发光二极管(“LED”)，连接到晶体管并包括电极；封装层，设置在发光二极管(“LED”)上；以及所述第二显示面板，设置在封装层上。
根据一个或更多个示例性实施例，可以减少或有效防止像素污点，或者可以使色差最小化。
附图说明
通过参照附图来更详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他的优点和特征将变得更明显，在附图中：
图1至图8分别是示意性地示出显示装置的示例性实施例的放大剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照其中示出了发明的示例性实施例的附图来更充分地描述发明。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在描述发明时，将省略与描述无关的部分。在整个说明书中，同样的附图标记大体上指代同样的元件。
此外，为了更好地理解和易于描述，任意地示出了附图中示出的每个构造的尺寸和厚度，但发明不限于此。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为诸如“在”另一元件“上”的与另一元件相关时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为诸如“直接在”另一元件“上”的与另一元件相关时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上方”意味着位于目标部分上或下方，而不必意味着位于目标部分的基于重力方向的上侧上。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
在这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而非意图成为限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”意图包括包含“至少一个(种/者)”的复数形式。“至少一个(种/者)”不应被解释为局限于“一”或“一个(种/者)”。“或(或者)”意味着“和/或”。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和全部组合。此外，除非明确地被描述为相反，否则词语“包括”及其变型(诸如“包含”或“含有”)将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除包括任意其他元件。
此外，可以在这里使用诸如“下”或“底”与“上”或“顶”的相对术语来描述附图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包含装置的除了附图中描述的方位之外的不同方位。例如，如果一幅附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧上的元件随后将被定位为在所述其他元件的“上”侧上。因此，根据附图的具体定位，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。类似地，如果一幅附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以包含上方和下方两种方位。
如在这里使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一种或更多种标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理性化的或过于正式化的含义来解释，除非这里明确如此定义。
在这里参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预料到由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为局限于如在这里示出的区域的特定形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，被示出的尖角可以被倒圆。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制当前权利要求书的范围。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观看目标部分(例如，在俯视图中)，并且短语“在剖面上”意味着从侧面观看通过竖直切割目标部分所形成的剖面。
图1至图8分别是示意性地示出显示装置的示例性实施例的放大剖视图。图1至图4可以表示从图示结构的外部为其提供光的非发射显示装置。图5至图8可以表示在内部为其提供光的发射显示装置。对于非发射显示装置和发射显示装置，光可以被用于显示图像。
参照图1，显示装置包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3表示彼此不同的颜色。也就是说，可以分别从第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3发射不同颜色的光。在示例性实施例中，例如，第一像素PX1可以表示红色，第二像素PX2可以表示绿色，并且第三像素PX3可以表示蓝色。
另外，显示装置包括第一显示面板100、第二显示面板200和诸如液晶层300的光控制层。液晶层300设置在第一显示面板100与第二显示面板200之间。光源(未示出)可以向显示装置提供光，并且显示装置可以利用从光源提供的光来显示图像，但不限于此。
显示装置及其元件可以设置在由彼此交叉的第一方向的第二方向限定的平面中。在图1中，水平方向可以表示第一方向和/或第二方向。显示装置及其元件的厚度在与第一方向和第二方向中的每个方向交叉的第三方向上延伸。在图1中，竖直方向表示第三方向。上面描述的方向可以类似地应用于图1至图8中示出的各种显示装置。
第一显示面板100包括第一基底110、晶体管Tr、绝缘层120和像素电极130。这些元件中的一个或更多个元件可以在第一显示面板100内被设置为多个。
第一基底110包括玻璃或塑料。晶体管Tr设置在第一基底110上，并且绝缘层120设置在晶体管Tr和第一基底110上。像素电极130设置在绝缘层120上并且连接到晶体管Tr。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3均包括液晶层300的一部分、晶体管Tr和像素电极130。
第二显示面板200包括第二基底210、红色滤色器230R、绿色滤色器230G、蓝色滤色器230B、红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B、阻挡层250和共电极270。红色滤色器230R、绿色滤色器230G、蓝色滤色器230B、红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B、阻挡层250和共电极270设置在第二基底210与第一显示面板100之间。共电极270经由液晶层300面对像素电极130。
第一像素PX1可以包括红色滤色器230R和红光转换层240R，第二像素PX2可以包括绿色滤色器230G和绿光转换层240G，第三像素PX3可以包括蓝色滤色器230B和蓝光转换层240B。
另外，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个包括阻挡层250的一部分和共电极270的一部分。阻挡层250和共电极270相对于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个公共地设置。
第二基底210包括玻璃或塑料。
红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B设置在第二基底210的表面处。
红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B设置在红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B的表面处。
也就是说，沿着显示装置的厚度(诸如在显示装置的俯视图中)，红光转换层240R与红色滤色器230R叠置，绿光转换层240G与绿色滤色器230G叠置，并且蓝光转换层240B与蓝色滤色器230B叠置。
红光转换层240R将从光源(未示出)供应的光转换为将从红光转换层240R发射的红光，绿光转换层240G将从光源(未示出)供应的光转换为将从绿光转换层240G发射的绿光。蓝光转换层240B将从光源(未示出)供应的光转换为将从蓝光转换层240B发射的蓝光。红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B可以一起形成光转换层。从红光转换层240R发射的红光、从绿光转换层240G发射的绿光和从蓝光转换层240B发射的蓝光可以分别被提供到红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B，以入射到红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B。也就是说，光发射方向可以在从第一显示面板100到第二显示面板200的方向上，但不限于此。
红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B均包括多个量子点245。量子点245可以选自于II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和它们的组合。
II-VI族化合物可以选自于：从CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的组合中选择的二元化合物；从CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的组合中选择的三元化合物；以及从HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的组合中选择的四元化合物。
III-V族化合物可以选自于：从GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的组合中选择的二元化合物；从GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的组合中选择的三元化合物；以及从GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、GaAlNP、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的组合中选择的四元化合物。
IV-VI族化合物可以选自于：从SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的组合中选择的二元化合物；从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的组合中选择的三元化合物；以及从SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的组合中选择的四元化合物。IV族元素可以选自于Si、Ge和它们的组合。IV族化合物可以是选自于SiC、SiGe和它们的组合的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以作为被划分为浓度分布局部不同的状态的同一颗粒存在。此外，量子点可以具有一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，使得存在于壳中的元素的浓度随着距其中心的距离减小而逐渐降低。
量子点245可以具有发光波长光谱的小于大约45纳米(nm)(或者更具体地，小于大约40nm或小于大约30nm)的半峰全宽(“FWHM”)。在多个量子点245的这些范围中，可以改善显示装置的色纯度和再现性。
此外，量子点245的形状不特定地局限于现有技术中通常使用的形状。在示例性实施例中，纳米管、纳米线、纳米纤维、平面纳米颗粒以及具有球形形状的、金字塔形状的、多臂形状的或立方体形状的纳米颗粒被用作量子点245。
红光转换层240R的厚度、绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是相同的，并且包括在红光转换层240R中的量子点245的量、包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以是不同的。
在示例性实施例中，例如，如在图1中由红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B内的点所示出的，包括在红光转换层240R中的量子点245的量可以大于包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量中的每者。包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以是相同的。因此，可以通过红光转换层240R使由于有缺陷的红色滤色器230R造成的第一像素PX1的缺陷最小化。也就是说，红光转换层240R可以减少或有效防止第一像素PX1处的颜色污点或拖尾，或者可以使第一像素PX1处的色差最小化。
尽管图1示出了，包括在红光转换层240R中的量子点245的量可以大于包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量中的每者，但是显示装置不限于此。在示例性实施例中，包括在绿光转换层240G中的量子点245的量可以大于包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量中的每者。也就是说，可以减少或有效防止第二像素PX2处的拖尾，或者可以使第二像素PX2处的色差最小化。
在示例性实施例中，包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以大于包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量中的每者。也就是说，可以减少或有效防止第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第三像素PX3处的色差最小化。
上面针对红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B之中的各个光转换层描述的量子点245的较大量可以是红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B之中的量子点245的最大量。在图1中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的一个颜色像素可以具有最大量的量子点245。
红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B均可以还包括光散射构件。光散射构件可以包括可以使入射到其的光均匀地散射的任意材料。在示例性实施例中，例如，光散射构件可以包括TiO2、ZrO2、Al2O3、In2O3、ZnO、SnO2、Sb2O3和氧化铟锡(“ITO”)中的一种。
阻挡层250公共地设置在红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B中的每个的表面处。阻挡层250用于在第二显示面板200的制造工艺中保护红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B。阻挡层250可以包括无机材料或有机材料。
共电极270设置在阻挡层250的表面处。
参照图2，除了红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B的结构之外，该显示装置与根据图1的显示装置相同。因此，省略了对相同结构的描述。
红光转换层240R的厚度、绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是相同的，并且包括在红光转换层240R中的量子点245的量、包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以是不同的。例如，在示例实施例中，如图2中所示，包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量可以大于包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量。包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量可以是相同的。因此，可以通过红光转换层240R使由于红色滤色器230R的缺陷造成的第一像素PX1的缺陷最小化，并且可以通过绿光转换层240G使由于绿色滤色器230G的缺陷造成的第二像素PX2的缺陷最小化。也就是说，红光转换层240R和绿光转换层240G可以减小或有效防止第一像素PX1和第二像素PX2中的每个像素处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第二像素PX2中的每个像素处的色差最小化。
尽管图2示出了包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量大于包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量，但是显示装置不限于此。在示例性实施例中，包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以大于包括在红光转换层240R中的量子点245的量。也就是说，可以减少或有效防止第二像素PX2和第三像素PX3中的每个像素处的拖尾，或者可以使第二像素PX2和第三像素PX3中的每个像素处的色差最小化。
在示例性实施例中，包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以大于包括在绿光转换层240G中的量子点245的量。也就是说，可以减少或有效防止第一像素PX1和第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第三像素PX3处的色差最小化。
上面针对红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B之中的各个光转换层描述的量子点245的较大量可以是红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B之中的量子点245的最大量。在图2中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的多于一个的颜色像素可以具有最大量的量子点245。
参照图3，除了红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B和阻挡层250的结构之外，该显示装置与根据图1的显示装置相同。因此，省略了对相同结构的描述。
红光转换层240R的厚度、绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是不同的。在实施例中，例如，如图3中所示，绿光转换层240G的厚度可以大于红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者。红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是相同的。因此，与红光转换层240R和蓝光转换层240B对应的阻挡层250的厚度可以大于与绿光转换层240G对应的阻挡层250的厚度。
红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B的相对厚度可以限定包括在其中的量子点245的相对量。因为绿光转换层240G的厚度大于红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度，所以包括在绿光转换层240G中的量子点245的量变得比包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量大。因此，可以通过绿光转换层240G使由于绿色滤色器230G的缺陷造成的第二像素PX2的缺陷最小化。换言之，绿光转换层240G可以减少或有效防止第二像素PX2处的拖尾，或者可以使第二像素PX2处的色差最小化。
尽管图3示出了绿光转换层240G的厚度大于红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者，但是显示装置不限于此。在示例性实施例中，红光转换层240R的厚度可以大于绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者。也就是说，可以减少或有效防止第一像素PX1处的拖尾，或者可以使第一像素PX1处的色差最小化。
在示例性实施例中，蓝光转换层240B的厚度可以大于红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度中的每者。也就是说，可以减少或有效防止第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第三像素PX3处的色差最小化。上面针对红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B之中的各个光转换层描述的较大厚度可以是红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B之中的最大厚度。在图3中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的一个颜色像素可以具有最大厚度。
参照图4，除了红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B和阻挡层250的结构之外，该显示装置与根据图1的显示装置相同。因此，省略了对相同结构的描述。
红光转换层240R的厚度、绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是不同的。在示例性实施例中，例如，如图4中所示，红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度中的每者可以大于蓝光转换层240B的厚度。红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度可以是相同的。因此，与蓝光转换层240B对应的阻挡层250的厚度可以大于与红光转换层240R和绿光转换层240G对应的阻挡层250的厚度。
因为红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度大于蓝光转换层240B的厚度，所以包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量变得比包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量大。因此，可以通过红光转换层240R使由于红色滤色器230R的缺陷造成的第一像素PX1处的缺陷最小化，并且可以通过绿光转换层240G使由于绿色滤色器230G的缺陷造成的第二像素PX2处的缺陷最小化。也就是说，红光转换层240R和绿光转换层240G可以减少或有效防止第一像素PX1和第二像素PX2处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第二像素PX2处的色差最小化。
尽管图4示出了红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度中的每者可以大于蓝光转换层240B的厚度，但是显示装置不限于此。在示例性实施例中，绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者可以大于红光转换层240R的厚度。也就是说，可以减少或有效防止第二像素PX2和第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第二像素PX2和第三像素PX3处的色差最小化。
在示例性实施例中，红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者可以大于绿光转换层240G的厚度。也就是说，可以减少或有效防止第一像素PX1和第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第三像素PX3处的色差最小化。
上面针对红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B之中的各个光转换层描述的较大厚度可以是红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B之中的最大厚度。在图4中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的多于一个的颜色像素可以具有最大厚度。
参照图5，显示装置包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3分别显示不同的颜色。在示例性实施例中，例如，第一像素PX1可以表示红色，第二像素PX2可以表示绿色，并且第三像素PX3可以表示蓝色。
另外，显示装置包括第一显示面板100和颜色转换显示面板400。第一显示面板100包括第一基底110、晶体管Tr、绝缘层120、发光二极管(“LED”)LD、像素限定层165和封装层170。这些元件中的一个或更多个元件可以在第一显示面板100内被设置为多个。
第一基底110包括玻璃或塑料。晶体管Tr设置在第一基底110上，并且绝缘层120设置在晶体管Tr和第一基底110上。发光二极管(“LED”)LD设置在绝缘层120上并且连接到晶体管Tr。
发光二极管(“LED”)LD包括连接到晶体管Tr的第一电极140、设置在第一电极140上的发光构件150和设置在发光构件150上的第二电极160。这里，第一电极140可以是发光二极管(“LED”)LD的阳极，并且第二电极160可以是发光二极管(“LED”)LD的阴极。第一电极140包括反射光的导电材料，并且第二电极160可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)等的透明导电材料。因此，从发光构件150发射的光沿着从第一电极140到第二电极160的方向发射。
像素限定层165设置在绝缘层120和第一电极140上。像素限定层165在其中限定了与第一电极140叠置的开口。开口可以在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的各个像素内限定发光区域。在像素限定层165的开口中，第一电极140从像素限定层165暴露，发光构件150设置在第一电极140上，并且第二电极160设置在发光构件150上。
封装层170设置在第二电极160上并且保护发光二极管(“LED”)LD免受诸如湿气和氧的因素的影响。封装层170包括设置在第二电极160上的第一无机层171、设置在第一无机层171上的有机层172和设置在有机层172上的第二无机层173。可选地，封装层170可以是具有其中无机层和有机层重复地堆叠的四层或更多层的多层结构。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3均包括晶体管Tr、发光二极管(“LED”)LD、像素限定层165的一部分和封装层170的一部分。
颜色转换显示面板400设置在封装层170上。颜色转换面板400包括第二基底210、红色滤色器230R、绿色滤色器230G、蓝色滤色器230B、红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B和阻挡层250。红色滤色器230R、绿色滤色器230G、蓝色滤色器230B、红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B和阻挡层250设置在第二基底210与封装层170之间。阻挡层250设置在封装层170上。阻挡层250和封装层170可以通过粘合层(未示出)彼此粘合。
第一像素PX1可以包括红色滤色器230R和红光转换层240R，第二像素PX2可以包括绿色滤色器230G和绿光转换层240G，并且第三像素PX3可以包括蓝色滤色器230B和蓝光转换层240B。另外，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3均包括阻挡层250的一部分。
颜色转换显示面板400的结构与根据图1的其中在作为显示装置的液晶显示器的第二显示面板200中省略了共电极270的结构相同。也就是说，红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B分别设置在红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B的表面处。也就是说，沿着显示装置的厚度，红光转换层240R与红色滤色器230R叠置，绿光转换层240G与绿色滤色器230G叠置，并且蓝光转换层240B与蓝色滤色器230B叠置。
红光转换层240R将从发光二极管(“LED”)LD供应的光转换为将从光红光转换层240R发射的红光，绿光转换层240G将从发光二极管(“LED”)LD供应的光转换为将从绿光转换层240G发射的绿光。蓝光转换层240B将从发光二极管(“LED”)LD供应的光转换为将从蓝光转换层240B发射的蓝光。
红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B包括设置为多个的量子点245。量子点245可以选自于II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和它们的组合。
红光转换层240R的厚度、绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是相同的，并且包括在红光转换层240R中的量子点245的量、包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以是不同的。在示例性实施例中，例如，如图5中所示，包括在红光转换层240R中的量子点245的量可以大于包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量中的每者。包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以是相同的。因此，可以通过红光转换层240R使由于有缺陷的红色滤色器230R造成的第一像素PX1的缺陷最小化。也就是说，红光转换层240R可以减少或有效防止第一像素PX1处的拖尾，或者可以使第一像素PX1处的色差最小化。
尽管图5示出了包括在红光转换层240R中的量子点245的量可以大于包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量，但是显示装置不限于此。在示例性实施例中，包括在绿光转换层240G中的量子点245的量可以大于包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量。也就是说，可以减少或有效防止第二像素PX2处的拖尾，或者可以使第二像素PX2处的色差最小化。
在示例性实施例中，包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以大于包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量。也就是说，可以减少或有效防止第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第三像素PX3处的色差最小化。
参照图6，除了红光转换层240R、绿光转换层240G和蓝光转换层240B的结构之外，该显示装置与根据图5的显示装置相同。因此，省略了对相同结构的描述。
红光转换层240R的厚度、绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是相同的，并且包括在红光转换层240R中的量子点245的量、包括在绿光转换层240G中的量子点245的量和包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量可以是不同的。在示例实施例中，例如，如图6中所示，包括在红光转换层240R和绿光转换层240G中的每个中的量子点245的量可以大于包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量。包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量可以是相同的。因此，可以通过红光转换层240R使由于红色滤色器230R的缺陷造成的第一像素PX1的缺陷最小化，并且可以通过绿光转换层240G使由于绿色滤色器230G的缺陷造成的第二像素PX2的缺陷最小化。也就是说，红光转换层240R和绿光转换层240G可以减少或有效防止第一像素PX1和第二像素PX2处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第二像素PX2处的色差最小化。
尽管图6示出了包括在红光转换层240R和绿光转换层240G中的每个中的量子点245的量大于包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量，但是显示装置不限于此。包括在绿光转换层240G和蓝光转换层240B中的每个中的量子点245的量可以大于包括在红光转换层240R中的量子点245的量。也就是说，可以减少或有效防止第二像素PX2和第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第二像素PX2和第三像素PX3处的色差最小化。
在示例性实施例中，包括在红光转换层240R和蓝光转换层240B中的每个中的量子点245的量可以大于包括在绿光转换层240G中的量子点245的量。也就是说，可以减少或有效防止第一像素PX1和第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第三像素PX3处的色差最小化。
参照图7，除了红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B和阻挡层250的结构之外，该显示装置与根据图5的显示装置相同。因此，省略了对相同结构的描述。
红光转换层240R的厚度、蓝光转换层240B的厚度和绿光转换层240G的厚度可以是不同的。在实施例中，例如，如图7中所示，绿光转换层240G的厚度可以大于红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者。红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是相同的。因此，与红光转换层240R和蓝光转换层240B对应的阻挡层250的厚度中的每者可以大于与绿光转换层240G对应的阻挡层250的厚度。
因为绿光转换层240G的厚度大于红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者，所以包括在绿光转换层240G中的量子点245的量变得比包括在红光转换层240R和蓝光转换层240B中的每个中的量子点245的量大。因此，可以通过绿光转换层240G使由于绿色滤色器230G的缺陷造成的第二像素PX2的缺陷最小化。换言之，绿光转换层240G可以减少或有效防止第二像素PX2处的拖尾，或者可以使第二像素PX2处的色差最小化。
尽管图7示出了绿光转换层240G的厚度大于红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者，但是显示装置不限于此。红光转换层240R的厚度可以大于绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者。也就是说，可以减少或有效防止第一像素PX1处的拖尾，或者可以使第一像素PX1处的色差最小化。
在示例性实施例中，蓝光转换层240B的厚度可以大于红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度中的每者。也就是说，可以减少或有效防止第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第三像素PX3处的色差最小化。
参照图8，除了红光转换层240R、绿光转换层240G、蓝光转换层240B和阻挡层250的结构之外，该显示装置与根据图5的显示装置相同。因此，省略了对相同结构的描述。
红光转换层240R的厚度、绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度可以是不同的。在示例性实施例中，例如，如图8中所示，红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度中的每者可以大于蓝光转换层240B的厚度。也就是说，红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度可以是相同的。因此，与蓝光转换层240B对应的阻挡层250的厚度可以大于与红光转换层240R和绿光转换层240G中的每个对应的阻挡层250的厚度。
因为红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度中的每者大于蓝光转换层240B的厚度，所以包括在红光转换层240R中的量子点245的量和包括在绿光转换层240G中的量子点245的量中的每者变得比包括在蓝光转换层240B中的量子点245的量大。因此，可以通过红光转换层240R使由于红色滤色器230R的缺陷造成的第一像素PX1的缺陷最小化，并且可以通过绿光转换层240G使由于绿色滤色器230G的缺陷造成的第二像素PX2的缺陷最小化。也就是说，红光转换层240R和绿光转换层240G可以减少或有效防止第一像素PX1和第二像素PX2处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第二像素PX2处的色差最小化。
尽管图8示出了红光转换层240R的厚度和绿光转换层240G的厚度中的每者大于蓝光转换层240B的厚度，但是显示装置不限于此。在示例性实施例中，绿光转换层240G的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者可以大于红光转换层240R的厚度。也就是说，可以减少或有效防止第二像素PX2和第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第二像素PX2和第三像素PX3处的色差最小化。
在示例性实施例中，红光转换层240R的厚度和蓝光转换层240B的厚度中的每者可以大于绿光转换层240G的厚度。也就是说，可以减少或有效防止第一像素PX1和第三像素PX3处的拖尾，或者可以使第一像素PX1和第三像素PX3处的色差最小化。
尽管已经结合当前被认为是实践性的示例性实施例描述了本发明，但是将理解的是，发明不限于所公开的实施例，而是相反，发明意图涵盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (6)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一像素、第二像素和第三像素，从所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素分别发射不同颜色的光；
第一光转换层，位于所述第一像素中，并且与第一滤色器叠置；
第二光转换层，位于所述第二像素中，并且与第二滤色器叠置；以及
第三光转换层，位于所述第三像素中，并且与第三滤色器叠置，
其中，
所述第一光转换层、所述第二光转换层和所述第三光转换层分别包括设置为多个的量子点，并且
包括在所述第二光转换层中的量子点的量大于包括在所述第一光转换层中的量子点的量和包括在所述第三光转换层中的量子点的量中的至少一者，
其中，第一像素是红色像素，第二像素是绿色像素，第三像素是蓝色像素，并且
第二光转换层的厚度大于第一光转换层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，包括在所述第二光转换层中的量子点的量大于包括在所述第一光转换层中的量子点的量和包括在所述第三光转换层中的量子点的量中的每者。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二光转换层的厚度大于所述第一光转换层的厚度和所述第三光转换层的厚度中的每者。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，包括在所述第一光转换层中量子点的量和包括在所述第三光转换层中的量子点的量是相同的，并且
其中，所述第一光转换层的厚度和所述第三光转换层的厚度是相同的。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个像素包括：
晶体管；
像素电极，连接到所述晶体管；
共电极，面对所述像素电极；以及
液晶层，设置在所述像素电极与所述共电极之间。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每个像素包括：
晶体管；
发光二极管，连接到所述晶体管；以及
封装层，位于所述发光二极管上。
CN201910981554.7A 2018-10-17 2019-10-16 显示装置 Active CN111061083B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0123909 2018-10-17
KR1020180123909A KR20200043581A (ko) 2018-10-17 2018-10-17 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111061083A CN111061083A (zh) 2020-04-24
CN111061083B true CN111061083B (zh) 2024-06-07

Family

ID=70280680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910981554.7A Active CN111061083B (zh) 2018-10-17 2019-10-16 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11209698B2 (zh)
KR (1) KR20200043581A (zh)
CN (1) CN111061083B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11824072B2 (en) * 2019-09-26 2023-11-21 Apple Inc. Digital optical cross-talk compensation systems and methods
CN113745388B (zh) * 2020-05-29 2023-10-24 成都辰显光电有限公司 彩膜基板、显示面板及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2333897A (en) * 1998-02-02 1999-08-04 Fuji Electric Co Ltd Polychromatic organic electroluminescent device
JP2007250437A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用カラーフィルタ基板
KR20180036220A (ko) * 2016-09-30 2018-04-09 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101686107B1 (ko) 2010-09-16 2016-12-13 엘지디스플레이 주식회사 양자점 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101794653B1 (ko) 2011-07-05 2017-11-08 엘지디스플레이 주식회사 광변환층을 포함한 액정표시패널 및 액정표시장치
KR20140074495A (ko) * 2012-12-10 2014-06-18 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네선트 패널, 이를 갖는 포토루미네선트 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR102169720B1 (ko) 2014-04-02 2020-10-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이의 얼룩 보정 시스템 및 이의 얼룩 보정 방법
KR102223001B1 (ko) * 2015-01-05 2021-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180019933A (ko) 2016-08-17 2018-02-27 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20180039218A (ko) 2016-10-07 2018-04-18 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 색변환 표시판의 제조 방법 및 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치
KR20180040038A (ko) 2016-10-11 2018-04-19 삼성전자주식회사 양자점 발광 소자 및 이를 포함하는 광학 장치
KR20180064616A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네센스 장치 및 그것을 포함하는 디스플레이 패널
KR102522593B1 (ko) * 2017-01-19 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2333897A (en) * 1998-02-02 1999-08-04 Fuji Electric Co Ltd Polychromatic organic electroluminescent device
JP2007250437A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用カラーフィルタ基板
KR20180036220A (ko) * 2016-09-30 2018-04-09 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20200124920A1 (en) 2020-04-23
CN111061083A (zh) 2020-04-24
US11209698B2 (en) 2021-12-28
KR20200043581A (ko) 2020-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11608944B2 (en) Color conversion panel and display device including color conversion panel
US11187942B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US11537007B2 (en) Liquid crystal display
CN106526947B (zh) 颜色转换面板以及包括颜色转换面板的显示装置
US10379395B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US11073718B2 (en) Color conversion panel having blue light cutting filter and display device including the same
US10734453B2 (en) Method of manufacturing a color conversion display panel and method of manufacturing a display device including the same
US20180356677A1 (en) Display device
US11067844B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US20160223869A1 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN111061083B (zh) 显示装置
US10712606B2 (en) Color conversion panel and display device including the same
US11696463B2 (en) Display panel and method of manufacturing the same
US20210376000A1 (en) Display panel and method for manufacturing the same
US11227899B2 (en) Display device
KR102167515B1 (ko) 색변환 패널
KR20240111735A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant