CN103779509A - 发光器件及其制作方法和显示面板 - Google Patents

发光器件及其制作方法和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN103779509A
CN103779509A CN201410040018.4A CN201410040018A CN103779509A CN 103779509 A CN103779509 A CN 103779509A CN 201410040018 A CN201410040018 A CN 201410040018A CN 103779509 A CN103779509 A CN 103779509A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum point
light quantum
poly
fluorenes
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410040018.4A
Other languages
English (en)
Inventor
唐琛
谷敬霞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410040018.4A priority Critical patent/CN103779509A/zh
Priority to PCT/CN2014/076133 priority patent/WO2015109677A1/zh
Priority to US14/436,949 priority patent/US9716230B2/en
Publication of CN103779509A publication Critical patent/CN103779509A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1416—Condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

本发明公开了一种发光器件及其制作方法和显示面板，以简化发光器件的制备工艺并提高发光器件的性能。本发明中发光器件包括白光发光层，该白光发光层包括聚芴蓝光材料，以及掺杂在聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点。本发明中白光发光层为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，并且聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，发光效率较高。

Description

发光器件及其制作方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法和显示面板。
背景技术
量子点是准零维纳米半导体材料，由少量原子或原子团构成，通常三维尺度在1-10纳米，量子点具有独特的光致发光和电致发光性能，具有低功耗、高效率、响应速度快和重量轻等优点，具有较高的学术价值和良好的商业前景。
利用量子点的发光特性，可以将量子点应用于有机发光器件中，目前，发光器件中多利用量子点获得白光，并通过多层结构实现，即采用红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点分别形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，这三种发光层采用层级堆积的形式，以获得白光。
上述采用多层结构获得白光的方式，需要分别制作三层不同颜色的发光层并将三层发光层采用层级堆积方式实现，制备工艺复杂，并且蓝光量子点的发光效率较低，使得发光器件的性能也受到影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种发光器件及其制作方法，以简化发光器件的制备工艺并提高发光器件的性能。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明一方面提供一种发光器件，该发光器件包括白光发光层，其中，所述白光发光层包括聚芴蓝光材料，以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点。
本发明实施例提供的发光器件，白光发光层包括聚芴蓝光材料，聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，发光效率较高，并且白光发光层为聚芴蓝光材料，并在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点，白光发光层为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，易于量产。
较佳的，所述红光量子点、绿光量子点和聚芴蓝光材料的掺杂比例为0.5～0.8:1:1.1～1.4，以控制白光的色域在可接受的范围内。
较佳的，所述红光量子点、绿光量子点和聚芴蓝光材料的掺杂比例为0.6～0.7:1:1.2～1.3，以提高白光的色域。
本发明另一方面，提供一种显示面板，包括：彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板上设置有若干个像素单元，每个所述像素单元具有若干个显示不同颜色的亚像素单元，
在各亚像素单元对应的阵列基板的位置处设置有上述的发光器件；以及
对应于各所述亚像素单元的彩色滤光片；
所述彩色滤光片位于所述发光器件的白光发光层和所述彩膜基板之间。
本发明实施例提供的显示面板，发光器件的白光发光层包括聚芴蓝光材料，聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，发光效率较高，并且白光发光层为聚芴蓝光材料，并在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点，白光发光层为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，易于量产。
本发明再一方面提供一种发光器件的制作方法，包括：
在衬底基板上依次形成阳极以及空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成白光发光层，所述白光发光层包括聚芴蓝光材料，以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点；
在所述白光发光层上依次形成电子迁移层以及阴极。
本发明实施例提供的发光器件制作方法，形成包括聚芴蓝光材料，以及在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和蓝光量子点的白光发光层，由于聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，故发光效率较高，并且白光发光层为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，易于量产。
较佳的，所述在所述空穴注入层之上形成白光发光层，具体包括：
将聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料；
将掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，旋涂在所述空穴注入层上，形成白光发光层。
通过上述制作方法，通过对聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点的掺杂比例进行控制，以调节所需的白光的色域。
较佳的，将聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，具体包括：
将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以0.5～0.8:1:1.1～1.4的掺杂比例，共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，以将白光的色域控制在有效范围内。
进一步的，将聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，具体包括：
将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以0.6～0.7:1:1.2～1.3的掺杂比例，共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，以提高白光的色域。
较佳的，所述有机溶剂包括甲苯、氯苯或三氯甲烷，以提高掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料的产率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的发光器件剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的发光器件制作方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
聚芴均聚物具有较大的能带间隙，为蓝光发光材料，由于其结构中含有刚性的平面内联苯单元，具有较高的热稳定性和化学稳定性，在固态时具有较高的荧光量子产率，发光效率较高。
本发明实施例提供一种量子点掺杂聚芴蓝光发光材料的发光器件，该发光器件中包括白光发光层4，该白光发光层包括聚芴蓝光材料401，以及掺杂在聚芴蓝光材料401中的红光量子点402和绿光量子点403。
图1所示为本发明实施例提供的发光器件剖面结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供的发光器件包括衬底基板1、阳极2、空穴注入层3、白光发光层4、电子迁移层5和阴极6。
具体的，本发明实施例中衬底基板1可以是玻璃基板、石英基板等基于透明无机材料的基板，也可以是透明有机材料的基板，制备工艺较简单，技术门槛较低。
本发明实施例中形成在衬底基板1上的阳极2为透明电极，可采用氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化铟锌（Indium Zinc Oxide，IZO）、氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）等材料中的一种或多种，当然并不引以为限，还可以是其它材料制作的透明电极。
本发明实施例中空穴注入层3形成在阳极2和白光发光层4之间，并可采用诸如PEDOT:PSS（聚3，4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸）材料。
本发明实施例中白光发光层4为单层结构，该白光发光层4包括发光效率较高的聚芴蓝光材料401，以及掺杂在聚芴蓝光材料401中的红光量子点402和绿光量子点403。
聚芴蓝光材料401为聚芴及其衍生物，包括P17聚（9，9-二烷基芴）(PDAFs)、P18（双己基芴与蒽的共聚物）、P19(侧链含枝状联苯)、P20、P21a(四烷基取代的茚并芴聚合物)、P21b、P22a、P22b、P23(聚芴联噻吩交替共聚物)、P24(辛基双取代芴与苯并噻二唑交替共聚物)、P25以及芴与噻吩(Th)、乙烯基二氧噻吩（EDT）、4.7-二噻吩-2，1，3-苯并噻二唑（DBT）、4.7-二噻吩-2，1，3-苯并硒二唑（BTSe）的二元及三元无规共聚物。
红光量子点402和绿光量子点403为II－VI族元素化合物和III－V族元素化合物。II－VI族化合物为由II族元素Zn，Cd，Hg和Ⅵ族元素S，Se，Te所形成的化合物半导体材料。II-VI族化合物的表示式为A(II)B(VI)，即ZnS，ZnSe，ZnTe，CdS，CdSe，CdTe，HgS，HgSe和HgTe。III－V族元素化合物由III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物，III-V族化合物的表示式为A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb等。
本发明实施例中电子迁移层5形成在白光发光层4之上，可采用诸如Alq3等材料。
本发明实施例中形成在电子迁移层5之上的阴极6，可采用诸如Ca/Al等材料。
本发明实施例提供的发光器件，白光发光层包括聚芴蓝光材料，聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，发光效率较高，并在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点，白光发光层为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，易于量产。
较佳的，本发明实施例中白光发光层4中，红光量子点402、绿光量子点403和聚芴蓝光材料401的掺杂比例是可控的，通过控制红光量子点402、绿光量子点403和聚芴蓝光材料401的掺杂比例，以调节所需的白光的色域。本发明实施例中优选红光量子点402、绿光量子点403和聚芴蓝光材料401的掺杂比例为0.5～0.8:1:1.1～1.4。
进一步优选的，本发明实施例中红光量子点402、绿光量子点403和聚芴蓝光材料401的掺杂比例为0.6～0.7:1:1.2～1.3，以提高白光的色域。
基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示面板，如图2所示，该显示面板包括彩膜基板10和阵列基板20，阵列基板20上设置有若干个像素单元（图中未标示），每个像素单元具有若干个显示不同颜色的亚像素单元。
本发明实施例中，在各亚像素单元对应的阵列基板20的位置处设置有发光器件30，该发光器件30为上述实施例涉及的发光器件，包括衬底基板1、阳极2、空穴注入层3、白光发光层4、电子迁移层5和阴极6，其中白光发光层4包括聚芴蓝光材料401，以及掺杂在聚芴蓝光材料401中的红光量子点402和绿光量子点403，在受到激发时能够发出白光。
本发明实施例中，显示面板中设置有对应于各亚像素单元的彩色滤光片40，该彩色滤光片40位于发光器件30的白光发光层4和彩膜基板之间，以实现全彩显示。
需要说明的是，本发明实施例图2所示的显示面板中，彩色滤光片40位于彩膜基板10面向阵列基板20的一侧，并不引以为限，还可以位于阵列基板20面向彩膜基板10的一侧。
本发明实施例提供的显示面板，发光器件的白光发光层包括聚芴蓝光材料，聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，发光效率较高，并且白光发光层为聚芴蓝光材料，并在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和绿光量子点，白光发光层为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，易于量产，故本发明实施例提供的显示面板具有制备工艺简单、显色性好、重复性高和成本低等有限，并且将其与较成熟的彩色滤光膜技术相结合，可实现全彩显示。
本发明实施例还提供一种发光器件的制作方法，如图3所示，包括：
S101：提供一衬底基板。
具体的，本发明实施例中衬底基板的材质可为透光材质例如玻璃或石英等，也可为不透光材质如陶瓷或半导体材质，还可为可挠性材质如塑料等。
S102：在衬底基板上形成阳极。
具体的，本发明实施例中在衬底基板上形成阳极可采用例如沉积的方式形成，本发明实施例中阳极可优选采用氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）材料制作为ITO透明阳极。
S103：形成空穴注入层。
具体的，本发明实施例中可选用诸如旋涂、蒸镀等方式，在ITO阳极之上形成PEDOT:PSS空穴注入层。
S104：在空穴注入层上形成白光发光层。
具体的，本发明实施例中可将聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂中，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，然后将该掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，旋涂在空穴注入层上，形成包括聚芴蓝光材料，以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点的白光发光层。
本发明实施例中在空穴注入层上形成白光发光层，并不限定采用旋涂的方式，还可采用例如溅射等方式。
较佳的，本发明实施例中可将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以0.5～0.8:1:1.1～1.4的掺杂比例，共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，以将白光的色域控制在有效范围内。
本发明实施例中优选将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以0.6～0.7:1:1.2～1.3的掺杂比例，共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，以提高白光的色域。
进一步的，本发明实施例中上述涉及的有机溶剂可以为甲苯、氯苯或三氯甲烷等，优选甲苯，以提高掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料的产率。
S105：形成电子迁移层。
具体的，本发明实施例中可在白光发光层上采用蒸镀的方式，将Alq3蒸镀到白光发光层上，形成电子迁移层。
S106：形成阴极。
具体的，本发明实施例中可在完成上述步骤的基础上，采用例如蒸镀的方式，形成Ca/Al混合电极，作为阴极。
本发明实施例提供的发光器件制作方法，形成包括聚芴蓝光材料，以及在聚芴蓝光材料中掺杂红光量子点和蓝光量子点的白光发光层，由于聚芴蓝光材料具有较高的热稳定性和化学稳定性，并具有较高的荧光量子产量，故发光效率较高，并且白光发光层为单膜层结构，可一次成膜，不需要分别制备红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，因此工艺简化，结构简单，易于量产。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种发光器件，其特征在于，包括白光发光层，其中：
所述白光发光层包括聚芴蓝光材料，以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述红光量子点、绿光量子点和聚芴蓝光材料的掺杂比例为0.5～0.8:1:1.1～1.4。
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述红光量子点、绿光量子点和聚芴蓝光材料的掺杂比例为0.6～0.7:1:1.2～1.3。
4.一种显示面板，包括：彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板上设置有若干个像素单元，每个所述像素单元具有若干个显示不同颜色的亚像素单元，其特征在于，
在各亚像素单元对应的阵列基板的位置处设置有包括权利要求1-3任一项所述的发光器件；以及
对应于各所述亚像素单元的彩色滤光片；
所述彩色滤光片位于所述发光器件的白光发光层和所述彩膜基板之间。
5.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成阳极以及空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成白光发光层，所述白光发光层包括聚芴蓝光材料，以及掺杂在所述聚芴蓝光材料中的红光量子点和绿光量子点；
在所述白光发光层上依次形成电子迁移层以及阴极。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述空穴注入层之上形成白光发光层，具体包括：
将聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料；
将掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，旋涂在所述空穴注入层上，形成白光发光层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，具体包括：
将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以0.5～0.8:1:1.1～1.4的掺杂比例，共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将聚芴及其衍生物、红光量子点和绿光量子点以设定比例共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料，具体包括：
将红光量子点、绿光量子点和聚芴及其衍生物，以0.6～0.7:1:1.2～1.3的掺杂比例，共同溶于有机溶剂，形成掺杂有红光量子点和绿光量子点的聚芴蓝光材料。
9.如权利要求6至8任一项所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂包括甲苯、氯苯或三氯甲烷。
CN201410040018.4A 2014-01-27 2014-01-27 发光器件及其制作方法和显示面板 Pending CN103779509A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410040018.4A CN103779509A (zh) 2014-01-27 2014-01-27 发光器件及其制作方法和显示面板
PCT/CN2014/076133 WO2015109677A1 (zh) 2014-01-27 2014-04-24 发光器件及其制作方法和显示面板
US14/436,949 US9716230B2 (en) 2014-01-27 2014-04-24 Light emitting device, production method thereof, and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410040018.4A CN103779509A (zh) 2014-01-27 2014-01-27 发光器件及其制作方法和显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103779509A true CN103779509A (zh) 2014-05-07

Family

ID=50571535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410040018.4A Pending CN103779509A (zh) 2014-01-27 2014-01-27 发光器件及其制作方法和显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9716230B2 (zh)
CN (1) CN103779509A (zh)
WO (1) WO2015109677A1 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104157671A (zh) * 2014-06-25 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN104882554A (zh) * 2015-04-30 2015-09-02 中国科学院半导体研究所 一种无机有机杂化电致发光元件及其制造方法
CN105185919A (zh) * 2015-09-02 2015-12-23 Tcl集团股份有限公司 混合型qled及其制备方法
CN105261709A (zh) * 2015-10-08 2016-01-20 华南理工大学 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法
CN105304681A (zh) * 2015-10-19 2016-02-03 Tcl集团股份有限公司 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法
WO2016045258A1 (zh) * 2014-09-25 2016-03-31 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置
CN105655495A (zh) * 2016-03-25 2016-06-08 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置
CN105826481A (zh) * 2016-04-07 2016-08-03 上海大学 白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法
CN106950632A (zh) * 2017-05-26 2017-07-14 深圳市国显科技有限公司 一种量子点滤蓝光膜及其显示器
CN108364975A (zh) * 2017-08-30 2018-08-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示基板、显示面板、显示器及其制作方法
US10287493B2 (en) 2013-10-21 2019-05-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103500803B (zh) * 2013-10-21 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
JP2015128105A (ja) * 2013-12-27 2015-07-09 ソニー株式会社 半導体ナノ粒子分散体、光電変換素子および撮像装置
CN105204104B (zh) 2015-10-30 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 滤光片及其制作方法、显示基板及显示装置
CN105609535B (zh) * 2016-01-15 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及其制作方法
CN105576004A (zh) * 2016-02-29 2016-05-11 Tcl集团股份有限公司 一种量子点彩色光转换膜、oled面板及显示装置
CN106356463B (zh) * 2016-10-11 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 Qled显示装置的制作方法
CN106816542B (zh) * 2017-01-16 2018-10-16 中国科学院长春应用化学研究所 一种白色有机电致发光器件及其制备方法
CN108169957A (zh) * 2018-02-07 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 彩膜片及其制作方法和彩膜基板
KR20200040046A (ko) * 2018-10-08 2020-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197428A (zh) * 2007-12-04 2008-06-11 电子科技大学 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
WO2013112298A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 Wake Forest University Electroluminescent devices and applications thereof
CN103323975A (zh) * 2013-06-08 2013-09-25 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN103421513A (zh) * 2013-08-16 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种白光量子点复合颗粒及其制备方法
CN103500803A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
CN103525406A (zh) * 2013-10-21 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998045A (en) * 1997-07-03 1999-12-07 International Business Machines Corporation Polymeric light-emitting device
US6917159B2 (en) 2003-08-14 2005-07-12 Eastman Kodak Company Microcavity OLED device
KR100632632B1 (ko) * 2004-05-28 2006-10-12 삼성전자주식회사 나노 결정의 다층 박막 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자
CN1595670B (zh) 2004-06-25 2011-12-28 清华大学 宽谱白光led的量子点有源区结构及其外延生长方法
US20080278063A1 (en) * 2007-05-07 2008-11-13 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved power distribution
CN101307856A (zh) 2007-05-15 2008-11-19 上海华夏化工材料有限公司 一种钢质管道的防腐蚀加固方法
CN101255336B (zh) 2007-11-06 2011-04-27 华南理工大学 电致发光光谱稳定的蓝色芴类聚合物及其制备方法与应用
CN101219921A (zh) 2008-01-18 2008-07-16 北京大学 一种共轭树枝状电致纯蓝光材料及其制备方法和应用
CN101307865A (zh) * 2008-05-06 2008-11-19 孙润光 一种光源装置
CN103999249B (zh) * 2011-10-31 2017-08-11 南洋理工大学 发光装置
WO2013078247A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Methods of coating semiconductor nanocrystals, semiconductor nanocrystals, and products including same
KR20130065320A (ko) * 2011-12-09 2013-06-19 삼성전자주식회사 이종의 양자점층을 구비하는 양자점 소자

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197428A (zh) * 2007-12-04 2008-06-11 电子科技大学 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
WO2013112298A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 Wake Forest University Electroluminescent devices and applications thereof
CN103323975A (zh) * 2013-06-08 2013-09-25 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN103421513A (zh) * 2013-08-16 2013-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种白光量子点复合颗粒及其制备方法
CN103500803A (zh) * 2013-10-21 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
CN103525406A (zh) * 2013-10-21 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10287493B2 (en) 2013-10-21 2019-05-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus
CN104157671A (zh) * 2014-06-25 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN104157671B (zh) * 2014-06-25 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制备方法及显示装置
WO2016045258A1 (zh) * 2014-09-25 2016-03-31 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置
US9941482B2 (en) 2014-09-25 2018-04-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent device, method of preparing same, display substrate, and display apparatus
CN104882554A (zh) * 2015-04-30 2015-09-02 中国科学院半导体研究所 一种无机有机杂化电致发光元件及其制造方法
CN105185919A (zh) * 2015-09-02 2015-12-23 Tcl集团股份有限公司 混合型qled及其制备方法
CN105185919B (zh) * 2015-09-02 2019-01-18 Tcl集团股份有限公司 混合型qled及其制备方法
CN105261709A (zh) * 2015-10-08 2016-01-20 华南理工大学 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法
CN105304681A (zh) * 2015-10-19 2016-02-03 Tcl集团股份有限公司 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法
CN105304681B (zh) * 2015-10-19 2019-09-17 广东聚华印刷显示技术有限公司 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法
CN105655495B (zh) * 2016-03-25 2018-05-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置
US9978972B2 (en) 2016-03-25 2018-05-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Quantum dot light emitting device and manufacture method thereof and liquid crystal display device
CN105655495A (zh) * 2016-03-25 2016-06-08 深圳市华星光电技术有限公司 量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置
CN105826481A (zh) * 2016-04-07 2016-08-03 上海大学 白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法
CN106950632A (zh) * 2017-05-26 2017-07-14 深圳市国显科技有限公司 一种量子点滤蓝光膜及其显示器
CN108364975A (zh) * 2017-08-30 2018-08-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示基板、显示面板、显示器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015109677A1 (zh) 2015-07-30
US20150380654A1 (en) 2015-12-31
US9716230B2 (en) 2017-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103779509A (zh) 发光器件及其制作方法和显示面板
CN103500803B (zh) 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件
US10229957B2 (en) Semiconducting particles in electronic elements
CN103525406B (zh) 一种复合薄膜及其制作方法、光电元件和光电设备
CN104302572B (zh) 包含各向异性平胶体半导体纳米晶体的发光设备及其制造方法
Kim et al. Performance of light-emitting-diode based on quantum dots
CN104576703B (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
CN105206718A (zh) 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管
CN102610725B (zh) 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法
CN104409650A (zh) 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置
CN101019250A (zh) 具有至少一个有机层的顶部发光电致发光元件
CN103730584A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN103456764A (zh) Oled阵列基板及其制造方法、显示装置
CN205177887U (zh) 一种量子点发光二极管
CN104297984A (zh) 彩膜基板及其制作方法、液晶显示装置
CN106129263A (zh) Oled显示器件及其制作方法
CN105261709A (zh) 一种掺杂量子点的有机发光器件及其制备方法
CN106784186A (zh) 一种lb量子点薄膜、发光二极管及制备方法
CN207303144U (zh) 一种woled器件及显示装置
CN110649168B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN108022963B (zh) 用于显示器的混合led发光体
Wang et al. Full solution-processed heavy-metal-free mini-QLEDs for flexible display applications
CN102569345B (zh) Oled彩色显示屏及其制造方法
Lee et al. 46.1: Invited Paper: Recent Progress of Light‐Emitting Diodes Based on Colloidal Quantum Dots
CN203445125U (zh) Oled阵列基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140507