CN105304681B - 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于平板显示技术领域，提供了一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，包括TFT阵列背板，在所述TFT阵列背板上设置的第一电极，且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；在所述第一电极上设置的像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；在外露于所述像素界定层的所述第一电极上设置的有机/无机混合发光层，所述有机/无机混合发光层包括红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光层；在所述有机/无机混合发光层上设置的第二电极。
Description
技术领域
本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法。
背景技术
随着信息时代的发展，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步凸显。为了在显示领域能够长久地占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。目前，已经进入市场的OLED产品是采用真空蒸镀工艺制备的，其需要高精密掩膜，且制备工艺复杂、设备成本高导致产品成本居高不下。量子点发光二极管(QLED)作为一种新型发光二极管，由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。在平板显示领域，就产品性能而言，QLED发光光谱的半峰宽较窄，一般小于30nm，因此光色纯度高，且波长易于调节，用其制作的显示器，色域能够超过100％(基于NTSC 1953标准)，这是OLED显示器无法实现的。在制备工艺方面，QLED通常采用溶液加工工艺制备。溶液加工工艺，由于其制备工艺简单，具有明显的低成本优势，受到了广泛的关注。其中喷墨印刷工艺由于其材料利用率高、易于实现大面积全彩显示，是目前最受瞩目的溶液加工QLED全彩显示器件的制备工艺。然而，喷墨印刷QLED目前难以形成成熟产品进入市场，主要是由于量子点材料的性能还有待进一步提高、喷墨打印工艺还不够成熟等多方面因素造成。这其中，蓝光量子点发光材料的发光效率低、使用寿命短是制约喷墨印刷制备QLED显示器进入市场的主要因素。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，旨在解决现有OLED制备工艺复杂、成本高；而QLED中由于蓝光量子点发光材料的发光效率低、使用寿命短导致QLED性能不足的问题。
本发明的另一目的在于提供上述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法。
本发明是这样实现的，一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，包括TFT阵列背板，
在所述TFT阵列背板上设置的第一电极，且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
在所述第一电极上设置的像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
在外露于所述像素界定层的所述第一电极上设置的有机/无机混合发光层，所述有机/无机混合发光层包括红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光层；
在所述有机/无机混合发光层上设置的第二电极。
以及，一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，包括以下步骤：
提供一TFT阵列背板；
在所述TFT阵列背板上制备第一电极，所述第一电极为透明阳极，且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
在外露于所述像素界定层的所述第一电极上制备像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
在所述第一电极上蒸镀蓝光有机发光层，在位于同一像素单元的2个子像素坑中的所述蓝光有机发光层上分别沉积红光量子点发光层和绿光量子点发光层，所述蓝光有机发光层、红光量子点发光层和绿光量子点发光层共同形成有机/无机混合发光层；
在所述有机/无机混合发光层上沉积第二电极，所述第二电极为阴极。或
一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，包括以下步骤：
提供一TFT阵列背板；
在所述TFT阵列背板上制备第一电极，所述第一电极为透明阴极，且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
在外露于所述像素界定层的所述第一电极上制备像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
在同一像素单元的2个子像素坑内的所述第一电极上分别沉积红光量子点发光层和绿光量子点发光层，在所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层以及没有设置量子点发光材料的所述第一电极上蒸镀蓝光有机发光层，所述蓝光有机发光层、红光量子点发光层和绿光量子点发光层共同形成有机/无机混合发光层；
在所述有机/无机混合发光层上沉积第二电极，所述第二电极为阳极。
本发明提供的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，采用含有红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光层的有机/无机混合发光层，一方面，由于蓝色有机发光层具有高发光效率和长寿命，提高了电致发光显示器的性能和使用寿命；另一方面，所述有机/无机混合发光层中红光量子点发光层和绿光量子点发光层的设置，可以实现电致发光显示器低成本、高色纯度的效果。因此，本发明提供的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，可以同时实现电致发光显示器高效率、低成本、高色域、长寿命的效果。
本发明提供的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，采用蒸镀工艺可以制备得到均匀致密的蓝色有机发光层薄膜，从而有效防止印刷工艺制备的薄膜由于厚度不均而引起的短路问题；此外，蒸镀的蓝色有机发光材料由于具有较深的HOMO能级可以有效提高量子点发光层的空穴注入，提高器件性能。本发明所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，方法简单可控，且得到的电致发光显示器具有高效率、低成本、高色域、长寿命的优点。
附图说明
图1为本发明实施例提供的不含空穴注入/传输层和电子传输/注入层的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的正装结构示意图；
图2为本发明实施例提供的含空穴注入/传输层和电子传输/注入层的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的正装结构示意图；
图3为本发明实施例提供的不含空穴注入/传输层和电子传输/注入层的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的倒装结构示意图；
图4为本发明实施例提供的含空穴注入/传输层和电子传输/注入层的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的倒装结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
结合图1-4，本发明实施例提供了一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，包括TFT阵列背板1，
在所述TFT阵列背板1上设置的第一电极2，且所述第一电极2与所述TFT阵列背板1的源极或漏极相连；
在所述第一电极2上设置的像素界定层3，所述像素界定层3包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑31，所述子像素坑31位于所述第一电极2上、使得部分所述第一电极2外露于所述像素界定层3；
在外露于所述像素界定层3的所述第一电极2上设置的有机/无机混合发光层4，所述有机/无机混合发光层4包括红光量子点发光层41、绿光量子点发光层42和蓝光有机发光层43；
在所述有机/无机混合发光层4上设置的第二电极5。
本发明实施例中，所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器可设置为正装结构，也可以设置为倒装结构。
如图1所示，作为一个具体实施例，当含有机/无机混合发光层的电致发光显示器为正装结构时，包括TFT阵列背板1，在所述TFT阵列背板1上设置的第一电极2，且所述第一电极2与所述TFT阵列背板1的源极或漏极相连；在所述第一电极2上设置的像素界定层3，所述像素界定层3包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑31，所述子像素坑31位于所述第一电极2上、使得部分所述第一电极2外露于所述像素界定层3；在外露于所述像素界定层3的所述第一电极2上设置的有机/无机混合发光层4，所述有机/无机混合发光层4包括红光量子点发光层41、绿光量子点发光层42和蓝光有机发光层43，其中，所述蓝光有机发光层43设置在所述第一电极2上，所述红光量子点发光层41、绿光量子点发光层42分别层叠设置在位于同一像素单元的2个子像素坑31中的所述蓝光有机发光层43上；在所述有机/无机混合发光层4上设置的第二电极5，其中，所述第一电极2为透明阳极21，所述第二电极5为阴极51。
进一步的，如图2所示，作为优选实施例，为了提高电荷传输能力，所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器还包括空穴注入/传输层6和电子传输/注入层7，所述空穴注入/传输层6设置在所述阳极21和所述有机/无机混合发光层4之间，所述电子传输/注入层7设置在所述阴极51和所述有机/无机混合发光层4之间。
如图3所示，作为另一个具体实施例，当含有机/无机混合发光层的电致发光显示器为倒装结构时，包括TFT阵列背板1，在所述TFT阵列背板1上设置的第一电极2，且所述第一电极2与所述TFT阵列背板1的源极或漏极相连；在所述第一电极2上设置的像素界定层3，所述像素界定层3包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑31，所述子像素坑31位于所述第一电极2上、使得部分所述第一电极2外露于所述像素界定层3；在外露于所述像素界定层3的所述第一电极2上设置的有机/无机混合发光层4，所述有机/无机混合发光层4包括红光量子点发光层41、绿光量子点发光层42和蓝光有机发光层43，其中，所述红光量子点发光层41、绿光量子点发光层42分别设置在同一像素单元的2个子像素坑31中、且层叠设置在所述第一电极2上，所述蓝光有机发光层43层叠设置在所述红光量子点发光层41、所述绿光量子点发光层42以及没有设置量子点发光材料的所述第一电极2上；在所述有机/无机混合发光层4上设置的第二电极5，其中，所述第一电极2为透明阴极22，所述第二电极5为阳极52。
进一步的，如图4所示，作为优选实施例，为了提高电荷传输能力，所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器还包括空穴注入/传输层6和电子传输/注入层7，所述空穴注入/传输层6设置在所述阳极52和所述有机/无机混合发光层4之间，所述电子传输/注入层7设置在所述阴极22和所述有机/无机混合发光层4之间。
当然，应当理解，上述实施例中，所述空穴注入/传输层6、所述蓝光有机发光层43、所述电子传输/注入层7、所述第二电极5可以层叠设置在整个所述像素界定层3上，如图1-4所示。当然，应当理解，本发明实施例所述空穴注入/传输层6、所述蓝光有机发光层43、所述电子传输/注入层7、所述第二电极5也可以仅层叠设置在所述子像素坑31内，本发明实施例未给出示意图。
具体的，本发明实施例中，所述TFT阵列背板1包括衬底11和TFT阵列12。其中，所述衬底11的选用不受限制，可以采用硬质衬底如玻璃衬底，也可以采用柔性衬底。
所述阳极材料的选用，与所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的结构类型有关。当所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器为正装结构时，所述阳极21为透明电极，具体可为图案化的透明电极，其材料为导电金属氧化物、石墨烯、碳纳米管、高功函数金属和导电聚合物中的至少一种。当所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器为倒装结构时，所述阳极52为透光性较差的金属电极，作为优选实施例，所述阳极52为铝、银、金等高功函数金属中的至少一种。
本发明实施例中，所述空穴注入/传输层6包括空穴注入层和空穴传输层。所述空穴注入层和所述空穴传输层可采用本领域常规材料制备。作为优选实施例，所述空穴注入层选用以碳或硅形成主链结构的高电导体系有机分子、氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化铬或MoS2中的至少一种。所述空穴传输层采用具有较深HOMO(最高已占轨道)能级以及较高空穴迁移率的有机分子，具体优选为芳香族化合物、咔唑类化合物以及有机金属配合物中的至少一种。
所述发光层4中，所述红光量子点发光层41、所述绿光量子点发光层42材料的选用不受限制，均可采用本领域常规红光量子点材料和绿光量子点材料。作为优选实施例，所述红光量子点材料、绿光量子点材料为II-V族化合物及其核壳结构、III-V或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构。作为具体实施例，所述II-V族化合物及其核壳结构包括但不限于CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS。所述III-V或IV-VI族化合物半导体及其核壳结构包括但不限于GaAs、InP、PbS/ZnS和PbSe/ZnS。
本发明实施例中，所述蓝光有机发光层43由有机小分子材料制成，所述有机小分子材料为分子量≤2000的有机材料。由此得到的所述蓝光有机发光层43具有较好的发光效率和较长的寿命。结合所述蓝光有机发光层43和所述红光量子点发光层41、所述绿光量子点发光层42制备的电致发光显示器具有更高的性能。作为优选实施例，所述有机小分子材料包括蓝光发光材料或蓝光发光材料与有机掺杂主体制成的混合材料。采用所述混合材料制备所述蓝色有机发光层43，可以通过所述有机参杂主体对高浓度的所述蓝光发光材料进行分散，从而提高发光层的性能。进一步的，所述蓝光发光材料优选为蓝光荧光材料、蓝光磷光材料、蓝光延迟态荧光材料中的至少一种。
本发明实施例所述电子传输/注入层7包括电子传输层和电子注入层。所述电子传输层为具有较浅LUMO(最低未占轨道)能级以及较高电子迁移率的有机分子，作为具体实施例，所述电子传输层包括但不限于恶唑类化合物、金属螯合物和喹啉类化合物中的至少一种。所述电子注入层为碱金属化合物，包括但不限于LiF、CsF、CsCO3、Li2O中的至少一种。
与所述阳极材料对应，本发明实施例中，所述阴极材料的选用，与所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的结构类型有关。当所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器为正装结构时，所述阴极51的材料为金属或金属氧化物中的至少一种，其中，所述金属包括但不限于铝、银、金、钙、钡、镁中的至少一种。当所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器为倒装结构时，所述阴极22为透明阴极，具体可为图案化的透明阴极，其材料为导电金属氧化物、石墨烯、碳纳米管、高功函数金属和导电聚合物中的至少一种。
本发明实施例提供的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，采用含有红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光层的有机/无机混合发光层，一方面，由于蓝色有机发光层具有高发光效率和长寿命，提高了电致发光显示器的性能和使用寿命；另一方面，所述有机/无机混合发光层中红光量子点发光层和绿光量子点发光层的设置，可以实现电致发光显示器低成本、高色纯度的效果。因此，本发明提供的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，可以同时实现电致发光显示器高效率、低成本、高色域、长寿命的效果。
本发明实施例所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备，可以通过下述方法制备获得。
相应地，本发明实施例提供了一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供一TFT阵列背板，所述第一电极为透明阳极；
S02.在所述TFT阵列背板上制备第一电极，所述第一电极为透明阳极，使得且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
S03.在所述第一电极上制备像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
S04.在外露于所述像素界定层的所述第一电极上蒸镀蓝光有机发光层，在位于同一像素单元的2个子像素坑中的所述蓝光有机发光层上分别沉积红光量子点发光层和绿光量子点发光层，所述蓝光有机发光层、红光量子点发光层和绿光量子点发光层共同形成有机/无机混合发光层；
S05.在所述有机/无机混合发光层上沉积第二电极，所述第二电极为阴极。
具体的，上述步骤S01中，所述TFT阵列背板不受限制，可采用本领域常规的TFT阵列背板。
上述步骤S02中，所述第一电极即透明阳极的制备方法可以采用本领域常规方式实现，优选采用蒸镀方式实现。
作为一个优选实施例，在形成所述第一电极后，还包括对所述第一电极进行进行清洗和表面修饰处理，所述表面修饰处理为臭氧处理或plasma处理。
上述步骤S03中，所述像素界定层的制备方法可以采用本领域常规技术手段方式实现。
上述步骤S04中，本发明实施例通过蒸镀方式制备所述蓝光有机发光层，由于所述蓝光有机发光层需要沉积在整个像素区域内，因此不需要掩膜板进行图案化，从而简化了生产工艺。所述红光量子点发光层和绿光量子点发光层的沉积方式优选采用喷墨印刷的方式实现。
作为优选实施例，包括在所述阴极和所述有机/无机混合发光层之间制备电子注入/传输层；在所述有机/无机混合发光层和所述阳极之间制备空穴传输/注入层，所述电子注入/传输层和所述空穴传输/注入层可以采用常规方法沉积，优选采用蒸镀方式实现，由于电子注入/传输层和所述空穴传输/注入层需要沉积在整个像素区域内，因此，所述蒸镀过程同样不需要掩膜板进行图案化处理。
上述步骤S05中，制备第二电极即阴极的方法可以采用本领域常规方式实现，优选采用蒸镀方式实现。
进一步的，还包括对沉积完所述第二电极后的器件进行封装处理。
以及，本发明实施例还提供了一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，包括以下步骤：
Q01.提供一TFT阵列背板；
Q02.在所述TFT阵列背板上制备第一电极，所述第一电极为透明阴极，使得所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
Q03.在外露于所述像素界定层的所述第一电极上制备像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
Q04.在同一像素单元的2个子像素坑内的所述第一电极上分别沉积红光量子点发光层和绿光量子点发光层，在所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层以及没有设置量子点发光材料的所述第一电极上蒸镀蓝光有机发光层，所述蓝光有机发光层、红光量子点发光层和绿光量子点发光层共同形成有机/无机混合发光层；
Q05.在所述有机/无机混合发光层上沉积第二电极，所述第二电极为阳极。
由此制备获得倒装结构的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器。
具体的，上述步骤Q01中，所述TFT阵列背板不受限制，可采用本领域常规的TFT阵列背板。
上述步骤Q02中，所述第一电极即透明阴极的制备方法可以采用本领域常规方式实现，优选采用蒸镀方式实现。
作为一个优选实施例，在形成所述第一电极后，还包括对所述第一电极进行进行清洗和表面修饰处理，所述表面修饰处理为臭氧处理或plasma处理。
上述步骤Q03中，所述像素界定层的制备方法可以采用本领域常规方式实现。
上述步骤Q04中，本发明实施例通过蒸镀方式制备所述蓝光有机发光层，由于所述蓝光有机发光层需要沉积在整个像素区域内，因此不需要掩膜板进行图案化，从而简化了生产工艺。所述红光量子点发光层和绿光量子点发光层的沉积方式优选采用喷墨印刷的方式实现。
作为优选实施例，包括在所述阴极和所述有机/无机混合发光层之间制备电子注入/传输层；在所述有机/无机混合发光层和所述阳极之间制备空穴传输/注入层，所述电子注入/传输层和所述空穴传输/注入层可以采用常规方法沉积，优选采用蒸镀方式实现，由于电子注入/传输层和所述空穴传输/注入层需要沉积在整个像素区域内，因此，所述蒸镀过程同样不需要掩膜板进行图案化处理。
上述步骤Q05中，制备所述第二电极即阳极的方法可以采用本领域常规方式实现，优选采用蒸镀方式实现。
进一步的，还包括对沉积完阳极后的器件进行封装处理。
本发明实施例提供的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，采用蒸镀工艺可以制备得到均匀致密的蓝色有机发光层薄膜，从而有效防止印刷工艺制备的薄膜由于厚度不均而引起的短路问题；此外，蒸镀的蓝色有机发光材料由于具有较深的HOMO能级可以有效提高量子点发光层的空穴注入，提高器件性能。本发明所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，方法简单可控，且得到的电致发光显示器具有高效率、低成本、高色域、长寿命的优点。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，其特征在于，包括TFT阵列背板，
在所述TFT阵列背板上设置的第一电极，且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
在所述第一电极上设置的像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
在外露于所述像素界定层的所述第一电极上设置的有机/无机混合发光层，所述有机/无机混合发光层包括红光量子点发光层、绿光量子点发光层和蓝光有机发光层；
在所述有机/无机混合发光层上设置的第二电极。
2.如权利要求1所述的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，其特征在于，所述蓝光有机发光层设置在所述第一电极上，所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层分别层叠设置在位于同一像素单元的2个子像素坑中的所述蓝光有机发光层上，且所述第一电极为透明阳极，所述第二电极为阴极。
3.如权利要求1所述的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，其特征在于，所述红光量子点发光层、绿光量子点发光层分别设置在同一像素单元的2个子像素坑中、且层叠设置在所述第一电极上，所述蓝光有机发光层设置在所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层以及没有设置量子点发光材料的所述第一电极上，且第一电极为透明阴极，所述第二电极为阳极。
4.如权利要求1-3任一所述的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，其特征在于，所述蓝光有机发光层由有机小分子材料制成，所述有机小分子材料为分子量≤2000的有机材料。
5.如权利要求4所述的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，其特征在于，所述有机小分子材料包括蓝光发光材料或蓝光发光材料与有机掺杂主体制成的混合材料。
6.如权利要求5所述的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，其特征在于，所述蓝光发光材料为蓝光荧光材料、蓝光磷光材料、蓝光延迟态荧光材料中的至少一种。
7.如权利要求2或3所述的含有机/无机混合发光层的电致发光显示器，其特征在于，还包括空穴注入/传输层和电子传输/注入层，所述空穴注入/传输层设置在所述阳极和所述有机/无机混合发光层之间，所述电子传输/注入层设置在所述阴极和所述有机/无机混合发光层之间。
8.一种如权利要求2、4-6任一所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，包括以下步骤：
提供一TFT阵列背板；
在所述TFT阵列背板上制备第一电极，所述第一电极为透明阳极，且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
在所述第一电极上制备像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
在外露于所述像素界定层的所述第一电极上蒸镀蓝光有机发光层，在位于同一像素单元的2个子像素坑中的所述蓝光有机发光层上分别沉积红光量子点发光层和绿光量子点发光层，所述蓝光有机发光层、红光量子点发光层和绿光量子点发光层共同形成有机/无机混合发光层；
在所述有机/无机混合发光层上沉积第二电极，所述第二电极为阴极。
9.一种如权利要求8所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，其特征在于，还包括对所述第一电极进行表面修饰处理，所述表面修饰处理为臭氧处理或等离子体处理。
10.一种如权利要求8所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，其特征在于，还包括在所述第一电极和所述有机/无机混合发光层之间制备空穴注入/传输层，在所述有机/无机混合发光层和所述第二电极之间制备电子传输/注入层。
11.一种如权利要求3-6任一所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，包括以下步骤：
提供一TFT阵列背板；
在所述TFT阵列背板上制备第一电极，所述第一电极为透明阴极，且所述第一电极与所述TFT阵列背板的源极或漏极相连；
在所述第一电极上制备像素界定层，所述像素界定层包括多个像素单元，所述像素单元包括3个彼此隔离的子像素坑，所述子像素坑位于所述第一电极上、使得部分所述第一电极外露于所述像素界定层；
在外露于所述像素界定层的同一像素单元的2个子像素坑内的所述第一电极上分别沉积红光量子点发光层和绿光量子点发光层，在所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层以及没有设置量子点发光材料的所述第一电极上蒸镀蓝光有机发光层，所述蓝光有机发光层、红光量子点发光层和绿光量子点发光层共同形成有机/无机混合发光层；
在所述有机/无机混合发光层上沉积第二电极，所述第二电极为阳极。
12.一种如权利要求11所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，其特征在于，还包括对所述第一电极进行表面修饰处理，所述表面修饰处理为臭氧处理或等离子体处理。
13.一种如权利要求11所述含有机/无机混合发光层的电致发光显示器的制备方法，其特征在于，还包括在所述有机/无机混合发光层和所述第一电极之间制备电子传输/注入层，在所述第二电极和所述有机/无机混合发光层之间制备空穴注入/传输层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510680162.9A CN105304681B (zh) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510680162.9A CN105304681B (zh) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105304681A CN105304681A (zh) | 2016-02-03 |
| CN105304681B true CN105304681B (zh) | 2019-09-17 |
Family
ID=55201706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510680162.9A Active CN105304681B (zh) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105304681B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10192932B2 (en) | 2016-02-02 | 2019-01-29 | Apple Inc. | Quantum dot LED and OLED integration for high efficiency displays |
| CN105810851B (zh) * | 2016-05-03 | 2018-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点发光二极管显示器的制作方法及量子点发光二极管显示器 |
| CN105932028A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 自发光显示装置 |
| CN106601923A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-04-26 | 华南理工大学 | 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法 |
| US10026912B1 (en) | 2017-01-17 | 2018-07-17 | International Business Machines Corporation | Vertically integrated nanotube and quantum dot LED for active matrix display |
| CN106960913A (zh) * | 2017-03-31 | 2017-07-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | 量子点发光二极管显示面板及其制备方法 |
| US10818856B2 (en) | 2017-05-18 | 2020-10-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for fabricating thin film transistor, method for fabricating array substrate, and a display apparatus |
| CN107195782A (zh) * | 2017-05-18 | 2017-09-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管制作方法、阵列基板制作方法及显示装置 |
| CN110556483A (zh) * | 2018-06-04 | 2019-12-10 | Tcl集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制备方法和应用 |
| CN110600623B (zh) * | 2018-06-13 | 2021-08-27 | Tcl科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制备方法 |
| US11264582B2 (en) * | 2019-03-03 | 2022-03-01 | Innolux Corporation | Light emitting device |
| CN111883675B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-12-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 混合型电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
| CN111883677A (zh) * | 2019-09-24 | 2020-11-03 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 混合发光器件及显示装置 |
| CN112331785B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-08-30 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其制作方法 |
| CN111584596B (zh) * | 2020-05-26 | 2024-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及制作方法 |
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| CN103779509A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制作方法和显示面板 |
| CN104241553A (zh) * | 2014-10-13 | 2014-12-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的制备方法及其制得的oled器件 |
| CN104362255A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-02-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 白光oled器件结构 |
| CN104536198A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
-
2015
- 2015-10-19 CN CN201510680162.9A patent/CN105304681B/zh active Active
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| CN104536198A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105304681A (zh) | 2016-02-03 |
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| PB01 | Publication | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |