CN104112766B - 彩色显示器件结构 - Google Patents

彩色显示器件结构 Download PDF

Info

Publication number
CN104112766B
CN104112766B CN201410351490.XA CN201410351490A CN104112766B CN 104112766 B CN104112766 B CN 104112766B CN 201410351490 A CN201410351490 A CN 201410351490A CN 104112766 B CN104112766 B CN 104112766B
Authority
CN
China
Prior art keywords
blue
green
light
green glow
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410351490.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104112766A (zh
Inventor
刘亚伟
王宜凡
罗长诚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410351490.XA priority Critical patent/CN104112766B/zh
Priority to US14/384,672 priority patent/US9276046B2/en
Priority to PCT/CN2014/084451 priority patent/WO2016011688A1/zh
Publication of CN104112766A publication Critical patent/CN104112766A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104112766B publication Critical patent/CN104112766B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Abstract

本发明提供一种彩色显示器件结构，包括：基板(1)、阳极(21)、薄膜晶体管阵列(23)、空穴注入层(24)、空穴传输层(25)、发光层(26)、电子传输层(27)、阴极(28)，盖板(3)、形成于盖板(3)内侧的色彩转换层(4)、及密封胶框(6)；发光层(26)为蓝、绿光共同发光层(26)；色彩转换层(4)包括间隔设置的蓝色滤光单元(41)、绿色滤光单元(43)与红色转换单元(45)；所述蓝、绿光共同发光层(26)发出的蓝、绿光经过蓝色滤光单元(41)过滤成为蓝光，经过绿色滤光单元(43)过滤成为绿光，经过红色转换单元(45)转换成为红光，从而实现彩色显示，其制作工艺简单，具有色纯度高、光效好、稳定性高、超薄等良好性能。

Description

彩色显示器件结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种彩色显示器件结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)是一种极具发展前景的平板显示技术，它不仅具有十分优异的显示性能，还具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。
目前，实现OLED的彩色化有几种技术路线：一种是红绿蓝(Red、Green、Blue，RGB)三基色发光，以三星公司为代表。该技术只适用于容易升华的有机小分子材料，其优点是工艺简单成熟，操作简便.但由于在制备高分辨率显示屏时需要高精度掩膜及精确的对位，导致产能较低、成本较高，而且由于三基色的寿命、激发率以及衰减度相差较大，造成了彩色显示器件的偏色。
另一种是白光+RGB滤光片(Color Filter，CF)技术，以LG公司为代表。由于可利用LCD成熟的CF技术，不需要掩膜对位，极大地简化了蒸镀过程，因而能降低生产成本，可用于制备大尺寸高分辨率OLED。但是，由于滤光片吸收了大部分的光能，只有约30％的光能透过，所以需要高性能的白光材料，否则显示器件的效率较低，一般也是用于小分子的OLED显示屏。
第三种是由蓝光OLED，经过绿光与红光色彩转换方法(Color conversionmethod，CCM)，通过蓝光激发红绿光材料使其发光而得到红绿蓝三基色，实现彩色显示。由于可以使用与彩色滤光片相同的生产技术，因此与RGB彩色化相比，即提高了像素点密度，又可以实现较高的良品率。此技术由出光兴产与富士电机开发。但蓝光材料是制约这种技术的瓶颈，现阶段一般只能用于制备小分子OLED。
半导体纳米晶(semiconductor nanocrystals,NCs)，是指尺寸为1-100nm的半导体纳米晶粒。由于半导体纳米晶的尺寸小于其体材料的激子波尔半径，表现出强的量子限域效应，准连续的能带演变为类似于分子的分立能级结构，呈现出新的材料性质，因此也称为量子点(quantum dots，QDs)。
由于外部能量的激发(光致发光，电致发光，阴极射线发光等)，电子从基态跃迁到激发态。处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。电子与空穴发生复合，最终弛豫到基态。多余的能量通过复合和弛豫过程释放，可能辐射复合发出光子。
量子点发光二极管显示器件(Quantum Dots Light Emitting Diode，QD-LED)具有重要的商业应用价值，在最近十年引起人们强烈的研究兴趣。事实上，QD-LEDs相对于OLED很多的优势：(1)、量子点发光的线宽在20-30nm之间，相对于有机发光>50nm的发光，半峰全宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)要窄，这对于现实画面的色纯度起关键的作用。(2)、无机材料相对于有机材料表现出更好的热稳定性。当器件处于高亮度或高电流密度下，焦耳热是使器件退化的主要原因。由于优异的热稳定性，基于无机材料的器件将表现出长的使用寿命。(3)、由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同，OLED显示器的颜色将随时间变化。然而，用同一种材料合成不同尺寸的量子点，由于量子限域效应，可以实现三基色的发光。同一种材料可以表现出相似的退化寿命。(4)、QD-LED可以实现红外光的发射，而有机材料的发光波长一般小于1微米。(5)、对于量子点没有自旋统计的限制，其外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)有可能达到100％。
QD-LED可以分为有机-无机杂化器件与全无机器件，前者可以达到高的亮度、可以柔性制作，后者在器件的稳定性方面具有优势。但现阶段有关QD-LED的报道相对较少。
因此，有必要研发一种新的制作工艺较简单、色纯度高、光效好、稳定性高、厚度薄的彩色显示器件结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种彩色显示器件结构，其对白光+RGB滤光片结构进行改进，且该彩色显示器件结构的制作工艺简单，具有色纯度高、光效好、稳定性高、超薄等良好性能。
为实现上述目的，本发明首先提供一种彩色显示器件，包括：基板、形成于基板上的阳极、形成于阳极上的薄膜晶体管阵列、形成于薄膜晶体管阵列上的空穴注入层、形成于空穴注入层上的空穴传输层、形成于空穴传输层上的发光层、形成于发光层上的电子传输层、形成于电子传输层上的阴极，设于阴极上方并与基板贴合的盖板、形成于盖板内侧的色彩转换层、及用于封装基板与盖板的密封胶框，其特征在于：所述发光层为蓝、绿光共同发光层；所述色彩转换层包括间隔设置的蓝色滤光单元、绿色滤光单元与红色转换单元；所述蓝、绿光共同发光层发出的蓝、绿光经过蓝色滤光单元过滤成为蓝光，所述蓝、绿光共同发光层发出的蓝、绿光经过绿色滤光单元过滤成为绿光，所述蓝、绿光共同发光层发出的蓝、绿光经过红色转换单元转换成为红光，从而实现彩色显示。
所述色彩转换层还包括一白色转换单元，所述白色转换单元包括红色转换部分与空白透光部分，所述蓝、绿光共同发光层发出的蓝、绿光经过红色转换部分转换成为红光，所述蓝、绿光共同发光层发出的蓝、绿光透过空白透光部分仍为蓝、绿光，所述红光与蓝、绿光合成白光。
所述蓝、绿光共同发光层的材料为有机发光材料，所述蓝、绿光共同发光层通过真空热蒸镀或溶液成膜的方式形成。
所述有机发光材料采取有机主体材料掺杂有机蓝光客体材料、与有机绿光客体材料的方式，所述有机主体材料为4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪，所述有机蓝光客体材料为9,10-二(2-萘基)蒽，所述有机绿光客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱。
所述蓝、绿光共同发光层的材料包括蓝光量子点与绿光量子点，所述蓝、绿光共同发光层采用溶液成膜的方式形成。
所述蓝光量子点为量子点硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、或纳米氮化硅，所述绿光量子点为量子点硒化镉/硫化锌、或硒化锌掺杂铜离子。
所述蓝、绿光共同发光层的材料还包括有机主体材料，该有机主体材料为4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪，所述有机主体材料与蓝光量子点、绿光量子点颗粒及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后形成所述蓝、绿光共同发光层。
所述色彩转换层的材料为有机荧光材料。
所述色彩转换层的材料为量子点，所述蓝色滤光单元的材料为量子点硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、或纳米氮化硅，所述绿色滤光单元的材料为量子点硒化镉/硫化锌、或硒化锌掺杂铜离子，所述红色转换单元的材料为量子点硒化镉/硫化镉/硫化锌。
所述蓝色滤光单元、绿色滤光单元与红色转换单元的表面具有表面包覆剂，所述表面包覆剂为硬脂酸、氧化三锌基膦、或聚甲基丙烯酸甲酯；将所述量子点与表面包覆剂及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到所述蓝色滤光单元、绿色滤光单元、与红色转换单元。
本发明的有益效果：本发明的彩色显示器件结构，通过设置蓝、绿光共同发光层及包括蓝色滤光单元、绿色滤光单元与红色转换单元的色彩转换层，实现彩色显示，减小了发光层与整个彩色显示器件的厚度；且蓝、绿光共同发光层及色彩转换层的材料可设置为有机材料，也可设置为量子点，使得彩色显示器件具有色纯度高、光效好、稳定性高等良好性能；同时，由于蓝、绿光共同发光层制作时不需要使用精细掩膜，两种发光材料的配比相对容易，使得该彩色显示器件结构的制作工艺简单，成本较低。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明彩色显示器件结构第一实施例的结构示意图；
图2为图1中一个像素的驱动电路示意图；
图3为本发明彩色显示器件结构第一实施例的一种像素排布示意图；
图4为本发明彩色显示器件结构第一实施例的另一种像素排布示意图；
图5为本发明彩色显示器件结构第二实施例的结构示意图；
图6为图5中一个像素的驱动电路示意图；
图7为本发明彩色显示器件结构第二实施例的一种像素排布示意图；
图8为本发明彩色显示器件结构第二实施例的另一种像素排布示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段极其效果，以下结合本发明的优选实施例极其附图进行详细描述。
请参阅图1，为本发明一种彩色显示器件结构第一实施例的结构示意图。该彩色显示器件结构包括基板1、形成于基板1上的阳极(Anode)21、形成于阳极21上的薄膜晶体管阵列(Thin Film Transistor，TFT)23、形成于薄膜晶体管阵列23上的空穴注入层(HoleInjection Layer，HIL)24、形成于空穴注入层24上的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)25、形成于空穴传输层25上的发光层(Emitter)26、形成于发光层26上的电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)27、形成于电子传输层27上的阴极(Cathode)28，设于阴极28上方并与基板1贴合的盖板3、形成于盖板3内侧的色彩转换层4、及用于封装基板1与盖板3的密封胶框6。
所述发光层26为蓝、绿光共同发光层26。所述色彩转换层4包括间隔设置的蓝色滤光单元41、绿色滤光单元43与红色转换单元45。所述蓝、绿光共同发光层26发出的蓝、绿光经过蓝色滤光单元41过滤成为蓝光，所述蓝、绿光共同发光层26发出的蓝、绿光经过绿色滤光单元43过滤成为绿光，所述蓝、绿光共同发光层26发出的蓝、绿光经过红色转换单元45转换成为红光，从而实现彩色显示，并减小了发光层与整个彩色显示器件的厚度。
由于所述发光层蓝、绿光共同发光层26不是红绿蓝三基色发光结构，而是类似于白光OLED的整面发光层，所以所述蓝、绿光共同发光层26制作时不需要使用精细掩膜，且蓝、绿两种发光材料的配比比红、绿、蓝三种发光材料的配比容易，使得该彩色显示器件结构的制作工艺简单，成本较低。
具体的，所述基板1与盖板3可以是玻璃板，也可以是柔性材料，其中至少一个要透光，优选的，所述基板1与盖板3均为玻璃板。所述密封胶框6能够防止外界的水汽、氧气进入，保护内部元件。
所述空穴注入层24的材料为聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)，所述空穴传输层25的材料为聚三苯胺(poly-TPD)，所述电子传输层27的材料为八羟基喹啉铝(Alq3)。
所述蓝、绿光共同发光层26的材料可为有机发光材料，也可采用蓝光量子点与绿光量子点。
进一步的，当所述蓝、绿光共同发光层26的材料为有机发光材料时，所述蓝、绿光共同发光层26通过真空热蒸镀或溶液成膜的方式形成。
所述有机发光材料采取有机主体材料掺杂有机蓝光客体材料、与有机绿光客体材料的方式。所述有机主体材料为4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCAC)，其分子式为：
或2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪(TRZ)，其分子式为：
所述有机蓝光客体材料为9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)，其分子式为：
所述有机绿光客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，其分子式为：
当所述蓝、绿光共同发光层26的材料采用蓝光量子点与绿光量子点时，彩色显示器件的色纯度高、光效好、稳定性高。所述蓝、绿光共同发光层26采用溶液成膜的方式形成。
具体的，所述蓝光量子点为量子点硫化锌镉(ZnCdS)、硒化镉/硫化锌(CdSe/ZnS)、或纳米氮化硅(SiN4)。所述绿光量子点为量子点硒化镉/硫化锌、或硒化锌掺杂铜离子(ZnSe：Cu2+)。
所述蓝、绿光共同发光层26的材料可以采用上述纯蓝光量子点与绿光量子点层，也可采用有机主体材料掺杂蓝光量子点与绿光量子点的方式。所述有机主体材料为4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪。所述有机主体材料与蓝光量子点、绿光量子点颗粒及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后形成所述蓝、绿光共同发光层(26)。
所述色彩转换层4的材料可为有机荧光材料，特别是目前LCD制程中使用的彩色滤光片材料。
所述色彩转换层4的材料也可为量子点，使得彩色显示器件的色纯度高、光效好、稳定性高。进一步的，所述蓝色滤光单元41的材料为量子点硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、或纳米氮化硅，所述绿色滤光单元43的材料为量子点硒化镉/硫化锌、或硒化锌掺杂铜离子，所述红色转换单元45的材料为量子点硒化镉/硫化镉/硫化锌(CdSe/CdS/ZnS)。
值得一提的是，由于量子点是纳米颗粒，零维材料，表面活性大，容易发生团聚，导致氧化并使荧光淬灭，所述蓝色滤光单元41、绿色滤光单元43与红色转换单元45的表面还具有表面包覆剂，以防止团聚与氧化。所述表面包覆剂为硬脂酸、氧化三锌基膦、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。将所述量子点与表面包覆剂及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到所述蓝色滤光单元41、绿色滤光单元43、与红色转换单元45。
请参阅图2，在该第一实施例中，所述蓝色滤光单元41、绿色滤光单元43与红色转换单元45对应一像素，所述像素包括红色子像素85、绿色子像素83、与蓝色子像素81。所述红色转换单元45对应像素中的红色子像素85，所述绿色滤光单元43对应像素中的绿色子像素83、所述蓝色滤光单元41对应像素中的蓝色子像素81。所述红色子像素85、绿色子像素83、与蓝色子像素81分别对应一个TFT，以控制每个子像素分别对应的蓝、绿发光层26区域是否发光。当TTF控制对应于蓝色子像素81的蓝、绿发光层26区域发光时，该蓝、绿发光层26区域发出的蓝、绿光经过蓝色滤光单元41过滤成为蓝光；当TTF控制对应于绿色子像素83的蓝、绿发光层26区域发光时，该蓝、绿发光层26区域发出的蓝、绿光经过绿色滤光单元43过滤成为绿光；当TTF控制对应于红色子像素85的蓝、绿发光层26区域发光时，该蓝、绿发光层26区域发出的蓝、绿光经过红色转换单元45转换成为红光，从而实现了红、绿、蓝三基色的显示，并能叠加出各种色彩，实现彩色显示。
请参阅图3，为本发明彩色显示器件结构第一实施例的一种像素排布示意图。每相邻上下两行的像素排布方式完全相同，所述红色子像素85、绿色子像素83、与蓝色子像素81沿水平方向从左至右依次间隔设置。
请参阅图4，为本发明彩色显示器件结构第一实施例的另一种像素排布示意图。每相邻上下两行的像素排布方式不同，其中上行的像素排布方式为所述红色子像素85、绿色子像素83、与蓝色子像素81沿水平方向从左至右依次间隔设置，而下行的像素排布方式为所述蓝色子像素81、红色子像素85、与绿色子像素83沿水平方向从左至右依次间隔设置。由此说明，本发明的技术效果与像素的各子像素的排布方式无关，可应用于不同像素排布方式的彩色显示器件。
请参阅图5，为本发明彩色显示器件结构第二实施例的结构示意图。该第二实施例与上述第一实施例的区别在于，所述色彩转换层4’除包括蓝色滤光单元41、绿色滤光单元43与红色转换单元45外，还包括一白色转换单元47。所述白色转换单元47包括红色转换部分471与空白透光部分473。所述蓝、绿光共同发光层26发出的蓝、绿光经过红色转换部分471转换成为红光，所述蓝、绿光共同发光层26发出的蓝、绿光透过空白透光部分473仍为蓝、绿光，所述红光与蓝、绿光合成白光。
作为一可替代方案，所述白色转换单元47也可以设置为蓝光CF+绿光CF+红光CCM混合的方式，所述蓝、绿光共同发光层26发出的蓝、绿光经过该白色转换单元47转换为白光。
请参阅图6，在该第二实施例中，所述蓝色滤光单元41、绿色滤光单元43、红色转换单元45与白色转换单元47对应一像素，所述像素包括红色子像素85、绿色子像素83、蓝色子像素81、与白色子像素87。所述红色转换单元45对应像素中的红色子像素85，所述绿色滤光单元43对应像素中的绿色子像素83、所述蓝色滤光单元41对应像素中的蓝色子像素81，所述白色转换单元47对应像素中的白色子像素87。所述红色子像素85、绿色子像素83、蓝色子像素81与白色子像素87分别对应一个TFT，以控制每个子像素分别对应的蓝、绿发光层26区域是否发光。
请参阅图7，该第二实施例的像素排布方式可为每相邻上下两行的像素排布方式完全相同，所述红色子像素85、绿色子像素83、蓝色子像素81与白色子像素87沿水平方向从左至右依次间隔设置。
请参阅图8，为该第二实施例的另一种像素排布方式，所述红色子像素85、绿色子像素83、蓝色子像素81与白色子像素87沿顺时针方向依次间隔设置。
综上所述，本发明的彩色显示器件结构，通过设置蓝、绿光共同发光层及包括蓝色滤光单元、绿色滤光单元与红色转换单元的色彩转换层，实现彩色显示，减小了发光层与整个彩色显示器件的厚度；且蓝、绿光共同发光层及色彩转换层的材料可设置为有机材料，也可设置为量子点，使得彩色显示器件具有色纯度高、光效好、稳定性高等良好性能；同时，由于蓝、绿光共同发光层制作时不需要使用精细掩膜，两种发光材料的配比相对容易，使得该彩色显示器件结构的制作工艺简单，成本较低。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种彩色显示器件结构，包括基板(1)、形成于基板(1)上的阳极(21)、形成于阳极(21)上的薄膜晶体管阵列(23)、形成于薄膜晶体管阵列(23)上的空穴注入层(24)、形成于空穴注入层(24)上的空穴传输层(25)、形成于空穴传输层(25)上的发光层(26)、形成于发光层(26)上的电子传输层(27)、形成于电子传输层(27)上的阴极(28)，设于阴极(28)上方并与基板(1)贴合的盖板(3)、形成于盖板(3)内侧的色彩转换层(4)、及用于封装基板(1)与盖板(3)的密封胶框(6)，其特征在于：所述发光层(26)为蓝、绿光共同发光层(26)；所述色彩转换层(4)包括间隔设置的蓝色滤光单元(41)、绿色滤光单元(43)与红色转换单元(45)；所述蓝、绿光共同发光层(26)发出的蓝、绿光经过蓝色滤光单元(41)过滤成为蓝光，所述蓝、绿光共同发光层(26)发出的蓝、绿光经过绿色滤光单元(43)过滤成为绿光，所述蓝、绿光共同发光层(26)发出的蓝、绿光经过红色转换单元(45)转换成为红光，从而实现彩色显示。
2.如权利要求1所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述色彩转换层(4’)还包括一白色转换单元(47)，所述白色转换单元(47)包括红色转换部分(471)与空白透光部分(473)，所述蓝、绿光共同发光层(26)发出的蓝、绿光经过红色转换部分(471)转换成为红光，所述蓝、绿光共同发光层(26)发出的蓝、绿光透过空白透光部分(473)仍为蓝、绿光，所述红光与蓝、绿光合成白光。
3.如权利要求1所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述蓝、绿光共同发光层(26)的材料为有机发光材料，所述蓝、绿光共同发光层(26)通过真空热蒸镀或溶液成膜的方式形成。
4.如权利要求3所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述有机发光材料采取有机主体材料掺杂有机蓝光客体材料、与有机绿光客体材料的方式，所述有机主体材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2，4，6-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪，所述有机蓝光客体材料为9,10-二(2-萘基)蒽，所述有机绿光客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱。
5.如权利要求1所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述蓝、绿光共同发光层(26)的材料包括蓝光量子点与绿光量子点，所述蓝、绿光共同发光层(26)采用溶液成膜的方式形成。
6.如权利要求5所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述蓝光量子点为量子点硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、或纳米氮化硅，所述绿光量子点为量子点硒化镉/硫化锌、或掺杂铜离子的量子点硒化锌。
7.如权利要求5所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述蓝、绿光共同发光层(26)的材料还包括有机主体材料，该有机主体材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2，4，6-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪，所述有机主体材料与蓝光量子点、绿光量子点颗粒及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后形成所述蓝、绿光共同发光层(26)。
8.如权利要求1所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述色彩转换层(4)的材料为有机荧光材料。
9.如权利要求1所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述色彩转换层(4)的材料为量子点，所述蓝色滤光单元(41)的材料为量子点硫化锌镉、硒化镉/硫化锌、或纳米氮化硅，所述绿色滤光单元(43)的材料为量子点硒化镉/硫化锌、或掺杂铜离子的量子点硒化锌，所述红色转换单元(45)的材料为量子点硒化镉/硫化镉/硫化锌。
10.如权利要求9所述的彩色显示器件结构，其特征在于，所述蓝色滤光单元(41)、绿色滤光单元(43)与红色转换单元(45)的表面具有表面包覆剂，所述表面包覆剂为硬脂酸、氧化三锌基膦、或聚甲基丙烯酸甲酯；将所述量子点与表面包覆剂及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到所述蓝色滤光单元(41)、绿色滤光单元(43)、与红色转换单元(45)。
CN201410351490.XA 2014-07-22 2014-07-22 彩色显示器件结构 Active CN104112766B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410351490.XA CN104112766B (zh) 2014-07-22 2014-07-22 彩色显示器件结构
US14/384,672 US9276046B2 (en) 2014-07-22 2014-08-15 Color display device structure
PCT/CN2014/084451 WO2016011688A1 (zh) 2014-07-22 2014-08-15 彩色显示器件结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410351490.XA CN104112766B (zh) 2014-07-22 2014-07-22 彩色显示器件结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104112766A CN104112766A (zh) 2014-10-22
CN104112766B true CN104112766B (zh) 2017-02-15

Family

ID=51709494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410351490.XA Active CN104112766B (zh) 2014-07-22 2014-07-22 彩色显示器件结构

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9276046B2 (zh)
CN (1) CN104112766B (zh)
WO (1) WO2016011688A1 (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI669809B (zh) 2012-05-30 2019-08-21 日商新力股份有限公司 Imaging element, imaging device, manufacturing device and method
CN104241553A (zh) * 2014-10-13 2014-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
CN104253247A (zh) * 2014-10-13 2014-12-31 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
KR101686715B1 (ko) 2014-12-24 2016-12-14 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
CN104576702B (zh) 2015-01-21 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 Oled彩色显示器件
US10115910B2 (en) * 2015-04-03 2018-10-30 Hannstar Display (Nanjing) Corporation Organic electroluminescent material, organic electroluminescent device and quantum dot electroluminescent unit
CN105226159B (zh) * 2015-04-24 2018-10-12 纳晶科技股份有限公司 电致发光白光器件
EP3902006A1 (en) * 2016-04-01 2021-10-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display device
CN107544177B (zh) * 2016-06-28 2021-01-26 群创光电股份有限公司 显示装置
CN106784209A (zh) * 2016-11-21 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 一种全彩qled显示器件及其制作方法
KR20180076857A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CN106910836A (zh) * 2017-02-24 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种oled显示器件及oled显示器
CN106876432B (zh) 2017-02-24 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种oled显示器件及oled显示器
CN107425127A (zh) * 2017-05-11 2017-12-01 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基全彩oled微显示器件及其制备方法
CN107342367A (zh) 2017-06-28 2017-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 量子点电致发光器件及其制作方法
KR102342052B1 (ko) * 2017-08-17 2021-12-22 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 상기 디스플레이 패널을 이용하는 디스플레이 장치
KR20190093131A (ko) * 2018-01-30 2019-08-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109065740A (zh) 2018-08-10 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN109616504A (zh) * 2018-12-12 2019-04-12 惠科股份有限公司 显示面板
CN109509428B (zh) 2019-01-07 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、像素驱动方法和显示装置
CN110021652A (zh) * 2019-04-03 2019-07-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点柔性oled显示装置及制备方法
KR20210149963A (ko) * 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함한 전자 장치 및 이의 제조 방법
CN111834390B (zh) * 2020-06-12 2023-09-22 福州大学 一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法
CN113224245A (zh) * 2020-06-15 2021-08-06 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点发光二极管器件及其制备方法和显示面板
KR20220050282A (ko) * 2020-10-15 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN112670379A (zh) * 2020-12-24 2021-04-16 广东省科学院半导体研究所 微led结构和彩色显示装置
US11435620B2 (en) * 2020-12-30 2022-09-06 Nano And Advanced Materials Institute Limited Quantum dot light source liquid crystal displays
KR20220100136A (ko) * 2021-01-07 2022-07-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 표시 장치
US11825672B2 (en) * 2021-08-18 2023-11-21 Sharp Display Technology Corporation Quantum dot light-emitting apparatus for enhancing QD charge balance

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1991417A (zh) * 2005-12-28 2007-07-04 三星Sdi株式会社 滤色器阵列和采用该滤色器阵列的有机发光显示装置
CN102214800A (zh) * 2011-05-20 2011-10-12 电子科技大学 一种白光有机发光器件及其制备方法
CN103346266A (zh) * 2013-06-21 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种发光器件、显示面板及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
JP5109303B2 (ja) * 2006-07-31 2012-12-26 ソニー株式会社 有機発光素子および表示装置
US20110281388A1 (en) * 2008-11-13 2011-11-17 Hcf Partners, Lp Cross-Linked Quantum Dots and Methods for Producing and Using the Same
JP2010182819A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
TW201123961A (en) * 2009-12-28 2011-07-01 Au Optronics Corp Organic light emitting diode (OLED) display device
JP5879613B2 (ja) * 2010-07-22 2016-03-08 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
JP5242648B2 (ja) * 2010-09-07 2013-07-24 株式会社東芝 新規化合物ならびにそれを使用した有機電界発光素子、表示装置および照明装置
JP2012204164A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Sony Corp 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
US8969111B2 (en) * 2011-09-26 2015-03-03 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing display device
JP6166557B2 (ja) * 2012-04-20 2017-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 燐光性有機金属イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
CN102800817A (zh) * 2012-07-05 2012-11-28 孙润光 一种实现全彩色的有机电致发光器件及制作方法
CN102800813A (zh) * 2012-07-05 2012-11-28 孙润光 一种有机电致发光器件及其制造方法
KR20140042274A (ko) * 2012-09-28 2014-04-07 삼성전자주식회사 디스플레이패널 및 그 장치
JP6076683B2 (ja) * 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102177207B1 (ko) * 2013-07-18 2020-11-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20150051479A (ko) * 2013-11-04 2015-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150142710A (ko) * 2014-06-10 2015-12-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102216675B1 (ko) * 2014-06-12 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널의 리페어 장치 및 디스플레이 패널의 리페어 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1991417A (zh) * 2005-12-28 2007-07-04 三星Sdi株式会社 滤色器阵列和采用该滤色器阵列的有机发光显示装置
CN102214800A (zh) * 2011-05-20 2011-10-12 电子科技大学 一种白光有机发光器件及其制备方法
CN103346266A (zh) * 2013-06-21 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种发光器件、显示面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9276046B2 (en) 2016-03-01
CN104112766A (zh) 2014-10-22
WO2016011688A1 (zh) 2016-01-28
US20160027848A1 (en) 2016-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104112766B (zh) 彩色显示器件结构
CN104051672B (zh) Oled像素结构
CN105097878B (zh) 有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
US7986088B2 (en) Fluorescence conversion medium and color light-emitting device including the same
CN104681734B (zh) 有机发光器件
US20180166512A1 (en) Hybrid display
CN103346265B (zh) 一种发光器件、显示面板及其制造方法
CN103346266B (zh) 一种发光器件、显示面板及其制造方法
CN104037205A (zh) Oled像素结构
CN103474451A (zh) 彩色oled器件及其制作方法
US9735386B2 (en) Quantum-dot based hybrid LED lighting devices
CN109065740A (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN104576702B (zh) Oled彩色显示器件
CN104241553A (zh) Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
CN104253247A (zh) Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
KR101900815B1 (ko) 유기발광소자
CN105161513A (zh) Oled显示装置及其制造方法、彩膜基板及其制造方法
CN106684112A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
TW201332096A (zh) 有效功率ｒｇｂｗ有機發光裝置顯示器
WO2016000364A1 (zh) Oled单元及其制作方法、oled显示面板、oled显示设备
CN104299982A (zh) 彩色显示器件
CN104393013B (zh) 彩色显示器件
CN107527942A (zh) 有机发光显示面板及其制备方法
CN110212104A (zh) 电致发光显示装置
CN106298854B (zh) 有机发光显示器及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant