CN104393013B - 彩色显示器件 - Google Patents

彩色显示器件 Download PDF

Info

Publication number
CN104393013B
CN104393013B CN201410559899.0A CN201410559899A CN104393013B CN 104393013 B CN104393013 B CN 104393013B CN 201410559899 A CN201410559899 A CN 201410559899A CN 104393013 B CN104393013 B CN 104393013B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
light
white
green
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410559899.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104393013A (zh
Inventor
刘亚伟
王宜凡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410559899.0A priority Critical patent/CN104393013B/zh
Priority to US14/424,160 priority patent/US9461101B2/en
Priority to PCT/CN2014/089956 priority patent/WO2016061841A1/zh
Publication of CN104393013A publication Critical patent/CN104393013A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104393013B publication Critical patent/CN104393013B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种彩色显示器件，包括：基板、形成于基板上的阳极、形成于阳极上的薄膜晶体管阵列、形成于薄膜晶体管阵列上的空穴注入层、形成于空穴注入层上的空穴传输层、形成于空穴传输层上的白光发光层、形成于白光发光层上的电子传输层、形成于电子传输层上的阴极、设于阴极上方并与基板贴合的盖板、形成于盖板内侧的色彩转换层、及粘结基板与盖板的密封框胶，其中，所述色彩转换层包括间隔设置的蓝色子像素区域、绿色子像素区域与红色子像素区域，所述蓝色子像素区域形成有蓝光过滤层，所述绿色子像素区域形成有绿光过滤层或绿光转换层，所述红色子像素区域形成有红光过滤层或红光转换层。

Description

彩色显示器件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种彩色显示器件。
背景技术
有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)是一种极具发展前景的平板显示技术，它不仅具有十分优异的显示性能，还具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。
目前，实现OLED的彩色化有几种技术路线：一种是红绿蓝(Red、Green、Blue，RGB)三基色发光，以三星公司为代表。该技术只适用于容易升华的有机小分子材料，其优点是工艺简单成熟，操作简便.但由于在制备高分辨率显示屏时需要高精度掩膜及精确的对位，导致产能较低、成本较高，而且由于三基色的寿命、激发率以及衰减度相差较大，造成了彩色显示器件的偏色。
另一种是白光+RGB滤光片(Color Filter，CF)技术，以LG公司为代表。由于可利用LCD成熟的CF技术，不需要掩膜对位，极大地简化了蒸镀过程，因而能降低生产成本，可用于制备大尺寸高分辨率OLED。但是，由于滤光片吸收了大部分的光能，只有约30％的光能透过，所以需要高性能的白光材料，否则显示器件的效率较低，一般也是用于小分子的OLED显示屏。
无机量子点(Quantum dot)由于具有光致荧光、性能稳定、寿命长、吸收谱宽及色纯度好等优点，广泛应用于生物荧光探针及医学诊断，是优良的光致荧光材料，非常适合作为OLED的CF或CCM层材料。但是此方面尚未见报道。
因此，有必要研发一种新的制作工艺较简单、色纯度高、光效好、稳定性高、厚度薄的彩色显示器件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种彩色显示器件，通过设置白光发光层与色彩转换层，使得该彩色显示器件可以发出各种颜色的光；所述彩色显示器件的制作工艺简单，成本较低；通过采用量子点材料来制作色彩转换层中的彩色过滤层，使得该彩色显示器件的色纯度较高。
为实现上述目的，本发明提供一种彩色显示器件，包括：基板、形成于基板上的阳极、形成于阳极上的薄膜晶体管阵列、形成于薄膜晶体管阵列上的空穴注入层、形成于空穴注入层上的空穴传输层、形成于空穴传输层上的白光发光层、形成于白光发光层上的电子传输层、形成于电子传输层上的阴极、设于阴极上方并与基板贴合的盖板、形成于盖板内侧的色彩转换层、及粘结基板与盖板的密封框胶，其中，所述白光发光层发白光，所述色彩转换层包括间隔设置的蓝色子像素区域、绿色子像素区域与红色子像素区域，所述蓝色子像素区域形成有蓝光过滤层，所述绿色子像素区域形成有绿光过滤层或绿光转换层，所述红色子像素区域形成有红光过滤层或红光转换层。
所述薄膜晶体管阵列中的薄膜晶体管控制所述白光发光层发出白光。
所述白光发光层通过热蒸镀的方式形成，所述白光发光层为单层结构或复合层结构。
当所述白光发光层为单层结构时，其单层结构的材料为有机蓝光主体材料与蓝光发光材料、绿光发光材料和红光发光材料掺杂形成的混合材料，或者蓝光发光材料与黄光发光材料掺杂形成的混合材料。所述有机蓝光主体材料为4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪，所述蓝光发光材料为聚芴类、4,4’-双(2,2-二苯乙烯基)联苯或FIr6，所述绿光发光材料为三(2-苯基吡啶)合铱，所述红光发光材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱(III)，所述黄光发光材料为5,6,11,12-四苯基并四苯。
所述蓝光过滤层由蓝光量子点材料形成，所述绿光过滤层或绿光转换层由绿光量子点材料形成，所述红光过滤层或红光转换层由红光量子点材料形成。
所述红光量子点材料为CdSe/CdS/ZnS，所述绿光量子点材料为CdSe/ZnS或ZnSe:Cu2+，所述蓝光量子点材料为ZnCdS、CdSe/ZnS或纳米SiN4。
所述蓝光过滤层通过蓝光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述绿光过滤层通过绿光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述红光过滤层分别通过红光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到。
所述基板与盖板由玻璃或柔性材料形成，所述基板与盖板中至少一个透光。
所述电子传输层的材料为八羟基喹啉铝，所述空穴传输的材料为聚三苯胺，所述空穴注入层的材料为聚乙撑二氧噻吩。
本发明的有益效果：本发明的彩色显示器件，通过设置白光发光层与色彩转换层，使得该彩色显示器件可以发出各种颜色的光；所述白光发光层通过热蒸镀制程形成，制作时不需要使用精细掩膜版，制作工艺简单，成本较低；通过采用量子点材料来制作色彩转换层中的彩色过滤层，利用了无机量子点性能稳定、寿命长、吸收谱宽及色纯度好等优点，使得该彩色显示器件的色纯度较高，同时本发明的彩色显示器件超薄、透明、易弯曲，比现有的LCD、LED更易制作在柔性基板上。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明彩色显示器件的结构示意图；
图2为本发明彩色显示器件的像素排列结构的平面示意图；
图3为图2所示的像素排列结构用于显示面板时的示意图；
图4为图2所示的像素排列结构的TFT驱动电路结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段极其效果，以下结合本发明的优选实施例极其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种彩色显示器件，包括基板1、形成于基板1上的阳极21、形成于阳极21上的薄膜晶体管阵列23、形成于薄膜晶体管阵列23上的空穴注入层24、形成于空穴注入层24上的空穴传输层25、形成于空穴传输层25上的白光发光层26、形成于白光发光层26上的电子传输层27、形成于电子传输层27上的阴极28、设于阴极28上方并与基板1贴合的盖板3、形成于盖板3内侧的色彩转换层4、及粘结基板1与盖板3的密封框胶6。
所述白光发光层26发白光，所述色彩转换层4包括间隔设置的蓝色子像素区域41、绿色子像素区域43与红色子像素区域45，所述蓝色子像素区域41形成有蓝光过滤层，所述绿色子像素区域43形成有绿光过滤层，所述红色子像素区域45形成有红光转换层。
作为可选择的实施例，所述绿色子像素区域43形成有绿光转换层，所述红色子像素区域45形成有红光过滤层。
所述的蓝光、绿光与红光过滤层采用彩色滤光片(Color Filter,CF)原理，进行滤光，得到所要色彩的光。所述的绿光与红光转换层采用色转换材料(Color ChangeMaterial，CCM)，将白光转换成所要色彩的光。
所述白光发光层26发出的白光经过所述色彩转换层4的蓝色子像素区域41后变为蓝光，所述白光发光层26发出的白光经过所述色彩转换层4的绿色子像素区域43后变为绿光，所述白光发光层26发出的白光经过所述色彩转换层4的红色子像素区域45后变为红光。
所述薄膜晶体管阵列23中的薄膜晶体管5控制所述白光发光层26发出白光。
优选的，所述白光发光层26通过热蒸镀的方式形成。具体的，所述白光发光层26可以通过单层结构发白光或者通过复合层结构复合发光实现白光。
当所述白光发光层26为单层结构时，其单层结构的材料为有机蓝光主体材料与蓝光发光材料、绿光发光材料和红光发光材料掺杂形成的混合材料，或者是蓝光发光材料与黄光发光材料掺杂形成的混合材料。
当所述白光发光层26为复合层结构时，所述白光发光层26可以为三层结构或者两层结构。
当所述白光发光层26为三层结构时，所述三层结构中各层的材料分别为有机蓝光主体材料与蓝光发光材料掺杂形成的混合材料，有机蓝光主体材料与绿光发光材料掺杂形成的混合材料，以及有机蓝光主体材料与红光发光材料掺杂形成的混合材料。
当所述白光发光层26为两层结构时，所述两层结构中各层的材料可以分别为有机蓝光主体材料与蓝光发光材料和绿光发光材料掺杂形成的混合材料，以及有机蓝光主体材料与红光发光材料掺杂形成的混合材料；
所述两层结构中各层的材料也可以分别为有机蓝光主体材料与红光发光材料和绿光发光材料掺杂形成的混合材料，以及有机蓝光主体材料与蓝光发光材料掺杂形成的混合材料；
所述两层结构中各层的材料也可以分别为有机蓝光主体材料与红光发光材料和蓝光发光材料掺杂形成的混合材料，以及有机蓝光主体材料与绿光发光材料掺杂形成的混合材料；
所述两层结构中各层的材料也可以分别为蓝光发光材料与黄光发光材料。
所述白光发光层26通过有机蓝光主体材料掺杂蓝光发光材料、绿光发光材料与红光发光材料形成，或者是通过蓝光发光材料掺杂黄光发光材料形成。
所述有机蓝光主体材料为4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCAC)、或2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪(TRZ)；所述蓝光发光材料为聚芴类、4,4’-双(2,2-二苯乙烯基)联苯(DPVBi)或FIr6；所述绿光发光材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)；所述红光发光材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱(III)(Ir(piq)3)；所述黄光发光材料为5,6,11,12-四苯基并四苯(rubrene)。
所述有机蓝光主体材料4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCAC)的结构式为：
所述2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪(TRZ)的结构式为：
所述三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)的结构式为：
所述三(1-苯基-异喹啉)合铱(III)(Ir(piq)3)的结构式为：
所述有机黄光发光材料5,6,11,12-四苯基并四苯(rubrene)的结构式为：
由于所述白光发光层26通过热蒸镀制程形成，制作时不需要使用精细掩膜版(FMM，fine metal mask)，并且该白光发光层只有几百纳米厚，使得该彩色显示器件结构的制作工艺简单，成本较低。
优选的，所述蓝光过滤层由蓝光量子点材料形成，所述绿光过滤层或红光转换层由绿光量子点材料形成，所述红光过滤层或红光转换层由红光量子点材料形成。
所述红光量子点材料为CdSe/CdS/ZnS等，所述绿光量子点材料为CdSe/ZnS或ZnSe:Cu2+等，所述蓝光量子点材料为ZnCdS、CdSe/ZnS或纳米SiN4等。
具体的，所述蓝光过滤层通过蓝光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述绿光过滤层通过绿光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述红光过滤层分别通过红光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到。
值得一提的是，由于量子点是纳米颗粒，零维材料，表面活性大，容易发生团聚，导致氧化并使荧光淬灭，因此在制作过程中添加表面包覆剂，可以防止量子点团聚与氧化。优选的，所述表面包覆剂为硬脂酸、氧化三锌基膦、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
具体的，所述基板1与盖板3可以是玻璃板，也可以是柔性材料，其中至少一个要透光，优选的，所述基板1与盖板3均为玻璃板。所述密封框胶6能够防止外界的水汽、氧气进入，保护内部电子器件。
所述空穴注入层24的材料为聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)，所述空穴传输层25的材料为聚三苯胺(poly-TPD)，所述电子传输层27的材料为八羟基喹啉铝(Alq3)。
请参阅图2，其为本发明彩色显示器件的像素排列结构的平面示意图，白光发光层26整面仅有一个像素点，即蓝色子像素区域41、绿色子像素区域43、及红色子像素区域45所对应的区域均为相同的子像素。图3为图2所示的像素排列结构用于显示面板时的示意图。如图4所示，薄膜晶体管5驱动所述白光发光层26发出白光，通电后整面白光发光层26全部点亮，所述白光通过所述色彩转换层4上的蓝光过滤层，绿光过滤层与红光过滤层过滤后分别变成蓝光，绿光和红光。
综上所述，本发明的彩色显示器件，通过设置白光发光层与色彩转换层，使得该彩色显示器件可以发出各种颜色的光；所述白光发光层通过热蒸镀制程形成，制作时不需要使用精细掩膜版，制作工艺简单，成本较低；通过采用量子点材料来制作色彩转换层中的彩色过滤层，利用了无机量子点性能稳定、寿命长、吸收谱宽及色纯度好等优点，使得该彩色显示器件的色纯度较高，同时本发明的彩色显示器件超薄、透明、易弯曲，比现有的LCD、LED更易制作在柔性基板上。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种彩色显示器件，包括：基板(1)、形成于基板(1)上的阳极(21)、形成于阳极(21)上的薄膜晶体管阵列(23)、形成于薄膜晶体管阵列(23)上的空穴注入层(24)、形成于空穴注入层(24)上的空穴传输层(25)、形成于空穴传输层(25)上的白光发光层(26)、形成于白光发光层(26)上的电子传输层(27)、形成于电子传输层(27)上的阴极(28)、设于阴极(28)上方并与基板(1)贴合的盖板(3)、形成于盖板(3)内侧的色彩转换层(4)、及粘结基板(1)与盖板(3)的密封框胶(6)，其特征在于，所述白光发光层(26)发白光，所述色彩转换层(4)包括间隔设置的蓝色子像素区域(41)、绿色子像素区域(43)与红色子像素区域(45)，所述蓝色子像素区域(41)形成有蓝光过滤层，所述绿色子像素区域(43)形成有绿光过滤层或绿光转换层，所述红色子像素区域(45)形成有红光过滤层或红光转换层；
所述白光发光层(26)为单层结构或复合层结构；
当所述白光发光层(26)为单层结构时，其单层结构的材料为有机蓝光主体材料与蓝光发光材料、绿光发光材料和红光发光材料掺杂形成的混合材料，或者蓝光发光材料与黄光发光材料掺杂形成的混合材料；
所述蓝光过滤层由蓝光量子点材料形成，所述绿光过滤层或绿光转换层由绿光量子点材料形成，所述红光过滤层或红光转换层由红光量子点材料形成。
2.如权利要求1所述的彩色显示器件，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列(23)中的薄膜晶体管(5)控制所述白光发光层(26)发出白光。
3.如权利要求1所述的彩色显示器件，其特征在于，所述白光发光层(26)通过热蒸镀的方式形成。
4.如权利要求1所述的彩色显示器件，其特征在于，所述有机蓝光主体材料为4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2，4，6，-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪，所述蓝光发光材料为聚芴类、4,4’-双(2,2-二苯乙烯基)联苯或FIr6，所述绿光发光材料为三(2-苯基吡啶)合铱，所述红光发光材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱(III)，所述黄光发光材料为5,6,11,12-四苯基并四苯。
5.如权利要求1所述的彩色显示器件，其特征在于，所述红光量子点材料为CdSe/CdS/ZnS，所述绿光量子点材料为CdSe/ZnS或ZnSe:Cu2+，所述蓝光量子点材料为ZnCdS、CdSe/ZnS或纳米SiN4。
6.如权利要求1所述的彩色显示器件，其特征在于，所述蓝光过滤层通过蓝光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述绿光过滤层通过绿光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述红光过滤层分别通过红光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到。
7.如权利要求1所述的彩色显示器件，其特征在于，所述基板(1)与盖板(3)由玻璃或柔性材料形成，所述基板(1)与盖板(3)中至少一个透光。
8.如权利要求1所述的彩色显示器件，其特征在于，所述电子传输层(27)的材料为八羟基喹啉铝，所述空穴传输层(25)的材料为聚三苯胺，所述空穴注入层(24)的材料为聚乙撑二氧噻吩。
CN201410559899.0A 2014-10-20 2014-10-20 彩色显示器件 Expired - Fee Related CN104393013B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410559899.0A CN104393013B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 彩色显示器件
US14/424,160 US9461101B2 (en) 2014-10-20 2014-10-31 Color display device
PCT/CN2014/089956 WO2016061841A1 (zh) 2014-10-20 2014-10-31 彩色显示器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410559899.0A CN104393013B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 彩色显示器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104393013A CN104393013A (zh) 2015-03-04
CN104393013B true CN104393013B (zh) 2017-06-27

Family

ID=52610886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410559899.0A Expired - Fee Related CN104393013B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 彩色显示器件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9461101B2 (zh)
CN (1) CN104393013B (zh)
WO (1) WO2016061841A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106816539B (zh) * 2016-12-08 2018-10-12 瑞声科技（南京）有限公司 量子点发光二极管装置及其制造方法
CN108198946A (zh) * 2017-12-28 2018-06-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性显示面板及其制造方法
CN111261663A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及其制作方法
CN109768068A (zh) * 2019-01-15 2019-05-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 顶发射白光有机发光二极管(woled)及其制作方法、显示装置
CN110164929B (zh) * 2019-05-17 2021-06-11 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103346266A (zh) * 2013-06-21 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种发光器件、显示面板及其制造方法
CN103474451A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 彩色oled器件及其制作方法
CN104037205A (zh) * 2014-07-09 2014-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素结构

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140010719A (ko) * 2012-07-16 2014-01-27 삼성전자주식회사 전하응집을 이용한 발광소자 및 그 제조방법
KR101462901B1 (ko) * 2012-11-29 2014-11-20 성균관대학교산학협력단 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN103346265B (zh) * 2013-06-21 2016-01-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种发光器件、显示面板及其制造方法
CN104299982A (zh) * 2014-10-20 2015-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 彩色显示器件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103346266A (zh) * 2013-06-21 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种发光器件、显示面板及其制造方法
CN103474451A (zh) * 2013-09-12 2013-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 彩色oled器件及其制作方法
CN104037205A (zh) * 2014-07-09 2014-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素结构

Also Published As

Publication number Publication date
US9461101B2 (en) 2016-10-04
WO2016061841A1 (zh) 2016-04-28
CN104393013A (zh) 2015-03-04
US20160247866A1 (en) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104112766B (zh) 彩色显示器件结构
CN104051672B (zh) Oled像素结构
CN104576702B (zh) Oled彩色显示器件
CN104393013B (zh) 彩色显示器件
CN108922906A (zh) Oled显示器
CN107482126A (zh) Oled显示器及其制作方法
CN103474451A (zh) 彩色oled器件及其制作方法
CN104299982A (zh) 彩色显示器件
CN104037205A (zh) Oled像素结构
CN104362255A (zh) 白光oled器件结构
CN106684112A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN105304684A (zh) 彩色显示装置及其制作方法
CN100499952C (zh) 单色及白色有机电致发光器件制备方法
CN106953020A (zh) 一种有机发光显示器件和有机发光显示装置
CN104241553A (zh) Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
CN104253247A (zh) Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
WO2016000364A1 (zh) Oled单元及其制作方法、oled显示面板、oled显示设备
CN106531773A (zh) Oled显示基板及其制造方法、显示装置
CN106910836A (zh) 一种oled显示器件及oled显示器
CN110212104A (zh) 电致发光显示装置
CN107359283B (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置
CN106505157B (zh) 有机电致发光器件的封装结构、封装方法及显示装置
CN106098954B (zh) 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN106158907B (zh) Oled显示器件
CN106298854B (zh) 有机发光显示器及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170627