CN110556483A - 电致发光器件及其制备方法和应用 - Google Patents

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CN110556483A CN201810567237.6A CN201810567237A CN110556483A CN 110556483 A CN110556483 A CN 110556483A CN 201810567237 A CN201810567237 A CN 201810567237A CN 110556483 A CN110556483 A CN 110556483A
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Abstract

本发明公开了一种电致发光器件及其制备方法和应用。本发明电致发光器件电致发光器件，包括基底和设置在所述基底表面上的电致发光单元，所述电致发光单元包括至少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元，所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元均含有第一电子传输层，且所述第一电子传输层的材料为碱土金属氧化物。本发明电致发光器件具有优异的显示性能，半亮度寿命长，其能够应用于显示面板。且其制备方法生产效率，降低成本，而且形成各层工艺条件易控，保证了制备的电致发光器件性能稳定重复性好。

Description

电致发光器件及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于电致发光器件技术领域，具体涉及一种电致发光器件及其制备方法和应用。
背景技术
由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、发光效率高等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点电致发光具有光色纯度好、发光量子效率高、响应速度快等优点，近年来受到了广泛的关注。经过多年的研究开发，从公开报导的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿量子点发光二极管的内量子效率实际上已经接近理论极限。然而，作为彩色显示不可或缺三基色之一的蓝色量子点发光二极管，目前在电光转换效率远低于红绿量子点发光二极管，从而限制了量子点发光二极管在彩色显示方面的应用。
另外，红绿蓝三种颜色的量子点发光二极管器件的寿命差距也很大。从公开报导的文献资料看，红色量子点发光二极管器件在初始亮度为100cd/m2工作条件下，半亮度寿命已经超过10万小时甚至更长；但是，绿色和蓝色量子点发光二极管器件的半亮度寿命远低于红色器件的寿命，尤其是蓝色量子点发光二极管器件，公开报导的半寿命只达到几十到几百小时，距离实用水平还有不少差距，而且光电稳定性也不理想。因此，如何提高彩色量子点发光二极管的使用寿命是本领域技术人员一直希望努力解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的所述不足，提供一种电致发光器件及其制备方法和应用，以解决现有彩色量子点发光二极管寿命短和其光电稳定性不理想的技术问题。
为了实现所述发明目的，本发明一方面，提供了一种电致发光器件。所述电致发光器件包括基底和设置在所述基底表面上的电致发光单元，所述电致发光单元包括至少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元，所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元均设置在所述基底表面上，且均含有第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料为碱土金属氧化物。
本发明又一方面，提供了一种电致发光器件的制备方法。所述电致发光器件的制备方法包括以下步骤：
在基底表面上形成电致发光单元，并使得形成的所述电致发光单元包括少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元，且所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元均设置在所述基底表面上，且均含有第一电子传输层，所述第一电子传输层是采用碱土金属氧化物形成。
本发明的再一方面，提供了一种显示面板。所述显示面板包括本发明电致发光器件或由本发明制备方法制备的电致发光器件。
与现有技术相比，本发明电致发光器件将有机电致发光单元和量子点电致发光单元设置在基底上，这样从而实现有机电致发光单元和量子点电致发光单元之间的互补作用，赋予所述电致发光器件优异的显示性能，如彩色显示性能，延长半亮度寿命。另外，将所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元所含的电子传输层的材料均采用碱土金属氧化物，可以改善电子从阴极的有效注入，从而有效提高了所述电致发光器件的光电性能。
本发明电致发光器件制备方法直接在基底表面形成有机电致发光单元和量子点电致发光单元，从而使得制备的电致发光器件优异的显示性能，如彩色显示性能，延长半亮度寿命。另外，采用碱土金属氧化物形成所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元的电子传输层，从而能够一次性完成所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元的电子传输层，提高了工艺的兼容性，从而提高了制备的所述电致发光器件的效率以及提高了所述电致发光器件性能的稳定性。
本发明显示面板由于含有本发明电致发光器件，因此，所述显示面板显示性能优异，半亮度寿命长。
附图说明
图1是本发明实施例电致发光器件一种结构示意图；
图2是本发明实施例电致发光器件另一种结构示意图；
图3是本发明实施例电致发光器件又一种结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明中的一个有机电致发光单元代表一个像素点，一个量子点电致发光单元代表一个像素点，每个像素点设于不同的像素坑中。
一方面，本发明实施例提供一种电致发光器件。如图1-3所示，所述电致发光器件包括基底01和设置在所述基底01表面上的电致发光单元02。
其中，基底01可以是电致发光器件常规的基底，如硬质基板，具体可以是玻璃基板，也可以是柔性基板。因此，所述基底01至少具有一平面。
所述电致发光单元02包括至少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元。所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元可以根据显示需要进行灵活组合和分布于所述基底01表面上，如同一表面上。通过将有机电致发光单元和量子点电致发光单元复合设置并使得两者实现复合显示如彩色显示，从而实现有机电致发光单元和量子点电致发光单元之间的互补作用，赋予所述电致发光器件优异的显示性能，如彩色显示性能，延长半亮度寿命。
其中，所述有机电致发光单元如图1-3中的有机电致发光单元21，所述量子点电致发光单元如图1-3中的量子点电致发光单元22和23。另外所述有机电致发光单元如有机电致发光单元21和所述量子点电致发光单元如量子点电致发光单元22和23均可以包括常规的结构，如在一实施例中，所述有机电致发光单元如有机电致发光单元21包括第一电极层211、空穴功能层212、有机发光层213和电子功能层214和第二电极层215。其中，所述空穴功能层212可以包括层叠结合的空穴注入层2121和空穴传输层2122；电子功能层214可以包括电子传输层2141，当然也可以进步包括电子注入层(图1-3均未显示)。所述第一电极层211为阳极，也即是所述有机电致发光单元为正置结构，所述空穴功能层212的空穴注入层2121与所述第一电极层211层叠结合。
在另一实施例中，所述量子点电致发光单元如量子点电致发光单元23包括第一电极层231、空穴功能层232、量子点发光层233和电子功能层234和第二电极层235。其中，所述空穴功能层232可以包括层叠结合的空穴注入层2321和空穴传输层2322；电子功能层234可以包括电子传输层2341，当然也可以进步包括电子注入层(图1-3均未显示)。所述第一电极层231为阳极，也即是所述量子点电致发光单元为正置结构，所述空穴功能层232的空穴注入层2321与所述第一电极层231层叠结合。
上述各实施例中所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的所述第一电极层如第一电极层211和第一电极层231是结合于所述基底01的表面上，如图1至图3所示只结合在所述基底01的一个表面上，当然也可以在所述基底01的多个表面上。
另外，所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的所述第一电极层如第一电极层211和第一电极层231可以是根据设计的需要，是图案化的形式结合于所述基底01的表面上。而且各电致发光单元所含的第一电极层如第一电极层211和第一电极层231可以是彼此断开也即是间隔设置的，也可以是连续的导电膜层。另外，根据所述电致发光器件的正置或倒置结构，可以选用相应的电极材料形成所述第一电极层如第一电极层211和第一电极层231。如当所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元为如图1-3所示的正置结构时，所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的第一电极层如第一电极层211和第一电极层231为正电极层，此时，所述第一电极层的材料可以但不仅仅为透明氧化铟锡(ITO)；当所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元为倒置结构时，所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的第一电极层如第一电极层211和第一电极层231为负电极层，此时，所述第一电极层的材料可以但不仅仅为Ag、Mg、Ca、Al等较低功函数的金属。
所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元分别所含的所述空穴注入层如空穴注入层2121和空穴注入层231可以是常规的有机电致发光单元或量子点电致发光单元所含的空穴注入层的材料和厚度范围，其材料优选溶液加工型材料，以便于采用溶液法加工工艺成膜，如所述空穴注入层2121和空穴注入层2321的材料可以相同或者不同的但不仅仅为PEDOT：PSS。
所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的所述空穴传输层如空穴传输层2122和空穴传输层2322可以是常规的有机电致发光单元或量子点电致发光单元所含的空穴传输层的材料和厚度范围，其材料优选溶液加工型材料，以便于采用溶液法加工工艺成膜，如所述空穴传输层2122和空穴注入层2322的材料可以相同或者不同的但不仅仅为poly-TPD、TFB等有机传输材料或NiO、MoO3等无机纳米传输材料及他们的复合物。
所述有机电致发光单元所含的所述有机发光层如所述有机发光层213也可以是常规的有机电致发光材料，优选溶液加工型材料的有机电致发光材料，具体可以选用溶液加工型材料的蓝色有机电致发光材料。
所述量子点电致发光单元所含的所述量子点发光层如所述量子点发光层233也可以是常规的量子点材料，优选溶液加工型材料的量子点材料，具体可以选用溶液加工型材料的绿色量子点材料、红色量子点材料。在具体实施例中，所述量子点材料可以是II/IV、III/V、IV/VI或I/III/VI2族化合物半导体中的至少一种。其中，所述II/IV族化合物半导体可以是CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS等；所述III/V、IV/VI族化合物半导体可以是GaAs、InP、PbS/ZnS或PbSe/ZnS等。另外，所述量子点材料还可以是均一混合类型、梯度混合类型、核-壳类型或联合类型。所述量子点可以是自掺杂或非掺杂的量子点。
所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的所述电子传输层如电子传输层214(2141)、电子传输层2241和电子传输层2341(所述电子传输层2141、电子传输层2241和电子传输层2341定义为第一电子传输层，其是区别下文的第二电子层2242和第二电子层2342)的材料选用碱土金属氧化物。这样，如图1-图3所示的所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的所述电子传输层可以采用相同的碱土金属氧化物形成各自的电子传输层，提高所述电致发光器件的光电性能的稳定性。在具体实施例中，所述碱土金属氧化物可以包括氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)等中的至少一种。
另外，所述碱土金属氧化物电子传输层的厚度可以是所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含电子传输层常规的厚度，当然也可以根据实际的生产需要或者应用的需要对所述碱土金属氧化物电子传输层的厚度进行优化。
进一步地，上述各实施例中所述电致发光器件所含的量子点电致发光单元中，至少一量子点电致发光单元如量子点电致发光单元23所含的电子传输层234包括层叠结合的第一电子传输层2341和第二电子传输层2342，且所述第二电子传输层2342与所述量子点电致发光单元如量子点电致发光单元233所含的量子点发光层233层叠结合，也即是沿所述第一电子传输层至所述量子点电致发光单元所含的量子点发光层方向，所述第一电子传输层、所述第二电子传输层、所述量子点发光层依次层叠结合，具体的如沿所述第一电子传输层2341至所述量子点电致发光单元23所含的量子点发光层233方向，所述第一电子传输层2341、所述第二电子传输层2342、所述量子点发光层233依次层叠结合，如图2和图3所示。
在一具体实施例中，在所述电致发光器件所含的所述量子点电致发光单元中，至少有两个量子点电致发光单元所含的电子传输层包括层叠结合的第一电子传输层和第二电子传输层，且所述第二电子传输层分别与所述量子点电致发光单元各自所含的量子点发光层层叠结合，所述第一电子传输层的材料为碱土金属氧化物，所述第二电子传输层的材料为氧化锌系纳米粒子。具体的如图2所示，在所述电致发光器件所含的所述量子点电致发光单元中，量子点电致发光单元22所含的电子传输层224包括层叠结合的第一电子传输层2241和第二电子传输层2242，且沿所述第一电子传输层2241至所述量子点电致发光单元22所含的量子点发光层方向，所述第一电子传输层2241、所述第二电子传输层2242、所述量子点电致发光单元22所含的量子点发光层依次层叠结合；量子点电致发光单元23所含的电子传输层234包括层叠结合的第一电子传输层2341和第二电子传输层2342，且沿所述第一电子传输层2341至所述量子点电致发光单元23所含的量子点发光层233方向，所述第一电子传输层2341、所述第二电子传输层2342、所述量子点发光层233依次层叠结合。而且所述第一电子传输层2241和第一电子传输层2341的材料为相同或不同的碱土金属氧化物，所述第二电子传输层2242和第二电子传输层2342的材料为相同或不同的氧化锌系纳米粒子。此时，所述电致发光器件所含的所述有机电致发光单元如有机电致发光单元21或进一步的其他量子点电致发光单元所含的电子传输层则均是仅为所述第一电子传输层，也即是有机电致发光单元如有机电致发光单元21或进一步的其他量子点有机电致发光单元所含的电子传输层不含所述第二电子传输层，如图2所示。
在另一具体实施例中，在所述电致发光器件所含的所述量子点电致发光单元中，其中任一量子点电致发光单元所含的电子传输层包括层叠结合的第一电子传输层和第二电子传输层，且所述第二电子传输层分别与所述量子点电致发光单元各自所含的量子点发光层层叠结合，所述第一电子传输层的材料为碱土金属氧化物，所述第二电子传输层的材料为氧化锌系纳米粒子。具体的如图3所示，在所述电致发光器件所含的所述量子点电致发光单元中，仅仅量子点电致发光单元23所含的电子传输层234包括层叠结合的第一电子传输层2341和第二电子传输层2342，且所述第二电子传输层2342与量子点电致发光单元23所含的量子点发光层233层叠结合。而且所述第一电子传输层2341的材料为碱土金属氧化物，所述第二电子传输层2342的材料为氧化锌系纳米粒子。此时，所述电致发光器件所含的所述有机电致发光单元如有机电致发光单元21或其余的其他量子点电致发光单元所含的电子传输层则均是仅为所述第一电子传输层，也即是有机电致发光单元如有机电致发光单元21和其余的其他量子点有机电致发光单元所含的电子传输层不含所述第二电子传输层，如图3所示。
这样在如图2和图3所示的所述电致发光器件中，通过在含氧化锌系纳米粒子的第二电子传输层与含有碱土金属氧化物的第一电子传输层起到互补作用，提高电子在量子点电致发光单元中的传输性能，从而提高相应所述量子点电致发光单元光电性能。另外，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度可以是所述量子点电致发光单元所含电子传输层常规的厚度，当然也可以根据实际的生产需要或者应用的需要对所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度进行优化。
在具体实施例中，所述第一电子传输层如第一电子传输层2241和2341所含的所述碱土金属氧化物如上文所述的，可以包括氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)等中的至少一种。所述第二电子传输层如第二电子传输层2242和2342所含的所述氧化锌系纳米粒子可以包括ZnO纳米粒子、氧化锌镁(ZnxMgyOx+y,x+y＝1)纳米粒子、氧化锌锡(ZnxSnyOx+2y,x+y＝1)纳米粒子、氧化锌铝(Zn2xAl2yO2x+3y,2x+2y＝1)纳米粒子、氧化锌钙(ZnxCayOx+y,x+y＝1)纳米粒子中的至少一种。
上述各实施例中所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的所述第二电极层如第二电极层215和第二电极层235也可以是根据设计的需要，是图案化的形式结合于电致发光单元相应的层结构上。而且各电致发光单元02所含的第二电极层如第二电极层215和第二电极层235可以是彼此断开也即是间隔设置的，也可以是连续的导电膜层。另外，根据所述电致发光器件的正置或倒置结构，可以选用相应的电极材料形成所述第二电极层如第二电极层215和第二电极层235。如当所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元为如图1-3所示的正置结构时，所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的第二电极层如第二电极层215和第二电极层235为负电极层，此时，所述第二电极层的材料可以但不仅仅为Ag、Mg、Ca、Al等较低功函数的金属；当所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元为倒置结构时，也即是所述第一电极层如第一电极层211和第一电极层231为负电极层，所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的第二电极层如第二电极层215和第二电极层235为正电极层，此时，所述第二电极层的材料可以但不仅仅为透明氧化铟锡(ITO)。
另外，上述各实施例中所述电致发光器件所含的电致发光单元02如有机电致发光单元和量子点电致发光单元可以是采用常规的显示面板的相应部件隔开，具体的可以采用如图1-3中的像素界定层03进行隔开。当采用所述像素界定层03对各电致发光单元02进行隔开时，所述像素界定层03是结合在所述基底01的表面上。如图1至图3所示，所述像素界定层03设有并列的若干像素坑31。因此，所述像素界定层03是由沿背离所述基底01表面方向的凸起形成，而且所述凸起围合形成的若干独立并列分布的像素坑31，而各电致发光单元02是分布填充在所述像素坑31内的，也即是每一像素坑31内填充一个电致发光单元02。而由于所述电致发光单元02包括至少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元，因此，所述像素坑31也是有若干个的，其数量至少是与所述电致发光单元02的数量相等。也正因为每一像素坑31内填充一个电致发光单元02，因此，可以根据所述电致发光器件的发光需要，可以灵活的在每一个所述像素坑31内填充一所需发光特性的所述电致发光单元02。如可以在至少一个所述像素坑31内填充有机电致发光单元，如有机电致发光单元21，在另外的其他至少一所述像素坑31内填充量子点电致发光单元，如量子点电致发光单元22或23。一实施例中，如图1中，在一所述像素坑31内填充有机电致发光单元21，在另一所述像素坑31内填充量子点电致发光单元22，在又一所述像素坑31内填充量子点电致发光单元23。这样，将所述有机发光功能层和所述量子点发光功能层分别填充于彼此间隔的若干像素坑31内，从而实现有机电致发光单元和量子点电致发光单元之间的互补作用，赋予所述电致发光器件优异的显示性能，延长半亮度寿命。
在具体实施例中，填充在所述像素坑31内的有机电致发光单元如有机发光功能层21可以是蓝色有机电致发光单元，填充在另外的所述像素坑31内的量子点电致发光单元如量子点电致发光单元22和量子点电致发光单元23可以依次是绿色量子点发光功能层和红色量子点发光功能层。这样，蓝色有机电致发光单元与绿色量子点电致发光单元和红色量子点电致发光单元互补作用，发挥各自的优势，如绿色量子点电致发光单元和红色量子点电致发光单元分别发出绿色和红色光，而且具有相对长的半亮度寿命；而蓝色有机电致发光单元发出蓝色光，且具有相对长的半亮度寿命，从而弥补了蓝色量子点电致发光单元半亮度寿命短的缺陷，因此，通过这样的组合，使得蓝色有机电致发光单元与绿色量子点电致发光单元和红色量子点发光功能层电致发光单元各组发挥各自的优势，保证了所述电致发光器件具有良好的彩色显示效果，而且稳定性好，半亮度寿命长。
另外，上文各实施例中所述电致发光器件可以控制底出光或者顶出光。
因此，上述各实施例中的所述电致发光器件同时含有有机电致发光单元和量子点电致发光单元，从而实现有机电致发光单元和量子点电致发光单元之间的互补作用，使得所述电致发光器件优异的显示性能，如彩色显示性能，延长半亮度寿命。同时，将所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元所含的电子传输层的材料均采用碱土金属氧化物，可以改善电子从阴极的有效注入，从而有效提高了所述电致发光器件的光电性能。
又一方面，在上文所述电致发光器件的基础上，本发明实施例还提供了上文所述电致发光器件的一种制备方法。结合图1至图3，所述电致发光器件的制备方法包括如下步骤：
在基底01表面上形成电致发光单元02，并使得形成的所述电致发光单元02包括少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元。
其中，形成所述电致发光单元02，如形成的有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元的结构分别为上文所述电致发光器件所含的有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元，且使得所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元均设置在所述基底01表面上。因此，形成的所述有机电致发光单元可以是如图1-图3所示的有机电致发光单元21的结构，所述量子点电致发光单元可以是如图1-图3所示的量子点电致发光单元22、23的结构。这样，形成所述有机电致发光单元的步骤包括分别形成如图1-图3所示的有机电致发光单元21所含的第一电极层211、空穴功能层212、有机发光层213和电子功能层214和第二电极层215结构的步骤，其中，形成所述空穴功能层212的步骤包括分别形成空穴注入层2121和空穴传输层2122的步骤；形成所述电子功能层214的步骤包括形成电子传输层2141(也即是第一电子传输层2141)的步骤，或进一步包括形成电子注入层的步骤。形成的所述量子点电致发光单元的步骤包括分别形成如图1-图3所示的量子点电致发光单元23所含的第一电极层231、空穴功能层232、量子点发光层233和电子功能层234和第二电极层235结构的步骤，其中，形成所述空穴功能层232的步骤包括分别形成空穴注入层2321和空穴传输层2322的步骤；形成所述电子功能层234的步骤包括形成电子传输层2341(也即是第一电子传输层2341)的步骤，或进一步包括形成电子注入层的步骤。
进一步地，形成的所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元各层结构所用的材料可以是如上文所述电致发光器件所含的有机电致发光单元各层的材料，其中，形成所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元的第一电极层如第一电极层211和第一电极层231的方法可以但不仅仅按照制备常规电致发光器件正极或负极的方法。形成所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元的第二电极层如第二电极层215和第二电极层235的方法可以但不仅仅按照制备常规电致发光器件正极或负极的方法。形成所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元的空穴注入层如空穴注入层2121和2321和空穴传输层如空穴传输层2122和2322的方法可以但不仅仅采用溶液法如喷墨打印法。形成有机发光层如有机发光层213和形成量子发光层如量子发光层233的方法可以但不仅仅采用溶液法如打印法具体可以是喷墨打印法。一实施例中，形成的所述第一电子传输层如电子传输层23141和电子传输层2341的材料均是采用碱土金属氧化物形成。其中，所述碱土金属氧化物如上文所述的，如包括氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)、氧化钡(BaO)等中的至少一种。因此，形成所述第一电子传输层如电子传输层2141和电子传输层2341的方法可以是将所述碱土金属氧化物进行真空蒸镀处理。这样可以在如有机发光层和量子点发光层的外表面上一步形成所述第一电子传输层如电子传输层2141和电子传输层2341。也即是采用所述碱土金属氧化物能够一次性完成所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的第一电子传输层的制作，提高了工艺的兼容性，从而提高了制备所述电致发光器件的效率以及所述电致发光器件性能的稳定性。
进一步地，当所述量子点电致发光单元的结构如图2、图3所示的至少一个或至少两个量子点电致发光单元还含有第二电子传输层如第二电子传输层2242和第二电子传输层2342时，还包括形成所述第二电子传输层的步骤，具体的形成如图2所示的至少两个量子点电致发光单元含有第二电子传输层的量子点电致发光单元；或形成如图3所示的仅一个量子点电致发光单元含有第二电子传输层的量子点电致发光单元，也即是其他量子点电致发光单元中不进行形成第二电子传输层的步骤。通过在相应形成量子点电致发光单元的步骤中增设第二电子传输层的步骤，从而使得形成的所述第二电子传输层与所述一电子传输层形成复合电子传输层，以高电子在量子点电致发光单元中的传输性能，从而提高相应所述量子点电致发光单元光电性能。
另外，形成所述第二电子传输层如厚度等尺寸和材料种类均如上文所述电致发光器件中所述的第二电子传输层如第二电子传输层2242和第二电子传输层2342的尺寸和氧化锌系纳米粒子种类，为了节约篇幅，在此不再赘述。形成所述第二电子传输层如第二电子传输层2242和第二电子传输层2342的方法可以但不仅仅采用溶液法如喷墨打印法。
在形成上述各实施例中的电致发光单元02时，可以根据电致发光单元02的正置结构特点按照层结构顺序现有在所述基底01上形成各电致发光单元02所含的各层结构。
此外，形成所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元也即是所述电致发光单元02可以是在如图1-3所示像素界定03所含的若干像素坑31内形成。此时，所述基底01表面上含有像素界定03。那么所述像素界定03形成于所述基底01表面上的方法可以是制备常规像素界定层的方法。因此，形成像素界定层03的材料和如厚度等尺寸均可以是常规的。在一实施例中，在形成的像素界定层03中，结合本发明实施例电致发光器件的特点，应当使得形成的所述像素界定层03具有若干像素坑31，两两相邻的所述像素坑31彼此间隔，且在每一像素坑内形成一电致发光单元02，从而保证各电致发光单元02的独立性。另外，所述像素坑31的尺寸如深度、宽度等均可以是常规的规格，当然也可以根据本方面实施例电致发光器件规格进行灵活调整。
因此，所述电致发光器件制备方法能够使得制备的电致发光器件具有优异的显示性能，如彩色显示性能，半亮度寿命长。采用碱土金属氧化物形成所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元的电子传输层，从而能够一次性完成所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元的电子传输层，提高了工艺的兼容性，从而提高了制备的所述电致发光器件的效率以及提高了所述电致发光器件性能的稳定性。
正是由于上文所述电致发光器件具有优异的显示性能，如彩色显示性能，半亮度寿命长，且其制备方法效率高，降低成本，能够保证了制备的电致发光器件性能稳定。因此，有效扩展了上文所述电致发光器件的应用性和应用范围。因此，基于上文所述电致发光器件及其制备方法，本发明实施例还提供了一种显示面板。具体的，所述显示面板包括显示面板必要的部件，其中，所述必要的部件包括上文所述电致发光器件或由上文制备方法制备的电致发光器件。这样，所述显示面板由于含有上文所述电致发光器件，因此，所述显示面板显示性能优异，半亮度寿命长。
现结合具体实例，对本发明进行进一步详细说明。其中，下文各实施例中的“/”表示的是层叠结合的意思。
实施例1
本实施例提供一种电致发光器件及其制备方法。所述电致发光器件结构如图1所示，其包括：
基底01；
ITO第一电极层02，其结合所述基底01的一表面上；
像素界定层03，结合在所述第一电极层02的与所述基底01结合面相对的表面上，所述像素界定层03设有并列的若干像素坑31，两两相邻的所述像素坑31彼此间隔，且所述像素坑31贯穿至所述第一电极层02；
发光功能层04，填充在所述像素坑31内，所述发光功能层04包括至少一有机发光功能层041和至少两个量子点发光功能层042和043。其中，有机发光功能层041包括空穴注入层411/空穴传输层412/蓝色有机发光层42/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层431，量子点发光功能层042包括空穴注入层411/空穴传输层412/绿色量子点发光层42/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层431，量子点发光功能层043包括空穴注入层411/空穴传输层412/红色量子点发光层42/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层431，且空穴注入层411与ITO第一电极层02层叠结合。
本实施例电致发光器件制备方法包括如下步骤：
S11：在基底01所含的ITO第一电极层02外表面上形成具有贯穿至所述第一电极层02的若干像素坑31的像素界定03；
S12：在每所述像素坑31内且在所述第一电极层02表面上采用喷墨打印的方法制备空穴注入层411/空穴传输层412/发光层42，然后在每一发光层42的表面上采用真空蒸镀法形成氧化钡碱土金属氧化物电子传输层431；其中，在形成所述发光层42时，在至少一空穴传输层412的表面喷墨打印蓝色有机发光层，与电子传输层431一起形成如有机发光功能层041；在至少一个空穴传输层412的表面喷墨打印绿色量子点发光层，与电子传输层431一起形成如量子点发光功能层042；在至少一个空穴传输层412的表面喷墨打印绿红色量子点发光层，与电子传输层431一起形成如量子点发光功能层043；
S13：在各所述电子传输层431的外表面上采用真空蒸镀法形成阴极金属第二电极层05。
实施例2
本实施例提供一种电致发光器件及其制备方法。所述电致发光器件结构如图2所示，其包括：
基底01；
ITO第一电极层02，其结合所述基底01的一表面上；
像素界定层03，结合在所述第一电极层02的与所述基底01结合面相对的表面上，所述像素界定层03设有并列的若干像素坑31，两两相邻的所述像素坑31彼此间隔，且所述像素坑31贯穿至所述第一电极层02；
发光功能层04，填充在所述像素坑31内，所述发光功能层04包括至少一有机发光功能层041和至少两个量子点发光功能层042和043。其中，有机发光功能层041包括空穴注入层411/空穴传输层412/蓝色有机发光层42/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，量子点发光功能层042包括空穴注入层411/空穴传输层412/绿色量子点发光层42/含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，量子点发光功能层043包括空穴注入层411/空穴传输层412/红色量子点发光层42/含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，且空穴注入层411与ITO第一电极层02层叠结合。
本实施例电致发光器件制备方法包括如下步骤：
S11：在基底01所含的ITO第一电极层02外表面上形成具有贯穿至所述第一电极层02的若干像素坑31的像素界定03；
S12：在每所述像素坑31内且在所述第一电极层02表面上采用喷墨打印的方法制备空穴注入层411/空穴传输层412/发光层42；
其中，在形成所述发光层42时，在至少一空穴传输层412的表面喷墨打印蓝色有机发光层，然后在每一蓝色有机发光层的表面上采用真空蒸镀法形成氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，如有机发光功能层041所示；
在至少一空穴传输层412的表面喷墨打印绿色量子点发光层，再在每一绿色量子点发光层的表面上先打印含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311，然后在每一含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311上采用真空蒸镀法形成氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，如量子点发光功能层042所示；
在至少一空穴传输层412的表面喷墨打印红色量子点发光层，再在每一红色量子点发光层的表面上先打印含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311，然后在每一含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311上采用真空蒸镀法形成氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，如量子点发光功能层043所示；
S13：在各所述氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312的外表面上采用真空蒸镀法形成阴极金属第二电极层05。
实施例3
本实施例提供一种电致发光器件及其制备方法。所述电致发光器件结构如图3所示，其包括：
基底01；
ITO第一电极层02，其结合所述基底01的一表面上；
像素界定层03，结合在所述第一电极层02的与所述基底01结合面相对的表面上，所述像素界定层03设有并列的若干像素坑31，两两相邻的所述像素坑31彼此间隔，且所述像素坑31贯穿至所述第一电极层02；
发光功能层04，填充在所述像素坑31内，所述发光功能层04包括至少一有机发光功能层041和至少两个量子点发光功能层042和043。其中，有机发光功能层041包括空穴注入层411/空穴传输层412/蓝色有机发光层42/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，量子点发光功能层042包括空穴注入层411/空穴传输层412/绿色量子点发光层42/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，量子点发光功能层043包括空穴注入层411/空穴传输层412/红色量子点发光层42/含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311/氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，且空穴注入层411与ITO第一电极层02层叠结合。
本实施例电致发光器件制备方法包括如下步骤：
S11：在基底01所含的ITO第一电极层02外表面上形成具有贯穿至所述第一电极层02的若干像素坑31的像素界定03；
S12：在每所述像素坑31内且在所述第一电极层02表面上采用喷墨打印的方法制备空穴注入层411/空穴传输层412/发光层42；
其中，在形成所述发光层42时，在至少一空穴传输层412的表面喷墨打印蓝色有机发光层，然后在每一蓝色有机发光层的表面上采用真空蒸镀法形成氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，如有机发光功能层041所示；
在至少一空穴传输层412的表面喷墨打印绿色量子点发光层，再在每一绿色量子点发光层的表面上采用真空蒸镀法形成氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，如量子点发光功能层042所示；
在至少一空穴传输层412的表面喷墨打印红色量子点发光层，再在每一红色量子点发光层的表面上先打印含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311，然后在每一含氧化锌系纳米粒子电子传输层4311上采用真空蒸镀法形成氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312，如量子点发光功能层043所示；
S13：在各所述氧化钡碱土金属氧化物电子传输层4312的外表面上采用真空蒸镀法形成阴极金属第二电极层05。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电致发光器件，包括基底和设置在所述基底表面上的电致发光单元，所述电致发光单元包括至少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元，所述有机电致发光单元和量子点电致发光单元均设置在所述基底表面上，且均含有第一电子传输层，所述第一电子传输层的材料为碱土金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述碱土金属氧化物包括氧化钙、氧化锶、氧化钡中的至少一种。
3.根据权利要求1-2任一项所述的电致发光器件，其特征在于：至少一所述量子点电致发光单元还包括第二电子传输层，沿所述第一电子传输层至所述量子点电致发光单元所含的量子点发光层方向，所述第一电子传输层、所述第二电子传输层、所述量子点发光层依次层叠结合，且所述第二电子传输层的材料包括氧化锌系纳米粒子。
4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于：所述氧化锌系纳米粒子为ZnO纳米粒子、氧化锌镁纳米粒子、氧化锌锡纳米粒子、氧化锌铝纳米粒子、氧化锌钙纳米粒子中的至少一种。
5.根据权利要求1-2、4任一所述的电致发光器件，其特征在于：所述有机电致发光单元包括蓝色有机电致发光单元，所述量子点电致发光单元包括绿色量子点电致发光单元和红色量子点电致发光单元。
6.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底表面上形成电致发光单元，并使得形成的所述电致发光单元包括少一有机电致发光单元和至少一量子点电致发光单元，且所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元均设置在所述基底表面上，且均含有第一电子传输层，所述第一电子传输层是采用碱土金属氧化物形成。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述碱土金属氧化物是采用真空蒸镀处理同时形成所述有机电致发光单元和所述量子点电致发光单元所含的所述第一电子传输层。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：在形成所述量子点电致发光单元的过程中，还包括采用氧化锌系纳米粒子在至少一所述量子点电致发光单元中形成第二电子传输层的步骤，沿所述第一电子传输层至所述量子点电致发光单元所含的量子点发光层方向，所述第一电子传输层、所述第二电子传输层与所述量子点发光层依次层叠结合。
9.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：在形成所述量子点电致发光单元的步骤中，形成的所述量子点电致发光单元包括绿色量子点电致发光单元和红色量子点电致发光单元；在形成所述有机电致发光单元的步骤中，形成的所述有机电致发光单元包括蓝色有机电致发光单元。
10.一种显示面板，其特征在于：其包括如权利要求1-5任一项所述的电致发光器件或由权利要求6-9任一项所述的制备方法制备的电致发光器件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331785A (zh) * 2019-12-27 2021-02-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103765623A (zh) * 2011-08-22 2014-04-30 默克专利有限公司 有机电致发光器件
CN105304681A (zh) * 2015-10-19 2016-02-03 Tcl集团股份有限公司 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法
CN105322098A (zh) * 2015-11-03 2016-02-10 Tcl集团股份有限公司 一种可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管及制备方法
CN106601923A (zh) * 2016-12-19 2017-04-26 华南理工大学 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103765623A (zh) * 2011-08-22 2014-04-30 默克专利有限公司 有机电致发光器件
CN105304681A (zh) * 2015-10-19 2016-02-03 Tcl集团股份有限公司 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法
CN105322098A (zh) * 2015-11-03 2016-02-10 Tcl集团股份有限公司 一种可提高电荷注入平衡的量子点发光二极管及制备方法
CN106601923A (zh) * 2016-12-19 2017-04-26 华南理工大学 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331785A (zh) * 2019-12-27 2021-02-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光器件及其制作方法

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