CN105206718A - 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 - Google Patents
一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105206718A CN105206718A CN201510621455.XA CN201510621455A CN105206718A CN 105206718 A CN105206718 A CN 105206718A CN 201510621455 A CN201510621455 A CN 201510621455A CN 105206718 A CN105206718 A CN 105206718A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cspbx
- emitting diode
- quantum dot
- light emitting
- quantum dots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HSEVUSRQUCWDNF-UHFFFAOYSA-N NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)CN)C=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical class NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)CN)C=C1)C1=CC=CC=C1 HSEVUSRQUCWDNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004633 polyglycolic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,在ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS空穴注入层,然后旋涂空穴传输层以及金属卤化物钙钛矿量子点,通过热蒸发或磁控溅射沉积电子传输层,再通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极,得到发光均匀的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的量子点发光二极管的发光颜色可通过改变量子点发光层材料的卤素配比进行调节,能够覆盖整个可见光谱范围。
Description
技术领域
本发明涉及一种溶液法制备的无机金属卤化物钙钛矿量子点发光二极管,属于电致发光器件领域。
背景技术
有机发光二极管在应用程序显示、照明等领域应用广泛,当前的限制在于难以通过真空升华有效地沉积大面积的有机发光层。溶液制备的发光材料如共轭聚合物、有机金属卤化物钙钛矿等由于其与卷对卷(rolltoroll)、喷墨打印等溶液工艺兼容,具有克服这种限制的潜力。近年来,卤化物钙钛矿材料由于具有出色的光伏性能和较高的能量转化率,使得其在太阳能电池、激光等领域应用广泛。然而常用的有机无机杂化钙钛矿(CH3NH3PbX3)稳定性差的问题制约着其发展。与有机无机杂化钙钛矿(CH3NH3PbX3)相比,无机钙钛矿(CsPbX3)显示出优异的稳定性,在光电子学具有巨大潜在应用价值。
量子点由于具有尺度依赖的发光、发射光谱窄及高发光效率等独特的光学特性,吸引着众多科学工作者。这些特性使得量子点成为发光、显示以及光通讯技术领域的杰出候选材料。CsPbX3量子点把全无机钙钛矿的高稳定性与量子点的量子局域效应完美结合起来,具有出色的光学性能,它可调的高荧光量子效率尤其突出,在光电子器件领域应用前景广阔。
发明内容
本发明的目的在于提供一种溶液法、通过卤素的不同掺杂比例制备出广色域高发光效率的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。
本发明可通过如下技术方案实现,一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,由如下步骤制备:
1)取空穴注入层溶液,在洁净的ITO玻璃上旋涂至一定的厚度,并进行热处理;
2)再取空穴传输层溶液,于步骤1)热处理后的表面旋涂至一定的厚度;
3)再继续采用CsPbX3量子点的分散液进行旋涂;
4)于步骤3)旋涂后的表面沉积电子传输层,再热蒸发沉积一定厚度的电极材料。
步骤1)中,所述空穴注入层溶液为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)溶液,浓度为1.3~1.7wt%;热处理温度为90℃~140℃;旋涂厚度为30~60nm。
步骤2)中,所述空穴传输层溶液为聚(9-乙烯基咔唑)(简称PVK)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称poly-TPD)和聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)](简称TFB)中的任何一种;旋涂厚度为5~20nm。
步骤3)中,所述的CsPbX3量子点中的X为Cl、Br、I任意一种或任意两者组合,CsPbX3量子点的分散液采用的溶剂为正辛烷,分散液的浓度为1.27*10-4mol/L。
步骤4)中,所述沉积电子传输层采用热蒸发法和磁控溅射法;所述电子传输层为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(简称TPBi)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(简称Bphen)和氧化锌中的任意一种;沉积厚度为30~50nm。
步骤5)中,所述电极材料为LiF/Al和Ag中的任意一种;沉积厚度为80~100nm。
本发明的优点是:1)本发明提供了一种溶液法制备的无机钙钛矿量子点发光二极管,制备工艺简单,条件温和,成本低;2)本发明制备的量子点发光二极管的发光效率高,且发光波长范围可调控。
附图说明
图1为本发明实施例1使用的金属卤化物钙钛矿量子点的TEM透射图。
图2为本发明实施例1制备的发光二极管器件结构示意图。
图3为本发明实施例1、4、5的发光二极管发光图谱,峰位从左至右依次采用CsPbClxBr3-x、CsPbBr3和CsPbIxBr3-x量子点。
图4为本发明实施例1制备的发光二极管的电流密度和亮度与驱动电压的关系图。
具体实施方式
以下通过具体的实施例对本发明作进一步的描述。
本发明是在ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS空穴注入层,然后旋涂空穴传输层以及金属卤化物钙钛矿量子点,通过热蒸发或磁控溅射沉积电子传输层,再通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极,得到发光均匀的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。
实施例1
本实施例所述溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,具体包括如下步骤:
1)在清洗好的ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS溶液,转速为4000r/min,在140℃下加热15min;
2)旋涂PVK溶液,转速为4000r/min;
3)取适量CsPbBr3量子点的分散液进行旋涂,转速为2000r/min,采用的CsPbBr3量子点TEM透射图见图1;
4)通过热蒸发法沉积TPBi,沉积厚度为40nm;
5)通过热蒸发法采用掩膜板沉积LiF/Al电极,LiF/Al电极厚度为1nm/100nm,制得CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其结构示意图见图2,其发光二极管发光图谱见图3中间曲线,其电流密度和亮度与驱动电压的关系图见图4。
实施例2
与实施例1类似,区别在于,将实施例1的步骤2)中的PVK改为poly-TPD,其他条件保持一致,制得CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。
实施例3
与实施例1类似,区别在于,将实施例1的步骤2)中的PVK改为TFB,其他条件保持一致,制得CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。
实施例4
与实施例1类似,区别在于,将实施例1的步骤3)中的CsPbBr3改为CsPbClxBr3-x(x的取值范围为0~3),其他条件保持一致,制得CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其发光二极管发光图谱见图3左边曲线。
实施例5
与实施例1类似,区别在于,将实施例1的步骤3)中的CsPbBr3改为CsPbIxBr3-x(x的取值范围为0~3),其他条件保持一致,制得CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其发光二极管发光图谱见图3右边曲线。
实施例6
与实施例1类似,区别在于,将实施例1的步骤4)中的TPBi改为Bphen,其他条件保持一致,制得CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。
实施例7
与实施例1类似,区别在于,将实施例1的步骤4)中的热蒸发法改为磁控溅射,TPBi改为ZnO,步骤5)中的LiF/Al电极改为Ag,厚度为100nm,其他条件保持一致,制得CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。
Claims (6)
1.一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其特征在于,所述的二极管由如下步骤制备:
1)取空穴注入层溶液,在洁净的ITO玻璃上旋涂至一定的厚度,并进行热处理;
2)再取空穴传输层溶液,于步骤1)热处理后的表面旋涂至一定的厚度;
3)再继续采用CsPbX3量子点的分散液进行旋涂;
4)于步骤3)旋涂后的表面沉积电子传输层,再热蒸发沉积一定厚度的电极材料。
2.如权利要求1所述的溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其特征在于,步骤1)中,所述空穴注入层溶液为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)溶液,浓度为1.3~1.7wt%;热处理温度为90℃~140℃;旋涂厚度为30~60nm。
3.如权利要求1所述的溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其特征在于,步骤2)中,所述空穴传输层溶液为聚(9-乙烯基咔唑)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]中的任何一种;旋涂厚度为5~20nm。
4.如权利要求1所述的溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其特征在于,步骤3)中,所述的CsPbX3量子点中的X为Cl、Br、I任意一种或任意两者组合,CsPbX3量子点的分散液采用的溶剂为正辛烷,分散液的浓度为1.27*10-4mol/L。
5.如权利要求1所述的溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其特征在于,步骤4)中,所述沉积电子传输层采用热蒸发法和磁控溅射法;所述电子传输层为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉和氧化锌中的任意一种;沉积厚度为30~50nm。
6.如权利要求1所述的溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,其特征在于,步骤5)中,所述电极材料为LiF/Al和Ag中的任意一种;沉积厚度为80~100nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510621455.XA CN105206718B (zh) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510621455.XA CN105206718B (zh) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105206718A true CN105206718A (zh) | 2015-12-30 |
CN105206718B CN105206718B (zh) | 2017-10-13 |
Family
ID=54954271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510621455.XA Active CN105206718B (zh) | 2015-09-25 | 2015-09-25 | 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105206718B (zh) |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105523581A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-04-27 | 吉林大学 | 一种单尺寸CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法 |
CN105552185A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-04 | 南京理工大学 | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
CN105621477A (zh) * | 2016-01-31 | 2016-06-01 | 南京理工大学 | 一种合成CsPbX3无机钙钛矿纳米片的方法 |
CN105633189A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-06-01 | 南京理工大学 | 液相合成的超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片可见光探测器 |
CN105720205A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-06-29 | 吉林大学 | 基于pei的高效钙钛矿量子点发光薄膜及其制备方法 |
CN105720204A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-06-29 | 南京理工大学 | 一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管 |
CN105733574A (zh) * | 2016-01-31 | 2016-07-06 | 南京理工大学 | 一种低温溶液法制备钙钛矿量子点的方法 |
CN105957973A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-09-21 | 中国华能集团公司 | 一种柔性发光器件的结构及其制备方法 |
CN106024999A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-12 | 南京理工大学 | 一种提高钙钛矿led发光效率的量子点表面纯化法 |
CN106098967A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-11-09 | 南昌航空大学 | 一种量子点发光二极管的电荷注入、传输及复合方法 |
CN106292066A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-01-04 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及显示模块 |
CN106450021A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-22 | 南方科技大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN106784400A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | Tcl集团股份有限公司 | 空穴传输层与qled及制备方法、发光模组与显示装置 |
CN107275523A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-10-20 | 苏州大学 | 一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法 |
CN108063365A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-22 | 中国科学院半导体研究所 | 电泵浦钙钛矿量子点激光器的制备方法 |
CN108242509A (zh) * | 2016-12-23 | 2018-07-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置 |
CN108238631A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-03 | 吉林大学 | 一种二十六面体CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法 |
CN108251110A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-06 | 福州大学 | 一种钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法 |
CN108659019A (zh) * | 2017-04-01 | 2018-10-16 | 南京理工大学 | 基于三蝶烯母核的钙钛矿空穴传输材料及其制备方法 |
CN108695437A (zh) * | 2017-04-06 | 2018-10-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发光二极管及其制作方法、像素结构及其制作方法 |
CN108807724A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-11-13 | 香港中文大学(深圳) | 钙钛矿发光层的制备方法、应用和钙钛矿发光器件及其制备方法 |
CN108832012A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-11-16 | 吉林大学 | 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法 |
CN108886101A (zh) * | 2016-11-14 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN109363930A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-02-22 | 首都医科大学 | 一种可定量显示得气程度的钙钛矿材料复合针灸针 |
CN109545914A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 北京航空航天大学 | 一种可通过调节纳米叠层比例来调节波长的多层膜led及其制备方法 |
CN109686756A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-26 | 电子科技大学 | 一种光电探测器及其制造方法 |
CN109786586A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-05-21 | 北京交通大学 | 一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用 |
CN109830618A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-31 | 南京理工大学 | 一种基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管 |
CN110416438A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-11-05 | 南京理工大学 | 混相α/δ-CsPbI3发光层及其制备方法 |
WO2020147026A1 (en) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting layer, manufacturng method thereof, and display apparatus |
TWI755125B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-02-11 | 中華學校財團法人中華科技大學 | 高質量全無機鈣鈦礦量子點發射極製法及其所應用的發光二極體 |
CN115224226A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-10-21 | 浙江大学 | 钙钛矿量子点薄膜及其制备方法、发光二极管 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102473800A (zh) * | 2009-07-07 | 2012-05-23 | 佛罗里达大学研究基金会公司 | 稳定的且所有溶液可加工的量子点发光二极管 |
-
2015
- 2015-09-25 CN CN201510621455.XA patent/CN105206718B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102473800A (zh) * | 2009-07-07 | 2012-05-23 | 佛罗里达大学研究基金会公司 | 稳定的且所有溶液可加工的量子点发光二极管 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
GUANGRU LI 等: ""Efficient Light-Emitting Diodes Based on Nanocrystalline Perovskite in a Dielectric Polymer Matrix"", 《NANO LETTERS》 * |
LOREDANA PROTESESCU 等: ""Nanocrystals of Cesium Lead Halide perovskite(CsPbX3,X=Cl,Br and I):Novel Optoelectronic Materials Showing Bright Emission with Wide Color Gamut"", 《NANO LETTERS》 * |
ZELONG BAI 等: ""Halide perovskite quantum dots: potential candidates for display technology"", 《SCI. BULL.》 * |
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105633189A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-06-01 | 南京理工大学 | 液相合成的超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片可见光探测器 |
CN105621477A (zh) * | 2016-01-31 | 2016-06-01 | 南京理工大学 | 一种合成CsPbX3无机钙钛矿纳米片的方法 |
CN105733574A (zh) * | 2016-01-31 | 2016-07-06 | 南京理工大学 | 一种低温溶液法制备钙钛矿量子点的方法 |
CN105733574B (zh) * | 2016-01-31 | 2018-06-12 | 南京理工大学 | 一种低温溶液法制备钙钛矿量子点的方法 |
CN105552185A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-04 | 南京理工大学 | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
CN105720204A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-06-29 | 南京理工大学 | 一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管 |
CN105552185B (zh) * | 2016-02-01 | 2018-11-13 | 南京理工大学 | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 |
CN105523581A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-04-27 | 吉林大学 | 一种单尺寸CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法 |
CN105523581B (zh) * | 2016-02-25 | 2017-06-09 | 吉林大学 | 一种单尺寸CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法 |
CN105720205A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-06-29 | 吉林大学 | 基于pei的高效钙钛矿量子点发光薄膜及其制备方法 |
CN106024999A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-12 | 南京理工大学 | 一种提高钙钛矿led发光效率的量子点表面纯化法 |
CN105957973A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-09-21 | 中国华能集团公司 | 一种柔性发光器件的结构及其制备方法 |
CN106292066A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-01-04 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及显示模块 |
CN106098967A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-11-09 | 南昌航空大学 | 一种量子点发光二极管的电荷注入、传输及复合方法 |
US10276820B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-04-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Quantum dots light emitting diode and fabricating method thereof, display panel and display apparatus |
CN108886101A (zh) * | 2016-11-14 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN106450021A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-02-22 | 南方科技大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN106784400A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | Tcl集团股份有限公司 | 空穴传输层与qled及制备方法、发光模组与显示装置 |
CN108242509A (zh) * | 2016-12-23 | 2018-07-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备、显示装置及照明装置 |
CN108659019A (zh) * | 2017-04-01 | 2018-10-16 | 南京理工大学 | 基于三蝶烯母核的钙钛矿空穴传输材料及其制备方法 |
CN108659019B (zh) * | 2017-04-01 | 2021-02-12 | 南京理工大学 | 基于三蝶烯母核的钙钛矿空穴传输材料及其制备方法 |
CN108695437A (zh) * | 2017-04-06 | 2018-10-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发光二极管及其制作方法、像素结构及其制作方法 |
CN108695437B (zh) * | 2017-04-06 | 2020-05-19 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发光二极管及其制作方法、像素结构及其制作方法 |
CN107275523A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-10-20 | 苏州大学 | 一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法 |
CN108063365A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-22 | 中国科学院半导体研究所 | 电泵浦钙钛矿量子点激光器的制备方法 |
CN108063365B (zh) * | 2017-12-12 | 2020-11-13 | 中国科学院半导体研究所 | 电泵浦钙钛矿量子点激光器的制备方法 |
CN108251110A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-06 | 福州大学 | 一种钙钛矿量子点/薄膜体系构建多色发光膜的方法 |
CN108238631A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-03 | 吉林大学 | 一种二十六面体CsPbX3钙钛矿纳米晶的制备方法 |
CN108807724A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-11-13 | 香港中文大学(深圳) | 钙钛矿发光层的制备方法、应用和钙钛矿发光器件及其制备方法 |
CN108832012A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-11-16 | 吉林大学 | 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法 |
CN109363930A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-02-22 | 首都医科大学 | 一种可定量显示得气程度的钙钛矿材料复合针灸针 |
CN109545914B (zh) * | 2018-11-23 | 2020-05-19 | 北京航空航天大学 | 一种可通过调节纳米叠层比例来调节波长的多层膜led及其制备方法 |
CN109545914A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 北京航空航天大学 | 一种可通过调节纳米叠层比例来调节波长的多层膜led及其制备方法 |
CN109686756A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-26 | 电子科技大学 | 一种光电探测器及其制造方法 |
CN109686756B (zh) * | 2018-12-17 | 2021-02-02 | 电子科技大学 | 一种光电探测器及其制造方法 |
WO2020147026A1 (en) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting layer, manufacturng method thereof, and display apparatus |
CN111712923A (zh) * | 2019-01-16 | 2020-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光层、其制造方法、显示设备 |
US11404658B2 (en) | 2019-01-16 | 2022-08-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting layer, manufacturing method thereof, and display apparatus |
CN111712923B (zh) * | 2019-01-16 | 2023-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光层、其制造方法、显示设备 |
CN109830618A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-31 | 南京理工大学 | 一种基于CsPbI3材料的无机钙钛矿白光发光二极管 |
CN109786586A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-05-21 | 北京交通大学 | 一种全无机钙钛矿薄膜的制备方法及应用 |
CN110416438A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-11-05 | 南京理工大学 | 混相α/δ-CsPbI3发光层及其制备方法 |
TWI755125B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-02-11 | 中華學校財團法人中華科技大學 | 高質量全無機鈣鈦礦量子點發射極製法及其所應用的發光二極體 |
CN115224226A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-10-21 | 浙江大学 | 钙钛矿量子点薄膜及其制备方法、发光二极管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105206718B (zh) | 2017-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105206718A (zh) | 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 | |
CN107507918B (zh) | 一种钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
CN109004091B (zh) | 一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管及其制备方法 | |
WO2020078099A1 (zh) | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 | |
CN102610725B (zh) | 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN107293647A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN105206715B (zh) | 一种激子限域结构的qled及其制备方法 | |
CN105552185A (zh) | 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN103972416B (zh) | 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN108232023A (zh) | 一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN104409650A (zh) | 一种发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置 | |
CN108281572B (zh) | 含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
CN105720204A (zh) | 一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管 | |
CN106206995A (zh) | 一种有机发光二极管散射层的制备方法及其产品 | |
CN105826483A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN103137881A (zh) | 有机电致发光装置及其制备方法 | |
CN109449316A (zh) | 一种In掺杂MoO3薄膜的制备方法 | |
WO2020134205A1 (zh) | 量子点发光二极管的制备方法及量子点墨水 | |
CN105355798A (zh) | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 | |
CN103715361B (zh) | 一种基于双重态电子在中性自由基分子不同的轨道间跃迁发光的有机电致发光器件 | |
CN106098957B (zh) | 一种qled及其制备方法 | |
CN108630817A (zh) | 一种适用于照明应用的量子点发光二极管及其制备方法 | |
CN101740727B (zh) | 一种oled显示器件的制备方法 | |
CN103915553A (zh) | 基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光led及制作方法 | |
CN106159108A (zh) | 一种qled及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |