CN108832012A - 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法 - Google Patents

一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108832012A
CN108832012A CN201810628938.6A CN201810628938A CN108832012A CN 108832012 A CN108832012 A CN 108832012A CN 201810628938 A CN201810628938 A CN 201810628938A CN 108832012 A CN108832012 A CN 108832012A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
layer
perovskite quantum
moo
doping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810628938.6A
Other languages
English (en)
Inventor
张宇
马越
陆敏
陈真
张佳
张铁强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jilin University
Original Assignee
Jilin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jilin University filed Critical Jilin University
Priority to CN201810628938.6A priority Critical patent/CN108832012A/zh
Publication of CN108832012A publication Critical patent/CN108832012A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及其制备方法，属于照明技术领域。本发明所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，采用Ag替代ITO作为阴极，依次由衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层、CsPbI3钙钛矿量子点发光层、“4,4,4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺空穴传输层、MoO3/Au/MoO3阳极层组成。本发明将Ag作为阴极，并选取MoO3/Au/MoO3作为阳极保证良好的透明性与导电性，实现银离子自发掺杂到钙钛矿量子点薄膜中，有效钝化钙钛矿量子点表面缺陷，进而提高钙钛矿量子点LED的性能，明显改善钙钛矿量子点及钙钛矿量子点LED的稳定性。

Description

一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法
技术领域
本发明属于照明技术领域，具体涉及一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及其制备方法。
背景技术
LED作为高效固态发光光源，以其节能环保、安全高效、体积小、寿命长、色彩丰富等优点，广泛应用于通信、照明等众多领域中。钙钛矿量子点具有光致发光量子产率高、发射光谱半峰宽较窄、色域宽等优点，因此在LED等光电器件领域具有良好的的应用前景。然而，由于钙钛矿量子点表面存在缺陷，导致其外部量子效率低，稳定性较差，虽可通过用其他材料包覆钙钛矿量子点、控制表面配体浓度等处理方法改善钙钛矿量子点电致发光LED的性能，但会引起荧光量子产率及稳定性的降低。
因此，为解决现有技术存在的问题，本发明提出了一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，采用Ag替代ITO作为阴极，同时采用透明MoO3/Au/MoO3(MAM)三层结构来优化阳极侧，实现了在钙钛矿量子点发光层中自发掺杂Ag离子，使钙钛矿量子点LED的外部量子效率大幅提高，并且提高了非封装器件在氮气中的稳定性。经查找，目前已有金属离子、稀土离子等掺杂的方法改善钙钛矿的稳定性、荧光量子效率和钙钛矿LED的外部量子效率，但仍未达到较高水平。而这种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED未见公开报道。
发明内容
为了解决现有技术中钙钛矿量子点LED的外部量子效率低且稳定性差的问题，本发明提出了一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及其制备方法，可以有效地提高LED外部量子效率及稳定性。
本发明所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，采用Ag替代ITO作为阴极。如图1所示，依次由衬底、Ag阴极层(厚度范围80～200nm)、ZnO量子点/聚乙烯亚胺(polyethyleneimine，PEI)双层电子传输层(厚度范围40～60nm)，CsPbI3钙钛矿量子点发光层(厚度范围30～70nm)，“4,4,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)空穴传输层(厚度范围5～55nm)，MoO3/Au/MoO3阳极层(总厚度为16～24nm，其中MoO3厚度范围2～4nm，Au厚度范围12～16nm)组成。
本发明所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED的制备方法，其步骤如下：
(1)制备CsPbI3钙钛矿量子点；
(2)制备ZnO量子点；
(3)通过热蒸发在衬底(硅片、玻璃等)上沉积Ag膜作为阴极层；
(4)将ZnO量子点溶液在Ag膜上自旋包覆，再在空气中退火，在衬底上得到ZnO膜；然后将衬底转移到填充氮气的手套箱中，将PEI的2-甲氧基乙醇溶液旋涂到ZnO膜上并在空气中退火，得到ZnO量子点/PEI双层电子传输层；
(5)在ZnO量子点/PEI双层电子传输层上，将CsPbI3钙钛矿量子点溶液自旋浇铸得到发光层；
(6)在真空沉积室中通过热蒸发，在发光层上依次沉积作为空穴传输层的TCTA和作为阳极的MoO3/Au/MoO3膜，从而得到自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED。
本发明将Ag作为阴极，并选取MoO3/Au/MoO3作为阳极保证良好的透明性与导电性，实现银离子自发掺杂到钙钛矿量子点薄膜中，有效钝化钙钛矿量子点表面缺陷，进而提高钙钛矿量子点LED的性能，明显改善钙钛矿量子点及钙钛矿量子点LED的稳定性。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
1、本发明自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，将Ag作为阴极，实现Ag离子自发掺杂至钙钛矿量子点，使其稳定性得到明显改善；
2、本发明自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法中，Ag离子钝化CsPbI3量子点表面，使其荧光量子产率增强；
3、本发明自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法，选择Ag作为阴极来降低电子注入势垒，三层MoO3/Au/MoO3结构作为阳极，保证了较高的透明性和良好的导电性，使其钙钛矿量子点LED的外部量子效率及稳定性得到明显提高。
附图说明
图1：本发明Ag掺杂与钝化的CsPbI3钙钛矿量子点LED的结构图；依次由硅片衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/PEI双层电子传输层、钙钛矿量子点发光层、“4,4,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)空穴传输层、MoO3/Au/MoO3阳极层组成；
图2：本发明中CsPbI3量子点的吸收和光致发光光谱，图中吸收峰和光致发光峰分别位于677nm和690nm。在365nm光源激发下，量子点溶液呈亮红色发射(荧光量子产率>60％)，色纯度高(半峰宽36nm)。
图3：本发明Ag掺杂与钝化的CsPbI3钙钛矿量子点LED的能级图；由于具有高电子迁移率，优异的光学透明性和深度价带最大值(-7.2eV)，选择宽带隙的ZnO膜作为电子传输层。由于TCTA薄膜具有合适的最高占据分子轨道(-5.7eV)和低电子亲和力(-2.3eV)，所以选择TCTA薄膜作为空穴传输层。夹在CsPbI3发光层周围的ZnO层和TCTA层的组合限制注入的电荷载体，使辐射重组更为有效。PEI夹层不仅降低了阴极触点的功函数，而且还保持了CsPbI3量子点发光层的电中性，并保持其优异的发射性能；
图4：ITO/ZnO/PEI/CsPbI3和Ag/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜(a)Pb 4f、(b)I 3d和(c)Ag三维元素的X射线光电子能谱及(d)Ag/ZnO/PEI/CsPbI3和ITO/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜的X射线衍射谱；
图5：本发明氮气中以Ag为阴极的钙钛矿量子点LED和以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED电致发光强度的变化示意图；
图6：本发明中Ag/CsPbI3、Ag/ZnO/PEI/CsPbI3和ITO/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜的光致发光衰变曲线；
图7：本发明中Ag为阴极的钙钛矿量子点LED和以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED的荧光量子产率以及在空气中存储2天荧光量子产率的变化曲线；
图8：本发明中以Ag为阴极的钙钛矿量子点LED和以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED的电流密度、亮度以及外部量子效率曲线；
图9：本发明中Ag为阴极的钙钛矿量子点LED和以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED的外部量子效率与电流密度的关系曲线。
具体实施方式
下面结合附图进一步说明本发明所述的自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED实施过程及测试结果，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1
本发明采用Ag作为阴极，ZnO量子点/PEI双层作为电子传输层，以CsPbI3钙钛矿量子点薄膜为发光层，TCTA薄膜为空穴传输层，MoO3/Au/MoO3为阳极，制备LED。
1、基于自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED的制备
材料：油酸(OA)，1-十八烯(ODE)，油胺(OLA)，Cs2CO3，PbI2，醋酸锌，乙醇，氢氧化钠，己烷，无水甲醇，乙酸乙酯，戊烷和甲基-戊醇
(1)制备CsPbI3钙钛矿量子点。将Cs2CO3(0.814g)、OA(2.5mL)和ODE(30.0mL)混合装入100mL三口瓶1中，在真空条件下，将溶液在120℃真空干燥1h，再在氮气气氛下加热至150℃，直至澄清，得到油酸铯溶液。将10.0mL ODE和0.168g PbI2装于50mL三口瓶2中，在120℃真空条件下进行脱气干燥1h；再在此温度下，将干燥的油酸(1.0mL)和油胺(1.0mL)依次注入三口瓶2内，溶液变澄清；随后将温度升高至160℃，迅速注入之前制备的油酸铯溶液1mL，反应5s后，停止加热并将反应混合物用冰水浴冷却到室温。将反应混合物在每分钟5000转的速度下离心10min，所得沉淀物分散在3.0mL甲苯中。然后在每分钟10000转的速度下再离心10min，所得沉淀物分散在2.0mL甲苯中，从而得到CsPbI3钙钛矿量子点溶液，浓度20mg·mL-1。
(2)制备ZnO量子点。将0.4403g醋酸锌和30mL乙醇混合溶液装入250mL三口瓶中，经过10分钟氮气流后，将三口瓶加热搅拌，使混合溶液沸腾。30分钟后，醋酸锌粉完全消失，溶液变为无色透明。然后，将三口瓶自然冷却至室温，溶液变成白色混浊溶液。再将含0.2g氢氧化钠的10mL乙醇溶液迅速注入到上述三口瓶中，并继续搅拌4小时，得到氧化锌量子点溶液。最后将每5mL的氧化锌量子点溶液加到一个50mL的离心管中并充分添加己烷，离心后将沉淀物溶解在3mL的乙醇中；再一次进行上述净化操作，最终得到溶解在3mL乙醇的ZnO量子点溶液，浓度为50mg·mL-1。
(3)通过热蒸发在硅片衬底上沉积Ag膜，压力为6.0×10-4Pa，蒸镀速率为每秒1埃，作为阴极层，厚度为100nm；
(4)在Ag衬底上将50mg·mL-1的ZnO量子点溶液以每分钟1000转的转速旋涂1分钟，并在空气中150℃的温度下退火10分钟，得到ZnO薄膜；然后将基底转移到充满氮气的手套箱中，将PEI的2-甲氧基乙醇溶液(质量分数0.2％)以每分钟1000转的转速旋涂在ZnO薄膜上，并在空气中110℃的温度下退火10分钟，得到ZnO/PEI层作为电子传输层，厚度为45nm；
(5)将CsPbI3量子点溶液(浓度20mg·mL-1)以每分钟1000转的速度自旋浇铸1分钟，厚度为60nm，作为发光层；
(6)将上一步获得的器件转移到真空沉积室(真空度为1×10-7Torr)中，通过热蒸发依次沉积TCTA、MoO3/Au/MoO3膜，其中TCTA作为空穴传输层，厚度为40nm；MoO3/Au/MoO3层作为阳极层，厚度为20nm；以此获得自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED。
2.试验和测试结果
为了验证本发明自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED的性能，本发明进行了以下测试：
(1)参阅图4(a)、(b)、(c)，本发明分别对ITO/ZnO/PEI/CsPbI3和Ag/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜的Pb 4f、I 3d和Ag三维元素的X射线光电子能谱进行对比测试。与ITO/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜相比，Ag/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜的Pb 4f和I 3d峰都向更高的结合能方向移动：Pb 4f峰值从143.6eV移动到143.8eV，I3d峰则从631.1eV移动到632.2eV。这是由于银电极的影响。Ag/ZnO/PEI/CsPbI3样品出现Ag 3d峰，而在ITO/ZnO/PEI/CsPbI3样品中没有检测到Ag 3d峰。Ag三维光谱在374.1和373.3eV的峰对应于3d3/2结合能，368.1和367.6eV的峰对应于3d5/2结合能，位于374.1和368.1eV处的峰归属于金属AgO，而373.3和367.6eV峰归属于Ag。X射线光电子能谱中Ag三维峰的存在表明，银离子从银电极下扩散到CsPbI3薄膜中。参阅图4(d)，本发明分别对Ag/ZnO/PEI/CsPbI3和ITO/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜的X射线衍射谱进行对比测试。X射线衍射峰向更高角度的移动，这是由于Ag/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜中，部分Ag离子进入晶格，取代Cs离子，使CsPbI3晶格体积的收缩，这种晶格体积的收缩有助于提高卤化铅钙钛矿的稳定性。
(2)参阅图5，本发明分别对氮气中以Ag为阴极的钙钛矿量子点LED和以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED电致发光强度进行对比测试。以Ag为阴极的钙钛矿量子点LED在手套箱中存放10天后，其发光强度保持在初始值的80％左右，而以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED的电致发光强度在5天内降低到其初始值的50％。由此表明以Ag作为阴极的钙钛矿量子点LED在氮气中电致发光稳定性得到明显改善。
(3)参阅图6，本发明分别对比测试了Ag/CsPbI3、Ag/ZnO/PEI/CsPbI3和ITO/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜的光致发光衰变。Ag/ZnO/PEI/CsPbI3结构薄膜的平均光致发光寿命从4.8ns提高到8.8ns，Ag/CsPbI3薄膜的平均光致发光寿命提高到15.4ns，由此证明了证明CsPbI3量子点的表面缺陷已被Ag离子有效钝化。
(4)参阅图7，本发明分别对以Ag为阴极的钙钛矿量子点LED和以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED的荧光量子产率以及在空气中存储2天荧光量子产率的变化进行测试。在24小时内，ITO/CsPbI3样品的荧光量子产率值下降到其初始值的50％左右，而Ag/ZnO/PEI/CsPbI3样品的荧光量子产率在48小时后保持在其初始值的80％左右。由此证明Ag/ZnO/PEI/CsPbI3薄膜的稳定性得到增强。
(5)本发明分别对以Ag为阴极的钙钛矿量子点LED和以ITO为阴极的钙钛矿量子点LED的电流密度、亮度以及外部量子效率进行对比测试。参阅图8，Ag阴极的钙钛矿量子点LED的峰值亮度达到1106cd·m-2，是以ITO作为阴极的钙钛矿量子点LED(455cd·m-2)的两倍以上。在相同的电压下，Ag基器件的电流密度低于ITO基器件的电流密度，表明在相同的电压下，Ag作为阴极的钙钛矿量子点LED的电荷注入效率较高。参阅图9，本发明以Ag作为阴极的钙钛矿量子点LED的平均峰值外部量子效率从7.3％提高到11.2％。表明与ITO基的钙钛矿量子点LED比较，Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED具有良好的性能。
综上，本发明将Ag作为钙钛矿量子点LED的阴极，实现Ag离子自发性掺杂与钝化钙钛矿量子点，使其LED平均外部量子效率达到11.2％，具有良好的性能，同时器件稳定性得到明显改善。

Claims (4)

1.一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，其特征在于：依次由衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层、CsPbI3钙钛矿量子点发光层、“4,4,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺空穴传输层、MoO3/Au/MoO3阳极层组成。
2.如权利要求1所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，其特征在于：采用Ag阴极，Ag可以自发掺杂进入钙钛矿层中，改善LED性能。
3.如权利要求1所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，其特征在于：Ag阴极层的厚度为80～200nm，ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层的厚度为40～60nm，CsPbI3钙钛矿量子点发光层的厚度为30～70nm，TCTA空穴传输层的厚度为5～55nm，MoO3/Au/MoO3阳极层的厚度为16～24nm，其中MoO3厚度范围2～4nm、Au厚度范围12～16nm。
4.权利要求1～3所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED的制备方法，其步骤如下：
(1)制备CsPbI3钙钛矿量子点；
(2)制备ZnO量子点；
(3)通过热蒸发在衬底上沉积Ag膜作为阴极层；
(4)将ZnO量子点溶液在Ag膜上自旋包覆，再在空气中退火，在衬底上得到ZnO膜；然后将衬底转移到填充氮气的手套箱中，将PEI的2-甲氧基乙醇溶液旋涂到ZnO膜上并在空气中退火，得到ZnO量子点/PEI双层电子传输层；
(5)在ZnO量子点/PEI双层电子传输层上，将CsPbI3钙钛矿量子点溶液自旋浇铸得到发光层；
(6)在真空沉积室中通过热蒸发，在发光层上依次沉积作为空穴传输层的TCTA和作为阳极的MoO3/Au/MoO3膜，从而得到自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED。
CN201810628938.6A 2018-06-19 2018-06-19 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法 Pending CN108832012A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810628938.6A CN108832012A (zh) 2018-06-19 2018-06-19 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810628938.6A CN108832012A (zh) 2018-06-19 2018-06-19 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108832012A true CN108832012A (zh) 2018-11-16

Family

ID=64142570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810628938.6A Pending CN108832012A (zh) 2018-06-19 2018-06-19 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108832012A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110010782A (zh) * 2019-02-28 2019-07-12 纳晶科技股份有限公司 一种量子点发光层及其制备方法、量子点器件
WO2020008839A1 (ja) * 2018-07-02 2020-01-09 国立大学法人東京工業大学 光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法
CN110718645A (zh) * 2019-09-24 2020-01-21 华中科技大学 一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法及产品
CN111952475A (zh) * 2020-08-18 2020-11-17 福州大学 一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法
CN112885913A (zh) * 2021-01-22 2021-06-01 苏州大学 适用于hit电池的钙钛矿量子点表面钝化层的制备方法
CN113054128A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 复合电极和发光二极管

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105206718A (zh) * 2015-09-25 2015-12-30 南京理工大学 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管
CN105720204A (zh) * 2016-02-01 2016-06-29 南京理工大学 一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管
CN107978688A (zh) * 2017-12-13 2018-05-01 吉林大学 基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光led及制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105206718A (zh) * 2015-09-25 2015-12-30 南京理工大学 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管
CN105720204A (zh) * 2016-02-01 2016-06-29 南京理工大学 一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管
CN107978688A (zh) * 2017-12-13 2018-05-01 吉林大学 基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光led及制备方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020008839A1 (ja) * 2018-07-02 2020-01-09 国立大学法人東京工業大学 光電子素子、これを用いた平面ディスプレイ、及び光電子素子の製造方法
US11495767B2 (en) 2018-07-02 2022-11-08 Tokyo Institute Of Technology Photoelectronic device, flat panel display using the same, and fabrication method of photoelectronic device
CN110010782A (zh) * 2019-02-28 2019-07-12 纳晶科技股份有限公司 一种量子点发光层及其制备方法、量子点器件
CN110010782B (zh) * 2019-02-28 2021-10-26 纳晶科技股份有限公司 一种量子点发光层及其制备方法、量子点器件
CN110718645A (zh) * 2019-09-24 2020-01-21 华中科技大学 一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法及产品
CN113054128A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 复合电极和发光二极管
CN111952475A (zh) * 2020-08-18 2020-11-17 福州大学 一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法
CN111952475B (zh) * 2020-08-18 2024-02-06 福州大学 一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法
CN112885913A (zh) * 2021-01-22 2021-06-01 苏州大学 适用于hit电池的钙钛矿量子点表面钝化层的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108832012A (zh) 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及制备方法
Wu et al. Surface ligand modification of cesium lead bromide nanocrystals for improved light-emitting performance
Shi et al. High-performance planar green light-emitting diodes based on a PEDOT: PSS/CH 3 NH 3 PbBr 3/ZnO sandwich structure
CN106450009B (zh) 一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN111192971B (zh) 低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法
KR102134481B1 (ko) 페로브스카이트 광전 소자, 제조 방법 및 페로브스카이트 재료
Karunakaran et al. Europium (II)‐Doped all‐inorganic CsPbBr3 perovskite solar cells with carbon electrodes
CN107910456B (zh) 一种混合钙钛矿薄膜的制备方法及其于led的应用
CN110943178B (zh) 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管
CN107978688B (zh) 基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光led及制备方法
Lin et al. Efficient near-infrared light-emitting diodes based on organometallic halide perovskite–poly (2-ethyl-2-oxazoline) nanocomposite thin films
Yang et al. Enhancing the light-emitting performance and stability in CsPbBr 3 perovskite quantum dots via simultaneous doping and surface passivation
CN103972416B (zh) 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法
CN102394278B (zh) 一种电子传输层掺杂氟化锂的磷光二极管的制备方法
CN111509131B (zh) 发光器件及其制备方法和显示装置
Kerner et al. Amine additive reactions induced by the soft Lewis acidity of Pb 2+ in halide perovskites. Part II: impacts of amido Pb impurities in methylammonium lead triiodide thin films
CN109256473B (zh) 白光有机发光二极管及制备方法
Wang et al. Effective defect passivation of CsPbBr 3 quantum dots using gallium cations toward the fabrication of bright perovskite LEDs
Feng et al. Highly efficient and stable quantum dot light-emitting devices with a low-temperature tin oxide electron transport layer
CN110429190B (zh) 一种溶液加工型荧光磷光二元复合白光有机发光二极管器件及其制备方法
Kathirgamanathan et al. High efficiency and highly saturated red emitting inverted quantum dot devices (QLEDs): optimisation of their efficiencies with low temperature annealed sol–gel derived ZnO as the electron transporter and a novel high mobility hole transporter and thermal annealing of the devices
CN107452887A (zh) 一种荧光/磷光混合白光oled器件
CN112117386B (zh) 一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED及制备方法
CN111081885A (zh) 一种聚合物-金属螯合物阴极界面材料及其应用
CN109256494B (zh) SrCl2掺杂的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181116

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication