CN111509131B - 发光器件及其制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置，其中，发光器件包括包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和P型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍。该发光器件通过在发光结构的空穴传输层和量子点发光层之间设置偶极层，能够降低NiO空穴传输层/量子点发光层界面空穴注入势垒，提高NiO空穴传输层的空穴注入效率，提高发光结构的发光效率。

Description

发光器件及其制备方法和显示装置

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种发光器件及其制备方法和显示装置。

背景技术

由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快，可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。

经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，目前已步入商业化的轨道，但寿命问题成为阻碍QLED发展的关键问题。对于QLED寿命的不足的原因，目前并没有明确的定论，可能是由于缺乏合适的空穴传输材料导致电子空穴不平衡且电子过量导致的，也可能是量子点自身的一些并未被发现的缺陷导致的，等等。总而言之，不断深入探究QLED的发光和衰退机制，提高其效率和寿命是科研人员不断努力的方向。其中，为了促进QLED电荷平衡，基于氧化镍(NiO)的无机材料空穴传输层被引入到QLED中，人们认为无机材料的空穴导电性和稳定性都会好于有机材料，因此NiO空穴传输材料被寄予厚望。

目前，QLED中制备NiO空穴传输层的方法主要是借鉴其在太阳能电池中的成膜方法，即溶胶-凝胶法。具体来说，即是将含有Ni的前驱体溶液沉积在基板上，然后高温退火使其发生水解反应生成NiO。为了使生成的NiO具有良好的空穴迁移率，往往需要300℃～500℃的高温处理，显而易见，这种方式对QLED是极不适用的，因为这样的高温几乎破坏了所有的其他功能层的性能。为了避免高温对器件的破坏，低温(150℃～200℃)处理也见报道，但低温处理的NiO薄膜空穴迁移率明显较低，达不到人们的要求。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够提高发光效率的发光器件。

一种发光器件，包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和P型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍(NiOOH)。

在其中一个实施例中，所述偶极层的材料还包括聚合物，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述聚合物选自聚丙烯酰胺(PAM)或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。

在其中一个实施例中，所述聚合物与所述羟基氧化镍的质量比为1:(0.01～0.1)。

在其中一个实施例中，所述偶极层是经过紫外臭氧处理的。

在其中一个实施例中，所述偶极层的厚度为0.5nm～7nm。

在其中一个实施例中，所述量子点发光层的材料选自II-VI族化合物半导体纳米材料、III-V族化合物半导体纳米材料、I-III-VI族化合物半导体纳米材料、IV族单质半导体纳米材料和钙钛矿量子点中的一种。

本发明另一目的在于提供一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供基板；

于所述基板上形成第一电极；

于所述第一电极上形成发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和P型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍；

于所述发光结构上形成第二电极，得到所述发光器件。

在其中一个实施例中，所述制备方法还包括对所述羟基氧化镍进行钝化处理的步骤。

在其中一个实施例中，所述钝化处理为将所述羟基氧化镍与聚合物混合，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述制备方法还包括对所述偶极层进行紫外-臭氧处理的步骤。

本发明又一目的在于提供一种显示装置，包括上述的发光器件或采用上述方法制备得到的发光器件。

上述发光器件，通过在发光结构的空穴传输层和量子点发光层之间设置偶极层，偶极层的材料包括羟基氧化镍，能够降低NiO空穴传输层/量子点发光层界面空穴注入势垒的作用，从而可以提高NiO空穴传输层的空穴注入效率，达到提高发光器件的发光效率的作用。

附图说明

图1为本发明一实施方式的发光器件的结构示意图；

图2为本发明一实施例发光器件的发光结构的能极结构示意图；

图3为本发明另一实施例发光器件的发光结构的能极结构示意图；

图4为本发明一实施例的QLED器件的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

NiO是一种无机的P型半导体，用作空穴传输层的材料，具有比有机材料的空穴传输层更好的空穴迁移率和稳定性，但传统的溶胶-凝胶制备NiO薄膜的方法需要高温(350℃～500℃)处理，不适合发光器件的制备，而低温处理会导致NiO空穴迁移率降低。因此，为了提高NiO空穴传输层的性能，本发明在NiO空穴传输层和量子点发光层之间设置偶极层，来提高空穴传输层表面功函数，降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。

请参见图1，本发明一实施方式提供的一种发光器件100，包括基板110、层叠设置于基板110上的第一电极120和第二电极140，以及设于第一电极120和第二电极140之间的发光结构130。

可理解，第一电极120和第二电极140中的一个可作为阳极，另一个可作为阴极。例如，在图4所示的具体实施例中，第一电极作为阳极，第二电极作为阴极。在其他实施例中，第一电极作为阴极，第二电极作为阳极。

具体地，第一电极或第二电极的材料可以是透明或半透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等；也可以是不透明的金属材料，例如镁、铝、银、镁银合金等。可以理解，当以不透明金属材料为第一电极材料(阳极)，透明或半透明导电材料为第二电极材料(阴极)时，显示器件为正式结构，即顶发射显示器件；当以透明导电材料为第一电极材料(阴极)，以不透明金属材料为第二电极材料(阳极)时，显示器件为反式结构，即底发射显示器件。

发光结构130包括空穴传输层131、量子点发光层133，以及设置在空穴传输层131和量子点发光层133之间的偶极层132；其中，空穴传输层131的材料包括纳米NiO和P型掺杂纳米NiO中的至少一种；偶极层的材料包括NiOOH。

请参见图2，上述发光器件100的发光结构130，通过在空穴传输层131和量子点发光层133之间设置偶极层132，偶极层132的材料包括羟基氧化镍，能够有效提高NiO空穴传输层131表面的功函数，起到降低NiO空穴传输层/量子点发光层界面空穴注入势垒的作用，从而可以提高NiO空穴传输层131的空穴注入效率，提高发光结构130的发光效率，进而提高发光器件的性能。

具体地，偶极层132的厚度为0.5nm～7nm。

较优地，偶极层的厚度为0.5nm～3nm。

由于偶极层的材料羟基氧化镍中的羟基是可以捕获电子，从而可以形成电子陷阱，有可能会导致被捕获的电子与累积在NiO空穴传输层/量子点发光层界面的空穴发生界面复合，不利于电子传输。因此，通过控制偶极层的厚度来避免该缺陷，将由羟基氧化镍形成的偶极层的厚度设为0.5nm～3nm之间，使偶极层提高空穴注入的效率占据主导地位，利于提高发光器件的发光性能。

空穴传输层131的材料除了纳米NiO外，还可以是p型掺杂纳米NiO。

进一步地，p型掺杂纳米NiO的掺杂剂可以选自Cu、Co、Cs、Li、Ag等能够对NiO进行P型掺杂的物质。

具体地，P型掺杂纳米NiO的掺杂浓度为0.5wt％～20wt％，具体可根据具体的掺杂剂进行调整。

量子点发光层133的材料选自II-VI族化合物半导体纳米材料、III-V族化合物半导体纳米材料、I-III-VI族化合物半导体纳米材料、IV族单质半导体纳米材料和钙钛矿量子点中的一种。

具体地，量子点发光层的材料可以是II-VI族化合物半导体，例如：CdSe、ZnCdS、CdSeS、ZnCdSeS、CdSe/ZnS、CdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等；可以是III-V族化合物半导体，例如：InP、InP/ZnS等；可以是I-III-VI族化合物半导体，例如：CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等；可以是IV族单质半导体，如Si或C或Graphene等；也可以是钙钛矿量子点等。

在一实施例中，如图3所示，发光结构330的偶极层332的材料还包括聚合物，该聚合物带隙大于3.2eV，该聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。

较优地，聚合物的带隙大于3.5eV。

如此，选用具有宽带隙、亲水性或两性的聚合物与羟基氧化镍共同作为偶极层的材料，该聚合物材料不但能够满足发光结构对透光性的要求，而且还能够易于与羟基氧化镍混合均匀，对羟基氧化镍起到良好的钝化效果，减弱偶极层所含羟基的不利影响。

具体地，聚合物与羟基氧化镍的质量比为1:(0.01～0.1)。

在一实施例中，聚合物选自聚乙烯吡咯烷酮或聚丙烯酰胺。

进一步地，偶极层332是经过紫外臭氧处理的。

由于上述偶极层中的宽带隙的聚合物具有一定的绝缘性，通过紫外臭氧处理可以使聚合物与NiO之间形成强化学键，该化学键可以作为电荷传输通道，从而有利于电荷的注入和传输，提高空穴的传输效率。

如图3所示，发光结构330中经过紫外臭氧处理的聚合物钝化的偶极层332，自身具有空穴传输通道，而且宽带隙的聚合物使空穴更多的累积在空穴传输层331/偶极层332的界面，使电子累积在偶极层332/量子点发光层333的界面，形成内部电场，而内部电场的存在非常有利于空穴加速隧穿至量子点发光层333与电子复合，从而有利于降低发光器件的开启电压，减少功耗。

进一步地，聚合物钝化的偶极层的厚度为0.5nm～7nm。

较优地，聚合物钝化的偶极层的厚度为1nm～7nm。

在一实施例中，发光结构还包括空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。

具体地，请参见图4，示出了本发明一实施例提供的一种QLED器件200，包括依次层叠在基板210上的第一电极220、发光结构230和第二电极240。

在其中一个实施例中，第一电极220作为阳极，第二电极240作为阴极。进一步地，发光结构230包括依次层叠在第一电极220上的空穴注入层231、空穴传输层232、偶极层233、量子点发光层234和电子传输层235。

电子传输层235可以是无机电子传输层，例如ZnO、TiO₂等薄膜层；可以是有机电子传输层，例如：TPBi、B₃PYMPM、3TPYMB、TmPyPB等；也可以是上述无机/有机复合的电子传输层。

本发明另一实施方式提供一种发光器件的制作方法，该方法包括以下步骤：

提供基板；在基板上形成第一电极。其中，基板可以是玻璃基板或塑料基板等；第一电极的材料可以是透明导电材料或不透明的金属材料，第一电极可以采用蒸镀等方法形成。

在第一电极层上形成发光结构，发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层。可以理解，发光结构中各层的形成顺序由器件的出光方向来决定的，当发光器件为正式结构时，于第一电极上形成各层的先后顺序依次为空穴传输层、偶极层和量子点发光层，反之，当QLED器件为反式结构时，于第一电极上形成各层的先后顺序依次为量子点发光层、偶极层和空穴传输层。

其中，空穴传输层的材料可以是纳米NiO或纳米P型掺杂NiO，偶极层的材料包括羟基氧化镍。

在一实施例中，分别采用溶液法沉积形成空穴传输层和偶极层。

具体地，将羟基氧化镍溶解在去离子水中形成溶液，然后利用溶液法沉积在空穴传输层上。

本申请发明人在研究中发现，将羟基氧化镍与氧化镍混合，共同作为空穴传输层材料，形成空穴传输层，羟基氧化镍对降低空穴注入势垒并不起作用，反而由于羟基氧化镍的引入形成电子陷阱而不利于电子传输。因此，通过大量研究后，在空穴传输层和量子点发光层之间形成一层由羟基氧化镍偶极层，能够降低空穴传输层/量子点发光层界面空穴注入势垒，很好的提高空穴注入效率。

在一实施例中，还包括对羟基氧化镍进行钝化处理的步骤。

具体地，钝化处理为将羟基氧化镍与聚合物混合，聚合物的带隙大于3.2eV，聚合物选自PVP等亲水性聚合物和PAM两性聚合物中的至少一种。

可以理解，羟基氧化镍可以溶解在极性溶剂中，因此，将上述聚合物与羟基氧化镍混合，不但可以保证二者混合均匀，而且聚合物可以对羟基氧化镍的羟基起到良好的钝化效果。采用羟基氧化镍与宽带隙的亲水性或两性聚合物混合共同作为偶极层的材料，可以沉积形成钝化的偶极层，减弱偶极层因羟基氧化镍含有羟基带来的不利影响。

进一步地，为了进一步提高空穴的传输效率，对聚合物钝化的偶极层进行紫外臭氧处理。

可以理解，通过紫外臭氧处理，可以使上述聚合物与NiO之间形成强化学键，该化学键可以作为电荷传输通道，利于电荷的注入和传输。

具体地，紫外臭氧处理的时间为10～15分钟。

通过10～15分钟的紫外臭氧处理，聚合物中部分C-N键断裂，断裂的C键与NiO的O原子形成羰基或酯基，使聚合物与NiO连接，形成电荷传输通道。

在一实施例中，量子点发光层的量子点材料可以是II-VI族化合物半导体，例如：CdSe、ZnCdS、CdSeS、ZnCdSeS、CdSe/ZnS、CdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等；可以是III-V族化合物半导体，例如：InP、InP/ZnS等；可以是I-III-VI族化合物半导体，例如：CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等；可以是IV族单质半导体，如Si或C或Graphene等；也可以是钙钛矿量子点等。因此，可以采用喷墨打印等溶液法沉积量子点发光层。

以下为具体实施例

实施例1

一种QLED器件，包括基板、依次层叠在基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、偶极层、量子点发光层、电子传输导和阴极。其中，空穴传输层的材料为纳米NiO，偶极层的材料为羟基氧化镍，量子点发光层的材料为CdSe/ZnS。

QLED器件的制作方法如下：

(1)以基板上沉积透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；

(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；

(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积纳米NiO颗粒作为空穴传输层，厚度为30nm；

(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积羟基氧化镍作为偶极层，厚度为2nm。

(5)在偶极层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；

(6)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；

(7)在电子传输层上蒸镀Ag作为阴极，厚度为100nm。

实施例2

一种QLED器件，包括基板、依次层叠在基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、偶极层、量子点发光层、电子传输导和阴极。其中，空穴传输层的材料为纳米NiO，偶极层的材料为羟基氧化镍和PAM，量子点发光层的材料为CdSe/ZnS。

QLED器件的制作方法如下：

(1)在基板上沉积透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；

(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为电子传输层，厚度为30nm；

(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积纳米NiO颗粒作为空穴传输层，厚度为30nm；

(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积NiOOH：PAM(质量比为0.1:1)作为偶极层，厚度为5nm。

(5)在偶极层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；

(6)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；

(7)在电子传输层上蒸镀Ag作为阴极，厚度为100nm。

实施例3

一种QLED器件，包括基板、依次层叠在基板上的阳极、空穴注/穴传输层、偶极层、量子点发光层、电子传输导和阴极。其中，空穴传输层的材料为纳米NiO，偶极层的材料为羟基氧化镍和PVP，量子点发光层的材料为CdSe/ZnS。

QLED器件的制作方法如下：

(1)在基板上沉积透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；

(2)在阳极上利用溶液法沉积NiO作为空穴注入/传输层，厚度为30nm；

(3在空穴注入/传输层上利用溶液法沉积NiOOH:PVP(质量比为0.05:1)作为混合偶极层，厚度为5nm；

(4)在混合偶极层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；

(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；

(6)在电子传输层上蒸镀Ag作为阴极，厚度为100nm。

实施例4

一种QLED器件，包括基板、依次层叠在基板上的阳极、空穴注入/传输层、偶极层、量子点发光层、电子传输导和阴极。其中，空穴传输层的材料为纳米NiO，偶极层的材料为羟基氧化镍和PVP，量子点发光层的材料为CdSe/ZnS。

QLED器件的制作方法如下：

(1)在基板上沉积透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；

(2)在阳极上利用溶液法沉积NiO作为空穴注入/传输层，厚度为30nm；

(3在空穴注入/传输层上利用溶液法沉积NiOOH:PVP(质量比为0.05:1)作为混合偶极层，厚度为5nm；

(4)用紫外臭氧处理上述基板10分钟；

(5)在混合偶极层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；

(6)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；

(7)在电子传输层上蒸镀Ag作为阴极，厚度为100nm。

对比例1

对比例1的器件结构包括基板、依次层叠在基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输导和阴极。其中，量子点发光层的材料为CdSe/ZnS，空穴传输层的材料为纳米NiO。

制作方法如下：

(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；

(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；

(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒作为空穴传输层，厚度为30nm；

(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；

(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；

(6)在电子传输层上蒸镀Ag作为阴极，厚度为100nm。

对比例2

对比例2的器件结构包括基板、依次层叠在基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输导和阴极。其中，量子点发光层的材料为CdSe/ZnS，空穴传输层的材料为纳米NiO和NiOOH。

制备方法如下：

(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；

(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS作为空穴注入层，厚度为30nm；

(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积NiO纳米颗粒和NiOOH(NiO和NiOOH的质量比为15:1)作为空穴传输层，厚度为30nm；

(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；

(5)在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO作为电子传输层，厚度为40nm；

(6)在电子传输层上蒸镀Ag作为阴极，厚度为100nm。

器件性能测试

对实施例1～4和对比例1～2的器件性能进行测试，结果见下表。

开启电压指器件亮度达到1cd/m²所对应的电压，可用开启电压来表征空穴注入效率。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种发光器件，其特征在于，包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和p型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括混合的羟基氧化镍和聚合物，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述p型掺杂纳米氧化镍的掺杂浓度为0.5wt％～20wt％。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述聚合物选自聚丙烯酰胺或聚乙烯吡咯烷酮。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述聚合物与所述羟基氧化镍的质量比为1:(0.01～0.1)。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述偶极层是经过紫外臭氧处理的。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述偶极层的厚度为0.5nm～7nm。

7.根据权利要求1～6任一项所述的发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料选自II-VI族化合物半导体纳米材料、III-V族化合物半导体纳米材料、I-III-VI族化合物半导体纳米材料、IV族单质半导体纳米材料和钙钛矿量子点中的一种。

8.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板；

于所述基板上形成第一电极；

于所述第一电极上形成发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和p 型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍；

于所述发光结构上形成第二电极，得到所述发光器件；

所述制备方法还包括对所述羟基氧化镍进行钝化处理的步骤，所述钝化处理为将所述羟基氧化镍与聚合物混合，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述p型掺杂纳米氧化镍的掺杂浓度为0.5wt％～20wt％。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述p型掺杂纳米氧化镍的掺杂剂选自Cu、Co、Cs、Li或Ag。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括对所述偶极层进行紫外臭氧处理的步骤。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的发光器件或采用权利要求8～11任一项所述的制备方法制作得到的发光器件。

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