CN112331781B - 空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件。其中，空穴传输材料包括：半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的P型掺杂剂，所述半导体材料的价带顶能级大于或等于5电子伏特并且小于或等于8电子伏特，所述P型掺杂剂中的金属元素的最外层的价电子数少于所述半导体材料中的金属元素的最外层的价电子数。本申请发明人选择价带顶能级大于或等于5电子伏特并且小于或等于8电子伏特的半导体传输材料，并在上述半导体材料中掺杂P型掺杂剂，所述P型掺杂剂中的金属元素的最外层的价电子数少于所述半导体材料中的金属元素的最外层的价电子数，从而提高空穴浓度，增大功函数以及空穴导电性，显著提高上述空穴传输材料的空穴传输效率。

Description

空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件
技术领域
本申请涉及空穴传输材料技术领域，特别是涉及一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件。
背景技术
量子点发光器件(QLED)具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多优势，其成为下一代显示技术的研究热点。目前，一般是采用有机聚合物、金属氧化物等材料制备量子点发光器件的空穴传输层，然而，有机聚合物如聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)具有容易腐蚀电极、稳定性差等缺点，金属氧化物材料则具有空穴传输效率低的问题，无法保障量子点发光器件的发光效率和使用寿命。因此，有必要提出一种新的适用于空穴传输层的材料，以改善现今空穴传输存在的问题。
发明内容
基于此，针对传统的空穴传输材料的空穴传输效率低的问题，提供一种能够提高空穴传输效率的空穴传输材料。
一种空穴传输材料，包括：半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的P型掺杂剂，所述半导体材料的价带顶能级大于或等于5电子伏特并且小于或等于8电子伏特，所述P型掺杂剂中的金属元素的最外层的价电子数少于所述半导体材料中的金属元素的最外层的价电子数。
在其中一个实施例中，所述半导体材料呈层状分布。
在其中一个实施例中，所述半导体材料为量子点材料。
在其中一个实施例中，所述半导体材料选自过渡金属硫化物和过渡金属硒化物中的至少一种，所述P型掺杂剂含有钇元素、钛元素和锆元素中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述P型掺杂剂占所述半导体材料的质量百分含量为0.1％-10％。
在其中一个实施例中，所述半导体材料选自MoS2、WS2、MoSe2和WSe2中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述半导体材料的平均粒径范围为1nm-10nm。
本申请还提供一种空穴传输材料的制备方法，其包括如下步骤：
将过渡金属源、掺杂剂源、十八烯和表面活性剂混合得到预混物，其中，所述掺杂剂源含有钇元素、钛元素和锆元素中的至少一种，所述表面活性剂为油酸和油胺中的至少一种；
向所述预混物中通入惰性气体，升温、混合处理；
注入硫源和/或硒源进行反应，冷却。
在其中一个实施例中，所述过渡金属源选自氯化钼、氯化钨、醋酸钼和醋酸钨中的至少一种；和/或所述掺杂剂源选自氯化钇、氯化钛、氯化锆、醋酸钇、醋酸钛和醋酸锆中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述硫源选自硫粉三辛基膦溶液和硫代乙酰胺油胺溶液中的至少一种；所述硒源选自硒粉三辛基膦溶液和硒代乙酰胺油胺溶液中的至少一种。
本申请还提供一种电致发光器件，其包括：
阳极；
空穴传输层，所述空穴传输层设于所述阳极上，所述空穴传输层含有本申请任一项所述的空穴传输材料；
量子点发光层，所述量子点发光层设于所述空穴传输层上；以及
阴极，所述阴极设于所述量子点发光层上。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的厚度为10nm-100nm。
在其中一个实施例中，电致发光器件还包括设于所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层，所述电子传输层的材料选自n型有机半导体和金属氧化物中的至少一种。
传统的适用于空穴传输材料的半导体材料本身的自由电子含量多，偏向n型，导致空穴导电性较差，不利于空穴传输。因此，为了增大其空穴导电性，本申请发明人选择价带顶能级大于或等于5电子伏特并且小于或等于8电子伏特的半导体传输材料，并在上述半导体材料中掺杂P型掺杂剂，所述P型掺杂剂中的金属元素的最外层的价电子数少于所述半导体材料中的金属元素的最外层的价电子数，这样会在晶格中产生未成键的孤对电子，即产生空穴，从而提高空穴浓度，增大功函数以及空穴导电性，显著提高上述空穴传输材料的空穴传输效率。
附图说明
图1为一实施例中量子点发光器件的结构示意图；
图2为一实施例中纯空穴型器件的电流密度(J)-电压(V)的关系曲线图；
图3为一实施例中量子点发光器件外量子效率(EQE)-电流密度(J)的关系曲线图；
图4为一实施例中纯空穴型器件的电流密度(J)-电压(V)的关系曲线图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本申请一实施例中提供了一种空穴传输材料，其包括半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的P型掺杂剂，所述半导体材料的价带顶能级大于或等于5电子伏特并且小于或等于8电子伏特，所述P型掺杂剂中的金属元素的最外层的价电子数少于所述半导体材料中的金属元素的最外层的价电子数。
在其中一个实施例中，当所述半导体材料的价带顶能级大于或等于6电子伏特并且小于或等于6.5电子伏特时，此种半导体材料与P型掺杂剂组合更加，更利于空穴传输效率的提升。
在其中一个实施例中，所述半导体材料呈层状分布，半导体材料可以为单层或多层层叠叠加。
在其中一个实施例中，所述半导体材料为量子点材料，更利于空穴传输效率的提升。
具体地，本申请一实施例中提供了一种空穴传输材料，其包括量子点材料和掺杂于所述量子点材料中的P型掺杂剂。
其中，所述量子点材料选自过渡金属硫化物和过渡金属硒化物中的至少一种，进一步地，所述量子点材料选自MoS2(二硫化钼)、WS2(二硫化钨)、MoSe2(二硒化钼)和WSe2(二硒化钨)中的至少一种，也就是说，所述量子点材料可以选自上述一种材料，也可以是上述多种材料的构成的复合物，例如MoS2与WS2的组合。
发明人发现，过渡金属硫化物、过渡金属硒化物是一类二维层状半导体材料，此类材料的价带顶能级可以达到5-6.5eV之间(即大于或等于5电子伏特并且小于或等于6.5电子伏特)，具有优异的导电性能和稳定性，进而能够与量子点发光层中的量子点发光材料的价带顶能级很好匹配。此外，此类材料的带隙介于2eV-4eV之间，在可见光波段具有优异的透光率，非常适合用作量子点发光器件的空穴传输材料。
在其中一个实施例中，所述量子点材料的平均粒径范围为1nm-10nm。空穴传输材料的价带顶能级除了与量子点材料自身性质有关外，其粒径尺寸也是影响其价带顶能级的关键因素，本申请的发明人发现，当所述量子点材料的平均粒径范围为1nm-10nm时，能够提升本申请的空穴传输材料的价带顶能级达到6eV-6.5eV，从而能够与量子点发光层中的量子点发光材料的价带顶能级很好匹配。在一些例子中，量子点材料的平均粒径为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或10nm。
其中，P型掺杂剂主要作用是增强空穴传输材料的空穴传输能力，具体而言，量子点材料中的金属元素钼和钨的最外层具有六个价电子，而P型掺杂剂最外层的价电子数少于6，当P型掺杂剂的原子取代钼或钨原子时，会在晶格中产生未成键的孤对电子，即产生空穴，从而提高空穴浓度，从而增大功函数以及空穴导电性。具体地，P型掺杂剂含有钇(Y)元素、钛(Ti)元素和锆(Zr)元素中的至少一种，也就是说，所述P型掺杂剂可以含有上述一种元素，也可以是含有上述多种元素的构成的复合物，例如含钇元素和钛元素的组合。
在其中一个实施例中，所述P型掺杂剂可以选自钇单质金属、钛单质金属、锆单质金属、钇金属盐、钛金属盐和锆金属盐中的至少一种。其中，金属盐可以是氯化钇、氯化钛、氯化锆、醋酸钇、醋酸钛、醋酸锆等。
在其中一个实施例中，所述P型掺杂剂占所述空穴传输材料的质量百分含量为0.1％-10％。此范围的掺杂浓度更利于提高空穴浓度，从而增大功函数和空穴导电性。进一步地，所述P型掺杂剂占所述空穴传输材料的质量百分含量为1％-10％。例如，在以下例子中，所述P型掺杂剂占所述空穴传输材料的质量百分含量为1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％或10％。
传统的适用于空穴传输材料的半导体材料本身的自由电子含量多，偏向n型，导致空穴导电性较差，不利于空穴传输。因此，为了增大其空穴导电性，本申请发明人选择价带顶能级大于或等于5电子伏特并且小于或等于8电子伏特的半导体传输材料，并在上述半导体材料中掺杂P型掺杂剂，所述P型掺杂剂中的金属元素的最外层的价电子数少于所述半导体材料中的金属元素的最外层的价电子数，这样会在晶格中产生未成键的孤对电子，即产生空穴，从而提高空穴浓度，增大功函数以及空穴导电性，显著提高上述空穴传输材料的空穴传输效率。
本申请还提供一种空穴传输材料的制备方法，其包括如下步骤：
(1)将过渡金属源、掺杂剂源、十八烯和表面活性剂混合得到预混物，其中，所述掺杂剂源含有钇元素、钛元素和锆元素中的至少一种，所述表面活性剂为油酸和油胺中的至少一种。
具体地，过渡金属源选自氯化钼、氯化钨、醋酸钼和醋酸钨中的至少一种。掺杂剂源选自氯化钇、氯化钛、氯化锆、醋酸钇、醋酸钛和醋酸锆中的至少一种。
(2)向预混物中通入惰性气体(例如氮气)，升温、混合处理。
具体地，通入氮气15-20分钟，随后升温至140℃-160℃并不断搅拌，以尽可能去除三角瓶中氧气，继续升温至280℃-320℃直至稳定。
(3)注入硫源和/或硒源进行反应，冷却。
具体地，注入硫源和/或硒源进行反应，冷却至室温；所述硫源选自硫粉三辛基膦溶液和硫代乙酰胺油胺溶液中的至少一种；所述硒源选自硒粉三辛基膦溶液和硒代乙酰胺油胺溶液中的至少一种。
在注入硫源和/或硒源进行反应后，空穴传输材料的制备方法还包括如下步骤：
(4)离心提纯，过滤得到P型掺杂的过渡金属硫化物或硒化物，即完成空穴传输材料的制备。
在其中一个实施例中，本申请的空穴传输材料的制备方法具体包括如下步骤：
(1)取一定量的过渡金属源、掺杂剂源、油酸、十八烯加入到三角瓶中，过渡源金属可以选自氯化钼、氯化钨、醋酸钼、醋酸钨等，掺杂剂源选自氯化钇、氯化钛、氯化锆、醋酸钇、醋酸钛、醋酸锆等。
(2)通入氮气20分钟，随后升温至150℃并不断搅拌，以尽可能去除三角瓶中氧气，继续升温至300℃直至稳定。
(3)快速注入硫源和硒源，反应1-10分钟，然后冷却至室温，其中，硫源选自硫粉三辛基膦溶液、硫代乙酰胺油胺溶液等，硒源选自硒粉三辛基膦溶液、硒代乙酰胺油胺溶液等。
(4)离心提纯，然后过滤得到P型掺杂的过渡金属硫化物或硒化物，即完成空穴传输材料的制备。
可以理解，本申请的空穴传输材料的制备方法简单，且不限于上述化学制备方法，其他掺杂P型掺杂剂的方法也可以制备本申请的空穴传输材料，例如物理掺杂的方法。
参阅图1，本申请还提供一种电致发光器件，其包括依次层叠设置的基板101、阳极102、空穴传输层104、量子点发光层105以及阴极108，当然可以理解，上述电致发光器件的基板101还可以设于阴极108一侧。
其中，所述空穴传输层104主要作用是传输空穴，其含有本申请任一实施方式所述的空穴传输材料或本申请任一实施方式所述的空穴传输材料的制备方法制备的空穴传输材料。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层104的厚度为10nm-100nm，进一步地，所述空穴传输层的厚度为20nm-50nm。
在其中一个实施例中，所述量子点发光层105的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、I-III-VI族化合物、IV族单质和钙钛矿量子点中的至少一种。
具体地，II-VI族化合物包括但不限于ZnCdSeS、CdSe/ZnSe、CdSeS/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS和ZnCdSeS/ZnS。
具体地，III-V族化合物包括但不限于InP和InP/ZnS。
具体地，I-III-VI族化合物包括但不限于CuInS、AgInS、CuInS/ZnS和AnInS/ZnS。
具体地，IV族单质包括但不限于硅、碳和石墨烯。
在其中一个实施例中，本申请的电致发光器件还包括设于所述量子点发光层105和所述阴极108之间的电子传输层106，所述电子传输层106的材料选自n型有机半导体和金属氧化物中的至少一种。
具体地，n型有机半导体包括但不限于TPBi、TmPyPb、BCP、BPhen、TmPyTz、B3PYMPM、3TPYMB和PO-T2T。
具体地，金属氧化物为n型金属氧化物，其包括但不限于ZnO、ZnMgO、ZnAlO、TiO2和SnO2。
在其中一个实施例中，本申请的电致发光器件还包括空穴注入层103和电子注入层107。
在本实施例中，所述空穴注入层103位于所述空穴传输层104和所述阳极102之间，进一步地，所述空穴注入层103分别与所述空穴传输层104和所述阳极102接触。所述空穴注入层103的材料选自导电聚合物和高功函数n型半导体中的至少一种。具体地，导电聚合物包括但不限于PEDOT:PSS，高功函数的n型半导体包括但不限于HAT-CN、MoO3、WO3、V2O5和Rb2O。
可以理解，本申请中所述的高功函数n型半导体是指功函数大于5eV-6eV的n型半导体材料。
在本实施例中，所述电子注入层107位于所述电子传输层106和所述阴极108之间，进一步地，所述电子注入层107分别与所述电子传输层106和所述阴极108接触，所述电子注入层107的材料选自碱金属盐和低功函数金属中的至少一种。具体地，碱金属盐包括但不限于LiF、NaF、CsF和Cs2CO3。具体地，低功函数金属包括但不限于Yb、Ba。
可以理解，本申请中所述的低功函数金属是指功函数介于2～3.5eV之间的金属。
上述电致发光器件结构简单，因其空穴传输层中含有本申请所述的空穴传输材料，空穴浓度以及空穴导电性均得到提升，显著提高空穴传输效率，促进电荷平衡，提升电致发光器件的电光转化效率。
可以理解，上述电致发光器件均可以采用本领域技术人员常用的电致发光器件的制备方法得到，在此不再过多赘述。
为了使本申请的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
实施例1
一种QLED器件的制备方法：
1、以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积Zr掺杂的MoS2量子点，其中，掺杂浓度为1％，形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层。
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为40nm的电子传输层。
6、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。
实施例2
一种QLED器件的制备方法：
1、以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积Zr掺杂的MoS2量子点，其中，掺杂浓度为5％，形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层。
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为40nm的电子传输层。
6、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。
实施例3
一种QLED器件的制备方法：
1、以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积Zr掺杂的MoS2量子点，其中，掺杂浓度为10％，形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层。
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为40nm的电子传输层。
6、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。
实施例4
一种QLED器件的制备方法：
1、以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积Ti掺杂的MoS2量子点，其中，掺杂浓度为5％，形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层。
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnAlO，形成厚度为40nm的电子传输层。
6、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al，形成厚度为100nm的阴极。
实施例5
一种QLED器件的制备方法：
1、以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积Y掺杂的MoS2量子点，其中，掺杂浓度为3％，形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层。
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnAlO，形成厚度为40nm的电子传输层。
6、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al，形成厚度为100nm的阴极。
对比例
一种QLED器件的制备方法：
1、以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极。
2、在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层。
3、在空穴注入层上利用溶液法沉积MoS2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层。
4、在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层。
5、在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为40nm的电子传输层。
6、在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。
实验效果
为了确定比较合适的掺杂剂浓度，以Zr-doPed MoS2为例，调节掺杂剂的掺杂浓度，研究其对电致发光器件性能的影响。
图2为纯空穴型器件的电流密度(J)-电压(V)的关系曲线图，器件结构为：ITO/PEDOT:PSS/Zr(x％)-doPed MoS2(x＝0、1、5、10)/Au。图3为本申请实施例中QLED器件外量子效率(EQE)-电流密度(J)的关系曲线图。
从图2中可以看出，随着Zr掺杂浓度的提高，MoS2的空穴导电性能逐渐增强。从图3中可以看出，实施例2中的Zr掺杂浓度为5％时，QLED器件的EQE最大。此外，从图3中还可以看出，相对于对比例，实施例3、实施例4、实施例5对应的QLED器件的EQE均得到了大幅的提升，这是由于P型掺杂剂掺杂后的MoS2由n型转变为p型，具有优异的空穴导电性，使得空穴能够有效地传输至量子点发光层。
进一步地，为了验证不同掺杂剂对MoS2、WS2、MoSe2、WSe2量子点进行P型掺杂的效果，我们以MoS2为例，进行了纯空穴型器件(HOD)的制备，通过测量HOD的电流大小，可以判定材料空穴导电能力的强弱。其器件结构为：ITO/PEDOT:PSS/MoS2(或Y、Ti、Zr掺杂的MoS2)/Au，其中Y掺杂的MoS2、Ti掺杂的MoS2、Zr掺杂的MoS2器件的掺杂浓度皆为5％。四个QLED器件的电流密度-电压曲线对比图如图4所示，从图4中可以看出，相对于未掺杂的MoS2，Y掺杂的MoS2、Ti掺杂的MoS2、Zr掺杂的MoS2的HOD的电流均有明显的提高，表明经过掺杂之后，MoS2的空穴导电性明显提升。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种空穴传输材料，其特征在于，包括：半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的P型掺杂剂，所述半导体材料的价带顶能级大于或等于5 电子伏特并且小于或等于8电子伏特，所述半导体材料呈层状分布，所述P型掺杂剂中的金属元素的最外层的价电子数少于所述半导体材料中的金属元素的最外层的价电子数。
2.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，所述半导体材料为量子点材料。
3.根据权利要求1-2任一项所述的空穴传输材料，其特征在于，所述半导体材料选自过渡金属硫化物和过渡金属硒化物中的至少一种，所述P型掺杂剂含有钇元素、钛元素和锆元素中的至少一种。
4.根据权利要求1-2任一项所述的空穴传输材料，其特征在于，所述P型掺杂剂占所述半导体材料的质量百分含量为0.1%-10%。
5.根据权利要求1-2任一项所述的空穴传输材料，其特征在于，所述半导体材料选自MoS2、WS2、MoSe2和WSe2中的至少一种。
6.根据权利要求1-2任一项所述的空穴传输材料，其特征在于，所述半导体材料的平均粒径范围为1nm-10nm。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的空穴传输材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将过渡金属源、掺杂剂源、十八烯和表面活性剂混合得到预混物，其中，所述掺杂剂源含有钇元素、钛元素和锆元素中的至少一种，所述表面活性剂为油酸和油胺中的至少一种；
向所述预混物中通入惰性气体，升温、混合处理；
注入硫源和/或硒源进行反应，冷却。
8.根据权利要求7所述的空穴传输材料的制备方法，其特征在于，所述过渡金属源选自氯化钼、氯化钨、醋酸钼和醋酸钨中的至少一种；和/或所述掺杂剂源选自氯化钇、氯化钛、氯化锆、醋酸钇、醋酸钛和醋酸锆中的至少一种。
9.根据权利要求7或8所述的空穴传输材料的制备方法，其特征在于，所述硫源选自硫粉三辛基膦溶液和硫代乙酰胺油胺溶液中的至少一种；所述硒源选自硒粉三辛基膦溶液和硒代乙酰胺油胺溶液中的至少一种。
10.一种电致发光器件，其特征在于，包括：
阳极；
空穴传输层，所述空穴传输层设于所述阳极上，所述空穴传输层含有权利要求1-6任一项所述的空穴传输材料或权利要求7-8任一项所述的空穴传输材料的制备方法制备的空穴传输材料；
量子点发光层，所述量子点发光层设于所述空穴传输层上；以及
阴极，所述阴极设于所述量子点发光层上。
11.根据权利要求10所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10nm-100nm。
12.根据权利要求10或11任一项所述的电致发光器件，其特征在于，还包括设于所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层，所述电子传输层的材料选自n型有机半导体和金属氧化物中的至少一种。
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