KR20100089413A - 카드뮴 썰파이드/ｍｅｈ-ｐｐｖ 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 태양전지용 기판 제조 방법은 (a)유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드 나노와이어(CdS nano-wire)를 증착하는 단계; 및 (b)상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 MEH-PPV 복합고분자(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene])를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지용 기판 제조 방법을 포함하여 제조된 태양전지는 FTO 글래스 기판 등의 유리 기판 상에 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 통하여, 전자-정공 쌍의 재결합을 억제할 수 있어서, 보다 향상된 태양전지 특성을 나타낼 수 있는 장점이 있다.
Description
본 발명은 카드뮴 썰파이드(Cadmium Sulfide, CdS)와 MEH-PPV 복합고분자[ (poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene])의 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법 및 그 구조를 갖는 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플로린 도핑된 틴옥사이드(SnO2:F, FTO Glass) 글래스 기판과 같은 유리 기판 위에 CdS/MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene]) 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법에 관한 것이다.
카드뮴 썰파이드(CdS)는 우수한 광학적 특성 및 화학적 불활성 등의 특성을 가지고 있다. 따라서 이러한 특성을 갖는 카드뮴 썰파이드는 최근 반도체 광촉매, 가스 센서, 광소자, 광전지 등에 폭넓게 사용되고 있다.
정보 기기의 눈으로 활약하는 광전 변환 소자는 현대 인류 생활에서 뗄 수 없는 중요한 비중을 차지하고 있다. 그 중에서도 카드뮴 썰파이드 셀(Cadmium Sulfide Cell)로 대표되는 광전지 소자는 그 특성을 알기 쉽고, 소형이고, 견고하며 사용하기 쉬워 가장 폭 넓게 쓰이고 있다. 예를 들어, 카메라에서는 적성 노출을 검출하고, 연기를 감지하여 화재를 알린다던가, 굴뚝에서 뿜어내는 연기를 제어하여 공해 방지를 하는 등 여러 분야에 카드뮴 썰파이드 셀이 이용되고 있다.
카드뮴 썰파이드 나노와이어 구조의 큰 표면적은 카드뮴 썰파이드 기반의 소자 구현에 장점을 가지고 있으며, 소자와 다른 재료 사이의 표면 접촉을 촉진하는 작용을 한다.
한편, 태양전지 효율은 전자-정공 쌍(electron-hole pair)의 표면반응에 의해 재결합이 억제된 상태일 때 향상된다. 따라서, 태양전지 효율을 향상시키기 위하여 전자-정공 쌍의 재결합을 감소시켜 향상된 태양전지 특성을 나타낼 수 있는 태양전지용 기판 제조 방법이 필요하다.
본 발명의 목적은 CVD 방법 및 스핀코팅 방법 등을 접목하여 유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 형성함으로써, 전자-정공 쌍의 재결합을 억제하여 우수한 태양전지 특성을 나타낼 수 있는 태양전지용 기판 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 태양전지용 기판 제조 방법을 포함하는 태양전지 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 제조되어 전자-정공 쌍의 재결합이 억제되어 향상된 전지특성을 나타낼 수 있는 태양전지를 제공하는데 있다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지용 기판 제조 방법은 (a)유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드 나노와이어(CdS nano-wire)를 증착하는 단계; 및 (b)상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 MEH-PPV 복합고분자(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene])를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지 제조 방법은 상기의 방법에 의해 제조된 유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드/ MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판을 제조하는 단계 및 상기 태양전지용 기판에 형성된 MEH- PPV 복합고분자 상에 금 전면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 태양전지는 유리 기판; 상기 유리 기판 상에 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어; 상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 형성된 MEH-PPV 복합고분자; 및 상기 MEH-PPV 복합고분자 상에 형성된 금(Au) 전면 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지용 기판 제조 방법은 FTO 글래스 기판과 같은 유리 기판 상에 넓은 표면적을 갖는 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 복합고분자 하이브리드 구조를 CVD 방법 및 스핀코팅 방법 등으로 저가의 공정으로 쉽게 형성할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 태양전지용 기판 제조 방법을 이용하여 제조된 태양전지는 카드뮴 썰파이드 단일 구조를 갖는 태양전지에 비해 광학적, 광촉매적 특성 등의 향상된 태양전지 특성을 나타낸다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형 태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 태양전지용 기판 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지용 기판 제조 방법을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
도 1을 참조하면, 태양전지용 기판 제조 방법은 카드뮴 썰파이드 나노와이어 증착 단계(S110) 및 MEH-PPV 복합고분자 코팅 단계(S120)를 포함하여 이루어진다.
카드뮴 썰파이드 나노와이어 증착 단계(S110)에서는 유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드 나노와이어(CdS nano-wire)를 증착한다. 이용될 수 있는 유리 기판은 플로린 도핑된 틴옥사이드 글래스(SnO2:F, FTO Glass) 기판이 이용될 수 있다.
카드뮴 썰파이드 나노와이어의 증착은 화학기상증착(CVD)법에 의해 이루어질 수 있다. 이를 위해, 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 소스로 흑연화 카본 블랙(graphitized carbon black)과 카드뮴 썰파이드가 1:1중량비로 혼합된 분말이 볼밀된 것을 이용할 수 있으며, 이는 YSZ(Yttria-stabilized zirconia) 볼을 사용하여 300RPM 6시간동안 볼밀된 것 등을 이용할 수 있다. CVD 공정에 의한 카드뮴 썰 파이드 나노와이어 증착은 450~500℃의 상대적으로 낮은 공정온도에서 이루어질 수 있음이 실험결과 확인되었다.
CVD 공정으로 카드뮴 썰파이드 나노와이어 증착이 이루어지는 반응용기 내에는 분위기 가스로서 20sccm 정도의 수소 가스 및 100sccm 정도의 아르곤 가스가 공급될 수 있으며, 원활한 카드뮴 썰파이드 나노와이어 증착을 위하여 PVA(poly-vinyl alcohol) 코팅된 비스무스(Bi) 촉매를 공급할 수 있다.
MEH-PPV 복합고분자 코팅 단계(S120)에서는 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 MEH-PPV 복합고분자(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene])를 코팅한다.
본 단계(S120)는 MEH-PPV 복합고분자가 함유된 pyridine 용액을 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 스핀 코팅함으로써 이루어질 수 있는데, MEH-PPV가 0.5~1.5mg/ml의 함량비로 포함되어 있는 pyridine 용액이 이용될 수 있다.
MEH-PPV 복합고분자의 코팅 결과, 유리 기판 상에는 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조가 형성된다.
카드뮴 썰파이드와 MEH-PPV의 결합력을 강화하고, MEH-PPV의 결정성 강화를 위하여, 유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 형성한 후, 제조된 태양전지용 기판을 열처리하는 단계(S130)를 더 포함할 수 있다. 열처리는 대략 100~140℃ 정도의 온도에서 8~12분 정도 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 태양전지 셀을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 플로린 도핑된 틴옥사이드(SnO2:F, FTO) 글래스 기판 상에 카드뮴 썰파이드가 증착되어 수직방향의 나노와이어(CdS NW's)로 성장되어 있고, 카드뮴 썰파이드 표면에는 MEH-PPV 복합고분자가 코팅되어 있다. 제조된 태양전지용 기판의 전면, 즉 MEH-PPV 표면에는 금 전극(Au electrode)이 형성되어 태양전지 셀을 구성한다. 이때, 금(Au) 전면 전극은 진공상태에서 쉐도우 마스크(Shadow Mask)를 이용하여 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지의 반응 메카니즘을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 빛의 흡수로 인해 컨덕션 밴드(conduction band)에 전자(electron)가 형성되고, 밸런스 밴드(valence band)에 정공(hole)이 형성된다. 생성된 전자와 정공은 표면을 통해 이동된다.
MEH-PPV 복합고분자에서 발생된 전자는 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 컨덕션 밴드로 이동된다. 이때 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 전자는 정공과 재결합을 하지 않고, 컨덕션 밴드에서 후면 전극으로 전자를 전달한다. 또한 MEH-PPV 복합고분자에서 발생된 정공은 MEH-PPV 복합고분자 하이브리드 나노구조에서 금(Au) 전면 전극에 전달된다.
상기와 같은 전자-정공 이동 메카니즘을 통하여, 태양전지 반응에 필요한 전자-전공 이동은 카드뮴 썰파이드 단일 재료에서보다 활발하게 진행될 수 있다. 즉, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조는 전하-정공의 재결합을 감소시키게 된다.
도 4 내지 도 8b는 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 태양전지용 기판의 물성을 측정한 결과를 도시한 것으로, 이를 위해 다음과 같은 순서로 태양전지용 기판을 제조하였다.
우선, 플로린 도핑된 틴옥사이드 글래스(FTO Glass) 기판 상에 화학기상증착법을 이용하여 카드뮴 썰파이드 나노와이어를 합성하였다. 이때, 공정조건으로 합성온도는 450℃이고, 퍼니스에서 10분 동안 진행하였으며, 분위기 가스로 수소(20 sccm)과 알곤 (100 sccm)을 사용하였다. 카드뮴 썰파이드의 소스로는 흑연화 카본 블랙(99.9%, Aldrich사 제조):카드뮴 썰파이드(99.99%, Aldrich사 제조)가 1:1 중량비로 혼합된 분말을 YSZ 볼(Tosoh Chemical, Tokyo, Japan)을 사용하여 300RPM에서 6시간동안 볼밀한 것을 이용하였다.
이후, MEH-PPV 복합고분자 용액을 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 스핀 코팅법에 의해 형성하였다. 이때 이용된 MEH-PPV 복합고분자 용액은 MEH-PPV 복합고분자가 1mg/ml의 함량비로 포함된 pyridine 용액을 이용하였다.
이후, 제조된 기판을 120℃에서 10분 동안 열처리를 실시하였다.
도 4는 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 태양전지용 기판의 XRD 그래프를 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, FTO 글래스 기판 위에 형성된 CdS/MEH-PPV 하이브리드 구조는 높은 결정성의 카드뮴 썰파이드 상과 함께 워짜이틀 틴옥사이드 상이 관찰됨을 확인할 수 있다. 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 XRD는 그래프 하단에 나타낸 JCPDS(분말회절표준위원회 국제회절데이터센터)의 카드뮴 썰파이드 XRD와 일치한다.
도 5a는 본 발명에 따른 FTO 글래스 기판에 450℃에서 CVD 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 top-view FESEM 사진를 도시한 것이고, 도 5b는 종래의 600℃ 이상에서 Au 촉매를 사용하여 FTO 글래스 기판에 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어 cross-section view FESEM 사진를 도시한 것이다.
도 5a를 참조하면, 본 발명에 따라 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어는 종래에 상대적으로 고온에서 Au 촉매를 사용하여 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어와 마찬가지로, 길이가 2~5mm의 길이로 성장되었으며, 50~100nm의 직경을 갖는 것을 볼 수 있고, 나노와이어 표면이 매끄럽고 균일한 두께를 가지는 것을 알 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 따른 FTO 글래스 기판 상에 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 TEM사진을 나타낸 것이다.
도 6a는 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 TEM 사진으로, 직경이 약 70nm 정도이고, 도 6b는 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 고배율 이미지와 SAED 패턴으로, 도 6a 및 도 6b를 카드뮴 썰파이드가 완벽한 단결정 구조를 구성하고 있음을 알 수 있다. 도 6b의 SAED 패턴은 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 스팟 패턴(spot pattern)을 보여준다.
도 7a는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 UV-visible 특성을 나타낸 것이다.
도 7a를 참조하면, 카드뮴 썰파이드 나노와이어, MEH-PPV 복합고분자, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 UV-Visible 흡광 피크(peak)의 범위는 각각 300~800nm로 보여지고, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조와 MEH-PPV 복합고분자의 주 피크는 500nm과 506nm를 각각 나타낸다. 이중, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 경우, 카드뮴 썰파이드 나노와이어가 함께 있기 때문에 UV-Visible 흡광 범위가 전 범위에 걸쳐 확장되고, 또한 흡광도 역시 상대적으로 증가함을 보인다.
도 7b는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 PL 발광 특성을 나타낸 것이다.
도 7b를 참조하면, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 PL(Photoluminescence) 특성은 MEH-PPV 복합고분자의 특성과 비교해 상당히 감소함을 알 수 있다. 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조에서의 강력한 PL 퀀칭(quenching)은 전자 재결합이 일어나기 전에 먼저 전하 분리가 일어났음을 의미한다.
도 8a는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 전압-광전류밀도 특성을 나타낸 것이고, 도 8b는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 IPCE 특성을 나타낸 것이다.
표 1은 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 태양전지 효율 특성을 나타낸 것이다.
[표 1]
표 1을 참조하면, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조(MEH-PPV/CdS)의 경우, 카드뮴 썰파이드 나노와이어(CdS NWs) 단독의 경우보다 태양전지의 특성을 나타내는 광전류밀도(Jx), 개방 회로 전압(Voc), 필 팩터(Fill Factor, FF), 에너지 변환효율(η) 및 광전변환 양자효율(Incident-photon-to-current conversion efficiency, IPCE)이 향상되었음을 알 수 있다.
또한, 표 1 및 도 8a를 참조하면, 대략 0.2V의 전압을 인가하였을 때, 카드뮴 썰파이드 단독의 경우 -0.93mA/cm2의 광전류밀도를 나타내었지만, 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 경우 -3.84mA/cm2의 높은 광전류밀도를 나타내었다.
특히, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 경우 에너지 변환효율(η)이 1.62%로서, 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 0.25%보다 6.5배 정도 높다. 또한, 표 1 및 도 8b를 참조하면, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 복합고분자 하이브리드 나노구조의 IPCE 특성은 505nm 부근에서 대략 27.4%로 상당히 향상되었음을 확인할 수 있다.
결국, 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 경우 전류-정공의 재결합이 크게 억제될 수 있기 때문에 카드뮴 썰파이드 나노와이어 단독의 경우보다 향상된 태양전지 효율을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지용 기판 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지 셀을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지의 반응 메카니즘을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 태양전지용 기판의 XRD 그래프를 나타낸 것이다.
도 5a는 본 발명에 따른 증착 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 top-view FESEM 사진를 도시한 것이고, 도 5b는 종래의 플로린 도핑된 틴옥사이드 글래스 기판에 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어 cross-section view FESEM 사진를 도시한 것이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 따른 FTO 글래스 기판 상에 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 TEM사진을 나타낸 것이다.
도 7a는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 UV-visible 특성을 나타낸 것이다.
도 7b는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 PL 발광 특성을 나타낸 것이다.
도 8a는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하 이브리드 구조의 전압-광전류밀도 특성을 나타낸 것이다.
도 8b는 본 발명에 따른 제조 방법으로 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조의 IPCE 특성을 나타낸 것이다.
Claims (14)
- (a)유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드 나노와이어(CdS nano-wire)를 증착하는 단계; 및(b)상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 MEH-PPV 복합고분자(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene])를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서,(c)100~140℃에서 8~12분동안 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유리 기판은플로린 도핑된 틴옥사이드 글래스(FTO Glass) 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (a)단계는450~500℃에서 화학기상증착법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 (a)단계는흑연화 카본 블랙(graphitized carbon black)과 카드뮴 썰파이드가 1:1중량비로 혼합된 분말이 볼밀된 것을 상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 소스로 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 (a)단계는반응용기 내에 PVA(poly-vinyl alcohol) 코팅된 비스무스 촉매를 공급하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 (a)단계는반응용기 내에 분위기 가스로서 수소 가스 및 아르곤 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 카드뮴 나노와이어는50~100nm의 직경으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (b)단계는MEH-PPV 복합고분자가 함유된 pyridine 용액을 스핀 코팅하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 pyridine 용액은MEH-PPV 복합고분자가 0.5~1.5mg/ml의 함량비로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 방법으로 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판을 제조하는 단계; 및상기 태양전지용 기판에 형성된 MEH-PPV 복합고분자 상에 금 전면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 금 전면 전극은진공상태에서 쉐도우 마스크(Shadow Mask)를 이용하여 상기 MEH-PPV 고분자 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
- 유리 기판;상기 유리 기판 상에 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어;상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 형성된 MEH-PPV 복합고분자; 및상기 MEH-PPV 복합고분자 상에 형성된 금(Au) 전면 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
- 제13항에 있어서, 상기 유리 기판은플로린 도핑된 틴옥사이드 글래스 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지.
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| KR20100089413A true KR20100089413A (ko) | 2010-08-12 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101979723A (zh) * | 2010-11-23 | 2011-02-23 | 东华大学 | 一种p型CdS纳米线的制备方法 |
| KR101231886B1 (ko) * | 2011-04-08 | 2013-02-08 | 고려대학교 산학협력단 | 나노 구조 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
2009
- 2009-02-03 KR KR1020090008641A patent/KR20100089413A/ko not_active Application Discontinuation
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