CN112331779B - 量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法。该量子点发光二极管包括包括阳极、量子点发光层、电子功能层以及阴极，所述量子点发光层设在所述阳极上，所述电子功能层设在所述量子点发光层上，所述阴极设在所述电子功能层上，所述量子点发光层朝向所述电子功能层的表面设有能够阻碍电子传输的绝缘层。该量子点发光层钝化方法包括如下步骤：(1)沉积量子点发光层，退火处理；(2)在量子点发光层上覆盖钝化剂，钝化处理；(3)清洗钝化处理后量子点发光层表面，退火处理。该量子点发光二极管的绝缘层可减少量子点及其薄膜中的缺陷、提高量子点及其薄膜的发光效率。

Description

量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法。
背景技术
由于量子点独特的光电性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，例如目前已报道的红、绿QLED的外量子效率最大已超过20％，接近25％左右的理论极限；蓝光QLED的外量子效率也已超过15％。但同时，QLED也面临着诸多严峻的挑战，其中最大的就是寿命低下。
目前关于QLED寿命衰退的机制正在不断深入的研究当中，主流观点认为：电子过量是QLED寿命快速衰退的主要原因。这是因为：由于量子点独特的能级特征，导致在现有的电荷传输材料体系中，空穴注入势垒大于电子注入势垒，且空穴迁移率小于电子迁移率，因此导致了电子过量。电子过量会造成量子点俄歇复合增加、辐射复合减少；此外，一部分漏电子会运动到空穴传输材料中，导致空穴传输材料失效。因此，如何减少电子过量带来的负面影响对于提高QLED的性能尤其是寿命至关重要。
众所周知，量子点的尺寸一般在10nm左右或者小于10nm，因此其表面存在大量的点缺陷，例如：未配位的悬空键；同时，量子点薄膜也会存在晶粒间界。悬空键以及晶粒间界等都会成为电子捕获中心，为过量的电子提供传输通道，继而引起不利的俄歇复合或者热弛豫等，降低量子点的荧光量子效率。
发明内容
基于此，有必要提供一种可减少量子点及其薄膜中的缺陷、提高量子点及其薄膜的发光效率，在一定程度上缓解电子过量的问题的量子点发光二极管及其制备方法与量子点发光层钝化方法。
一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层、电子功能层以及阴极，所述量子点发光层设在所述阳极上，所述电子功能层设在所述量子点发光层上，所述阴极设在所述电子功能层上，所述量子点发光层朝向所述电子功能层的表面设有能够阻碍电子传输的绝缘层。
在其中一个实施例中，所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层；
所述量子点发光层朝向所述电子传输层或所述电子注入层的表面设有所述绝缘层。
在其中一个实施例中，还包括空穴功能层；所述空穴功能层设在所述阳极上，所述量子点发光层设在所述空穴功能层上。
在其中一个实施例中，所述绝缘层包括硫酸镉物质、磷酸镉物质、硫酸铅物质、磷酸铅物质中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述绝缘层通过采用钝化剂对所述量子点发光层进行钝化处理而形成，所述钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
在其中一个实施例中，所述绝缘层的厚度为2nm-10nm。
一种量子点发光层钝化方法，包括如下步骤：
(1)形成量子点发光层，对所述量子点发光层进行退火处理；
(2)在所述量子点发光层上覆盖钝化剂，对所述量子点发光层进行钝化处理以形成绝缘层；
(3)清洗钝化处理后所述量子点发光层表面，对钝化后的所述量子点发光层进行退火处理。
在其中一个实施例中，所述钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
(1)制作阳极；
(2)在所述阳极上形成量子点发光层；
(3)根据所述的量子点发光层钝化方法对所述量子点发光层进行钝化处理以形成绝缘层；
(4)在钝化后的所述量子点发光层上形成电子功能层；
(5)在所述电子功能层上形成阴极。
在其中一个实施例中，还包括如下步骤：在所述阳极上形成空穴功能层，在所述空穴功能层上形成所述量子点发光层。
在其中一个实施例中，形成所述电子功能层包括如下步骤：
在钝化后的所述量子点发光层上形成电子传输层和/或电子注入层。
在其中一个实施例中，所述钝化处理时使用的钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
本发明的量子点发光二极管可减少量子点及其薄膜中的缺陷、提高量子点及其薄膜的发光效率，在一定程度上缓解电子过量的问题。在制备量子点发光二极管时，钝化剂同时含有阴阳离子，可以与量子点薄膜也即量子点发光层表面未配位的阳离子或阴离子悬空键键合，减少量子点的表面以及薄膜中的点、线缺陷。钝化剂在钝化量子点发光层后形成的绝缘层能够起到阻碍电子传输的作用，从而在一定程度上缓解电子过量的问题，可有效维护量子点发光层的发光稳定性，有助于提高量子点发光二极管的寿命。
本发明的量子点发光二极管制备方法中，钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种，钝化剂所含的甲基、辛基等短链基团能够置换量子点发光层表面的长链配体，使得量子点发光层更加紧致，有利于减少晶粒间界等线缺陷，同时也有利于提高量子点发光层的导电性。
附图说明
图1为本发明一实施例所述的量子点发光二极管侧面示意图；
图2本发明实施例3所述的量子点发光层钝化方法流程图；
图3本发明实施例3所述的量子点发光二极管的制备方法流程图；
图4本发明实施例5所述的量子点发光二极管的制备方法流程图；
图5本发明实施例6所述的量子点发光二极管的制备方法流程图；
图6本发明实施例7-10所述的量子点发光二极管的制备方法流程图；
图7本发明实施例11所述的量子点发光二极管的制备方法流程图。
附图标记说明
101：基板；102：阳极；103：空穴注入层；104：空穴传输层；105：量子点发光层；106：电子传输层；107：电子注入层；108：阴极。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，本所使用的“设在”可理解为正置时A层设置在B层上，也可理解为倒置时，B层设置在A层上，进一步地，当A层被称为“设在”B层时，它可以直接设在B层上或者也可以存在居中的层状结构。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例1
本实施例提供了一种量子点发光二极管，其包括阳极、量子点发光层、电子功能层以及阴极，量子点发光层设在所述阳极上，电子功能层设在量子点发光层上，阴极设在电子功能层上，量子点发光层朝向电子功能层的表面设有能够阻碍电子传输的绝缘层。绝缘层的厚度为2nm-10nm。在一些例子中，绝缘层的厚度为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或10nm。
量子点发光层105的材料选自II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、I-III-VI族化合物半导体、钙钛矿量子点材料中的一种或几种。其中，II-VI族化合物半导体例如CdSe、ZnCdS、ZnCdSeS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等。III-V族化合物半导体例如：InP、InP/ZnS等。I-III-VI族化合物半导体例如CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等。钙钛矿量子点材料例如CsPbM3(M＝Cl、Br、I)等。
在一些例子中，绝缘层包括硫酸镉物质、磷酸镉物质、硫酸铅物质、磷酸铅物质中的一种或多种。例如，绝缘层包括硫酸镉物质。又如，绝缘层包括硫酸镉物质和磷酸镉物质。
可以理解，绝缘层能够通过采用钝化剂对所述量子点发光层进行钝化处理而形成。其中，钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。后续实施例中将对绝缘层的形成进行进一步相关说明。
实施例2
参见图1所示，本实施例提供了一种量子点发光二极管，包括基板101、阳极102、空穴功能层、量子点发光层105、电子功能层以及阴极108。其中，空穴功能层包括空穴注入层103和/或空穴传输层104。电子功能层包括电子传输层106和/或电子注入层107。
阳极102设在基板101上，空穴功能层设在阳极102上。量子点发光层105设在空穴功能层上，电子功能层设在量子点发光层105上，阴极108设在电子功能层上。当空穴功能层包括空穴注入层103或空穴传输层104时，空穴注入层103或空穴传输层104设在阳极102上；当空穴功能层包括空穴注入层103和空穴传输层104时，空穴注入层103设在阳极102上，空穴传输层104设在空穴注入层103上。当电子功能层包括电子传输层106或电子注入层107时，电子传输层106或电子注入层107设在量子点发光层105上；当电子功能层包括电子传输层106和电子注入层107时，电子传输层106设在量子点发光层105上，电子注入层107设在电子传输层106上，阴极108设在电子注入层107上。量子点发光层105朝向电子传输层106的表面具有能够阻碍电子传输的绝缘层。绝缘层的厚度为2nm-10nm。绝缘层在附图1中未示出。
量子点发光层105的制备材料为II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、I-III-VI族化合物半导体、钙钛矿量子点材料。其中，II-VI族化合物半导体例如CdSe、ZnCdS、ZnCdSeS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等。III-V族化合物半导体例如：InP、InP/ZnS等。I-III-VI族化合物半导体例如CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等。钙钛矿量子点材料例如CsPbM3(M＝Cl、Br、I)等。
空穴注入层103的制备材料为PEDOT:PSS、WO3、MoO3、V2O5、HAT-CN。
空穴传输层104的制备材料可以是有机半导体材料，例如TAPC、NPB、NPD、TCTA、CBP等；也可以是无机半导体材料，例如NiO、Cu2O、CuSCN等。
电子传输层106的制备材料为n型金属氧化物，例如ZnO、ZnMgO、ZnAlO、TiO2等。
电子注入层107的制备材料可以是碱金属盐，例如：NaF、LiF、Cs2CO3等；可以是低功函数金属，例如：Mg、Ba、Yb等。
本发明的量子点发光二极管可减少量子点及其薄膜中的缺陷、提高量子点及其薄膜的发光效率，在一定程度上缓解电子过量的问题。在制备量子点发光二极管时，钝化剂同时含有阴阳离子，可以与量子点薄膜也即量子点发光层表面未配位的阳离子或阴离子悬空键键合，减少量子点的表面以及薄膜中的点、线缺陷。钝化剂在钝化量子点发光层后形成绝缘层，能够起到阻碍电子传输的作用，从而在一定程度上缓解电子过量的问题，可有效维护量子点发光层的发光稳定性，有助于提高量子点发光二极管的寿命。
实施例3
本实施例提供了一种量子点发光层钝化方法。参见图2所示，该量子点发光层钝化方法，包括如下步骤：
(1)形成量子点发光层，退火处理，退火处理的温度为80℃-120℃退火，退火时间10min-30min。
(2)在量子点发光层上覆盖钝化剂，钝化处理以形成绝缘层，钝化剂的浓度为1mmol/L-10mmol/L，钝化处理的时间为10s-60s。钝化剂在钝化量子点发光层后可以在其表面产生硫酸镉、磷酸镉、硫酸铅、磷酸铅等绝缘物质，该物质能够起到阻碍电子传输的作用，从而在一定程度上缓解电子过量的问题。钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
(3)清洗钝化处理后量子点发光层表面，退火处理，退火处理的温度为80℃-120℃退火，退火时间10min-20min。
实施例4
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图3所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
(1)制作阳极；阳极的厚度为50nm-60nm。
(2)在阳极上形成量子点发光层。
(3)根据实施例3所述的量子点发光层钝化方法对量子点发光层进行钝化处理以形成绝缘层。
(4)在钝化后的量子点发光层上形成电子功能层。
(5)在电子功能层上形成阴极。
本发明的量子点发光二极管制备方法中，钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种，钝化剂所含的甲基、辛基等短链基团能够置换量子点发光层表面的长链配体，使得量子点发光层更加紧致，有利于减少晶粒间界等线缺陷，同时也有利于提高量子点发光层的导电性。本发明的量子点发光二极管制备方法制备得到的产品应用范围广，可应用包括平板显示、固态照明等光电应用领域。
实施例5
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图4所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
(1)制作阳极,阳极的厚度为50nm-60nm。
(2)在阳极上沉积量子点发光层，量子点发光层的厚度为20nm-40nm。量子点发光层的制备材料为II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、I-III-VI族化合物半导体、钙钛矿量子点材料。其中，II-VI族化合物半导体例如CdSe、ZnCdS、ZnCdSeS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等。III-V族化合物半导体例如：InP、InP/ZnS等。I-III-VI族化合物半导体例如CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等。钙钛矿量子点材料例如CsPbM3(M＝Cl、Br、I)等。
(3)对量子点发光层退火处理，退火处理的温度为80℃-120℃退火，退火时间10min-30min。再在量子点发光层上覆盖钝化剂进行钝化处理以形成绝缘层，钝化处理后清除残留的钝化剂，退火处理，退火处理的温度为80℃-120℃退火，退火时间10min-20min；钝化剂的浓度为1mmol/L-10mmol/L，钝化处理的时间为10s-60s。钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
(4)在钝化后的量子点发光层上沉积电子传输层，电子传输层的厚度为40nm-60nm。电子传输层的制备材料为n型金属氧化物，例如ZnO、ZnMgO、ZnAlO、TiO2等。
(5)在电子传输层上沉积阴极，阴极的厚度为120nm-150nm。
实施例6
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图5所示，该量子点发光二极管的制备方法在实施例5的方法的基础上还包括如下步骤：在电子传输层上沉积电子注入层，电子注入层的厚度为1nm-2nm。电子注入层的制备材料可以是碱金属盐，例如：NaF、LiF、Cs2CO3等；可以是低功函数金属，例如：Mg、Ba、Yb等。在电子注入层上沉积阴极，阴极的厚度为120nm-150nm。
实施例7
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图6所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
(1)制作阳极,阳极的厚度为50nm-60nm。
(2)在阳极上沉积空穴注入层，空穴注入层的厚度为20nm-40nm。空穴注入层的制备材料为PEDOT:PSS、WO3、MoO3、V2O5、HAT-CN。
(3)在空穴注入层上沉积空穴传输层，空穴传输层的厚度为20nm-40nm。空穴传输层的制备材料可以是有机半导体材料，例如TAPC、NPB、NPD、TCTA、CBP等；也可以是无机半导体材料，例如NiO、Cu2O、CuSCN等。
(4)在空穴传输层上沉积量子点发光层，量子点发光层的厚度为20nm-40nm。量子点发光层的制备材料为II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、I-III-VI族化合物半导体、钙钛矿量子点材料。其中，II-VI族化合物半导体例如CdSe、ZnCdS、ZnCdSeS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等。III-V族化合物半导体例如：InP、InP/ZnS等。I-III-VI族化合物半导体例如CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等。钙钛矿量子点材料例如CsPbM3(M＝Cl、Br、I)等。
(5)对量子点发光层退火处理，退火处理的温度为80℃-120℃退火，退火时间10min-30min。再在量子点发光层上覆盖钝化剂进行钝化处理以形成绝缘层，钝化处理后清除残留的钝化剂，退火处理，退火处理的温度为80℃-120℃退火，退火时间10min-20min；钝化剂的浓度为1mmol/L-10mmol/L，钝化处理的时间为10s-60s。钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
(6)在钝化后的量子点发光层上沉积电子传输层，电子传输层的厚度为40nm-60nm。电子传输层的制备材料为n型金属氧化物，例如ZnO、ZnMgO、ZnAlO、TiO2等。
(7)在电子传输层上沉积阴极，阴极的厚度为120nm-150nm。
实施例8
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图6所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
(1)在基板上以透明导电薄膜ITO作为阳极,阳极的厚度为50nm。
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS形成空穴注入层，空穴注入层的厚度为30nm。
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB形成空穴传输层，空穴传输层的厚度为30nm。
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdSeS形成量子点发光层，量子点发光层的厚度为25nm。
(5)对量子点发光层退火处理，退火处理的温度为80℃，退火时间20min。再在量子点发光层上覆盖浓度为5mmol/L的钝化剂甲基硫酸铵·异丙醇溶液进行钝化处理30s，以形成绝缘层，钝化处理后清除残留的钝化剂，退火处理，退火处理的温度为120℃退火，退火时间10min。
(6)在钝化后的量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO形成电子传输层，电子传输层的厚度为50nm。
(7)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag作为阴极。阴极的厚度为100nm。
实施例9
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图6所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
(1)在基板上以透明导电薄膜ITO作为阳极,阳极的厚度为50nm。
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS形成空穴注入层，空穴注入层的厚度为30nm。
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积TFB形成空穴传输层，空穴传输层的厚度为30nm。
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CdSe/CdS形成量子点发光层，量子点发光层的厚度为25nm。
(5)对量子点发光层退火处理，退火处理的温度为120℃退火，退火时间10min。再在量子点发光层上覆盖浓度为5mmol/L的钝化剂辛基硫酸铵·异丙醇溶液进行钝化处理30s，以形成绝缘层，钝化处理后清除残留的钝化剂，退火处理，退火处理的温度为80℃退火，退火时间30min。
(6)在钝化后的量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO形成电子传输层，电子传输层的厚度为40nm。
(7)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag作为阴极。阴极的厚度为100nm。
实施例10
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图6所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
(1)在基板上以透明导电薄膜ITO作为阳极,阳极的厚度为50nm。
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS形成空穴注入层，空穴注入层的厚度为30nm。
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积Poly-TPD形成空穴传输层，空穴传输层的厚度为30nm。
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CsPbBr3形成量子点发光层，量子点发光层的厚度为40nm。
(5)对量子点发光层退火处理，退火处理的温度为100℃退火，退火时间20min。再在量子点发光层上覆盖浓度为5mmol/L的钝化剂辛基磷酸铵·异丙醇溶液进行钝化处理30s，以形成绝缘层，钝化处理后清除残留的钝化剂，退火处理，退火处理的温度为100℃退火，退火时间20min。
(6)在钝化后的量子点发光层上利用溶液法沉积TPBi形成电子传输层，电子传输层的厚度为40nm。
(7)在电子传输层上利用蒸镀法沉积LiF形成电子注入层，电子注入层的厚度为1nm。
(8)在电子注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阴极。阴极的厚度为120nm。
实施例11
本实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法。参见图7所示，该量子点发光二极管的制备方法包括如下步骤：
(1)在基板上以透明导电薄膜ITO作为阳极,阳极的厚度为60nm。
(2)在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS形成空穴注入层，空穴注入层的厚度为20nm。
(3)在空穴注入层上利用溶液法沉积Poly-TPD形成空穴传输层，空穴传输层的厚度为20nm。
(4)在空穴传输层上利用溶液法沉积CsPbI3形成量子点发光层，量子点发光层的厚度为20nm。
(5)对量子点发光层退火处理，退火处理的温度为100℃退火，退火时间20min。再在量子点发光层上覆盖浓度为10mmol/L的钝化剂甲基辛基磷酸铵·异丙醇溶液进行钝化处理10s，以形成绝缘层，钝化处理后清除残留的钝化剂，退火处理，退火处理的温度为120℃退火，退火时间10min。
(6)在钝化后的量子点发光层上利用溶液法沉积ZnO形成电子传输层，电子传输层的厚度为60nm。
(7)在电子传输层上利用蒸镀法沉积NaF形成电子注入层，电子注入层的厚度为2nm。
(8)在电子注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阴极。阴极的厚度为150nm。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阳极、量子点发光层、电子功能层以及阴极，所述量子点发光层设在所述阳极上，所述电子功能层设在所述量子点发光层上，所述阴极设在所述电子功能层上，所述量子点发光层朝向所述电子功能层的表面设有能够阻碍电子传输的绝缘层，所述绝缘层通过采用钝化剂对所述量子点发光层进行钝化处理而形成，所述绝缘层包括硫酸镉物质、磷酸镉物质、硫酸铅物质、磷酸铅物质中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层；
所述量子点发光层朝向所述电子传输层或所述电子注入层的表面设有所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括空穴功能层；所述空穴功能层设在所述阳极上，所述量子点发光层设在所述空穴功能层上。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为2nm-10nm。
6.一种量子点发光层钝化方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）形成量子点发光层，对所述量子点发光层进行退火处理；
（2）在所述量子点发光层上覆盖钝化剂，对所述量子点发光层进行钝化处理以形成绝缘层，绝缘层包括硫酸镉物质、磷酸镉物质、硫酸铅物质、磷酸铅物质中的一种或多种；
（3）清洗钝化处理后所述量子点发光层表面，对钝化后的所述量子点发光层进行退火处理。
7.根据权利要求6所述的量子点发光层钝化方法，其特征在于，所述钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）制作阳极；
（2）在所述阳极上形成量子点发光层；
（3）根据权利要求6或7所述的量子点发光层钝化方法对所述量子点发光层进行钝化处理以形成绝缘层；
（4）在钝化后的所述量子点发光层上形成电子功能层；
（5）在所述电子功能层上形成阴极。
9.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：在所述阳极上形成空穴功能层，在所述空穴功能层上形成所述量子点发光层。
10.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，形成所述电子功能层包括如下步骤：
在钝化后的所述量子点发光层上形成电子传输层和/或电子注入层。
11.根据权利要求8所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述钝化处理时使用的钝化剂为甲基硫酸铵、辛基硫酸铵、甲基辛基硫酸铵、甲基磷酸铵、辛基磷酸铵、甲基辛基磷酸铵中的一种或几种。
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