CN112331788B - 发光器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件及其制作方法，该发光器件包括基板以及设置在基板上的阳极层、发光层和阴极层，发光层设置在阳极层和阴极层之间，阳极层和发光层之间设置有层叠设置的空穴注入层、界面层以及空穴传输层。本发明通过在空穴注入层和空穴传输层之间的界面设置界面层，采用的界面层的HOMO能级至少比空穴传输层的HOMO能级大0.2eV，能够有效地减小空穴注入势垒，促进阳极至空穴传输层之间行成欧姆接触，从而提高了QLED的空穴注入能力，并降低了QLED的阻抗，提高了QLED的效率和寿命。

Description

发光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种发光器件及其制作方法。
背景技术
由于量子点独特的光电性质，如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。
经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进步。目前，已报道的红、绿、蓝三色QLED的外量子效率可以达到20％左右，接近理论极限。然而，QLED在寿命方面的进展却严重滞后于效率方面的突破，尤其是绿光QLED和蓝光QLED。其中一方面的原因在于量子点的价带顶能级相对于有机发光材料要大得多，一般在6eV～7eV之间，其中，绿光和蓝光量子点一般达到6.5eV～7eV。因此，从阳极至量子点发光层之间存在巨大的空穴注入势垒，导致电子空穴严重失衡、QLED阻抗增大等问题出现，这些都严重制约着QLED寿命的提高。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光器件及其制作方法，以提高QLED的空穴注入能力。
一种发光器件，包括基板以及设置在所述基板上的阴极层、发光层和阳极层；
所述发光层设置在所述阴极层和所述阳极层之间，所述阳极层和所述发光层之间设置有层叠设置的空穴注入层、界面层以及空穴传输层，且所述空穴注入层靠近所述阳极层设置，所述界面层的HOMO能级比所述空穴传输层的HOMO能级至少大0.2eV。
在其中一个实施例中，所述界面层的HOMO能级为5.5eV～9eV；和/或
所述界面层的HOMO能级比所述空穴传输层的HOMO能级大0.4eV～0.9eV。
在其中一个实施例中，NPB、α-NPD、TAPC、4P-NPD、TCTA、mCP、CBP、mCBP、CDBP、C60、PCBM、DPTPCz、DPEPO、4CzIPN、TPBi、TAZ、BCP、Bphen、TmPyTz、TmPyPb、B3PYMPM、3TPYMB、PO-T2T、Al2O3和SiO2中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材料为n型金属氧化物，所述空穴注入层的材料的功函数范围在5.5eV～8eV；或者，所述空穴注入层的材料为n型有机半导体，所述空穴注入层的材料的LUMO能级为5eV～8eV。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层的材料为n型金属氧化物，所述空穴注入层的材料选自MoO3、WO3和V2O5中的一种或多种；或者
所述空穴注入层的材料为n型有机半导体，所述空穴注入层的材料为HATCN。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的HOMO能级为5ev～6ev。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自2-TNATA、m-MTDATA、NPB、α-NPD、TAPC、4P-NPD、TCTA、mCP、CBP、mCBP和CDBP中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述界面层的厚度为0.5nm～10nm。
在其中一个实施例中，所述界面层为半导体，所述界面层的厚度为3nm～5nm；或者
所述界面层为绝缘体，所述界面层的厚度为1nm～2nm。
在其中一个实施例中，所述发光层包含量子点发光材料。
一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：
在基板上制作阳极层、发光层和阴极层，所述发光层形成于所述阳极层和所述阴极层之间；
所述制作方法还包括步骤：
制作空穴注入层、界面层以及空穴传输层，所述空穴注入层、所述界面层和所述空穴传输层形成于所述阳极层和所述发光层之间且层叠设置，所述空穴注入层形成于靠近所述阳极层的一侧，所述界面层的HOMO能级至少比所述空穴传输层的HOMO能级大0.2eV。
上述发光器件及其制作方法通过在空穴注入层和空穴传输层之间的界面设置界面层，采用的界面层的HOMO能级至少比空穴传输层的HOMO能级大0.2eV，能够有效地减小空穴注入势垒，促进阳极至空穴传输层之间行成欧姆接触，从而提高了QLED的空穴注入能力，并降低了QLED的阻抗，提高了QLED的效率和寿命。
附图说明
图1为一实施例的发光器件的结构示意图；
图2为一实施例的发光器件的能级结构图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，本发明一实施例的发光器件100包括基板110以及设置在基板110上的阴极层120、发光层130和阳极层140。
发光层130设置在阴极层120和阳极层140之间。阳极层140和发光层130之间设置有空穴注入层150、界面层160以及空穴传输层170。空穴注入层150、界面层160和空穴传输层170层叠设置，空穴注入层150设置在靠近阳极层140的一侧。本实施方式中，界面层160设置于空穴注入层150和空穴传输层170之间。
界面层160的HOMO能级比空穴传输层170的HOMO能级至少大0.2eV。
可以理解，界面层160的HOMO能级比空穴传输层170的HOMO能级可以大0.2eV、0.3eV、0.4eV、0.5eV、0.6eV、0.8eV、0.9eV、1eV或1.5eV等。这可根据情况进行设置。在一些例子中，界面层160的HOMO能级比空穴传输层170的HOMO能级大0.4eV～0.9eV。这样能够更有效地减小空穴注入势垒，并更能促进阳极至空穴传输层之间行成欧姆接触。
在其中一个示例中，发光层130包含量子点发光材料。
量子点发光材料可以是II-VI族化合物半导体，例如：ZnCdSeS、CdSe/ZnSe、CdSeS/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS等；可以是III-V族化合物半导体，例如：InP、InP/ZnS等；可以是I-III-VI族化合物半导体，例如：CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS等；可以是IV族单质半导体，如Si、C或石墨烯等；也可以是钙钛矿量子点等。
在其中一个示例中，空穴注入层150的材料为n型金属氧化物和/或为深LUMO能级n型有机半导体。其中，上述的n型金属氧化物的功函数为5.5eV～8eV的金属氧化物，例如MoO3(功函数为6.7eV)、WO3(功函数为6.7eV)和V2O5(功函数为7.0eV)中的一种或多种，即空穴注入层150的材料为高功函数n型金属氧化物。上述的n型有机半导体的LUMO能级为5eV～8eV的有机半导体，例如HATCN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲，LUMO能级为6.0eV)。即空穴注入层150的材料为深LUMO能级n型有机半导体。
高功函数n型金属氧化物和深LUMO能级n型有机半导体与有机空穴传输层170接触时仍会有0.3～0.4eV的空穴势垒存在，无法形成完全的欧姆接触。因此，本发明通过设置界面层160降低该界面的空穴势垒，促进形成欧姆接触，对于提高QLED空穴注入以及降低QLED阻抗意义重大。
在其中一个示例中，界面层160的HOMO能级为5.5eV～9eV。例如，界面层的HOMO能级为5.5eV、6ev、7ev或8ev。
可选地，界面层160可以是半导体，也可以是绝缘体。在其中一个示例中，界面层160的材料选自NPB(N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二(苯基)联苯胺，HOMO能级为5.5eV)、α-NPD(2,2'-二甲基-N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基[1,1'-联苯]-4,4'-二胺，HOMO能级为5.5eV)、TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]，HOMO能级为5.5eV)、4P-NPD(双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]四联苯，HOMO能级为5.7eV)、TCTA(三(4-咔唑-9-基苯基)胺，HOMO能级为5.8eV)、mCP(1,3-二咔唑-9-基苯，HOMO能级为5.9eV)、CBP(4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯，HOMO能级为6.0eV)、mCBP(3,3'-二(9H-咔唑-9-基)-1,1'-联吡啶，HOMO能级为6.0eV)、CDBP(4,4'-双(9H-咔唑-9-基)-2,2'-二甲基联苯，HOMO能级为6.1eV)、C60(HOMO能级为6.1eV)、PCBM([6,6]-苯基C61丁酸甲酯，HOMO能级为6.1eV)、DPTPCz(3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-9-苯基-9H-咔唑，HOMO能级为6.1eV)、DPEPO(双(2-二苯基磷苯基)醚，HOMO能级为6.1eV)、4CzIPN(2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)间苯二氰，HOMO能级为6.1eV)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，HOMO能级为6.2eV)、TAZ(3-(二苯基-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑，HOMO能级为6.3eV)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉，HOMO能级为6.4eV)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲罗啉，HOMO能级为6.4eV)、TmPyTz(2,4,6-三(3-(吡啶基)苯基)-1,3,5-三嗪，HOMO能级为6.6eV)、TmPyPb(3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶，HOMO能级为6.8eV)、B3PYMPM(4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶，HOMO能级为6.8eV)、3TPYMB(三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷，HOMO能级为6.8eV)、PO-T2T(2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑，HOMO能级为7.5eV)、Al2O3(HOMO能级大于7.0eV)、SiO2(HOMO能级为大于7.0eV)中的一种或多种。
在其中一个示例中，界面层160厚度为0.5nm～10nm。对于半导体材质的界面层160，其厚度优选3nm～5nm。对于绝缘体材质的界面层160，其厚度优选1nm～2nm。
在其中一个示例中，空穴传输层170的HOMO能级为5eV～6eV。
空穴传输层170的材料为2-TNATA(4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯，HOMO能级为5.1eV)、m-MTDATA(4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺，HOMO能级为5.1eV)、NPB(N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二(苯基)联苯胺，HOMO能级为5.5eV)、α-NPD(2,2'-二甲基-N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基[1,1'-联苯]-4,4'-二胺，HOMO能级为5.5eV)、TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]，HOMO能级为5.5eV)、4P-NPD(双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]四联苯，HOMO能级为5.7eV)、TCTA(三(4-咔唑-9-基苯基)胺，HOMO能级为5.8eV)、mCP(1,3-二咔唑-9-基苯，HOMO能级为5.9eV)、CBP(4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯，HOMO能级为6.0eV)、mCBP(3,3'-二(9H-咔唑-9-基)-1,1'-联吡啶，HOMO能级为6.0eV)、CDBP(4,4'-双(9H-咔唑-9-基)-2,2'-二甲基联苯，HOMO能级为6.1eV)。括号内是该物质的HOMO能级。
在其中一个示例中，阴极层120与发光层130之间还设置有电子传输层和电子注入层中的至少一层。当电子传输层为有机电子传输层时，一般需要设置电子注入层。
电子传输材料可以是无机半导体，例如：ZnO、ZnAlO、ZnMgO、TiO2、SnO2等；也可以是有机半导体，例如：TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TAZ(3-(二苯基-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲罗啉)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TmPyTz(2,4,6-三(3-(吡啶基)苯基)-1,3,5-三嗪)、TmPyPb(3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶)、B3PYMPM(4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶)、3TPYMB(三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷)、PO-T2T(2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑)等。
电子注入材料可以是碱金属盐，例如：LiF、NaF、CsF、Cs2CO3等；也可以是低功函数金属，例如：Mg、Yb、Ba等。
图1所示示例的发光器件100为倒置结构，其包括依次层叠设置的基板110、阴极层120、电子传输层180、发光层130、空穴传输层170、界面层160、空穴注入层150以及阳极层140。此外，发光器件也可以是正置结构，包括依次层叠设置的基板、阳极层、空穴注入层、界面层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极层。
图2为一实施例的发光器件的能级结构图。其中，201是阴极层的能级，202是电子传输层的能级，203是量子点发光层的能级，204空穴传输层的能级，205是界面层的能级，206是空穴注入层的能级，207是阳极层的能级。本发明通过设置界面层160降低该界面的空穴势垒，促进形成欧姆接触。
进一步地，本发明还提供一种发光器件100的制作方法，包括以下步骤：
在基板110上制作阳极层140、发光层130和阴极层120，发光层130形成于阳极层140和阴极层120之间；
制作方法还包括步骤：
制作空穴注入层150、界面层160以及空穴传输层170，空穴注入层150、界面层160和空穴传输层170形成于阳极层140和发光层130之间且依次层叠设置，空穴注入层150位于靠近阳极层140的一侧，界面层160的HOMO能级至少比空穴传输层170的HOMO能级大0.2eV。
上述发光器件100及其制作方法通过在空穴注入层150和空穴传输层170之间的界面设置界面层160，界面层160的HOMO能级至少比空穴传输层170的HOMO能级大0.2eV，有效地减小了空穴注入势垒，促进了阳极至空穴传输层170之间行成欧姆接触，从而提高了QLED的空穴注入能力，并降低了QLED的阻抗，提高了QLED的效率和寿命。
以下以提供具体的实施例对本发明的发光器件作进一步说明。
实施例1
本实施例的发光器件的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnAlO为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为40nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积CDBP作为界面层，厚度为5nm；
(6)在界面层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例2
本实施例的发光器件的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnAlO为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为40nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积Bphen作为界面层，厚度为4nm；
(6)在界面层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例3
本实施例的发光器件的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnAlO为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为40nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积TmPyPb作为界面层，厚度为5nm；
(6)在界面层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例4
本实施例的发光器件的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnAlO为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积CDBP作为空穴传输层，厚度为40nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积Bphen作为界面层，厚度为4nm；
(6)在界面层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
实施例5
本实施例的发光器件的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnAlO为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积CDBP作为空穴传输层，厚度为40nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积TmPyPb作为界面层，厚度为5nm；
(6)在界面层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
对比例1
本对比例的发光器件的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnAlO为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积TCTA作为空穴传输层，厚度为40nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(6)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
对比例2
本对比例的发光器件的制作方法包括以下步骤：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上利用溶液法沉积ZnAlO为电子传输层，厚度为50nm；
(3)在电子传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS作为量子点发光层，厚度为25nm；
(4)在量子点发光层上利用蒸镀法沉积CDBP作为空穴传输层，厚度为40nm；
(5)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(7)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积Al作为阳极，厚度为120nm。
表1
表1中，Vturn-on表示QLED的开启电压，其值越小，一般能够表明器件的载流子注入越容易；
Max.EQE是QLED的最大外量子效率，表示器件电光转换效率；
T50@1000cd/m2是表征QLED寿命的参数，它表示：器件以1000cd/m2为初始亮度持续点亮，直至亮度衰减至初始亮度的50％时所经历的时间。
从表1中结果可见，相比对比例1～2，实施例1～5的器件的开启电压Vturn-on明显下降，最大外量子效率Max.EQE以及器件寿命均明显上升。
表2给出了一些空穴注入层/空穴传输层以及空穴注入层/界面层/空穴传输层样品的UPS测试数据，表中的HOMO Onset表示空穴传输层的HOMO能级距离空穴注入层费米能级的相对位置。
表2
从表2结果可以看出：在空穴注入层和空穴传输层之间嵌入具有更大HOMO能级的界面层之后，空穴传输层的HOMO能级距离空穴注入层的费米能级之间的能量差明显减小了，从而有助于形成空穴的欧姆接触，提高空穴注入能力。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括基板以及设置在所述基板上的阴极层、发光层和阳极层；
所述发光层设置在所述阴极层和所述阳极层之间，所述阳极层和所述发光层之间设置有层叠设置的空穴注入层、界面层以及空穴传输层，且所述空穴注入层靠近所述阳极层设置，所述阳极层为铝；所述界面层的HOMO能级比所述空穴传输层的HOMO能级至少大0.2eV；所述界面层的HOMO能级为5.5eV～9eV；所述界面层的材料选自NPB、α-NPD、TAPC、4P-NPD、TCTA、mCP、CBP、mCBP、CDBP、C60、PCBM、DPTPCz、DPEPO、4CzIPN、TPBi、TAZ、BCP、Bphen、TmPyTz、TmPyPb、B3PYMPM、3TPYMB、PO-T2T、Al2O3和SiO2中的一种或多种；所述空穴传输层的HOMO能级为5eV～6eV；所述空穴注入层的材料为n型金属氧化物，所述空穴注入层的材料的功函数范围在5.5eV～8eV；或者，所述空穴注入层的材料为n型有机半导体，所述空穴注入层的材料的LUMO能级为5eV～8eV。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述界面层的HOMO能级比所述空穴传输层的HOMO能级大0.4eV～0.9eV。
3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为n型金属氧化物，所述空穴注入层的材料选自MoO3、WO3和V2O5中的一种或多种；或者
所述空穴注入层的材料为n型有机半导体，所述空穴注入层的材料为HATCN。
4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自2-TNATA、m-MTDATA、NPB、α-NPD、TAPC、4P-NPD、TCTA、mCP、CBP、mCBP和CDBP中的一种或多种。
5.如权利要求1～3、4中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述界面层的厚度为0.5nm～10nm。
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述界面层为半导体，所述界面层的厚度为3nm～5nm；或者
所述界面层为绝缘体，所述界面层的厚度为1nm～2nm。
7.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阴极层与所述发光层之间还设置有电子传输层和电子注入层中的至少一层。
8.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层材料为无机半导体或有机半导体；和/或
所述电子注入层材料为碱金属盐。
9.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为倒置结构，包括依次层叠设置的基板、阴极层、电子传输层、发光层、空穴传输层、界面层、空穴注入层以及阳极层；或
所述发光器件为正置结构，包括依次层叠设置的基板、阳极层、空穴注入层、界面层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极层。
10.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上制作阳极层、发光层和阴极层，所述发光层形成于所述阳极层和所述阴极层之间；
所述制作方法还包括步骤：
制作空穴注入层、界面层以及空穴传输层，所述空穴注入层、所述界面层和所述空穴传输层形成于所述阳极层和所述发光层之间且层叠设置，所述空穴注入层形成于靠近所述阳极层的一侧，所述阳极层为铝；所述界面层的HOMO能级至少比所述空穴传输层的HOMO能级大0.2eV；所述界面层的HOMO能级为5.5eV～9eV；所述界面层的材料选自NPB、α-NPD、TAPC、4P-NPD、TCTA、mCP、CBP、mCBP、CDBP、C60、PCBM、DPTPCz、DPEPO、4CzIPN、TPBi、TAZ、BCP、Bphen、TmPyTz、TmPyPb、B3PYMPM、3TPYMB、PO-T2T、Al2O3和SiO2中的一种或多种；所述空穴传输层的HOMO能级为5eV～6eV；所述空穴注入层的材料为n型金属氧化物，所述空穴注入层的材料的功函数范围在5.5eV～8eV；或者，所述空穴注入层的材料为n型有机半导体，所述空穴注入层的材料的LUMO能级为5eV～8eV。
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