CN104934544A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；电子阻挡层的材料为有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物；空穴阻挡层的材料为铼化合物与磷光材料的混合物。有机硅小分子能级较宽，LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边，而酞菁类金属化合物属于结晶性化合物，结晶后链段可对光产生散射，提高出光效率；铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合，磷光材料发光性能较好，光色稳定；电子阻挡层和空穴阻挡层可有效提高发光效率。本发明还公开了上述有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

在传统的有机电致发光领域中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因而极易造成激子复合几率的低下，并且使其复合的区域不在发光区域，从而导致发光效率降低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述电子阻挡层的材料为质量比为3～5：1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒；

所述空穴阻挡层的材料为质量比为10～30：1的铼化合物与磷光材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱。

在一个实施例中，所述电子阻挡层的厚度为10nm～30nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～30nm。

在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。

在一个实施例中，所述空穴传输层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

在一个实施例中，所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm。

在一个实施例中，所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～250nm。

在一个实施例中，所述电子注入层为氟化锂、氟化铯、碳酸铯或叠氮铯，所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。

在一个实施例中，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm～300nm；

所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au，所述阴极的厚度为80nm～250nm。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

对基底进行表面预处理；

在所述基底上磁控溅射制备阳极；

在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，所述电子阻挡层的材料为质量比为3～5：1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒，所述空穴阻挡层的材料为质量比为10～30：1的铼化合物与磷光材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；以及

在所述电子注入层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。

在一个实施例中，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²；

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。

这种有机电致发光器件的电子阻挡层由有机硅小分子与酞菁金属化合物掺杂组成，有机硅小分子能级较宽，其LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，同时，有机硅小分子本身是一种空穴传输材料，可提高空穴传输速率，而酞菁类金属化合物属于结晶性化合物，结晶后链段可对光产生散射，提高出光效率，空穴阻挡层由铼化合物与磷光发光材料组成，铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，同时，铼化合物熔点较低，因此极易蒸镀，成膜性较好，可减少载流子陷阱的存在，提高激子的复合几率，磷光材料发光性能较好，光色稳定，可有效提高发光效率。

相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；

图3为实施例1制备得到的有机电致发光器件与普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

如图1所示的一实施方式的有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：基底10、阳极15、空穴注入层20、空穴传输层25、电子阻挡层30、发光层35、空穴阻挡层40、电子传输层45、电子注入层50和阴极55。

基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。

阳极15可以为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO），阳极15的厚度为50nm～300nm。在一个较优的实施例中，阳极15为铟锡氧化物薄膜（ITO），阳极15的厚度为110nm。

空穴注入层20的材料可以为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。空穴注入层20的厚度可以为20nm～80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层20的材料为三氧化钼（MoO₃），空穴注入层20的厚度为35nm。

空穴传输层25的材料可以为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），空穴传输层25的厚度可以为20nm～60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层25的材料为NPB，空穴传输层25的材料为48nm。

电子阻挡层30的材料为质量比为3～5：1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物。

有机硅小分子可以为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）。上述有机硅小分子能隙宽，有较高的HOMO和LUMO能级，可阻挡电子，酞菁类化合物容易蒸镀，易结晶，可提高出光效率。

酞菁类金属化合物可以为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）或酞菁钒（VPc）。

上述有机硅小分子能隙宽，有较高的HOMO和LUMO能级，可阻挡电子，上述酞菁类化合物容易蒸镀，易结晶，可提高出光效率。

电子阻挡层30的厚度为10nm～30nm。

发光层35的材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），发光层35的厚度可以为5nm～40nm。在一个较优的实施例中，发光层35的材料为Alq₃，发光层35的厚度为19nm。

空穴阻挡层40的材料为质量比为10～30：1的铼化合物与磷光材料的混合物。

铼化合物可以为七氧化二铼（Re₂O₇）、二氧化铼（ReO₂）、三氧化二铼（Re₂O₃）或三氧化铼（ReO₃）。

磷光材料可以为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)。

上述铼化合物容易蒸镀，上述磷光材料具有电子跃迁现象，可补充光色，提高发光强度。

空穴阻挡层40的厚度为5nm～30nm。

空穴阻挡层40中，磷光材料的选择与发光层35选择的发光材料的相匹配，即：发光层35选择蓝光发光材料时，磷光材料对应选择蓝光磷光材料；发光层35选择绿光发光材料时，磷光材料对应选择绿光磷光材料。

电子传输层45的材料可以为电子传输材料。电子传输层45的厚度可以为40nm～250nm。电子传输层材料可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI）。在一个较优的实施例中，电子传输层45的材料为TPBI，电子传输层45的厚度为125nm。

电子注入层50的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs₂CO₃）或叠氮铯（CsN3）。电子注入层50的厚度为0.5nm～10nm。在一个较优的实施例中，电子注入层50的材料为Cs₂CO₃，电子注入层50的厚度为2nm。

阴极55的材料为Ag、Al、Pt或Au，阴极55的厚度为80nm～250nm。在一个较优的实施例中，阴极55的材料为Ag，阴极55的厚度为120nm。

这种有机电致发光器件的电子阻挡层30由有机硅小分子与酞菁金属化合物掺杂组成，有机硅小分子能级较宽，其LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，同时，有机硅小分子本身是一种空穴传输材料，可提高空穴传输速率，而酞菁类金属化合物属于结晶性化合物，结晶后链段可对光产生散射，提高出光效率，空穴阻挡层40由铼化合物与磷光发光材料组成，铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极55一端与电子发生复合而发生淬灭，同时，铼化合物熔点较低，因此极易蒸镀，成膜性较好，可减少载流子陷阱的存在，提高激子的复合几率，磷光材料发光性能较好，光色稳定，可有效提高发光效率。

相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。

如图2所示的上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

S10、对基底10进行表面预处理。

基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。

表面预处理的过程具体为：将基底10用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

S20、在基底10上磁控溅射制备阳极15。

阳极15可以为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO），阳极15的厚度为50nm～300nm。在一个较优的实施例中，阳极15为铟锡氧化物薄膜（ITO），阳极15的厚度为110nm。

磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。

S30、在阳极15上依次蒸镀形成空穴注入层20、空穴传输层25、电子阻挡层30、发光层35、空穴阻挡层40、电子传输层45和电子注入层50。

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。

空穴注入层20的材料可以为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。空穴注入层20的厚度可以为20nm～80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层20的材料为三氧化钼（MoO₃），空穴注入层20的厚度为35nm。

空穴传输层25的材料可以为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），空穴传输层25的厚度可以为20nm～60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层25的材料为NPB，空穴传输层25的材料为48nm。

电子阻挡层30的材料为质量比为3～5：1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物。

有机硅小分子可以为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）。

酞菁类金属化合物可以为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）或酞菁钒（VPc）。

电子阻挡层30的厚度为10nm～30nm。

发光层35的材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），发光层35的厚度可以为5nm～40nm。在一个较优的实施例中，发光层35的材料为Alq₃，发光层35的厚度为19nm。

空穴阻挡层40的材料为质量比为10～30：1的铼化合物与磷光材料的混合物。

铼化合物可以为七氧化二铼（Re₂O₇）、二氧化铼（ReO₂）、三氧化二铼（Re₂O₃）或三氧化铼（ReO₃）。

磷光材料可以为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)。

空穴阻挡层40的厚度为5nm～30nm。

空穴阻挡层40中，磷光材料的选择与发光层35选择的发光材料的相匹配，即：发光层35选择蓝光发光材料时，磷光材料对应选择蓝光磷光材料；发光层35选择绿光发光材料时，磷光材料对应选择绿光磷光材料。

电子传输层45的材料可以为电子传输材料。电子传输层45的厚度可以为40nm～250nm。电子传输层材料可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI）。在一个较优的实施例中，电子传输层45的材料为TPBI，电子传输层45的厚度为125nm。

电子注入层50的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs₂CO₃）或叠氮铯（CsN3）。电子注入层50的厚度为0.5nm～10nm。在一个较优的实施例中，电子注入层50的材料为Cs₂CO₃，电子注入层50的厚度为2nm。

S40、在电子注入层50上蒸镀形成阴极55，得到有机电致发光器件。

阴极55的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

阴极55的材料为Ag、Al、Pt或Au，阴极55的厚度为80nm～250nm。在一个较优的实施例中，阴极55的材料为Ag，阴极55的厚度为120nm。

这种有机电致发光器件的制备方法步骤简单，简便易行，制备得到的有机电致发光器件发光效率较高。

以下为具体实施例，实施例中使用的测试与制备设备包括：沈阳科学仪器研制中心有限公司的高真空镀膜系统（蒸镀），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪（测试电致发光光谱），美国吉时利公司的Keithley2400（测试电学性能），日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计（测试亮度和色度）。其中，“/”代表层叠，“：”代表混合。

实施例1

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/MoO₃/NPB/UGH2：CuPc/Alq₃/Re₂O₇:(Ir(ppy)₃/TPBI/Cs₂CO₃/Ag。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为110nm。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm²。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为MoO₃，厚度为35nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为48nm。电子阻挡层的材料为质量比为3.2:1的UGH2和CuPc的混合物，厚度为18nm。发光层的材料为Alq₃，厚度为19nm。空穴阻挡层的材料为质量比为14：1的Re₂O₇和Ir(ppy)₃的混合物，厚度为16nm。电子传输层的材料为TPBI，厚度为125nm。电子注入层的材料为Cs₂CO₃，厚度为2nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为2nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Ag，厚度为120nm。

如图3所示的实施例1制备的有机电致发光器件和普通结构的有机电致发光器件（普通玻璃/ITO/MoO₃/NPB/Alq₃/TPBI/Cs₂CO₃/Ag）的亮度与流明效率的关系图。

曲线1为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系曲线，曲线2为普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

由图3可以看出，在相同亮度下，实施例1制备的有机电致发光器件的流明效率显著高于普通结构的有机电致发光器件的流明效率。实施例1制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为4.80lm/W，而普通结构的有机电致发光器件的最大流明效率仅为2.58lm/W，而且普通结构的有机电致发光器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例1制备的有机电致发光器件的电子阻挡层和空穴阻挡层有效阻挡电子穿越到空穴，提高空穴传输速率，提高出光效率，阻挡空穴穿越到阴极，有效提高发光效率。

实施例2

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/V₂O₅/NPB/UGH1：ZnPc/BCzVBi/ReO₂：FIrpi/TAZ/LiF/Pt。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为300nm。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm²。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为20nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为50nm。电子阻挡层的材料为质量比为5:1的UGH1和ZnPc的混合物，厚度为10nm。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。空穴阻挡层的材料为质量比为10：1的ReO₂和FIrpic的混合物，厚度为30nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为70nm。电子注入层的材料为LiF，厚度为1nm。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Pt，厚度为80nm。

实施例3

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/IZO/WO₃/TAPC/UGH3：MgPc/ADN/Re₂O₃：Ir(MDQ)₂(acac)/Bphen/CsF/Au。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO，厚度为150nm。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm²。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为55nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为3:1的UGH3和MgPc的混合物，厚度为30nm。发光层的材料为ADN，厚度为5nm。空穴阻挡层的材料为质量比为30：1的Re₂O₃和Ir(MDQ)₂(acac)的混合物，厚度为5nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm。电子注入层的材料为CsF，厚度为10nm。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Au，厚度为250nm。

实施例4

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/V₂O₅/TCTA/UGH4：VPc/DCJTB/ReO₃：Ir(piq)₃/TPBi/CsN₃/Al。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为50nm。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm²。

在工作压强为2×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为80nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为3.5:1的UGH4和VPc的混合物，厚度为15nm。发光层的材料为DCJTB，厚度为8nm。空穴阻挡层的材料为质量比为25：1的ReO₃和Ir(piq)₃的混合物，厚度为10nm。电子传输层的材料为TPBi，厚度为250nm。电子注入层的材料为CsN₃，厚度为0.5nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Al，厚度为140nm。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述电子阻挡层的材料为质量比为3～5：1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒；

所述空穴阻挡层的材料为质量比为10～30：1的铼化合物与磷光材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为10nm～30nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～30nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～250nm。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层为氟化锂、氟化铯、碳酸铯或叠氮铯，所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm～300nm；

所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au，所述阴极的厚度为80nm～250nm。

9.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对基底进行表面预处理；

在所述基底上磁控溅射制备阳极；

在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，所述电子阻挡层的材料为质量比为3～5：1的有机硅小分子与酞菁类金属化合物的混合物，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒，所述空穴阻挡层的材料为质量比为10～30：1的铼化合物与磷光材料的混合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；以及

在所述电子注入层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²；

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。