CN104934543A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；电子阻挡层的材料为小分子化合物和空穴传输材料的混合物，小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子。空穴传输材料可提高空穴的传输，提高了电子阻挡层的空穴传输速率；锌化合物和铯盐功函数较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边；噻吩小分子性质稳定，链段规整，可提高空穴的传输速率；有机硅小分子能级较宽，LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边；从而有利于提高发光效率。本发明还公开了上述有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

在传统的有机电致发光领域中，电子传输速率都要比空穴传输速率低两三个数量级，因而极易造成激子复合几率的低下，并且使其复合的区域不在发光区域，从而导致发光效率降低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件，在一个实施例中包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述电子阻挡层的材料为小分子化合物和空穴传输材料的混合物，所述小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子，所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯或叠氮铯，所述噻吩小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯。

在一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为0.05～0.2：1的所述锌化合物和所述铯盐之一与所述空穴传输材料的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

在一个实施例中，所述空穴阻挡层的材料为铼化合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼；

所述电子阻挡层的厚度为10nm～50nm，所述空穴阻挡层的厚度为1nm～15nm。

在一个实施例中，所述空穴阻挡层的材料为质量比为5～10：1的空穴掺杂客体材料和磷光材料的混合物，所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；

所述电子阻挡层的厚度为2nm～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～20nm。

在一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为1：5～15的所述噻吩小分子和所述空穴传输材料的混合物，所述空穴传输材料为N,N,N',N’-(四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷；

所述空穴阻挡层的材料为质量比为15～40：1的酞菁类金属化合物和磷光材料的混合物，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒，所述磷光材料双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；

所述电子阻挡层的厚度为5nm～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～15nm。

在一个实施例中，所述电子阻挡层的材料为质量比为1～3：1的所述有机硅小分子和所述空穴传输材料的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；

所述空穴阻挡层的材料为质量比为3～5：1的酞菁类金属化合物和铍配合物的混合物，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒，所述铍配合物为吩基吡啶铍、10-羟基苯并喹啉铍、8-羟基喹啉铍或2-甲基-8-羟基喹啉铍；

所述电子阻挡层的厚度为10nm～40nm，所述空穴阻挡层的厚度为10nm～50nm。

在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm；

所述空穴传输层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm；

所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm；

所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～250nm；

所述电子注入层为氟化锂、氟化铯、碳酸铯或叠氮铯，所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。

在一个实施例中，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm～300nm；

所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au，所述阴极的厚度为80nm～250nm。

一种如上所述的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

对基底进行表面预处理；

在所述基底上磁控溅射制备阳极；

在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，所述电子阻挡层的材料为小分子化合物与空穴传输材料的混合物，所述小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子，所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯或叠氮铯，所述噻吩小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；以及

在所述电子注入层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。

在一个实施例中，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²；

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。

这种有机电致发光器件的电子阻挡层由小分子化合物与空穴传输材料组成，空穴传输材料可提高空穴的传输，提高了电子阻挡层的空穴传输速率；小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子；锌化合物能带较宽，功函数较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变；铯盐功函数较高，与发光层及空穴传输层的LUMO能级之间形成的势垒较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，且铯盐蒸发温度较低，可降低加工难度，而掺杂了空穴传输材料后，可有效提高空穴的传输，从而提高激子复合几率；噻吩小分子性质稳定，链段规整，可提高空穴的传输速率；有机硅小分子能级较宽，LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变；从而有利于提高发光效率。

相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。

附图说明

图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；

图3为实施例1制备得到的有机电致发光器件与普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；

图4为实施例5制备得到的有机电致发光器件与普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；

图5为实施例9制备得到的有机电致发光器件与普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；

图6为实施例13制备得到的有机电致发光器件与普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

如图1所示的一实施方式的有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：基底10、阳极15、空穴注入层20、空穴传输层25、电子阻挡层30、发光层35、空穴阻挡层40、电子传输层45、电子注入层50和阴极55。

基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。

阳极15可以为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO），阳极15的厚度为50nm～300nm。在一个较优的实施例中，阳极15为铟锡氧化物薄膜（ITO），阳极15的厚度为110nm。

空穴注入层20的材料可以为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。空穴注入层20的厚度可以为20nm～80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层20的材料为三氧化钼（MoO₃），空穴注入层20的厚度为34nm。

空穴传输层25的材料可以为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），空穴传输层25的厚度可以为20nm～60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层25的材料为NPB，空穴传输层25的材料为57nm。

电子阻挡层30的材料为小分子化合物和空穴传输材料的混合物。

小分子化合物可以为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子。

锌化合物为市售的氧化锌（ZnO）、氯化锌（ZnCl₂）或硫化锌（ZnS）。

铯盐为氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs₂CO₃）、氯化铯（CsCl）或叠氮铯（CsN₃）。

噻吩类化合物为3-己基噻吩（3HT）、3-甲基噻吩（3AT）、3-辛基噻吩（3OT）或3-十二烷基噻吩（3DDT）。

有机硅小分子可以为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）。

发光层35的材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），发光层35的厚度可以为5nm～40nm。在一个较优的实施例中，发光层35的材料为Alq₃，发光层35的厚度为29nm。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为0.05～0.2：1的锌化合物和铯盐之一与空穴传输材料的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。空穴阻挡层40的材料为铼化合物，铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼。电子阻挡层30的厚度为10nm～50nm。空穴阻挡层40的厚度为1nm～15nm。电子阻挡层30中，锌化合物能带较宽，其功函数较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，而空穴传输材料可提高空穴的传输，提高了电子阻挡层30的空穴传输速率。空穴阻挡层40中，铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，同时，铼化合物熔点较低，因此极易蒸镀，成膜性较好，可减少载流子陷阱的存在，提高激子的复合几率，有利于提高发光效率。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为0.05～0.2：1的锌化合物和铯盐之一与空穴传输材料的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。空穴阻挡层40的材料为质量比为5～10：1的空穴掺杂客体材料与磷光材料的混合物。空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）。磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)。电子阻挡层30的厚度为2nm～20nm。空穴阻挡层40的厚度为5nm～20nm。电子阻挡层30中，铯盐功函数较高，与发光层35及空穴传输层25的LUMO能级之间形成的势垒较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，且铯盐蒸发温度较低，可降低加工难度，而掺杂了空穴传输材料后，可有效提高空穴的传输，从而提高激子复合几率，而在发光层的上方，制备空穴阻挡层，由空穴掺杂客体材料与磷光材料组成。空穴阻挡层40中，空穴掺杂客体材料的HOMO能级很低（约-7.5eV），与一般的有机材料的HOMO能级（一般为-6.0eV）形成了较大的空穴注入能量势垒，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，磷光材料掺杂后，使空穴阻挡层40与发光层35的能级降到了最低（发光材料的能级差别不大），这可使激子的复合区域控制在发光层与掺杂层的边缘，使光色稳定，提高色纯度，提高发光效率。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为1：5～15的噻吩小分子和空穴传输材料的混合物。本实施例中，空穴传输材料的LUMO能级小于-2.0eV，可以为N,N,N',N’-(四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD，LUMO能级为-1.9eV），4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA，LUMO能级为-1.9eV）或1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC，LUMO能级为-1.9eV）。空穴阻挡层40的材料为质量比为5～10：1的空穴掺杂客体材料与磷光材料的混合物。空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）。磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)。电子阻挡层30的厚度为5nm～20nm。空穴阻挡层40的厚度为5nm～15nm。电子阻挡层30中，空穴传输材料的LUMO能级小于-2.0eV，而一般的发光材料的LUMO能级为-2.3eV，选用小于-2.0eV的空穴传输材料，可有效提高发光层35与电子阻挡层30的电子注入势垒，从而有效阻挡电子的穿越，而噻吩小分子性质稳定，链段规整，可提高空穴的传输速率。空穴阻挡层40中，酞菁类金属化合物属于结晶性化合物，结晶后链段可对光产生散射，经过散射出射的光，可提高光的均匀性，磷光材料掺杂后，可使空穴阻挡层40具备发光性能，磷光材料的发光性能较好，光色稳定，有利于提高发光效率。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为1～3：1的有机硅小分子与空穴传输材料的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。空穴阻挡层40的材料为质量比为3～5：1的酞菁类金属化合物与铍配合物的混合物。酞菁类金属化合物为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）或酞菁钒（VPc）。铍配合物为吩基吡啶铍(Bepp₂)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq₂)、8-羟基喹啉铍（BeqQ₂）或2-甲基-8-羟基喹啉铍（BeMQ₂）。电子阻挡层30的厚度为10nm～40nm。空穴阻挡层40的厚度为10nm～50nm。电子阻挡层30中，有机硅小分子能级较宽，LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，空穴传输材料提高空穴的传输速率。空穴阻挡层40中，酞菁类金属化合物易结晶，结晶后链段可对光产生散射，提高出光效率；铍配合物的电子传输速率较高，可提高电子传输性能，铍配合物的HOMO能级较低，使得空穴阻挡层40与发光层35的HOMO能级形成较大的空穴势垒，阻挡空穴的穿越，限制了空穴与电子的发光层复合发光，提高发光效率。

特别需要指出的是，当空穴阻挡层40中含有磷光材料时，磷光材料的选择与发光层35选择的发光材料的相匹配，即：发光层35选择蓝光发光材料时，磷光材料对应选择蓝光磷光材料；发光层35选择绿光发光材料时，磷光材料对应选择绿光磷光材料。

电子传输层45的材料可以为电子传输材料。电子传输层45的厚度可以为40nm～250nm。电子传输层材料可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBi）。在一个较优的实施例中，电子传输层45的材料为TPBi，电子传输层45的厚度为125nm。

电子注入层50的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs₂CO₃）或叠氮铯（CsN3）。电子注入层50的厚度为0.5nm～10nm。在一个较优的实施例中，电子注入层50的材料为Cs₂CO₃，电子注入层50的厚度为2nm。

阴极55的材料为Ag、Al、Pt或Au，阴极55的厚度为80nm～250nm。在一个较优的实施例中，阴极55的材料为Ag，阴极55的厚度为110nm。

这种有机电致发光器件的电子阻挡层30由小分子化合物与空穴传输材料组成，空穴传输材料可提高空穴的传输，提高了电子阻挡层的空穴传输速率；小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子；锌化合物能带较宽，功函数较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变；铯盐功函数较高，与发光层及空穴传输层的LUMO能级之间形成的势垒较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，且铯盐蒸发温度较低，可降低加工难度，而掺杂了空穴传输材料后，可有效提高空穴的传输，从而提高激子复合几率；噻吩小分子性质稳定，链段规整，可提高空穴的传输速率；有机硅小分子能级较宽，LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变；从而有利于提高发光效率。

相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件发光效率较高。

如图2所示的上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

S10、对基底10进行表面预处理。

基底10为玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的应用领域，也可以选用特殊工艺加工制作的特种玻璃。

表面预处理的过程具体为：将基底10用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

S20、在基底10上磁控溅射制备阳极15。

阳极15可以为铟锡氧化物薄膜（ITO）、掺铝的氧化锌薄膜（AZO）或掺铟的氧化锌薄膜（IZO），阳极15的厚度为50nm～300nm。在一个较优的实施例中，阳极15为铟锡氧化物薄膜（ITO），阳极15的厚度为110nm。

磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²。

S30、在阳极15上依次蒸镀形成空穴注入层20、空穴传输层25、电子阻挡层30、发光层35、空穴阻挡层40、电子传输层45和电子注入层50。

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。

空穴注入层20的材料可以为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅）。空穴注入层20的厚度可以为20nm～80nm。在一个较优的实施例中，空穴注入层20的材料为三氧化钼（MoO₃），空穴注入层20的厚度为34nm。

空穴传输层25的材料可以为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），空穴传输层25的厚度可以为20nm～60nm。在一个较优的实施例中，空穴传输层25的材料为NPB，空穴传输层25的材料为57nm。

电子阻挡层30的材料为小分子化合物和空穴传输材料的混合物。

小分子化合物可以为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子。

锌化合物为市售的氧化锌（ZnO）、氯化锌（ZnCl₂）或硫化锌（ZnS）。

铯盐为氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs₂CO₃）、氯化铯（CsCl）或叠氮铯（CsN₃）。

噻吩类化合物为3-己基噻吩（3HT）、3-甲基噻吩（3AT）、3-辛基噻吩（3OT）或3-十二烷基噻吩（3DDT）。

有机硅小分子可以为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）。

发光层35的材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），发光层35的厚度可以为5nm～40nm。在一个较优的实施例中，发光层35的材料为Alq₃，发光层35的厚度为29nm。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为0.05～0.2：1的锌化合物和铯盐之一与空穴传输材料的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。空穴阻挡层40的材料为铼化合物，铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼。电子阻挡层30的厚度为10nm～50nm。空穴阻挡层40的厚度为1nm～15nm。电子阻挡层30中，锌化合物能带较宽，其功函数较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，而空穴传输材料可提高空穴的传输，提高了电子阻挡层30的空穴传输速率。空穴阻挡层40中，铼化合物的HOMO能级较低，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，同时，铼化合物熔点较低，因此极易蒸镀，成膜性较好，可减少载流子陷阱的存在，提高激子的复合几率，有利于提高发光效率。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为0.05～0.2：1的锌化合物和铯盐之一与空穴传输材料的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。空穴阻挡层40的材料为质量比为5～10：1的空穴掺杂客体材料与磷光材料的混合物。空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）。磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)。电子阻挡层30的厚度为2nm～20nm。空穴阻挡层40的厚度为5nm～20nm。电子阻挡层30中，铯盐功函数较高，与发光层35及空穴传输层25的LUMO能级之间形成的势垒较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，且铯盐蒸发温度较低，可降低加工难度，而掺杂了空穴传输材料后，可有效提高空穴的传输，从而提高激子复合几率，而在发光层的上方，制备空穴阻挡层，由空穴掺杂客体材料与磷光材料组成。空穴阻挡层40中，空穴掺杂客体材料的HOMO能级很低（约-7.5eV），与一般的有机材料的HOMO能级（一般为-6.0eV）形成了较大的空穴注入能量势垒，可阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，磷光材料掺杂后，使空穴阻挡层40与发光层35的能级降到了最低（发光材料的能级差别不大），这可使激子的复合区域控制在发光层与掺杂层的边缘，使光色稳定，提高色纯度，提高发光效率。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为1：5～15的噻吩小分子和空穴传输材料的混合物。本实施例中，空穴传输材料的LUMO能级小于-2.0eV，可以为N,N,N',N’-(四甲氧基苯基)-对二氨基联苯（MeO-TPD，LUMO能级为-1.9eV），4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA，LUMO能级为-1.9eV）或1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC，LUMO能级为-1.9eV）。空穴阻挡层40的材料为质量比为5～10：1的空穴掺杂客体材料与磷光材料的混合物。空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）。磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)₂(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)₃)。电子阻挡层30的厚度为5nm～20nm。空穴阻挡层40的厚度为5nm～15nm。电子阻挡层30中，空穴传输材料的LUMO能级小于-2.0eV，而一般的发光材料的LUMO能级为-2.3eV，选用小于-2.0eV的空穴传输材料，可有效提高发光层35与电子阻挡层30的电子注入势垒，从而有效阻挡电子的穿越，而噻吩小分子性质稳定，链段规整，可提高空穴的传输速率。空穴阻挡层40中，酞菁类金属化合物属于结晶性化合物，结晶后链段可对光产生散射，经过散射出射的光，可提高光的均匀性，磷光材料掺杂后，可使空穴阻挡层40具备发光性能，磷光材料的发光性能较好，光色稳定，有利于提高发光效率。

在一个实施例中，电子阻挡层30的材料为质量比为1～3：1的有机硅小分子与空穴传输材料的混合物。空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。空穴阻挡层40的材料为质量比为3～5：1的酞菁类金属化合物与铍配合物的混合物。酞菁类金属化合物为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）或酞菁钒（VPc）。铍配合物为吩基吡啶铍(Bepp₂)、10-羟基苯并喹啉铍(BeBq₂)、8-羟基喹啉铍（BeqQ₂）或2-甲基-8-羟基喹啉铍（BeMQ₂）。电子阻挡层30的厚度为10nm～40nm。空穴阻挡层40的厚度为10nm～50nm。电子阻挡层30中，有机硅小分子能级较宽，LUMO能级较高，可有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，空穴传输材料提高空穴的传输速率。空穴阻挡层40中，酞菁类金属化合物易结晶，结晶后链段可对光产生散射，提高出光效率；铍配合物的电子传输速率较高，可提高电子传输性能，铍配合物的HOMO能级较低，使得空穴阻挡层40与发光层35的HOMO能级形成较大的空穴势垒，阻挡空穴的穿越，限制了空穴与电子的发光层复合发光，提高发光效率。

特别需要指出的是，当空穴阻挡层40中含有磷光材料时，磷光材料的选择与发光层35选择的发光材料的相匹配，即：发光层35选择蓝光发光材料时，磷光材料对应选择蓝光磷光材料；发光层35选择绿光发光材料时，磷光材料对应选择绿光磷光材料。

电子传输层45的材料可以为电子传输材料。电子传输层45的厚度可以为40nm～250nm。电子传输层材料可以为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBi）。在一个较优的实施例中，电子传输层45的材料为TPBi，电子传输层45的厚度为125nm。

电子注入层50的材料为氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs₂CO₃）或叠氮铯（CsN3）。电子注入层50的厚度为0.5nm～10nm。在一个较优的实施例中，电子注入层50的材料为Cs₂CO₃，电子注入层50的厚度为2nm。

S40、在电子注入层50上蒸镀形成阴极55，得到有机电致发光器件。

阴极55的蒸镀速率为1nm/s～10nm/s。

阴极55的材料为Ag、Al、Pt或Au，阴极55的厚度为80nm～250nm。在一个较优的实施例中，阴极55的材料为Ag，阴极55的厚度为110nm。

这种有机电致发光器件的制备方法步骤简单，简便易行，制备得到的有机电致发光器件发光效率较高。

以下为具体实施例，实施例中使用的测试与制备设备包括：沈阳科学仪器研制中心有限公司的高真空镀膜系统（蒸镀），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪（测试电致发光光谱），美国吉时利公司的Keithley2400（测试电学性能），日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计（测试亮度和色度）。其中，“/”代表层叠，“：”代表混合。

实施例1

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/MoO₃/NPB/ZnS：NPB/Alq₃/Re₂O₇/TPBi/Cs₂CO₃/Ag。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为110nm。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm²。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为MoO₃，厚度为34nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为57nm。电子阻挡层的材料为质量比为0.08:1的ZnS和NPB的混合物，厚度为15nm。发光层的材料为Alq₃，厚度为29nm。空穴阻挡层的材料为Re₂O₇，厚度为3nm。电子传输层的材料为TPBi，厚度为125nm。电子注入层的材料为Cs₂CO₃，厚度为2nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为2nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Ag，厚度为110nm。

如图3所示的实施例1制备的有机电致发光器件和普通结构的有机电致发光器件（普通玻璃/ITO/MoO₃/NPB/Alq₃/TPBi/Cs₂CO₃/Ag）的亮度与流明效率的关系图。

曲线1为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系曲线，曲线2为普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

由图3可以看出，在相同亮度下，实施例1制备的有机电致发光器件的流明效率显著高于普通结构的有机电致发光器件的流明效率。实施例1制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为5.52lm/W，而普通结构的有机电致发光器件的最大流明效率仅为3.84lm/W，而且普通结构的有机电致发光器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例1制备的有机电致发光器件的电子阻挡层和空穴阻挡层有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，提高了电子阻挡层的空穴传输速率，同时阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，减少载流子陷阱的存在，最终提高发光效率。

实施例2

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/V₂O₅/TAPC/ZnO：TCTA/BCzVBi/ReO₂/TAZ/LiF/Pt。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为300nm。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm²。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为20nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为50nm。电子阻挡层的材料为质量比为0.05:1的ZnO和TCTA的混合物，厚度为50nm。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。空穴阻挡层的材料为ReO₂，厚度为15nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为70nm。电子注入层的材料为LiF，厚度为1nm。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Pt，厚度为80nm。

实施例3

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/IZO/WO₃/TCTA/ZnCl₂：NPB/ADN/Re₂O₃/TAZ/CsF/Au。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO，厚度为150nm。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm²。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为55nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为0.2:1的ZnCl₂和NPB的混合物，厚度为10nm。发光层的材料为ADN，厚度为5nm。空穴阻挡层的材料为Re₂O₃，厚度为1nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为250nm。电子注入层的材料为CsF，厚度为10nm。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Au，厚度为250nm。

实施例4

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/V₂O₅/NPB/ZnS：NPB/DCJTB/ReO₃/Bphen/CsN₃/Al。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为50nm。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm²。

在工作压强为2×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为80nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为0.1:1的ZnS和NPB的混合物，厚度为18nm。发光层的材料为DCJTB，厚度为8nm。空穴阻挡层的材料为ReO₃，厚度为5nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm。电子注入层的材料为CsN₃，厚度为0.5nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Al，厚度为140nm。

实施例5

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/MoO3/NPB/UGH2：CuPc/Alq3/Re2O7:(Ir(ppy)3/TPBi/LiF/Ag。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为120nm。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm²。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为MoO₃，厚度为45nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为50nm。电子阻挡层的材料为质量比为3.2:1的UGH2和CuPc的混合物，厚度为18nm。发光层的材料为Alq₃，厚度为18nm。空穴阻挡层的材料为质量比为14：1的Re₂O₇和(Ir(ppy)₃的混合物，厚度为16nm。电子传输层的材料为TPBi，厚度为195nm。电子注入层的材料为LiF，厚度为2nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为2nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Ag，厚度为155nm。

如图4所示的实施例5制备的有机电致发光器件和普通结构的有机电致发光器件（普通玻璃/ITO/MoO₃/NPB/Alq₃/TPBi/LiF/Ag）的亮度与流明效率的关系图。

曲线1为实施例5制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系曲线，曲线2为普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

由图4可以看出，在相同亮度下，实施例5制备的有机电致发光器件的流明效率显著高于普通结构的有机电致发光器件的流明效率。实施例5制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为3.71lm/W，而普通结构的有机电致发光器件的最大流明效率仅为2.87lm/W，而且普通结构的有机电致发光器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例5制备的有机电致发光器件的电子阻挡层和空穴阻挡层有效阻挡电子穿越到空穴，提高空穴的传输速率，阻挡空穴穿越到阴极一端与电子发生复合而发生淬灭，使激子的复合区域控制在发光层与掺杂层的边缘，提高发光效率。

实施例6

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/IZO/V₂O₅/TAPC/CsF：NPB/BCzVBi/1T-NATA：FIrpic/Bphen/CsN₃/Au。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO，厚度为300nm。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm²。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为20nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为50nm。电子阻挡层的材料为质量比为0.05:1的CsF和NPB的混合物，厚度为20nm。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。空穴阻挡层的材料为质量比为10：1的1T-NATA和FIrpic的混合物，厚度为5nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为70nm。电子注入层的材料为CsN₃，厚度为1nm。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Au，厚度为80nm。

实施例7

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/V₂O₅/TAPC/Cs₂CO₃：TAPC/DCJTB/2T-NATA：Ir(piq)₃/TAZ/CsF/Pt。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为150nm。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm²。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为55nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为0.2:1的Cs₂CO₃和TAPC的混合物，厚度为2nm。发光层的材料为DCJTB，厚度为5nm。空穴阻挡层的材料为质量比为5：1的2T-NATA和Ir(piq)₃的混合物，厚度为20nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为40nm。电子注入层的材料为CsF，厚度为10nm。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Pt，厚度为250nm。

实施例8

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/WO₃/TCTA/CsCl:NPB/ADN/F4-TCNQ:Ir(MDQ)₂(acac)/Bphen/Cs₂CO₃/Al。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为50nm。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm²。

在工作压强为2×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为80nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为0.15:1的CsCl和NPB的混合物，厚度为8nm。发光层的材料为ADN，厚度为8nm。空穴阻挡层的材料为质量比为8：1的F4-TCNQ和Ir(MDQ)₂(acac)的混合物，厚度为11nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为250nm。电子注入层的材料为Cs₂CO₃，厚度为0.5nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Al，厚度为140nm。

实施例9

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/MoO₃/NPB/MeO-TPD：3HT/Alq₃/CuPc：Ir(ppy)₃/TPBi/LiF/Ag。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为120nm。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm²。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为MoO₃，厚度为30nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为44nm。电子阻挡层的材料为质量比为12:1的MeO-TPD和3HT的混合物，厚度为10nm。发光层的材料为Alq₃，厚度为14nm。空穴阻挡层的材料为质量比为20：1的CuPc和Ir(ppy)₃的混合物，厚度为16nm。电子传输层的材料为TPBi，厚度为195nm。电子注入层的材料为LiF，厚度为2nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为2nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Ag，厚度为120nm。

如图5所示的实施例9制备的有机电致发光器件和普通结构的有机电致发光器件（普通玻璃/ITO/MoO₃/NPB/Alq₃/TPBi/LiF/Ag）的亮度与流明效率的关系图。

曲线1为实施例9制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系曲线，曲线2为普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

由图5可以看出，在相同亮度下，实施例9制备的有机电致发光器件的流明效率显著高于普通结构的有机电致发光器件的流明效率。实施例9制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为4.02lm/W，而普通结构的有机电致发光器件的最大流明效率仅为3.28lm/W，而且普通结构的有机电致发光器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例9制备的有机电致发光器件的电子阻挡层和空穴阻挡层可有效提高发光层与电子阻挡层的电子注入势垒，阻挡电子的穿越，提高空穴的传输速率，提高光的均匀性，使光色稳定，提高发光效率。

实施例10

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/IZO/V₂O₅/TCTA/m-MTDATA：3AT/BCzVBi/ZnPc：FIrpi/Bphen/CsN₃/Au。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO，厚度为300nm。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm²。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为20nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为50nm。电子阻挡层的材料为质量比为15:1的m-MTDATA和3AT的混合物，厚度为5nm。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。空穴阻挡层的材料为质量比为40：1的ZnPc和FIrpic的混合物，厚度为15nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为70nm。电子注入层的材料为CsN₃，厚度为1nm。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Au，厚度为80nm。

实施例11

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/WO₃/TAPC/TAPC：3OT/DCJTB/MgPc：Ir(piq)₃/Bphen/CsF/Pt。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为150nm。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm²。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为55nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为5:1的TAPC和3OT的混合物，厚度为20nm。发光层的材料为DCJTB，厚度为5nm。空穴阻挡层的材料为质量比为15：1的MgPc和Ir(piq)₃的混合物，厚度为5nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm。电子注入层的材料为CsF，厚度为10nm。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Pt，厚度为250nm。

实施例12

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/WO₃/TAPC/TAPC：3DDT/ADN/VPc：Ir(MDQ)2(acac)/TAZ/Cs₂CO₃/Al。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为50nm。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm²。

在工作压强为2×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为80nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为10:1的TAPC和3DDT的混合物，厚度为8nm。发光层的材料为ADN，厚度为8nm。空穴阻挡层的材料为质量比为22：1的VPc和Ir(MDQ)₂(acac)的混合物，厚度为12nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为250nm。电子注入层的材料为Cs₂CO₃，厚度为0.5nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Al，厚度为140nm。

实施例13

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/MoO₃/NPB/UGH1;TCTA/Alq₃/CuPc：Bepp₂/TPBi/LiF/Ag。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为120nm。磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为25W/cm²。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为MoO₃，厚度为40nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为40nm。电子阻挡层的材料为质量比为2:1的UGH1和TCTA的混合物，厚度为25nm。发光层的材料为Alq₃，厚度为16nm。空穴阻挡层的材料为质量比为3.5：1的CuPc和Bepp₂的混合物，厚度为30nm。电子传输层的材料为TPBi，厚度为170nm。电子注入层的材料为LiF，厚度为0.8nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为2nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Ag，厚度为180nm。

如图6所示的实施例13制备的有机电致发光器件和普通结构的有机电致发光器件（普通玻璃/ITO/MoO₃/NPB/Alq₃/TPBi/LiF/Ag）的亮度与流明效率的关系图。

曲线1为实施例13制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系曲线，曲线2为普通结构的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。

由图6可以看出，在相同亮度下，实施例13制备的有机电致发光器件的流明效率显著高于普通结构的有机电致发光器件的流明效率。实施例13制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为4.87lm/W，而普通结构的有机电致发光器件的最大流明效率仅为3.37lm/W，而且普通结构的有机电致发光器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降。这说明，实施例13制备的有机电致发光器件的电子阻挡层和空穴阻挡层有效阻挡电子穿越到空穴一边而造成激子复合界面的改变，提高空穴的传输速率，提高出光效率，限制了空穴与电子的发光层复合发光，提高发光效率。

实施例14

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/IZO/V₂O₅/NPB/UGH2：TAPC/BCzVBi/ZnPc：BeBq₂/Bphen/Cs₂CO₃/Au。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO，厚度为300nm。磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm²。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为V₂O₅，厚度为20nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为50nm。电子阻挡层的材料为质量比为1:1的UGH2和TAPC的混合物，厚度为40nm。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。空穴阻挡层的材料为质量比为5：1的ZnPc和BeBq₂的混合物，厚度为50nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为70nm。电子注入层的材料为Cs₂CO₃，厚度为1nm。

在工作压强为2×10^-3Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为10nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Au，厚度为80nm。

实施例15

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/AZO/WO₃/TAPC/UGH3：NPB/DCJTB/MgPc：BeqQ₂/TAZ/CsF/Al。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为150nm。磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm²。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为55nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为3:1的UGH3和NPB的混合物，厚度为10nm。发光层的材料为DCJTB，厚度为5nm。空穴阻挡层的材料为质量比为3：1的MgPc和BeqQ₂的混合物，厚度为10nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为40nm。电子注入层的材料为CsF，厚度为10nm。

在工作压强为5×10^-5Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为1nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Al，厚度为250nm。

实施例16

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，具体结构表示为：玻璃/ITO/WO₃/TCTA/UGH4：NPB/ADN/VPc：BeMQ₂/Bphen/CsN₃/Pt。

制备步骤为：

提供市售的普通玻璃，将玻璃用蒸馏水和乙醇依次冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡过夜。

在表面处理过的玻璃表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为50nm。磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm²。

在工作压强为2×10^-4Pa的条件下，按照有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s，在阳极上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。空穴注入层的材料为WO₃，厚度为80nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。电子阻挡层的材料为质量比为2.2:1的UGH4和NPB的混合物，厚度为28nm。发光层的材料为ADN，厚度为8nm。空穴阻挡层的材料为质量比为4：1的VPc和BeMQ₂的混合物，厚度为15nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为250nm。电子注入层的材料为CsN₃，厚度为0.5nm。

在工作压强为8×10^-4Pa的条件下，按照金属阴极的蒸镀速率为6nm/s，在电子注入层上蒸镀形成阴极，得到有机电致发光器件。阴极的材料为Pt，厚度为140nm。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述电子阻挡层的材料为小分子化合物和空穴传输材料的混合物，所述小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子，所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯或叠氮铯，所述噻吩小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为0.05～0.2：1的所述锌化合物和所述铯盐之一与所述空穴传输材料的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。

3.如权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料为铼化合物，所述铼化合物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化二铼或三氧化铼；

所述电子阻挡层的厚度为10nm～50nm，所述空穴阻挡层的厚度为1nm～15nm。

4.如权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料为质量比为5～10：1的空穴掺杂客体材料和磷光材料的混合物，所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；

所述电子阻挡层的厚度为2nm～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～20nm。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为1：5～15的所述噻吩小分子和所述空穴传输材料的混合物，所述空穴传输材料为N,N,N',N’-(四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷；

所述空穴阻挡层的材料为质量比为15～40：1的酞菁类金属化合物和磷光材料的混合物，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒，所述磷光材料双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；

所述电子阻挡层的厚度为5nm～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～15nm。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为质量比为1～3：1的所述有机硅小分子和所述空穴传输材料的混合物，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；

所述空穴阻挡层的材料为质量比为3～5：1的酞菁类金属化合物和铍配合物的混合物，所述酞菁类金属化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒，所述铍配合物为吩基吡啶铍、10-羟基苯并喹啉铍、8-羟基喹啉铍或2-甲基-8-羟基喹啉铍；

所述电子阻挡层的厚度为10nm～40nm，所述空穴阻挡层的厚度为10nm～50nm。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm；

所述空穴传输层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm；

所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述发光层的厚度为5nm～40nm；

所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述电子传输层的厚度为40nm～250nm；

所述电子注入层为氟化锂、氟化铯、碳酸铯或叠氮铯，所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物薄膜、掺铝的氧化锌薄膜或掺铟的氧化锌薄膜，所述阳极的厚度为50nm～300nm；

所述阴极的材料为Ag、Al、Pt或Au，所述阴极的厚度为80nm～250nm。

9.一种如权利要求1～8中任一项所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

对基底进行表面预处理；

在所述基底上磁控溅射制备阳极；

在所述阳极上依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，其中，所述电子阻挡层的材料为小分子化合物与空穴传输材料的混合物，所述小分子化合物为锌化合物、铯盐、噻吩小分子或有机硅小分子，所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯或叠氮铯，所述噻吩小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；以及

在所述电子注入层上蒸镀形成阴极，得到所述有机电致发光器件。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm²～40W/cm²；

蒸镀过程中，工作压强为2×10^-3～5×10^-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。