CN104934541A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104934541A CN201410109573.8A CN201410109573A CN104934541A CN 104934541 A CN104934541 A CN 104934541A CN 201410109573 A CN201410109573 A CN 201410109573A CN 104934541 A CN104934541 A CN 104934541A
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黄辉
张振华
王平
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，所述空穴阻挡层的材质为金属硫化物和磷光材料形成的混合材料。该有机电致发光器件空穴阻挡层可以较好的阻挡空穴，避免空穴在电子传输层中复合，提高光的反射，提高出光效率；所述电子阻挡层可有效阻挡电子穿越到空穴传输层中复合，有利于空穴的传输，最终提高有机电致发光器件的发光效率。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（Organic light-emitting Devices，简称OLEDs）是一种使用有机发光材料的多层发光器件，包括依次层叠的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO），电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在典型的有机电致发光器件中，空穴的注入效率和传输能力普遍高于电子,相当一部分空穴构成漏电流，降低了发光效率，也对器件寿命构成不利影响。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括电子阻挡层和空穴阻挡层，该有机电致发光器件空穴阻挡层可以较好的阻挡空穴，避免空穴在电子传输层中复合，提高光的反射，提高出光效率；所述电子阻挡层可有效阻挡电子穿越到空穴传输层中复合影响发光效率，有利于空穴的传输，最终提高有机电致发光器件的发光效率。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，所述双极性有机材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪（TRZ4）、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶（2,6Dczppy）、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）(p-TPAm-NTAZ)或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑(CzOXD)，所述锌化合物为氧化锌（ZnO）、氯化锌（ZnCl2）或硫化锌（ZnS）；
所述空穴阻挡层的材质为金属硫化物和磷光材料形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌（ZnS）、硫化镁（MgS）、硫化铜（CuS）或硫化钠（NaS），所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)。
优选地，所述双极性有机材料和锌化合物的质量比为15:1～40:1。在所述质量比情况下，所述电子阻挡层能有效地阻挡电子穿越到空穴传输层而造成激子复合界面的改变，提高有机电致发光器件的发光效率，同时，所述双极性有机材料和锌化合物更容易掺杂在一起，得到的混合材料不易团聚。
优选地，所述金属硫化物和磷光材料的质量比为8:1～20:1。在所述质量比情况下，所述空穴阻挡层既可以避免空穴在电子传输层中复合，又可以提高光的反射，提高出光效率；同时，所述金属硫化物和磷光材料更容易掺杂在一起。
优选地，所述电子阻挡层的厚度为10～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为10～40nm。
本发明所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，双极性有机材料可提高空穴的传输速率，从而提高空穴-电子的复合几率，锌化合物能带较宽，其功函数较高，可有效阻挡电子穿越到空穴传输层而造成激子复合界面的改变；本发明空穴阻挡层的材质为金属硫化物与磷光材料形成的混合材料，可以较好的阻挡空穴，避免空穴在电子传输层中复合，金属硫化物蒸镀成膜后对光有较强的反射作用，可提高光的反射，提高出光效率；磷光材料性质稳定，磷光材料和发光层的发光材料性质相近，它们之间的势垒会消除，有利于电子注入到发光层，同时，当电子和空穴在发光层形成激子后，激发能量从发光层的发光材料迁移到磷光材料，磷光材料通过能态跃迁发光，因此可进一步提高器件的发光效率。
优选地，所述玻璃为市售玻璃。
优选地，所述阳极为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），厚度为50～300nm，更优选地，所述阳极为ITO，厚度为110nm。
优选地，所述的空穴注入层材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20～80nm，更优选地，所述空穴注入层材质为WO3，厚度为33nm。
优选地，所述的空穴传输层材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为50nm。
优选地，所述的发光层材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层材质为Alq3，厚度优选为24nm。
优选地，所述的电子传输层材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～250nm，更优选地，所述电子传输层材质为TPBi，厚度为112nm。
优选地，所述电子注入层材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或者氟化锂（LiF），厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层材质为Cs2CO3，厚度为1nm。
优选地，所述阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），厚度为80～250nm，更优选地，所述阴极为Ag，厚度为140nm。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
提供玻璃基底，清洗后干燥；在所述玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极；然后在所述阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层和空穴传输层；
在所述空穴传输层上采用热阻蒸镀的方法制备电子阻挡层，所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，所述双极性有机材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑，所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌；蒸镀所述电子阻挡层时的压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述电子阻挡层上采用热阻蒸镀的方法制备发光层；
在所述发光层上采用采用热阻蒸镀的方法制备空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的材质为金属硫化物和磷光材料形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镁、硫化铜或硫化钠，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；蒸镀所述空穴阻挡层时的压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述空穴阻挡层上采用热阻蒸镀的方法依次制备电子传输层、电子注入层和阴极，得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述双极性有机材料和锌化合物的质量比为15:1～40:1。
优选地，所述金属硫化物和磷光材料的质量比为8:1～20:1。
优选地，所述电子阻挡层的厚度为10～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为10～40nm。
优选地，所述磁控溅射的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2。
优选地，蒸镀电子阻挡层时的蒸镀原料为双极性有机材料和锌化合物按质量比为15:1～40:1形成的混合材料。
优选地，蒸镀空穴阻挡层时的蒸镀原料为金属硫化物和磷光材料按质量比为8:1～20:1形成的混合材料。
优选地，所述蒸镀空穴注入层时的压强为2×10-4～5×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层蒸镀条件均为：蒸镀压强为2×10-4～5×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，所述蒸镀阴极时的压强为2×10-4～5×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述清洗后干燥为将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。
优选地，所述玻璃基底为市售玻璃。
优选地，所述阳极为ITO、AZO或IZO，厚度为50～300nm，更优选地，所述阳极为ITO，厚度为110nm。
优选地，所述的空穴注入层材质为MoO3、WO3或V2O5，厚度为20～80nm，更优选地，所述空穴注入层材质为WO3，厚度为33nm。
优选地，所述的空穴传输层材质为TAPC、TCTA或NPB。厚度为20～60nm，更优选地，空穴传输层材质为NPB，厚度为50nm。
优选地，所述的发光层材质为DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层材质为Alq3，厚度优选为24nm。
优选地，所述的电子传输层材质为Bphen、TAZ或TPBI，厚度为40～250nm，更优选地，所述电子传输层材质为TPBi，厚度为112nm。
优选地，所述电子注入层材质为Cs2CO3、CsF、CsN3或LiF，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层材质为Cs2CO3，厚度为1nm。
优选地，所述阴极为Ag、Al、Pt或Au，厚度为80～250nm，更优选地，所述阴极为Ag，厚度为140nm。
本发明所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，双极性有机材料可提高空穴的传输速率，从而提高空穴-电子的复合几率，锌化合物能带较宽，其功函数较高，可有效阻挡电子穿越到空穴传输层而造成激子复合界面的改变；本发明空穴阻挡层的材质为金属硫化物与磷光材料形成的混合材料，可以较好的阻挡空穴，避免空穴在电子传输层中复合，金属硫化物蒸镀成膜后对光有较强的反射作用，可提高光的反射，提高出光效率；磷光材料性质稳定，磷光材料和发光层的发光材料性质相近，它们之间的势垒会消除，有利于电子注入到发光层，同时，当电子和空穴在发光层形成激子后，激发能量从发光层的发光材料迁移到磷光材料，磷光材料通过能态跃迁发光，因此可进一步提高器件的发光效率。
本发明有机电致发光器件的制备方法简单，原料价格低，操作容易，适合工业化生产。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
（1）本发明空穴阻挡层可以较好的阻挡空穴，避免空穴在电子传输层中复合影响发光效率，提高光的反射，提高出光效率；
（2）本发明电子阻挡层可有效阻挡电子穿越到空穴传输层中复合影响发光效率，有利于空穴的传输，最终提高有机电致发光器件的发光效率；
（3）本发明有机电致发光器件的制备方法简单，原料价格低，操作容易，适合工业化生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）将市售的普通玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底1上采用磁控溅射的方法制备阳极2，阳极2的材质为ITO，厚度为110nm，磁控溅射的加速电压为700V，磁场约为120G，功率密度为25W/cm2；然后在阳极2上依次热阻蒸镀空穴注入层3和空穴传输层4；其中空穴注入层的材质为MoO3，厚度为33nm，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s；空穴传输层材质为NPB，厚度为50nm，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
（2）在空穴传输层4上采用热阻蒸镀的方法制备电子阻挡层5，电子阻挡层5的材质为2,6Dczppy和ZnO按质量比为25:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
（3）在电子阻挡层5上采用热阻蒸镀的方法制备发光层6，发光层的材质为Alq3，厚度为24nm，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
（4）在发光层6上热阻蒸镀空穴阻挡层7，空穴阻挡层7的材质为ZnS和Ir(ppy)3形成的混合材料，ZnS和Ir(ppy)3的质量比为10:1，空穴阻挡层7的厚度为25nm，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
（5）在空穴阻挡层7上依次热阻蒸镀制备电子传输层8、电子注入层9和阴极10，得到有机电致发光器件，其中，电子传输层8材质为TPBi，厚度为112nm，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；电子注入层9材质为Cs2CO3，厚度为1nm，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；阴极10材质为Ag，厚度为140nm，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、空穴阻挡层7、电子传输层8、电子注入层9和阴极10。具体结构表示为：
玻璃基底/ITO/MoO3/NPB/2,6Dczppy:ZnO/Alq3/ZnS:Ir(ppy)3/TPBi/Cs2CO3/Ag。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）将市售的普通玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极的材质为AZO，厚度为300nm，磁控溅射的加速电压为300V，磁场约为50G，功率密度为40W/cm2；然后在阳极上依次热阻蒸镀空穴注入层和空穴传输层；其中空穴注入层的材质为V2O5，厚度为20nm，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s；空穴传输层材质为TCTA，厚度为50nm，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s；
（2）在空穴传输层上采用热阻蒸镀的方法制备电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TRZ4和ZnS按质量比为40:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s；
（3）在电子阻挡层上采用热阻蒸镀的方法制备发光层，发光层的材质为BCzVBi，厚度为40nm，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s；
（4）在发光层上热阻蒸镀空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为MgS和FIrpic形成的混合材料，MgS和FIrpic的质量比为8:1，空穴阻挡层的厚度为40nm，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s；
（5）在空穴阻挡层上依次热阻蒸镀制备电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，电子传输层材质为Bphen，厚度为70nm，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s；电子注入层材质为LiF，厚度为1nm，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s；阴极材质为Pt，厚度为80nm，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/AZO/V2O5/TCTA/TRZ4:ZnS/BCzVBi/MgS:FIrpic/Bphen/LiF/Pt。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）将市售的普通玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极的材质为IZO，厚度为150nm，磁控溅射的加速电压为800V，磁场约为200G，功率密度为1W/cm2；然后在阳极上依次热阻蒸镀空穴注入层和空穴传输层；其中空穴注入层的材质为V2O5，厚度为55nm，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s；空穴传输层材质为TAPC，厚度为60nm，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；
（2）在空穴传输层上采用热阻蒸镀的方法制备电子阻挡层，电子阻挡层的材质为p-TPAm-NTAZ和ZnS按质量比为15:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；
（3）在电子阻挡层上采用热阻蒸镀的方法制备发光层，发光层的材质为DCJTB，厚度为5nm，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；
（4）在发光层上热阻蒸镀空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为CuS和Ir(piq)3形成的混合材料，CuS和Ir(piq)3的质量比为20:1，空穴阻挡层的厚度为10nm，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；
（5）在空穴阻挡层上依次热阻蒸镀制备电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，电子传输层材质为TAZ，厚度为40nm，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；电子注入层材质为CsF，厚度为10nm，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；阴极材质为Au，厚度为250nm，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/IZO/V2O5/TAPC/p-TPAm-NTAZ:ZnS/DCJTB/CuS:Ir(piq)3/TAZ/CsF/Au。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）将市售的普通玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极的材质为ITO，厚度为50nm，磁控溅射的加速电压为600V，磁场约为100G，功率密度为30W/cm2；然后在阳极上依次热阻蒸镀空穴注入层和空穴传输层；其中空穴注入层的材质为WO3，厚度为80nm，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为6nm/s；空穴传输层材质为NPB，厚度为20nm，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s；
（2）在空穴传输层上采用热阻蒸镀的方法制备电子阻挡层，电子阻挡层的材质为CzOXD和ZnS按质量比为28:1形成的混合材料，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s；
（3）在电子阻挡层上采用热阻蒸镀的方法制备发光层，发光层的材质为ADN，厚度为8nm，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s；
（4）在发光层上热阻蒸镀空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为NaS和Ir(MDQ)2(acac)形成的混合材料，NaS和Ir(MDQ)2(acac)的质量比为16:1，空穴阻挡层的厚度为16nm，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s；
（5）在空穴阻挡层上依次热阻蒸镀制备电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，电子传输层材质为TPBi，厚度为250nm，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s；电子注入层材质为CsN3，厚度为0.5nm，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s；阴极材质为Al，厚度为140nm，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为6nm/s。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/ITO/WO3/NPB/CzOXD:ZnS/ADN/NaS:Ir(MDQ)2(acac)/TPBi/CsN3/Al。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中没有电子阻挡层和空穴阻挡层，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基底/ITO/MoO3/NPB/Alq3/TPBi/Cs2CO3/Ag，分别对应玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
效果实施例
采用电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）、色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试有机电致发光器件的流明效率随亮度变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例有机电致发光器件。测试结果如图2所示。图2是本发明实施例1（曲线1）与对比实施例（曲线2）有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
从图2可以看出，本发明实施例1有机电致发光器件在所测试亮度范围内的流明效率都要比对比实施例大，实施例1最大的流明效率为4.49lm/W，而对比例的仅为3.65lm/W，而且对比例的流明效率随着亮度的增大而快速下降，这说明，本发明电子阻挡层和空穴阻挡层，提高空穴-电子的复合几率，避免激子复合界面的改变，提高光的反射，最终提高器件的发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，所述双极性有机材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑，所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌；
所述空穴阻挡层的材质为金属硫化物和磷光材料形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镁、硫化铜或硫化钠，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述双极性有机材料和锌化合物的质量比为15:1～40:1。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属硫化物和磷光材料的质量比为8:1～20:1。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为10～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为10～40nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
提供玻璃基底，清洗后干燥；在所述玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极；然后在所述阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层和空穴传输层；
在所述空穴传输层上采用热阻蒸镀的方法制备电子阻挡层，所述电子阻挡层的材质为双极性有机材料和锌化合物形成的混合材料，所述双极性有机材料为2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）双（N,N-二（联苯基）-4-氨）或2,5-双（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑，所述锌化合物为氧化锌、氯化锌或硫化锌；蒸镀所述电子阻挡层时的压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述电子阻挡层上采用热阻蒸镀的方法制备发光层；
在所述发光层上采用采用热阻蒸镀的方法制备空穴阻挡层，所述空穴阻挡层的材质为金属硫化物和磷光材料形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镁、硫化铜或硫化钠，所述磷光材料为双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱或三（2-苯基吡啶）合铱；蒸镀所述空穴阻挡层时的压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述空穴阻挡层上采用热阻蒸镀的方法依次制备电子传输层、电子注入层和阴极，得到所述有机电致发光器件。
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为10～20nm，所述空穴阻挡层的厚度为10～40nm。
9.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述双极性有机材料和锌化合物的质量比为15:1～40:1。
10.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属硫化物和磷光材料的质量比为8:1～20:1。
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