CN104733634A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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黄辉
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王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括玻璃基底、阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，有机发光功能层至少包括依次层叠设置在阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料，有机硅小分子材料为UGH1，UGH2，UGH3和UGH4中的至少一种；空穴阻挡层的材质包括噻吩化合物和空穴掺杂客体材料，噻吩化合物为3HT，3AT，3OT和3DDT中的至少一种，空穴掺杂客体材料为F4-TCNQ，1T-NATA和2T-NATA中的至少一种。本发明通过设置电子阻挡层和空穴阻挡层，使得有机电致发光器件的发光效率得到了提高；本发明还公开了一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是电光源中的一种。1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展，这一突破性进展使得有机电致发光器件的研究得以在世界范围内迅速广泛地开展起来。
有机电致发光器件的发光原理：首先，有机电致发光器件在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机分子的最低占有分子轨道（LUMO），同时，空穴从阳极注入到有机分子的最高占有轨道（HOMO）；然后，电子与空穴在发光层相遇、复合，形成激子；接着，激子在电场的作用下发生迁移，将能量传递给发光材料，并激发发光材料中的电子从基态跃迁到激发态；最后，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放出光能。对于现有的有机电致发光器件而言，空穴和电子常常穿越发光层分别向阴极和阳极传输，因此，导致空穴和电子复合界面的改变，空穴和电子在复合界面形成激子后向两侧扩散，一部分激子就会扩散到未掺杂发光材料的其他区域，然后衰减，从而不能产生光子，使得有机电致发光器件的发光效率降低。因此，如何使电子和空穴有效地限制在发光层中，防止复合形成的激子的衰减，从而提高有机电致发光器件的发光效率是当今技术人员所要迫切解决的问题之一。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件通过在发光层两侧分别设置电子阻挡层和空穴阻挡层，使电子和空穴有效地限制在发光层中，使电子和空穴的复合界面位于发光层中，防止了部分电子和空穴复合形成的激子的衰减，从而提高了有机电致发光器件的发光效率；本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次层叠设置的阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极；
所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；
所述电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）和p-双（三苯基硅）苯（UGH4）中的至少一种；
所述空穴阻挡层的材质包括噻吩化合物和空穴掺杂客体材料，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩（3AT）、3-己基噻吩（3HT）、3-辛基噻吩（3OT）和3-十二烷基噻吩（3DDT）中的至少一种，所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）中的至少一种。
电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料，有机硅小分子材料的LUMO能级较高，能在发光层与阳极间形成较大的电子注入势垒，可阻挡电子穿越发光层向阳极传输，从而使电子被限制在发光层中，防止激子复合界面的改变；
空穴阻挡层的材质包括噻吩化合物和空穴掺杂客体材料，其中噻吩化合物的链段规整、有序，有利于光的散射，使向两侧的光散射回到中间，从而可以提高有机电致发光器件的出光效率；空穴掺杂客体材料的HOMO能级很低，能在发光层与阴极极间形成较大的空穴注入能量势垒，可阻挡空穴穿越发光层到阴极一端，从而使空穴也被限制在发光层中，防止激子复合界面的改变。
优选地，所述空穴阻挡层中所述噻吩化合物和所述空穴掺杂客体材料的质量比为4:1～8:1。
优选地，所述电子阻挡层的厚度为1nm～10nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～20nm。
优选地，所述阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物（ITO）、掺铝的氧化锌（AZO）或掺铟的氧化锌（IZO）；所述阳极导电薄膜的厚度为50nm～300nm。
优选地，所述发光层的材质包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种；所述发光层的厚度为5nm～40nm。
优选地，所述阴极的材质包括银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）和金（Au）中的至少一种；所述阴极的厚度为80nm～250nm。
优选地，所述有机发光功能层包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
更优选地，所述空穴注入层的材质包括三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的至少一种；所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。
更优选地，所述空穴传输层的材质包括1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）和N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种；所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。
更优选地，所述电子传输层的材质包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBi）中的至少一种；所述电子传输层的厚度为40nm～250nm。
更优选地，所述电子注入层的材质包括氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs2CO3）和叠氮化铯（CsN3）中的至少一种；所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。
第二方面，本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）提供清洁的玻璃基底，采用磁控溅射的方法在所述玻璃基底表面制备阳极导电薄膜；
（2）在所述阳极导电薄膜表面制备有机发光功能层，所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；采用真空蒸镀的方法制备所述发光层；采用热阻蒸镀的方法制备所述电子阻挡层和所述空穴阻挡层，制备所述电子阻挡层和所述空穴阻挡层的真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；
所述电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）和p-双（三苯基硅）苯（UGH4）中的至少一种；
所述空穴阻挡层的材质包括噻吩化合物和空穴掺杂客体材料，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩（3AT）、3-己基噻吩（3HT）、3-辛基噻吩（3OT）和3-十二烷基噻吩（3DDT）中的至少一种，所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）中的至少一种；
（3）采用真空蒸镀的方法在所述有机发光功能层表面制备阴极，得到有机电致发光器件。
优选地，步骤（2）中所述空穴阻挡层中所述噻吩化合物和所述空穴掺杂客体材料的质量比为4:1～8:1。
优选地，步骤（2）中所述电子阻挡层的厚度为1nm～10nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～20nm。
优选地，步骤（1）中制备所述阳极导电薄膜所采用的磁控溅射的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm2～40W/cm2；所述阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物（ITO）、掺铝的氧化锌（AZO）或掺铟的氧化锌（IZO）；所述阳极导电薄膜的厚度为50nm～300nm。
优选地，步骤（2）中制备所述发光层所采用的真空蒸镀的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；所述发光层的材质包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种；所述发光层的厚度为5nm～40nm。
优选地，步骤（3）中制备所述阴极所采用的真空蒸镀的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；所述阴极的材质包括银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）和金（Au）中的至少一种；所述阴极的的厚度为80nm～250nm。
优选地，步骤（2）中所述有机发光功能层包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层；采用真空蒸镀的方法制备所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子传输层和所述电子注入层。
更优选地，步骤（2）中制备所述空穴注入层所采用的真空蒸镀的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s；所述空穴注入层的材质包括三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的至少一种；所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。
更优选地，步骤（2）中制备所述空穴传输层所采用的真空蒸镀的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；所述空穴传输层的材质包括1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）和N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种；所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。
更优选地，步骤（2）中制备所述电子传输层所采用的真空蒸镀的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；所述电子传输层的材质包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBi）中的至少一种；所述电子传输层的厚度为40nm～250nm。
更优选地，步骤（2）中制备所述电子电子注入层所采用的真空蒸镀的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；所述电子注入层的材质包括氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs2CO3）和叠氮化铯（CsN3）中的至少一种；所述电子注入层的厚度为0.5nm～10nm。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明提供的有机电致发光器件通过在发光层两侧分别设置电子阻挡层和空穴阻挡层，使电子和空穴有效地限制在发光层中，使电子和空穴的复合界面位于发光层中，防止了部分电子和空穴复合形成的激子的衰减，从而提高了有机电致发光器件的发光效率；
2、本发明提供的有机电致发光器件的电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料，有机硅小分子材料的LUMO能级较高，能在发光层与阳极间形成较大的电子注入势垒，可阻挡电子穿越发光层向阳极传输，从而使电子被限制在发光层中，防止激子复合界面的改变，从而防止了部分激子的衰减，提高了有机电致发光器件的发光效率；
3、本发明提供的有机电致发光器件的空穴阻挡层的材质包括噻吩化合物和空穴掺杂客体材料，其中噻吩化合物的链段规整、有序，有利于光的散射，使向两侧的光散射回到中间，从而可以提高有机电致发光器件的出光效率；空穴掺杂客体材料的HOMO能级很低，能在发光层与阴极极间形成较大的空穴注入能量势垒，可阻挡空穴穿越发光层到阴极一端，从而使空穴也被限制在发光层中，防止激子复合界面的改变，从而防止了部分激子的衰减，提高了有机电致发光器件的发光效率；
4、本发明提供的有机电致发光器件的制备方法工序简单，提高了生产效率，降低了生产成本，适于工业化生产。
附图说明
图1是本发明实施例1中的有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1中的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，下面结合附图与较佳实施例，对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，不用于限定本发明。
实施例1：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
a）阳极导电薄膜的制作：将市售的普通玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，作为玻璃基底待用；采用磁控溅射的方法在处理后的玻璃基底表面制备阳极导电薄膜，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为45W/cm2；阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物（ITO），厚度为110nm。
b）空穴注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在阳极导电薄膜层表面制备空穴注入层，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为5nm/s；空穴注入层的材质包括三氧化钼（MoO3），厚度为29nm。
c）空穴传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴注入层的表面制备空穴传输层，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s；空穴传输层的材质包括N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为52nm。
d）电子阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在空穴传输层的表面制备电子阻挡层，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s；电子阻挡层的材质包括p-二（三苯基硅）苯（UGH2），厚度为5nm。
e）发光层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子阻挡层的表面制备发光层，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s；发光层的材质包括8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为17nm。
f）空穴阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在发光层的表面制备空穴阻挡层，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s；空穴阻挡层的材质包括3-己基噻吩（3HT）和4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA），3-己基噻吩（3HT）和4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）的质量比为6:1，厚度为15nm。
g）电子传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴阻挡层的表面制备电子传输层，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s；电子传输层的材质包括N-芳基苯并咪唑（TPBi），厚度为127nm。
h)电子注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子传输层的表面制备电子注入层，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为0.2nm/s；电子注入层的材质包括碳酸铯（Cs2CO3），厚度为2nm。
i)阴极的制备：真空蒸镀的方式在电子注入层的表面制备阴极，工艺条件为：真空度为8×10-4Pa，蒸发速度为2nm/s；阴极的材质包括银（Ag），厚度为95nm。
图1为本实施例制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件由下往上依次层叠设置有玻璃基底（1）、阳极导电薄膜（2）、空穴注入层（3）、空穴传输层（4）、电子阻挡层（5）、发光层（6）、空穴阻挡层（7）、电子传输层（8）、电子注入层（9）以及阴极（10）。
图2为本实施例制得的有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图，其中，曲线1为实施例1有机电致发光器件的亮度与流明效率的关系图；曲线2为对比例有机电致发光器件（对比例有机电致发光器件与实施例1有机电致发光器件相比，不同之处仅在于对比例有机电致发光器件的发光层两侧没有设置电子阻挡层和空穴阻挡层）的亮度与流明效率的关系图。如图2所示，在不同亮度下，实施例1有机电致发光器件的流明效率都比对比例有机电致发光器件的流明效率要大，实施例1有机电致发光器件的最大的流明效率为5.39lm/W，而对比例有机电致发光器件的最大的流明效率仅为3.83lm/W，而且对比例有机电致发光器件的流明效率随着亮度的增大而快速下降，这说明，本发明提供的有机电致发光器件通过设置电子阻挡层和空穴阻挡层，提高了有机电致发光器件的发光效率。
测试与制备设备为高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能。
实施例2：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
a）阳极导电薄膜的制作：将市售的普通玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，作为玻璃基底待用；采用磁控溅射的方法在处理后的玻璃基底表面制备阳极导电薄膜，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2；阳极导电薄膜的材质为掺铟的氧化锌（IZO），厚度为300nm。
b）空穴注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在阳极导电薄膜层表面制备空穴注入层，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s；空穴注入层的材质包括三氧化钨（WO3），厚度为20nm。
c）空穴传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴注入层的表面制备空穴传输层，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s；空穴传输层的材质包括4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA），厚度为20nm。
d）电子阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在空穴传输层的表面制备电子阻挡层，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s；电子阻挡层的材质包括二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1），厚度为10nm。
e）发光层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子阻挡层的表面制备发光层，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s；发光层的材质包括4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi），厚度为40nm。
f）空穴阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在发光层的表面制备空穴阻挡层，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s；空穴阻挡层的材质包括3-甲基噻吩（3AT）和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ），3-甲基噻吩（3AT）和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）的质量比为8:1，厚度为20nm。
g）电子传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴阻挡层的表面制备电子传输层，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为1nm/s；电子传输层的材质包括1,2,4-三唑衍生物（TAZ），厚度为70nm。
h）电子注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子传输层的表面制备电子注入层，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为0.1nm/s；电子注入层的材质包括氟化锂（LiF），厚度为1nm。
i）阴极的制备：真空蒸镀的方式在电子注入层的表面制备阴极，工艺条件为：真空度为2×10-3Pa，蒸发速度为10nm/s；阴极的材质包括铂（Pt），厚度为80nm。
实施例3：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
a）阳极导电薄膜的制作：将市售的普通玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，作为玻璃基底待用；采用磁控溅射的方法在处理后的玻璃基底表面制备阳极导电薄膜，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm2；阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物（ITO），厚度为150nm。
b）空穴注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在阳极导电薄膜层表面制备空穴注入层，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为10nm/s；空穴注入层的材质包括五氧化二钒（V2O5），厚度为55nm。
c）空穴传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴注入层的表面制备空穴传输层，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s；空穴传输层的材质包括4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA），厚度为60nm。
d）电子阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在空穴传输层的表面制备电子阻挡层，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s；电子阻挡层的材质包括1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3），厚度为1nm。
e）发光层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子阻挡层的表面制备发光层，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s；发光层的材质包括9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN），厚度为5nm。
f）空穴阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在发光层的表面制备空穴阻挡层，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s；空穴阻挡层的材质包括3-辛基噻吩（3OT）和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA），3-辛基噻吩（3OT）和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）的质量比为4:1，厚度为5nm。
g）电子传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴阻挡层的表面制备电子传输层，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为0.1nm/s；电子传输层的材质包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为40nm。
h）电子注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子传输层的表面制备电子注入层，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为1nm/s；电子注入层的材质包括叠氮化铯（CsN3），厚度为10nm。
i）阴极的制备：真空蒸镀的方式在电子注入层的表面制备阴极，工艺条件为：真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为1nm/s；阴极的材质包括金（Au），厚度为250nm。
实施例4：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
a）阳极导电薄膜的制作：将市售的普通玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，作为玻璃基底待用；采用磁控溅射的方法在处理后的玻璃基底表面制备阳极导电薄膜，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2；阳极导电薄膜的材质为掺铝的氧化锌（AZO），厚度为50nm。
b）空穴注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在阳极导电薄膜层表面制备空穴注入层，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为4nm/s；空穴注入层的材质包括五氧化二钒（V2O5），厚度为80nm。
c）空穴传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴注入层的表面制备空穴传输层，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s；空穴传输层的材质包括1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC），厚度为60nm。
d）电子阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在空穴传输层的表面制备电子阻挡层，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s；电子阻挡层的材质包括p-双（三苯基硅）苯（UGH4），厚度为2nm。
e）发光层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子阻挡层的表面制备发光层，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s；发光层的材质包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB），厚度为8nm。
f）空穴阻挡层的制备：采用热阻蒸镀的方式在发光层的表面制备空穴阻挡层，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s；空穴阻挡层的材质包括3-十二烷基噻吩（3DDT）和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ），3-十二烷基噻吩（3DDT）和2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）的质量比为5:1，厚度为18nm。
g）电子传输层的制备：采用真空蒸镀的方式在空穴阻挡层的表面制备电子传输层，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.5nm/s；电子传输层的材质包括1,2,4-三唑衍生物（TAZ），厚度为250nm。
h）电子注入层的制备：采用真空蒸镀的方式在电子传输层的表面制备电子注入层，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为0.3nm/s；电子注入层的材质包括氟化铯（CsF），厚度为0.5nm。
i）阴极的制备：真空蒸镀的方式在电子注入层的表面制备阴极，工艺条件为：真空度为2×10-4Pa，蒸发速度为6nm/s；阴极的材质包括铝（Al），厚度为140nm。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次层叠设置的阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，其特征在于，
所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；
所述电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯和p-双（三苯基硅）苯中的至少一种；
所述空穴阻挡层的材质包括噻吩化合物和空穴掺杂客体材料，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一种，所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层中所述噻吩化合物和所述空穴掺杂客体材料的质量比为4:1～8:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为1nm～10nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～20nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物、掺铝的氧化锌或掺铟的氧化锌；所述阳极导电薄膜的厚度为50nm～300nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯和8-羟基喹啉铝中的至少一种；所述发光层的厚度为5nm～40nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）提供清洁的玻璃基底，采用磁控溅射的方法在所述玻璃基底表面制备阳极导电薄膜；
（2）在所述阳极导电薄膜表面制备有机发光功能层，所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；采用真空蒸镀的方法制备所述发光层；采用热阻蒸镀的方法制备所述电子阻挡层和所述空穴阻挡层，制备所述电子阻挡层和所述空穴阻挡层的真空度为5×10-5Pa～2×10－3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；
所述电子阻挡层的材质包括有机硅小分子材料，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯和p-双（三苯基硅）苯中的至少一种；
所述空穴阻挡层的材质包括噻吩化合物和空穴掺杂客体材料，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一种，所述空穴掺杂客体材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中的至少一种；
（3）采用真空蒸镀的方法在所述有机发光功能层表面制备阴极，得到有机电致发光器件。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述空穴阻挡层中所述噻吩化合物和所述空穴掺杂客体材料的质量比为4:1～8:1。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述电子阻挡层的厚度为1nm～10nm，所述空穴阻挡层的厚度为5nm～20nm。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中制备所述阳极导电薄膜所采用的磁控溅射的工艺条件为：真空度为5×10-5Pa～2×10-3Pa，加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm2～40W/cm2；所述阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物、掺铝的氧化锌或掺铟的氧化锌；所述阳极导电薄膜的厚度为50nm～300nm。
10.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中制备所述发光层所采用的真空蒸镀的工艺条件为：真空度为5×10- 5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s；所述发光层的材质包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯和8-羟基喹啉铝中的至少一种；所述发光层的厚度为5nm～40nm。
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